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Mosfets à faible puissance polyvalents, N-Channel Mosfet Voltage de seuil bas

  • Multipurpose Low Power Mosfets , N Channel Mosfet Low Threshold Voltage
Lieu d'origine Guangdong, NC
Nom de marque REASUNOS
Prix Confirm price based on product
Détails d'emballage Emballages tubulaires à l'épreuve de la poussière, de l'eau et antistatiques, placés dans une boîte
Délai de livraison 2 à 30 jours (selon la quantité totale)
Conditions de paiement 100% T/T à l'avance
Capacité d'approvisionnement 5KK/mois

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Détails sur le produit
Capacité EAS Capacité EAS élevée Processus de structuration Tranchée/SGT
Application du procédé de tranchée Chargement sans fil, charge rapide, pilote de moteur, convertisseur DC/DC, commutateur haute fréquen Consommation d'électricité Perte de puissance faible
Avantages de processus de SGT Optimisation de la percée FOM, couvrant plus d'application. l'efficacité Haute efficacité et fiabilité
Nom du produit MOSFET basse tension Avantages du procédé de tranchée Un RSP plus petit, les configurations série et parallèle peuvent être librement combinées et utilisé
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Mosfets polyvalents à faible puissance

,

N-canal Mosfets à faible puissance

,

N-canal Mosfet basse tension de seuil
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No. Part No. Type ID(A) VDSS(V) RDS(ON) Typ(mΩ) RDS(ON) Max(mΩ) Package MOQ(pcs)
1 RS2301E P -2.3 -20 70 110 SOT-23 3000
2 RS3415E P -4 -20 33 50 SOT-23 3000
3 RS2302E N 2.1 20 32 45 SOT-23 3000
4 RS2300E N 4.5 20 21 32 SOT-23 3000
5 RS2N7002E N 0.34 60 1300 5000 SOT-23 3000
6 RS20N90D N 90 20 3.7 5 TO-252 2500
7 RS3401E P -4.2 -30 50 65 SOT-23 3000
8 RS4435 P -10 -30 15 20 SOP-8 4000
9 RS3400E N 5.8 30 27 35 SOT-23 3000
10 RS30N30K N 30 30 5.8 9 DFN3*3 5000
11 RS30N50K N 50 30 3.8 5.5 DFN3*3 5000
12 RS30N60D N 60 30 6.2 7.5 TO-252 2500
13 RS30N86D N 86 30 4.7 5.5 TO-252 2500
14 RS30N120G N 120 30 3 4 DFN5*6 5000
15 RS30N150D N 150 30 3 4 TO-252 2500
16 RS30N150T N 150 30 3 4 TO-220 1000
17 RS40N100G N 100 40 2.8 3.5 DFN5*6 5000
18 RS40N120D N 120 40 2.8 3.5 TO-252 2500
19 RS40N120T N 120 40 2.8 3.5 TO-220 1000
20 RS150N105T N 105 150 9.8 11 TO-220 1000
21 RS76N20T N 76 200 17 20 TO-220 1000
22 RS2310E N 3 60 70 105 SOT-23 3000
23 RS60N30D N 30 60 22 35 TO-252 2500
24 RS60N50D N 50 60 14 22 TO-252 2500
25 RS60N50T N 50 60 14 22 TO-220 1000
26 RS80N25W N 80 250 30 35 TO-247 600
27 RS630D N 9 200 250 300 TO-252 2500
28 RS630T N 9 200 250 300 TO-220 1000
29 RS640D N 18 200 120 150 TO-252 2500
30 RS640T N 18 200 120 150 TO-220 1000
31 RS40N130G N 130 40 1.45 1.75 DFN5*6 5000
32 RS40N180T N 180 40 1.6 2 TO-220 1000
33 RS60N130G N 130 60 2.1 2.5 DFN5*6 5000
34 RS60N200T N 200 60 2.5 3.2 TO-220 1000
35 RS85N140T N 140 85 4.5 5.3 TO-220 1000
36 RS85N140S N 140 85 4.5 5.3 TO-263 800
37 RS85N150T N 150 85 2.8 3.6 TO-220 1000
38 RS85N150S N 150 85 2.7 3.4 TO-263 800
39 RS100N78HT N 78 100 8.2 9.5 TO-220 1000
40 RS100N78T N 78 100 8.2 9.5 TO-220 1000
41 RS100N100T N 100 100 7 8.5 TO-220 1000
42 RS100N135T N 135 100 3.7 4.2 TO-220 1000
43 RS100N135HT N 135 100 3.7 4.2 TO-220 1000
44 RS100N135HS N 135 100 4.2 5 TO-263 800
45 RS100N180T N 180 100 3 3.8 TO-220 1000
46 RS100N180S N 180 100 2.9 3.6 TO-263 800
47 RS100N190T N 190 100 2.3 3 TO-220 1000
48 RS100N190S N 190 100 2.2 2.8 TO-263 800
49 RS110N200T N 200 110 3.4 4 TO-220 1000
50 RS110N200S N 200 110 3.4 4 TO-263 800
51 RS100N210S N 200 100 1.9 2.4 TO-263 800
52 RS100N210T N 210 100 1.9 2.4 TO-220 1000
53 RS100N300I N 300 100 1.7 2.2 TOLL 2000
54 RS100N60G N 60 100 7.5 8.5 DFN5*6 5000
55 RS100N60HG N 60 100 7.5 8.5 DFN5*6 5000
56 RS100N85G N 85 100 6 7.5 DFN5*6 5000
57 RS100N85HG N 85 100 6 7.5 DFN5*6 5000
58 RS100N125G N 125 100 4 4.6 DFN5*6 5000
59 RS100N125HG N 125 100 4 4.6 DFN5*6 5000
60 RS100N150HG N 150 100 3.5 4.2 DFN5*6 5000
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No. Part No. Type ID(A) VDSS(V) RDS(ON) Typ(mΩ) RDS(ON) Max(mΩ) Package MOQ(pcs)
Description de produit

Faible perte de puissance SGT Application de processus Transistor à effet de champ de stockage d'énergie à faible Rds ((ON)

Description du produit:

Le MOSFET basse tension est un type de transistor à effet de champ (FET) conçu pour fonctionner à basse tension de seuil.qui a une optimisation FOM révolutionnaire et une capacité EAS élevéeIl est constitué d'une tranchée ou d'une structure SGT pour fournir un faible Rds ((ON).

Les MOSFET basse tension sont largement utilisés dans de nombreuses applications telles que le pilote de moteur, la station de base 5G, le stockage d'énergie, le commutateur haute fréquence, la rectification synchrone.Avec sa basse tension de la porte et de basse tension de seuil, il est optimisé pour des performances dans une variété d'applications, telles que la gestion de l'énergie, le contrôle du moteur, le traitement du signal et la communication.

Le MOSFET basse tension est une solution idéale pour divers types d'applications nécessitant une faible consommation d'énergie, une efficacité élevée et un faible bruit.et offre une excellente performance.

 

Paramètres techniques:

Paramètres Définition
Nom du produit MOSFET à basse tension
Processus de la structure Traînée/SGT
Consommation d'électricité Faible perte de puissance
Résistance Rds bas ((ON)
Efficacité Très efficace et fiable
Application du procédé des tranchées Chargement sans fil, chargement rapide, pilote de moteur, convertisseur CC/DC, commutateur haute fréquence, rectification synchrone
Les avantages du procédé des tranchées RSP plus petit, les configurations en série et en parallèle peuvent être librement combinées et utilisées
Procédure SGT Application Conducteur de moteur, station de base 5G, stockage d'énergie, commutateur haute fréquence, rectification synchrone
Les avantages du procédé SGT Optimisation FOM révolutionnaire, couvrant plus d'applications
Capacité du système EAS Capacité EAS élevée
 

Applications:

Le MOSFET basse tension REASUNOS offre d'excellentes performances et fiabilité pour les applications à basse tension de passerelle telles que le pilote de moteur, la station de base 5G, le stockage d'énergie,commutateur à haute fréquence et rectification synchrone. Les MOSFET basse tension sont fabriqués selon le procédé SGT avancé, qui offre une optimisation FOM innovante et couvre plus d'applications.résistant à la poussièreLe délai de livraison est de 2 à 30 jours en fonction de la quantité totale, et les conditions de paiement sont de 100% T/T à l'avance ((EXW).La capacité d'approvisionnement est de 5KK/mois.

 

Assistance et services:

Assistance technique et service pour les MOSFET basse tension

Notre équipe d'ingénieurs expérimentés et compétents fournit des solutions rapides et efficaces à tout problème que vous pourriez rencontrer.Nos services incluent::

  • Dépannage et débogage
  • Orientation et optimisation de la conception
  • Prise en charge du firmware et des logiciels
  • Aide à la demande
  • Tests et évaluation des produits
  • Documentation technique
  • Services de conception sur mesure

Nous nous engageons à fournir le meilleur service possible à nos clients. Si vous avez besoin d'aide, veuillez nous contacter par téléphone, e-mail ou chat en direct et un membre de notre équipe vous contactera bientôt.

 

Emballage et expédition

Emballage et expédition du MOSFET basse tension:

  • Chaque MOSFET basse tension est placé dans un sac antistatique avant d'être emballé dans une boîte en carton.
  • La boîte en carton est ensuite scellée avec un sac en plastique.
  • La boîte de carton scellée est ensuite placée dans une boîte en bois, qui est remplie de mousse pour protéger le produit pendant l'expédition.
  • La boîte en bois est ensuite scellée avec du ruban adhésif et expédiée au client.
 

FAQ:

Q1: Quel est le nom de marque du MOSFET basse tension?

R1: Je suis désolé.Le nom de marque du MOSFET basse tension est REASUNOS.

Q2: Quelle est l'origine du MOSFET basse tension?

R2: Je ne sais pas.L'origine du MOSFET basse tension est Guangdong, CN.

Q3: Quel est le prix du MOSFET basse tension?

A3: Je ne sais pas.Le prix du MOSFET basse tension doit être confirmé en fonction du produit.

Q4: Comment le MOSFET basse tension est-il emballé?

A4:Le MOSFET basse tension est emballé avec un emballage tubulaire à l'épreuve de la poussière, de l'eau et de l'antistatique, placé dans une boîte en carton dans des cartons.

Q5: Quel est le délai de livraison du MOSFET basse tension?

A5: le nombre de pointsLe délai de livraison du MOSFET basse tension est de 2 à 30 jours, ce qui dépend de la quantité totale.

Étiquettes:

N-canal Mosfet basse tension de seuil

Mosfet de canal P à faible puissance stable

MOSFET basse tension de la station de base