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Chargement rapide à basse tension MOSFET N-Channel Multifonctionnel pour le conducteur automobile

  • Fast Charging Low Voltage MOSFET N Channel Multipurpose For Motor Driver
Lieu d'origine Guangdong, NC
Nom de marque REASUNOS
Prix Confirm price based on product
Détails d'emballage Emballages tubulaires à l'épreuve de la poussière, de l'eau et antistatiques, placés dans une boîte
Délai de livraison 2 à 30 jours (selon la quantité totale)
Conditions de paiement 100% T/T à l'avance
Capacité d'approvisionnement 5KK/mois

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Détails sur le produit
Consommation d'électricité Perte de puissance faible Capacité EAS Capacité EAS élevée
Processus de structuration Tranchée/SGT Application de processus de SGT Conducteur de moteur, station de la base 5G, stockage de l'énergie, commutateur à haute fréquence, r
Avantages de processus de SGT Optimisation de la percée FOM, couvrant plus d'application. Résistance Le bas RDS (DESSUS)
Application du procédé de tranchée Chargement sans fil, charge rapide, pilote de moteur, convertisseur DC/DC, commutateur haute fréquen Nom du produit MOSFET basse tension
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MOSFET à basse tension à charge rapide

,

MOSFET à basse tension N

,

Mosfet à faible puissance multi-fonctionnel
Vous pouvez cocher les produits dont vous avez besoin et communiquer avec nous dans le babillard électronique.
No. Part No. Type ID(A) VDSS(V) RDS(ON) Typ(mΩ) RDS(ON) Max(mΩ) Package MOQ(pcs)
1 RS2301E P -2.3 -20 70 110 SOT-23 3000
2 RS3415E P -4 -20 33 50 SOT-23 3000
3 RS2302E N 2.1 20 32 45 SOT-23 3000
4 RS2300E N 4.5 20 21 32 SOT-23 3000
5 RS2N7002E N 0.34 60 1300 5000 SOT-23 3000
6 RS20N90D N 90 20 3.7 5 TO-252 2500
7 RS3401E P -4.2 -30 50 65 SOT-23 3000
8 RS4435 P -10 -30 15 20 SOP-8 4000
9 RS3400E N 5.8 30 27 35 SOT-23 3000
10 RS30N30K N 30 30 5.8 9 DFN3*3 5000
11 RS30N50K N 50 30 3.8 5.5 DFN3*3 5000
12 RS30N60D N 60 30 6.2 7.5 TO-252 2500
13 RS30N86D N 86 30 4.7 5.5 TO-252 2500
14 RS30N120G N 120 30 3 4 DFN5*6 5000
15 RS30N150D N 150 30 3 4 TO-252 2500
16 RS30N150T N 150 30 3 4 TO-220 1000
17 RS40N100G N 100 40 2.8 3.5 DFN5*6 5000
18 RS40N120D N 120 40 2.8 3.5 TO-252 2500
19 RS40N120T N 120 40 2.8 3.5 TO-220 1000
20 RS150N105T N 105 150 9.8 11 TO-220 1000
21 RS76N20T N 76 200 17 20 TO-220 1000
22 RS2310E N 3 60 70 105 SOT-23 3000
23 RS60N30D N 30 60 22 35 TO-252 2500
24 RS60N50D N 50 60 14 22 TO-252 2500
25 RS60N50T N 50 60 14 22 TO-220 1000
26 RS80N25W N 80 250 30 35 TO-247 600
27 RS630D N 9 200 250 300 TO-252 2500
28 RS630T N 9 200 250 300 TO-220 1000
29 RS640D N 18 200 120 150 TO-252 2500
30 RS640T N 18 200 120 150 TO-220 1000
31 RS40N130G N 130 40 1.45 1.75 DFN5*6 5000
32 RS40N180T N 180 40 1.6 2 TO-220 1000
33 RS60N130G N 130 60 2.1 2.5 DFN5*6 5000
34 RS60N200T N 200 60 2.5 3.2 TO-220 1000
35 RS85N140T N 140 85 4.5 5.3 TO-220 1000
36 RS85N140S N 140 85 4.5 5.3 TO-263 800
37 RS85N150T N 150 85 2.8 3.6 TO-220 1000
38 RS85N150S N 150 85 2.7 3.4 TO-263 800
39 RS100N78HT N 78 100 8.2 9.5 TO-220 1000
40 RS100N78T N 78 100 8.2 9.5 TO-220 1000
41 RS100N100T N 100 100 7 8.5 TO-220 1000
42 RS100N135T N 135 100 3.7 4.2 TO-220 1000
43 RS100N135HT N 135 100 3.7 4.2 TO-220 1000
44 RS100N135HS N 135 100 4.2 5 TO-263 800
45 RS100N180T N 180 100 3 3.8 TO-220 1000
46 RS100N180S N 180 100 2.9 3.6 TO-263 800
47 RS100N190T N 190 100 2.3 3 TO-220 1000
48 RS100N190S N 190 100 2.2 2.8 TO-263 800
49 RS110N200T N 200 110 3.4 4 TO-220 1000
50 RS110N200S N 200 110 3.4 4 TO-263 800
51 RS100N210S N 200 100 1.9 2.4 TO-263 800
52 RS100N210T N 210 100 1.9 2.4 TO-220 1000
53 RS100N300I N 300 100 1.7 2.2 TOLL 2000
54 RS100N60G N 60 100 7.5 8.5 DFN5*6 5000
55 RS100N60HG N 60 100 7.5 8.5 DFN5*6 5000
56 RS100N85G N 85 100 6 7.5 DFN5*6 5000
57 RS100N85HG N 85 100 6 7.5 DFN5*6 5000
58 RS100N125G N 125 100 4 4.6 DFN5*6 5000
59 RS100N125HG N 125 100 4 4.6 DFN5*6 5000
60 RS100N150HG N 150 100 3.5 4.2 DFN5*6 5000
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No. Part No. Type ID(A) VDSS(V) RDS(ON) Typ(mΩ) RDS(ON) Max(mΩ) Package MOQ(pcs)
Description de produit

MOSFET à basse tension RSP plus petit avec des avantages du processus de tranchée

Description du produit:

Le MOSFET à basse tension est un transistor à effet de champ semi-conducteur à oxyde métallique à basse tension de haut rendement, spécialement conçu pour les applications à faible puissance.Il est fabriqué avec un procédé spécial SGT, ce qui assure des caractéristiques électriques supérieures, telles qu'une faible résistance Rds ((ON) et une grande capacité EAS (Energy Accumulation System).y compris le conducteur, station de base 5G, stockage d'énergie, commutateur haute fréquence et rectification synchrone.lui permettant d'offrir d'excellentes performances et fiabilitéIl offre un faible VGS (Gate-to-Source Voltage) et d'excellentes performances de commutation, ce qui le rend idéal pour les applications à faible consommation.

 

Paramètres techniques:

Nom du produit Caractéristiques
MOSFET à basse tension RSP plus petit, haute efficacité et fiabilité, faible Rds ((ON), faible perte de puissance
Procédure Avantages/Application
Une tranchée RSP plus petit, les configurations en série et en parallèle peuvent être librement combinées et utilisées, recharge sans fil, recharge rapide, pilote moteur, convertisseur CC/DC, commutateur haute fréquence,Correction synchrone.
GTS Optimisation FOM révolutionnaire, couvrant plus d'applications, pilote moteur, station de base 5G, stockage d'énergie, commutateur haute fréquence, rectification synchrone.
Capacité du SEA Capacité EAS élevée
 

Applications:

REASUNOS Low Voltage MOSFET est un dispositif semi-conducteur haute performance à basse tension et à faible Rds ((ON). Il est largement utilisé dans de nombreuses applications, telles que le pilote de moteur, la station de base 5G, le stockage d'énergie,et commutateur haute fréquence. Le produit est fabriqué à partir de matériaux de haute qualité, et son emballage est imperméable à la poussière, imperméable à l'eau et antistatique.Le produit est disponible à un prix compétitif et à un délai de livraison courtEn outre, le produit est fabriqué à Guangdong, en Chine, et une capacité d'approvisionnement de 5KK / mois est disponible.

Le MOSFET basse tension REASUNOS est également connu pour son optimisation FOM révolutionnaire et couvre plus d'applications que jamais.qui permet un RSP plus petit et permet de combiner et d'utiliser librement les configurations en série et en parallèleEn outre, le procédé de tranchée est également disponible, offrant des avantages tels qu'un RSP plus petit et des configurations en série et en parallèle.

REASUNOS Low Voltage MOSFET est votre meilleur choix pour ses excellentes performances et son prix compétitif. Les clients peuvent choisir les conditions de paiement appropriées, telles que 100% T/T à l'avance ((EXW),selon leurs besoins.

 

Assistance et services:

Assistance technique et service des MOSFET basse tension

Chez XYZ Corporation, nous nous engageons à fournir le meilleur support technique et service pour nos produits MOSFET basse tension.Notre équipe d'ingénieurs hautement qualifiés est disponible pour répondre à toutes vos questions sur nos produits..

Nous nous efforçons de nous assurer que nos produits répondent aux plus hauts standards de qualité et de performance.qui couvre tout défaut de matériau ou de fabrication.

Si vous avez des questions ou si vous avez besoin d'aide pour nos produits MOSFET basse tension, n'hésitez pas à nous contacter.

 

Emballage et expédition

Emballage et expédition du MOSFET basse tension:

Les produits MOSFET à basse tension seront emballés dans un matériau antistatique et expédiés dans des cartons scellés.Le produit doit être manipulé avec précaution par le client et ne doit pas être exposé à des, électrique ou thermique.

 

FAQ:

Q1: Qu'est-ce que le MOSFET basse tension?

A1: Le MOSFET basse tension est un type de transistor à effet de champ métal-oxyde-semiconducteur, conçu pour les applications basse tension.

Q2: Quelle est la marque du MOSFET basse tension?

R2: La marque du MOSFET basse tension est REASUNOS.

Q3: Où est fabriqué le MOSFET basse tension?

R3: Le MOSFET basse tension est fabriqué à Guangdong, en Chine.

Q4: Combien coûte le MOSFET basse tension?

R4: Le prix du MOSFET basse tension est confirmé en fonction du produit.

Q5: Quel est l'emballage du MOSFET basse tension?

R5: Le MOSFET basse tension est emballé avec un emballage tubulaire antipoussière, imperméable à l'eau et antistatique, placé dans une boîte en carton dans des cartons.

Étiquettes:

N-canal Mosfet basse tension de seuil

Mosfet de canal P à faible puissance stable

MOSFET basse tension de la station de base