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Stable à basse tension 20V P Channel Mosfet, Transistor à haute tension pratique.

  • Stable 20V Low Power P Channel Mosfet , Practical Low Voltage High Current Transistor
Lieu d'origine Guangdong, NC
Nom de marque REASUNOS
Prix Confirm price based on product
Détails d'emballage Emballages tubulaires à l'épreuve de la poussière, de l'eau et antistatiques, placés dans une boîte
Délai de livraison 2 à 30 jours (selon la quantité totale)
Conditions de paiement 100% T/T à l'avance
Capacité d'approvisionnement 5KK/mois

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Détails sur le produit
l'efficacité Haute efficacité et fiabilité Consommation d'électricité Perte de puissance faible
Application de processus de SGT Conducteur de moteur, station de la base 5G, stockage de l'énergie, commutateur à haute fréquence, r Processus de structuration Tranchée/SGT
Application du procédé de tranchée Chargement sans fil, charge rapide, pilote de moteur, convertisseur DC/DC, commutateur haute fréquen Capacité EAS Capacité EAS élevée
Nom du produit MOSFET basse tension Avantages de processus de SGT Optimisation de la percée FOM, couvrant plus d'application.
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Mosfet de canal P à faible puissance stable

,

20V à faible puissance P Channel Mosfet

,

Transistors à haute tension à basse tension
Vous pouvez cocher les produits dont vous avez besoin et communiquer avec nous dans le babillard électronique.
No. Part No. Type ID(A) VDSS(V) RDS(ON) Typ(mΩ) RDS(ON) Max(mΩ) Package MOQ(pcs)
1 RS2301E P -2.3 -20 70 110 SOT-23 3000
2 RS3415E P -4 -20 33 50 SOT-23 3000
3 RS2302E N 2.1 20 32 45 SOT-23 3000
4 RS2300E N 4.5 20 21 32 SOT-23 3000
5 RS2N7002E N 0.34 60 1300 5000 SOT-23 3000
6 RS20N90D N 90 20 3.7 5 TO-252 2500
7 RS3401E P -4.2 -30 50 65 SOT-23 3000
8 RS4435 P -10 -30 15 20 SOP-8 4000
9 RS3400E N 5.8 30 27 35 SOT-23 3000
10 RS30N30K N 30 30 5.8 9 DFN3*3 5000
11 RS30N50K N 50 30 3.8 5.5 DFN3*3 5000
12 RS30N60D N 60 30 6.2 7.5 TO-252 2500
13 RS30N86D N 86 30 4.7 5.5 TO-252 2500
14 RS30N120G N 120 30 3 4 DFN5*6 5000
15 RS30N150D N 150 30 3 4 TO-252 2500
16 RS30N150T N 150 30 3 4 TO-220 1000
17 RS40N100G N 100 40 2.8 3.5 DFN5*6 5000
18 RS40N120D N 120 40 2.8 3.5 TO-252 2500
19 RS40N120T N 120 40 2.8 3.5 TO-220 1000
20 RS150N105T N 105 150 9.8 11 TO-220 1000
21 RS76N20T N 76 200 17 20 TO-220 1000
22 RS2310E N 3 60 70 105 SOT-23 3000
23 RS60N30D N 30 60 22 35 TO-252 2500
24 RS60N50D N 50 60 14 22 TO-252 2500
25 RS60N50T N 50 60 14 22 TO-220 1000
26 RS80N25W N 80 250 30 35 TO-247 600
27 RS630D N 9 200 250 300 TO-252 2500
28 RS630T N 9 200 250 300 TO-220 1000
29 RS640D N 18 200 120 150 TO-252 2500
30 RS640T N 18 200 120 150 TO-220 1000
31 RS40N130G N 130 40 1.45 1.75 DFN5*6 5000
32 RS40N180T N 180 40 1.6 2 TO-220 1000
33 RS60N130G N 130 60 2.1 2.5 DFN5*6 5000
34 RS60N200T N 200 60 2.5 3.2 TO-220 1000
35 RS85N140T N 140 85 4.5 5.3 TO-220 1000
36 RS85N140S N 140 85 4.5 5.3 TO-263 800
37 RS85N150T N 150 85 2.8 3.6 TO-220 1000
38 RS85N150S N 150 85 2.7 3.4 TO-263 800
39 RS100N78HT N 78 100 8.2 9.5 TO-220 1000
40 RS100N78T N 78 100 8.2 9.5 TO-220 1000
41 RS100N100T N 100 100 7 8.5 TO-220 1000
42 RS100N135T N 135 100 3.7 4.2 TO-220 1000
43 RS100N135HT N 135 100 3.7 4.2 TO-220 1000
44 RS100N135HS N 135 100 4.2 5 TO-263 800
45 RS100N180T N 180 100 3 3.8 TO-220 1000
46 RS100N180S N 180 100 2.9 3.6 TO-263 800
47 RS100N190T N 190 100 2.3 3 TO-220 1000
48 RS100N190S N 190 100 2.2 2.8 TO-263 800
49 RS110N200T N 200 110 3.4 4 TO-220 1000
50 RS110N200S N 200 110 3.4 4 TO-263 800
51 RS100N210S N 200 100 1.9 2.4 TO-263 800
52 RS100N210T N 210 100 1.9 2.4 TO-220 1000
53 RS100N300I N 300 100 1.7 2.2 TOLL 2000
54 RS100N60G N 60 100 7.5 8.5 DFN5*6 5000
55 RS100N60HG N 60 100 7.5 8.5 DFN5*6 5000
56 RS100N85G N 85 100 6 7.5 DFN5*6 5000
57 RS100N85HG N 85 100 6 7.5 DFN5*6 5000
58 RS100N125G N 125 100 4 4.6 DFN5*6 5000
59 RS100N125HG N 125 100 4 4.6 DFN5*6 5000
60 RS100N150HG N 150 100 3.5 4.2 DFN5*6 5000
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No. Part No. Type ID(A) VDSS(V) RDS(ON) Typ(mΩ) RDS(ON) Max(mΩ) Package MOQ(pcs)
Description de produit

Description du produit:

Introduction du MOSFET basse tension de SGT, une optimisation FOM révolutionnaire qui couvre plus d'applications.Ce mosfet à basse tension offre une faible perte de puissance et une faible tension de seuil qui lui permet d'être utilisé dans divers conducteurs de moteur, station de base 5G, stockage d'énergie, commutateur haute fréquence, rectification synchrone, recharge sans fil, recharge rapide, applications de convertisseur CC/DC.ce MOSFET basse tension SGT assure que la consommation d'énergie reste faibleCe produit est le choix idéal pour des performances optimales dans ces applications.

 

Paramètres techniques:

Attribut Définition
Processus de la structure Traînée/SGT
Application du procédé des tranchées Chargement sans fil, charge rapide, pilote de moteur, convertisseur CC/DC, commutateur haute fréquence, rectification synchrone.
Avantages du procédé SGT Optimisation FOM révolutionnaire, couvrant plus d'application.
Nom du produit MOSFET à basse tension
Consommation d'électricité Faible perte de puissance
Application du procédé SGT Conducteur, station de base 5G, stockage d'énergie, commutateur haute fréquence, rectification synchrone.
Capacité du SEA Capacité EAS élevée
Les avantages du procédé de tranchée Les RSP plus petits, à la fois en série et en parallèle, peuvent être librement combinés et utilisés.
Efficacité Très efficace et fiable
Résistance Rds bas ((ON)
MOSFET à basse tension de seuil MOSFET à basse tension de seuil
Transistors à basse tension Transistors à basse tension
MOSFET à basse tension de sortie MOSFET à basse tension de sortie
 

Applications:

Le transistor à effet de champ basse tension de REASUNOS (MOSFET basse tension) est la solution idéale pour un large éventail d'applications, du pilote de moteur, de la station de base 5G, du stockage d'énergie, du commutateur haute fréquence,rectification synchrone et plus encoreOriginaire du Guangdong, en Chine, le MOSFET basse tension est offert à un prix qui peut être confirmé en fonction du produit.et emballage tubulaire antistatiqueLe délai de livraison est généralement de 2 à 30 jours, selon la quantité totale. Les conditions de paiement sont 100% T/T à l'avance (EXW), et une capacité d'approvisionnement de 5KK / mois.Le MOSFET à basse tension dispose d'un processus Trench/SGT qui offre une optimisation FOM révolutionnaireIl est également doté d'une grande capacité EAS et d'une grande efficacité et fiabilité.

 

Assistance et services:

Support technique et services pour les MOSFET basse tension

Nous nous engageons à fournir le soutien technique et les services de la plus haute qualité pour nos produits MOSFET basse tension.Notre équipe d'ingénieurs et de techniciens expérimentés est disponible pour répondre à vos questions et vous aider à trouver les meilleures solutions pour vos applications.

Nous offrons un large éventail de services, notamment:

  • Documentation complète du produit
  • Assistance technique en ligne
  • Formation technique sur place
  • Conception et développement d'applications de produits
  • Services de dépannage et de réparation

Notre objectif est de vous fournir le meilleur support possible pour vos produits MOSFET basse tension.

 

Emballage et expédition

Les MOSFET basse tension sont expédiés dans des emballages non statiques pour assurer leur qualité et leurs performances.L'emballage doit comporter des sacs antistatiques ou d'autres matériaux antistatiques afin d'éviter que l'électricité statique n'endommage les MOSFET.En outre, l'emballage doit être conçu pour protéger les pièces de l'humidité et de tout autre dommage à l'environnement.Tous les emballages doivent être clairement étiquetés et inclure des instructions détaillées sur la manière de stocker et de manipuler correctement les MOSFET.

 

FAQ:

  • - Je ne sais pas.Quel est le nom de marque du MOSFET basse tension?
    A: Je suis désolé.Le nom de marque du MOSFET basse tension est REASUNOS.
  • - Je ne sais pas.Quel est le lieu d'origine du MOSFET basse tension?
    A: Je suis désolé.Le lieu d'origine du MOSFET basse tension est Guangdong, CN.
  • - Je ne sais pas.Combien coûte le MOSFET basse tension?
    A: Je suis désolé.Le prix du MOSFET basse tension est confirmé en fonction du produit.
  • - Je ne sais pas.Quel type d'emballage est utilisé pour le MOSFET basse tension?
    A: Je suis désolé.Le MOSFET basse tension est emballé avec un emballage tubulaire antipoussière, imperméable à l'eau et antistatique, placé dans une boîte en carton dans des cartons.
  • - Je ne sais pas.Combien de temps faut-il pour livrer le MOSFET basse tension?
    A: Je suis désolé.Le délai de livraison du MOSFET basse tension est de 2 à 30 jours, selon la quantité totale.
  • - Je ne sais pas.Quelles conditions de paiement sont disponibles pour les MOSFET basse tension?
    A: Je suis désolé.Les conditions de paiement pour le MOSFET basse tension sont de 100% T/T à l'avance (EXW).
  • - Je ne sais pas.Combien de MOSFET basse tension peuvent être fournis par mois?
    A: Je suis désolé.La capacité d'approvisionnement du MOSFET basse tension est de 5KK/mois.
Étiquettes:

N-canal Mosfet basse tension de seuil

Mosfet de canal P à faible puissance stable

MOSFET basse tension de la station de base