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MOSFET à basse tension de canal N EAS élevé stable pour convertisseur CC-DC

  • N Channel Low Voltage MOSFET Stable High EAS For DC DC Converter
Lieu d'origine Guangdong, NC
Nom de marque REASUNOS
Prix Confirm price based on product
Détails d'emballage Emballages tubulaires à l'épreuve de la poussière, de l'eau et antistatiques, placés dans une boîte
Délai de livraison 2 à 30 jours (selon la quantité totale)
Conditions de paiement 100% T/T à l'avance
Capacité d'approvisionnement 5KK/mois

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Détails sur le produit
Consommation d'électricité Perte de puissance faible Avantages du procédé de tranchée Un RSP plus petit, les configurations série et parallèle peuvent être librement combinées et utilisé
Nom du produit MOSFET basse tension Capacité EAS Capacité EAS élevée
Processus de structuration Tranchée/SGT Application de processus de SGT Conducteur de moteur, station de la base 5G, stockage de l'énergie, commutateur à haute fréquence, r
Avantages de processus de SGT Optimisation de la percée FOM, couvrant plus d'application. Résistance Le bas RDS (DESSUS)
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MOSFET à basse tension de canal N

,

MOSFET à basse tension stable

,

Convertisseur bas Vgs N Channel Mosfet
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No. Part No. Type ID(A) VDSS(V) RDS(ON) Typ(mΩ) RDS(ON) Max(mΩ) Package MOQ(pcs)
1 RS2301E P -2.3 -20 70 110 SOT-23 3000
2 RS3415E P -4 -20 33 50 SOT-23 3000
3 RS2302E N 2.1 20 32 45 SOT-23 3000
4 RS2300E N 4.5 20 21 32 SOT-23 3000
5 RS2N7002E N 0.34 60 1300 5000 SOT-23 3000
6 RS20N90D N 90 20 3.7 5 TO-252 2500
7 RS3401E P -4.2 -30 50 65 SOT-23 3000
8 RS4435 P -10 -30 15 20 SOP-8 4000
9 RS3400E N 5.8 30 27 35 SOT-23 3000
10 RS30N30K N 30 30 5.8 9 DFN3*3 5000
11 RS30N50K N 50 30 3.8 5.5 DFN3*3 5000
12 RS30N60D N 60 30 6.2 7.5 TO-252 2500
13 RS30N86D N 86 30 4.7 5.5 TO-252 2500
14 RS30N120G N 120 30 3 4 DFN5*6 5000
15 RS30N150D N 150 30 3 4 TO-252 2500
16 RS30N150T N 150 30 3 4 TO-220 1000
17 RS40N100G N 100 40 2.8 3.5 DFN5*6 5000
18 RS40N120D N 120 40 2.8 3.5 TO-252 2500
19 RS40N120T N 120 40 2.8 3.5 TO-220 1000
20 RS150N105T N 105 150 9.8 11 TO-220 1000
21 RS76N20T N 76 200 17 20 TO-220 1000
22 RS2310E N 3 60 70 105 SOT-23 3000
23 RS60N30D N 30 60 22 35 TO-252 2500
24 RS60N50D N 50 60 14 22 TO-252 2500
25 RS60N50T N 50 60 14 22 TO-220 1000
26 RS80N25W N 80 250 30 35 TO-247 600
27 RS630D N 9 200 250 300 TO-252 2500
28 RS630T N 9 200 250 300 TO-220 1000
29 RS640D N 18 200 120 150 TO-252 2500
30 RS640T N 18 200 120 150 TO-220 1000
31 RS40N130G N 130 40 1.45 1.75 DFN5*6 5000
32 RS40N180T N 180 40 1.6 2 TO-220 1000
33 RS60N130G N 130 60 2.1 2.5 DFN5*6 5000
34 RS60N200T N 200 60 2.5 3.2 TO-220 1000
35 RS85N140T N 140 85 4.5 5.3 TO-220 1000
36 RS85N140S N 140 85 4.5 5.3 TO-263 800
37 RS85N150T N 150 85 2.8 3.6 TO-220 1000
38 RS85N150S N 150 85 2.7 3.4 TO-263 800
39 RS100N78HT N 78 100 8.2 9.5 TO-220 1000
40 RS100N78T N 78 100 8.2 9.5 TO-220 1000
41 RS100N100T N 100 100 7 8.5 TO-220 1000
42 RS100N135T N 135 100 3.7 4.2 TO-220 1000
43 RS100N135HT N 135 100 3.7 4.2 TO-220 1000
44 RS100N135HS N 135 100 4.2 5 TO-263 800
45 RS100N180T N 180 100 3 3.8 TO-220 1000
46 RS100N180S N 180 100 2.9 3.6 TO-263 800
47 RS100N190T N 190 100 2.3 3 TO-220 1000
48 RS100N190S N 190 100 2.2 2.8 TO-263 800
49 RS110N200T N 200 110 3.4 4 TO-220 1000
50 RS110N200S N 200 110 3.4 4 TO-263 800
51 RS100N210S N 200 100 1.9 2.4 TO-263 800
52 RS100N210T N 210 100 1.9 2.4 TO-220 1000
53 RS100N300I N 300 100 1.7 2.2 TOLL 2000
54 RS100N60G N 60 100 7.5 8.5 DFN5*6 5000
55 RS100N60HG N 60 100 7.5 8.5 DFN5*6 5000
56 RS100N85G N 85 100 6 7.5 DFN5*6 5000
57 RS100N85HG N 85 100 6 7.5 DFN5*6 5000
58 RS100N125G N 125 100 4 4.6 DFN5*6 5000
59 RS100N125HG N 125 100 4 4.6 DFN5*6 5000
60 RS100N150HG N 150 100 3.5 4.2 DFN5*6 5000
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No. Part No. Type ID(A) VDSS(V) RDS(ON) Typ(mΩ) RDS(ON) Max(mΩ) Package MOQ(pcs)
Description de produit

Transistor à effet de champ basse tension avec RSP plus petit pour convertisseur CC/DC

Description du produit:

Le MOSFET basse tension est un type avancé de transistor à effet de champ (FET) à basse tension seuil qui convient à un large éventail d'applications telles que la recharge sans fil, la recharge rapide, le pilote de moteur,Convertisseur CC/DC, commutateur haute fréquence et rectification synchrone. Il s'agit d'un produit révolutionnaire qui présente de faibles pertes de puissance et offre une optimisation FOM révolutionnaire,couvrant un plus grand nombre de demandesIl est fabriqué par procédé de tranchée et par procédé SGT (Self-Gated Technology), ce qui permet de combiner et d'utiliser librement les configurations en série et en parallèle.Sa faible tension de sortie et sa faible perte de puissance en font un choix idéal pour le conducteur automobile, station de base 5G, stockage d'énergie, commutateur haute fréquence et rectification synchrone.

 

Paramètres techniques:

Procédure Les avantages Application du projet
Une tranchée Les RSP plus petits, à la fois en série et en parallèle, peuvent être librement combinés et utilisés. Chargement sans fil, charge rapide, pilote de moteur, convertisseur CC/DC, commutateur haute fréquence, rectification synchrone.
GTS Optimisation FOM révolutionnaire, couvrant plus d'application. Conducteur, station de base 5G, stockage d'énergie, commutateur haute fréquence, rectification synchrone.
Caractéristiques Définition
Efficacité Très efficace et fiable
Consommation d'électricité Faible perte de puissance
Capacité du système EAS Capacité EAS élevée
résistance Rds bas ((ON)
 

Applications:

REASUNOS Low Voltage MOSFET est une solution fiable et rentable pour tous vos besoins en basse tension.Il est parfait pour des applications telles que la recharge sans filIl est disponible en deux procédés, Trench et SGT.qui permet une utilisation plus efficace du dispositifLe procédé Trench est adapté à des applications telles que la charge sans fil, la charge rapide, le pilote de moteur, le convertisseur CC/DC, l'interrupteur à haute fréquence et la rectification synchrone.le procédé SGT est le plus adapté au conducteur automobile, station de base 5G, stockage d'énergie, commutateur haute fréquence, et rectification synchrone.et l'emballage tubulaire antistatique assure que tous les MOSFET basse tension REASUNOS arrivent en toute sécurité, et avec un délai de livraison de 2 à 30 jours (en fonction de la quantité totale) et des conditions de paiement à l'avance de 100% T/T (EXW), vous pouvez être sûr que votre commande sera exécutée sans délai.Avec une excellente capacité d'approvisionnement de 5KK/moisVous n'avez rien à craindre.

 

Assistance et services:

Assistance technique et service des MOSFET basse tension

Notre équipe technique offre un soutien complet pour les MOSFET basse tension de la phase de conception à la phase de production.Nous fournissons des conseils professionnels sur la sélection, la conception et l'optimisation des MOSFET basse tension.

Nous offrons un large éventail de services, notamment:

  • Services de conseil en conception
  • Simulation et modélisation
  • Épreuves et vérification
  • Résolution de problèmes et optimisation
  • Appui à la demande

Nous avons également une équipe d'experts qui sont disponibles pour répondre à toutes les questions que vous pourriez avoir sur les MOSFET basse tension.

 

Emballage et expédition

Le MOSFET basse tension sera emballé et expédié de deux manières principales:

  • Emballage des composants individuels: Les composants individuels du MOSFET basse tension seront emballés dans des sacs ou des boîtes résistants à l'humidité et étiquetés avec un numéro de pièce.
  • Emballage en vrac: Les composants du MOSFET basse tension seront regroupés et placés dans une grande boîte ou un récipient.

Le processus d'emballage et d'expédition sera géré par une compagnie maritime expérimentée et fiable.L'entreprise sera responsable de veiller à ce que le MOSFET basse tension soit emballé en toute sécurité., étiqueté et livré à destination.

 

FAQ:

Q: Qu'est-ce que le MOSFET basse tension de REASUNOS?

R: Le MOSFET basse tension REASUNOS est une sorte de dispositif semi-conducteur qui peut être utilisé comme commutateur ou amplificateur.

Q: Où se trouve le lieu d'origine du MOSFET basse tension REASUNOS?

R: Le lieu d'origine du MOSFET basse tension REASUNOS est le Guangdong, en Chine.

Q: Quel est le prix du MOSFET basse tension REASUNOS?

R: Le prix du MOSFET basse tension REASUNOS sera fourni après confirmation du produit.

Q: Quels sont les détails de l'emballage du MOSFET basse tension REASUNOS?

R: Le MOSFET basse tension REASUNOS est emballé dans un emballage tubulaire antipoussière, imperméable à l'eau et antistatique, placé dans une boîte en carton.

Q: Quelle est la durée de livraison du MOSFET basse tension REASUNOS?

R: Le délai de livraison du MOSFET basse tension REASUNOS est de 2 à 30 jours, selon la quantité totale.

Q: Quelles sont les conditions de paiement pour le MOSFET basse tension REASUNOS?

R: Les conditions de paiement pour le MOSFET basse tension REASUNOS sont de 100% T/T à l'avance (EXW).

Étiquettes:

N-canal Mosfet basse tension de seuil

Mosfet de canal P à faible puissance stable

MOSFET basse tension de la station de base