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Transistors Mosfet à faible puissance multi-scène SGT Stable avec basse tension de seuil

  • Multiscene Low Power Mosfet Transistors SGT Stable With Low Threshold Voltage
Lieu d'origine Guangdong, NC
Nom de marque REASUNOS
Prix Confirm price based on product
Détails d'emballage Emballages tubulaires à l'épreuve de la poussière, de l'eau et antistatiques, placés dans une boîte
Délai de livraison 2 à 30 jours (selon la quantité totale)
Conditions de paiement 100% T/T à l'avance
Capacité d'approvisionnement 5KK/mois

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Détails sur le produit
Consommation d'électricité Perte de puissance faible Nom du produit MOSFET basse tension
Application du procédé de tranchée Chargement sans fil, charge rapide, pilote de moteur, convertisseur DC/DC, commutateur haute fréquen Avantages de processus de SGT Optimisation de la percée FOM, couvrant plus d'application.
Processus de structuration Tranchée/SGT Capacité EAS Capacité EAS élevée
Résistance Le bas RDS (DESSUS) Avantages du procédé de tranchée Un RSP plus petit, les configurations série et parallèle peuvent être librement combinées et utilisé
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Transistors à basse puissance à plusieurs scènes

,

Transistors à basse puissance Mosfet SGT

,

Mosfet stable avec basse tension de seuil
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No. Part No. Type ID(A) VDSS(V) RDS(ON) Typ(mΩ) RDS(ON) Max(mΩ) Package MOQ(pcs)
1 RS2301E P -2.3 -20 70 110 SOT-23 3000
2 RS3415E P -4 -20 33 50 SOT-23 3000
3 RS2302E N 2.1 20 32 45 SOT-23 3000
4 RS2300E N 4.5 20 21 32 SOT-23 3000
5 RS2N7002E N 0.34 60 1300 5000 SOT-23 3000
6 RS20N90D N 90 20 3.7 5 TO-252 2500
7 RS3401E P -4.2 -30 50 65 SOT-23 3000
8 RS4435 P -10 -30 15 20 SOP-8 4000
9 RS3400E N 5.8 30 27 35 SOT-23 3000
10 RS30N30K N 30 30 5.8 9 DFN3*3 5000
11 RS30N50K N 50 30 3.8 5.5 DFN3*3 5000
12 RS30N60D N 60 30 6.2 7.5 TO-252 2500
13 RS30N86D N 86 30 4.7 5.5 TO-252 2500
14 RS30N120G N 120 30 3 4 DFN5*6 5000
15 RS30N150D N 150 30 3 4 TO-252 2500
16 RS30N150T N 150 30 3 4 TO-220 1000
17 RS40N100G N 100 40 2.8 3.5 DFN5*6 5000
18 RS40N120D N 120 40 2.8 3.5 TO-252 2500
19 RS40N120T N 120 40 2.8 3.5 TO-220 1000
20 RS150N105T N 105 150 9.8 11 TO-220 1000
21 RS76N20T N 76 200 17 20 TO-220 1000
22 RS2310E N 3 60 70 105 SOT-23 3000
23 RS60N30D N 30 60 22 35 TO-252 2500
24 RS60N50D N 50 60 14 22 TO-252 2500
25 RS60N50T N 50 60 14 22 TO-220 1000
26 RS80N25W N 80 250 30 35 TO-247 600
27 RS630D N 9 200 250 300 TO-252 2500
28 RS630T N 9 200 250 300 TO-220 1000
29 RS640D N 18 200 120 150 TO-252 2500
30 RS640T N 18 200 120 150 TO-220 1000
31 RS40N130G N 130 40 1.45 1.75 DFN5*6 5000
32 RS40N180T N 180 40 1.6 2 TO-220 1000
33 RS60N130G N 130 60 2.1 2.5 DFN5*6 5000
34 RS60N200T N 200 60 2.5 3.2 TO-220 1000
35 RS85N140T N 140 85 4.5 5.3 TO-220 1000
36 RS85N140S N 140 85 4.5 5.3 TO-263 800
37 RS85N150T N 150 85 2.8 3.6 TO-220 1000
38 RS85N150S N 150 85 2.7 3.4 TO-263 800
39 RS100N78HT N 78 100 8.2 9.5 TO-220 1000
40 RS100N78T N 78 100 8.2 9.5 TO-220 1000
41 RS100N100T N 100 100 7 8.5 TO-220 1000
42 RS100N135T N 135 100 3.7 4.2 TO-220 1000
43 RS100N135HT N 135 100 3.7 4.2 TO-220 1000
44 RS100N135HS N 135 100 4.2 5 TO-263 800
45 RS100N180T N 180 100 3 3.8 TO-220 1000
46 RS100N180S N 180 100 2.9 3.6 TO-263 800
47 RS100N190T N 190 100 2.3 3 TO-220 1000
48 RS100N190S N 190 100 2.2 2.8 TO-263 800
49 RS110N200T N 200 110 3.4 4 TO-220 1000
50 RS110N200S N 200 110 3.4 4 TO-263 800
51 RS100N210S N 200 100 1.9 2.4 TO-263 800
52 RS100N210T N 210 100 1.9 2.4 TO-220 1000
53 RS100N300I N 300 100 1.7 2.2 TOLL 2000
54 RS100N60G N 60 100 7.5 8.5 DFN5*6 5000
55 RS100N60HG N 60 100 7.5 8.5 DFN5*6 5000
56 RS100N85G N 85 100 6 7.5 DFN5*6 5000
57 RS100N85HG N 85 100 6 7.5 DFN5*6 5000
58 RS100N125G N 125 100 4 4.6 DFN5*6 5000
59 RS100N125HG N 125 100 4 4.6 DFN5*6 5000
60 RS100N150HG N 150 100 3.5 4.2 DFN5*6 5000
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No. Part No. Type ID(A) VDSS(V) RDS(ON) Typ(mΩ) RDS(ON) Max(mΩ) Package MOQ(pcs)
Description de produit

Faible tension MOSFET processus de tranchée Chargement sans fil Haute capacité EAS

Description du produit:

Le MOSFET basse tension est un type de MOSFET qui est optimisé pour une utilisation dans des applications nécessitant une faible tension de porte et une faible résistance.Il s'agit d'un dispositif semi-conducteur avancé qui utilise à la fois les technologies de processus de tranchée et de processus SGT pour des performances supérieuresLe procédé SGT est la technologie idéale pour des applications telles que les conducteurs automobiles, les stations de base 5G, le stockage d'énergie, la commutation à haute fréquence et la rectification synchrone.Il présente une optimisation FOM révolutionnaire et couvre plus d'applicationLa technologie des procédés de tranchée, en revanche, est optimisée pour des RSP plus petits et peut être librement combinée et utilisée en série et en configuration parallèle.Le MOSFET basse tension est le choix idéal pour la recharge sans fil, la charge rapide, le pilote du moteur, le convertisseur CC/DC, l'interrupteur haute fréquence et la rectification synchrone, en raison de sa faible Rds ((ON) et de sa faible tension de sortie.

 

Paramètres techniques:

Nom du produit MOSFET à basse tension
Processus de la structure Traînée/SGT
Résistance Rds bas ((ON)
Consommation d'électricité Faible perte de puissance
Efficacité Très efficace et fiable
Capacité du SEA Capacité EAS élevée
Les avantages du procédé de tranchée Les RSP plus petits, à la fois en série et en parallèle, peuvent être librement combinés et utilisés.
Application du procédé des tranchées Chargement sans fil, charge rapide, pilote de moteur, convertisseur CC/DC, commutateur haute fréquence, rectification synchrone.
Avantages du procédé SGT Optimisation FOM révolutionnaire, couvrant plus d'application.
Application du procédé SGT Conducteur, station de base 5G, stockage d'énergie, commutateur haute fréquence, rectification synchrone.
 

Applications:

REASUNOS Low Voltage MOSFET est un produit du Guangdong, en Chine. Il a un prix compétitif qui est confirmé en fonction du produit.et est placé dans une boîte en carton dans des cartonsLe délai de livraison est de 2 à 30 jours, selon la quantité totale. Les conditions de paiement sont de 100% T/T à l'avance, et le produit a une capacité d'approvisionnement de 5KK/mois.Le processus de structure est soit Trench ou SGT, avec le processus de tranchée ayant les avantages d'un RSP plus petit, et des configurations à la fois en série et en parallèle qui peuvent être librement combinées et utilisées.Le processus SGT présente les avantages d'une optimisation FOM révolutionnaire, et couvre plus d'applications telles que le pilote de moteur, la station de base 5G, le stockage d'énergie, le commutateur haute fréquence, la rectification synchrone.

 

Assistance et services:

Les produits MOSFET basse tension sont livrés avec une gamme de services et de support technique.Nous fournissons aux clients les ressources nécessaires pour les aider à obtenir des résultats optimaux de leurs produits MOSFET basse tensionCes services comprennent:

  • Appui à la conception et à l'application
  • Documentation technique et ressources
  • Questions fréquemment posées sur les produits
  • Assistance au dépannage du produit
  • Mises à jour logicielles et du firmware
  • Remplacements et améliorations de produits
  • Services de garantie et de réparation
 

Emballage et expédition

L'emballage et l'expédition du MOSFET basse tension suivent le processus d'emballage et d'expédition standard.La boîte est ensuite fixée avec une enveloppe à bulles et placée dans une boîte extérieure en cartonLa boîte est étiquetée avec le nom, l'adresse et les coordonnées du client. Le colis est ensuite expédié via un service d'expédition fiable.

 

FAQ:

Q: Qu'est-ce que le MOSFET basse tension?
R: Le MOSFET basse tension est un type de transistor qui utilise des MOSFET (transistors à effet de champ à semi-conducteurs d'oxyde métallique) pour contrôler le flux de courant dans un circuit électronique.
Q: Quel est le nom de marque du MOSFET basse tension?
R: Le nom de marque du MOSFET basse tension est REASUNOS.
Q: Quel est le lieu d'origine du MOSFET basse tension?
R: Le lieu d'origine du MOSFET basse tension est le Guangdong, en Chine.
Q: Quel est le prix du MOSFET basse tension?
R: Le prix du MOSFET basse tension est le prix de confirmation basé sur le produit.
Q: Comment est l'emballage du MOSFET basse tension?
R: L'emballage du MOSFET basse tension est un emballage tubulaire antipoussière, imperméable à l'eau et antistatique, placé dans une boîte en carton dans des cartons.
Q: Quel est le délai de livraison du MOSFET basse tension?
R: Le délai de livraison du MOSFET basse tension est de 2 à 30 jours, selon la quantité totale.
Q: Quelles sont les conditions de paiement du MOSFET basse tension?
R: Les conditions de paiement du MOSFET basse tension sont de 100% T/T à l'avance (EXW).
Q: Quelle est la capacité d'alimentation du MOSFET basse tension?
R: La capacité d'approvisionnement du MOSFET basse tension est de 5KK/mois.
Étiquettes:

N-canal Mosfet basse tension de seuil

Mosfet de canal P à faible puissance stable

MOSFET basse tension de la station de base