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डीसी डीसी कनवर्टर के लिए एन चैनल कम वोल्टेज एमओएसएफईटी स्थिर उच्च ईएएस

  • N Channel Low Voltage MOSFET Stable High EAS For DC DC Converter
उत्पत्ति के प्लेस गुआंग्डोंग, सीएन
ब्रांड नाम REASUNOS
मूल्य Confirm price based on product
पैकेजिंग विवरण डस्टप्रूफ, वॉटरप्रूफ और एंटी-स्टैटिक ट्यूबलर पैकेजिंग, डिब्बों में कार्डबोर्ड बॉक्स के अंदर रखी गई ह
प्रसव के समय 2-30 दिन (कुल मात्रा पर निर्भर करता है)
भुगतान शर्तें अग्रिम में 100% टी/टी (EXW)
आपूर्ति की क्षमता 5KK/माह

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उत्पाद विवरण
बिजली की खपत कम बिजली हानि ट्रेंच प्रक्रिया के लाभ छोटे आरएसपी, श्रृंखला और समानांतर दोनों विन्यासों को स्वतंत्र रूप से संयोजित और उपयोग किया जा सकता ह
उत्पाद का नाम कम वोल्टेज MOSFET ईएएस क्षमता उच्च ईएएस क्षमता
संरचना प्रक्रिया ट्रेंच/एसजीटी एसजीटी प्रक्रिया आवेदन मोटर ड्राइवर, 5जी बेस स्टेशन, ऊर्जा भंडारण, उच्च आवृत्ति स्विच, सिंक्रोनस रेक्टिफिकेशन।
एसजीटी प्रक्रिया के लाभ निर्णायक एफओएम अनुकूलन, अधिक एप्लिकेशन को कवर करता है। प्रतिरोध कम आरडीएस(चालू)
प्रमुखता देना

एन चैनल कम वोल्टेज MOSFET

,

निम्न वोल्टेज MOSFET स्थिर

,

कनवर्टर कम वीजीएस एन चैनल मोस्फेट
आप अपनी ज़रूरत के उत्पादों को टिक कर सकते हैं और हमारे साथ संदेश बोर्ड में संचार कर सकते हैं।
No. Part No. Type ID(A) VDSS(V) RDS(ON) Typ(mΩ) RDS(ON) Max(mΩ) Package MOQ(pcs)
1 RS2301E P -2.3 -20 70 110 SOT-23 3000
2 RS3415E P -4 -20 33 50 SOT-23 3000
3 RS2302E N 2.1 20 32 45 SOT-23 3000
4 RS2300E N 4.5 20 21 32 SOT-23 3000
5 RS2N7002E N 0.34 60 1300 5000 SOT-23 3000
6 RS20N90D N 90 20 3.7 5 TO-252 2500
7 RS3401E P -4.2 -30 50 65 SOT-23 3000
8 RS4435 P -10 -30 15 20 SOP-8 4000
9 RS3400E N 5.8 30 27 35 SOT-23 3000
10 RS30N30K N 30 30 5.8 9 DFN3*3 5000
11 RS30N50K N 50 30 3.8 5.5 DFN3*3 5000
12 RS30N60D N 60 30 6.2 7.5 TO-252 2500
13 RS30N86D N 86 30 4.7 5.5 TO-252 2500
14 RS30N120G N 120 30 3 4 DFN5*6 5000
15 RS30N150D N 150 30 3 4 TO-252 2500
16 RS30N150T N 150 30 3 4 TO-220 1000
17 RS40N100G N 100 40 2.8 3.5 DFN5*6 5000
18 RS40N120D N 120 40 2.8 3.5 TO-252 2500
19 RS40N120T N 120 40 2.8 3.5 TO-220 1000
20 RS150N105T N 105 150 9.8 11 TO-220 1000
21 RS76N20T N 76 200 17 20 TO-220 1000
22 RS2310E N 3 60 70 105 SOT-23 3000
23 RS60N30D N 30 60 22 35 TO-252 2500
24 RS60N50D N 50 60 14 22 TO-252 2500
25 RS60N50T N 50 60 14 22 TO-220 1000
26 RS80N25W N 80 250 30 35 TO-247 600
27 RS630D N 9 200 250 300 TO-252 2500
28 RS630T N 9 200 250 300 TO-220 1000
29 RS640D N 18 200 120 150 TO-252 2500
30 RS640T N 18 200 120 150 TO-220 1000
31 RS40N130G N 130 40 1.45 1.75 DFN5*6 5000
32 RS40N180T N 180 40 1.6 2 TO-220 1000
33 RS60N130G N 130 60 2.1 2.5 DFN5*6 5000
34 RS60N200T N 200 60 2.5 3.2 TO-220 1000
35 RS85N140T N 140 85 4.5 5.3 TO-220 1000
36 RS85N140S N 140 85 4.5 5.3 TO-263 800
37 RS85N150T N 150 85 2.8 3.6 TO-220 1000
38 RS85N150S N 150 85 2.7 3.4 TO-263 800
39 RS100N78HT N 78 100 8.2 9.5 TO-220 1000
40 RS100N78T N 78 100 8.2 9.5 TO-220 1000
41 RS100N100T N 100 100 7 8.5 TO-220 1000
42 RS100N135T N 135 100 3.7 4.2 TO-220 1000
43 RS100N135HT N 135 100 3.7 4.2 TO-220 1000
44 RS100N135HS N 135 100 4.2 5 TO-263 800
45 RS100N180T N 180 100 3 3.8 TO-220 1000
46 RS100N180S N 180 100 2.9 3.6 TO-263 800
47 RS100N190T N 190 100 2.3 3 TO-220 1000
48 RS100N190S N 190 100 2.2 2.8 TO-263 800
49 RS110N200T N 200 110 3.4 4 TO-220 1000
50 RS110N200S N 200 110 3.4 4 TO-263 800
51 RS100N210S N 200 100 1.9 2.4 TO-263 800
52 RS100N210T N 210 100 1.9 2.4 TO-220 1000
53 RS100N300I N 300 100 1.7 2.2 TOLL 2000
54 RS100N60G N 60 100 7.5 8.5 DFN5*6 5000
55 RS100N60HG N 60 100 7.5 8.5 DFN5*6 5000
56 RS100N85G N 85 100 6 7.5 DFN5*6 5000
57 RS100N85HG N 85 100 6 7.5 DFN5*6 5000
58 RS100N125G N 125 100 4 4.6 DFN5*6 5000
59 RS100N125HG N 125 100 4 4.6 DFN5*6 5000
60 RS100N150HG N 150 100 3.5 4.2 DFN5*6 5000
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No. Part No. Type ID(A) VDSS(V) RDS(ON) Typ(mΩ) RDS(ON) Max(mΩ) Package MOQ(pcs)
उत्पाद विवरण

डीसी/डीसी कनवर्टर के लिए कम आरएसपी के साथ निम्न वोल्टेज क्षेत्र प्रभाव ट्रांजिस्टर

उत्पाद का वर्णन:

कम वोल्टेज MOSFET एक उन्नत प्रकार का कम सीमा वोल्टेज फील्ड इफेक्ट ट्रांजिस्टर (FET) है जो वायरलेस चार्जिंग, फास्ट चार्जिंग, मोटर ड्राइवर जैसे अनुप्रयोगों की एक विस्तृत श्रृंखला के लिए उपयुक्त है,डीसी/डीसी कनवर्टर, उच्च आवृत्ति स्विच और सिंक्रोनस रेक्टिफिकेशन। यह एक क्रांतिकारी उत्पाद है जिसमें कम बिजली हानि है और यह फोरम अनुकूलन प्रदान करता है।अधिक अनुप्रयोगों को कवर करने वालायह ट्रेंच प्रक्रिया और एसजीटी (सेल्फ-गेटेड टेक्नोलॉजी) प्रक्रिया का उपयोग करके निर्मित किया जाता है, जो श्रृंखला और समानांतर कॉन्फ़िगरेशन दोनों को स्वतंत्र रूप से संयोजित और उपयोग करना संभव बनाता है।इसकी कम गेट वोल्टेज और कम बिजली की हानि इसे मोटर चालक के लिए आदर्श विकल्प बनाती है, 5जी बेस स्टेशन, ऊर्जा भंडारण, उच्च आवृत्ति स्विच और सिंक्रोनस रेक्टिफिकेशन।

 

तकनीकी मापदंडः

प्रक्रिया लाभ आवेदन
खाई छोटे आरएसपी, दोनों श्रृंखला और समानांतर विन्यास को स्वतंत्र रूप से जोड़ा और उपयोग किया जा सकता है। वायरलेस चार्जिंग, फास्ट चार्जिंग, मोटर ड्राइवर, डीसी/डीसी कनवर्टर, हाई-फ्रीक्वेंसी स्विच, सिंक्रोनस रेक्टिफिकेशन
एसजीटी अधिक अनुप्रयोगों को कवर करने के लिए सफलतापूर्वक FOM अनुकूलन। मोटर ड्राइवर, 5जी बेस स्टेशन, ऊर्जा भंडारण, उच्च आवृत्ति स्विच, सिंक्रोनस सुधार।
विशेषताएं विवरण
दक्षता उच्च दक्षता और विश्वसनीयता
बिजली की खपत कम शक्ति हानि
ईएएस क्षमता उच्च ईएएस क्षमता
प्रतिरोध कम आरडीएस (ऑन)
 

अनुप्रयोग:

REASUNOS लो वोल्टेज MOSFET आपकी सभी कम वोल्टेज जरूरतों के लिए एक विश्वसनीय और लागत प्रभावी समाधान है।यह वायरलेस चार्जिंग जैसे अनुप्रयोगों के लिए एकदम सही है, फास्ट चार्जिंग, मोटर ड्राइवर, डीसी/डीसी कन्वर्टर, हाई-फ्रिक्वेन्सी स्विच और सिंक्रोनस रेक्टिफिकेशन। यह दो प्रक्रियाओं, ट्रेंच और एसजीटी में उपलब्ध है,जो उपकरण के अधिक कुशल उपयोग की अनुमति देता हैट्रेंच प्रक्रिया वायरलेस चार्जिंग, फास्ट चार्जिंग, मोटर ड्राइवर, डीसी/डीसी कन्वर्टर, उच्च आवृत्ति स्विच और सिंक्रोनस रेक्टिफिकेशन जैसे अनुप्रयोगों के लिए उपयुक्त है।एसजीटी प्रक्रिया मोटर चालक के लिए सबसे उपयुक्त है, 5जी बेस स्टेशन, ऊर्जा भंडारण, उच्च आवृत्ति स्विच, और सिंक्रोनस रेक्टिफिकेशन।और विरोधी स्थैतिक ट्यूबलर पैकेजिंग सुनिश्चित करता है कि सभी REASUNOS कम वोल्टेज MOSFET सुरक्षित रूप से पहुंचते हैं, और कुल मात्रा के आधार पर 2-30 दिनों के डिलीवरी समय और 100% टी/टी अग्रिम (एक्सडब्ल्यू) भुगतान की शर्तों के साथ, आप सुनिश्चित हो सकते हैं कि आपका ऑर्डर बिना देरी के पूरा हो जाएगा।5KK/माह की उत्कृष्ट आपूर्ति क्षमता के साथ, आप के बारे में चिंता करने के लिए कुछ भी नहीं है.

 

सहायता एवं सेवाएं:

कम वोल्टेज MOSFET तकनीकी सहायता और सेवा

हम कम वोल्टेज MOSFETs के लिए तकनीकी सहायता और सेवा प्रदान करते हैं। हमारी तकनीकी टीम डिजाइन चरण से उत्पादन चरण तक कम वोल्टेज MOSFETs के लिए व्यापक सहायता प्रदान करती है।हम चयन पर पेशेवर सलाह प्रदान करते हैं, डिजाइन और निम्न वोल्टेज MOSFET का अनुकूलन।

हम सेवाओं की एक विस्तृत श्रृंखला प्रदान करते हैं, जिनमें शामिल हैंः

  • डिजाइन परामर्श
  • सिमुलेशन और मॉडलिंग सेवाएं
  • परीक्षण और सत्यापन
  • समस्या निवारण और अनुकूलन
  • आवेदन सहायता

हमारे पास विशेषज्ञों की एक टीम भी है जो निम्न वोल्टेज MOSFETs के बारे में आपके किसी भी प्रश्न का उत्तर देने के लिए उपलब्ध है। हमारी टीम तकनीकी सहायता और सेवा प्रदान करने के लिए 24/7 उपलब्ध है।

 

पैकिंग और शिपिंगः

निम्न वोल्टेज MOSFET को दो मुख्य तरीकों से पैक और शिप किया जाएगा:

  • व्यक्तिगत घटक पैकेजिंगः निम्न वोल्टेज मोस्फेट के व्यक्तिगत घटकों को नमी प्रतिरोधी बैग या बक्से में पैक किया जाएगा और एक भाग संख्या के साथ लेबल किया जाएगा।
  • थोक पैकेजिंगः निम्न वोल्टेज मोस्फेट के घटकों को एक साथ बंडल किया जाएगा और एक बड़े बॉक्स या कंटेनर में रखा जाएगा। बॉक्स या कंटेनर को उत्पाद संख्या के साथ लेबल किया जाएगा।

पैकेजिंग और शिपिंग प्रक्रिया एक अनुभवी और विश्वसनीय शिपिंग कंपनी द्वारा संचालित की जाएगी।कंपनी यह सुनिश्चित करने के लिए जिम्मेदार होगी कि निम्न वोल्टेज MOSFET को सुरक्षित और सुरक्षित रूप से पैक किया जाए, लेबल किया गया और उसके गंतव्य तक पहुंचाया गया।

 

अक्सर पूछे जाने वाले प्रश्न:

प्रश्न: REASUNOS कम वोल्टेज MOSFET क्या है?

उत्तर: REASUNOS लो वोल्टेज MOSFET एक प्रकार का अर्धचालक उपकरण है जिसका उपयोग स्विच या एम्पलीफायर के रूप में किया जा सकता है।

प्रश्न: REASUNOS कम वोल्टेज MOSFET का मूल स्थान कहाँ है?

उत्तर: REASUNOS कम वोल्टेज MOSFET का मूल स्थान गुआंग्डोंग, चीन है।

प्रश्न: REASUNOS कम वोल्टेज MOSFET की कीमत क्या है?

उत्तर: REASUNOS लो वोल्टेज MOSFET की कीमत उत्पाद की पुष्टि के बाद दी जाएगी।

प्रश्न: REASUNOS कम वोल्टेज MOSFET के लिए पैकेजिंग विवरण क्या है?

A: REASUNOS लो वोल्टेज MOSFET को धूल, पानी और एंटी-स्टैटिक ट्यूबलर पैकेजिंग में पैक किया जाता है, जो एक कार्डबोर्ड बॉक्स के अंदर कार्टन में रखा जाता है।

प्रश्न: REASUNOS कम वोल्टेज MOSFET के लिए डिलीवरी का समय कितना है?

A: REASUNOS कम वोल्टेज MOSFET के लिए डिलीवरी का समय कुल मात्रा के आधार पर 2-30 दिन है।

प्रश्न: REASUNOS कम वोल्टेज MOSFET के लिए भुगतान की शर्तें क्या हैं?

A: REASUNOS निम्न वोल्टेज MOSFET के लिए भुगतान की शर्तें 100% T/T अग्रिम हैं।

टैग:

एन चैनल मोस्फेट निम्न सीमा वोल्टेज

स्थिर निम्न शक्ति पी चैनल मोस्फेट

बेस स्टेशन कम वोल्टेज MOSFET

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