ผลิตภัณฑ์ทั้งหมด
ชื่อผู้ติดต่อ : Anita Yin
หมายเลขโทรศัพท์ : +86 13712219843
วอทส์แอพพ์ : 8613712219843

N Channel Low Voltage MOSFET Stable High EAS สําหรับเครื่องแปลง DC DC

  • N Channel Low Voltage MOSFET Stable High EAS For DC DC Converter
สถานที่กำเนิด กวางตุ้ง CN
ชื่อแบรนด์ REASUNOS
ราคา Confirm price based on product
รายละเอียดการบรรจุ บรรจุภัณฑ์แบบท่อกันฝุ่น กันน้ำ และป้องกันไฟฟ้าสถิต วางอยู่ภายในกล่องกระดาษแข็งในกล่องกระดาษแข็ง
เวลาการส่งมอบ 2-30 วัน (ขึ้นอยู่กับปริมาณรวม)
เงื่อนไขการชำระเงิน 100% T/T ล่วงหน้า (EXW)
สามารถในการผลิต 5KK/เดือน

ติดต่อฉันเพื่อรับตัวอย่างและคูปองฟรี

วอทส์แอพพ์:0086 18588475571

วีแชท: 0086 18588475571

สไกป์: sales10@aixton.com

หากคุณมีข้อสงสัย เราพร้อมให้ความช่วยเหลือทางออนไลน์ตลอด 24 ชั่วโมง

x
รายละเอียดสินค้า
การใช้พลังงาน การสูญเสียพลังงานต่ำ ข้อดีของกระบวนการร่องลึก RSP ที่เล็กกว่า ทั้งซีรีส์และการกำหนดค่าแบบขนานสามารถรวมและใช้งานได้อย่างอิสระ
ชื่อสินค้า มอสเฟตแรงดันต่ำ ความสามารถของ EAS ความสามารถ EAS สูง
กระบวนการโครงสร้าง ร่องลึก/SGT การสมัครกระบวนการ SGT ตัวขับมอเตอร์, สถานีฐาน 5G, การจัดเก็บพลังงาน, สวิตช์ความถี่สูง, การแก้ไขแบบซิงโครนัส
ข้อดีของกระบวนการ SGT การเพิ่มประสิทธิภาพ FOM ที่ก้าวล้ำ ครอบคลุมการใช้งานมากขึ้น ความต้านทาน ถนนต่ำ(ON)
เน้น

N Channel MOSFET ความดันต่ํา

,

MOSFET ความดันต่ําคง

,

เครื่องแปลง Vgs N ช่องต่ํา Mosfet
คุณสามารถเลือกผลิตภัณฑ์ที่คุณต้องการและสื่อสารกับเราได้ในกระดานข้อความ
No. Part No. Type ID(A) VDSS(V) RDS(ON) Typ(mΩ) RDS(ON) Max(mΩ) Package MOQ(pcs)
1 RS2301E P -2.3 -20 70 110 SOT-23 3000
2 RS3415E P -4 -20 33 50 SOT-23 3000
3 RS2302E N 2.1 20 32 45 SOT-23 3000
4 RS2300E N 4.5 20 21 32 SOT-23 3000
5 RS2N7002E N 0.34 60 1300 5000 SOT-23 3000
6 RS20N90D N 90 20 3.7 5 TO-252 2500
7 RS3401E P -4.2 -30 50 65 SOT-23 3000
8 RS4435 P -10 -30 15 20 SOP-8 4000
9 RS3400E N 5.8 30 27 35 SOT-23 3000
10 RS30N30K N 30 30 5.8 9 DFN3*3 5000
11 RS30N50K N 50 30 3.8 5.5 DFN3*3 5000
12 RS30N60D N 60 30 6.2 7.5 TO-252 2500
13 RS30N86D N 86 30 4.7 5.5 TO-252 2500
14 RS30N120G N 120 30 3 4 DFN5*6 5000
15 RS30N150D N 150 30 3 4 TO-252 2500
16 RS30N150T N 150 30 3 4 TO-220 1000
17 RS40N100G N 100 40 2.8 3.5 DFN5*6 5000
18 RS40N120D N 120 40 2.8 3.5 TO-252 2500
19 RS40N120T N 120 40 2.8 3.5 TO-220 1000
20 RS150N105T N 105 150 9.8 11 TO-220 1000
21 RS76N20T N 76 200 17 20 TO-220 1000
22 RS2310E N 3 60 70 105 SOT-23 3000
23 RS60N30D N 30 60 22 35 TO-252 2500
24 RS60N50D N 50 60 14 22 TO-252 2500
25 RS60N50T N 50 60 14 22 TO-220 1000
26 RS80N25W N 80 250 30 35 TO-247 600
27 RS630D N 9 200 250 300 TO-252 2500
28 RS630T N 9 200 250 300 TO-220 1000
29 RS640D N 18 200 120 150 TO-252 2500
30 RS640T N 18 200 120 150 TO-220 1000
31 RS40N130G N 130 40 1.45 1.75 DFN5*6 5000
32 RS40N180T N 180 40 1.6 2 TO-220 1000
33 RS60N130G N 130 60 2.1 2.5 DFN5*6 5000
34 RS60N200T N 200 60 2.5 3.2 TO-220 1000
35 RS85N140T N 140 85 4.5 5.3 TO-220 1000
36 RS85N140S N 140 85 4.5 5.3 TO-263 800
37 RS85N150T N 150 85 2.8 3.6 TO-220 1000
38 RS85N150S N 150 85 2.7 3.4 TO-263 800
39 RS100N78HT N 78 100 8.2 9.5 TO-220 1000
40 RS100N78T N 78 100 8.2 9.5 TO-220 1000
41 RS100N100T N 100 100 7 8.5 TO-220 1000
42 RS100N135T N 135 100 3.7 4.2 TO-220 1000
43 RS100N135HT N 135 100 3.7 4.2 TO-220 1000
44 RS100N135HS N 135 100 4.2 5 TO-263 800
45 RS100N180T N 180 100 3 3.8 TO-220 1000
46 RS100N180S N 180 100 2.9 3.6 TO-263 800
47 RS100N190T N 190 100 2.3 3 TO-220 1000
48 RS100N190S N 190 100 2.2 2.8 TO-263 800
49 RS110N200T N 200 110 3.4 4 TO-220 1000
50 RS110N200S N 200 110 3.4 4 TO-263 800
51 RS100N210S N 200 100 1.9 2.4 TO-263 800
52 RS100N210T N 210 100 1.9 2.4 TO-220 1000
53 RS100N300I N 300 100 1.7 2.2 TOLL 2000
54 RS100N60G N 60 100 7.5 8.5 DFN5*6 5000
55 RS100N60HG N 60 100 7.5 8.5 DFN5*6 5000
56 RS100N85G N 85 100 6 7.5 DFN5*6 5000
57 RS100N85HG N 85 100 6 7.5 DFN5*6 5000
58 RS100N125G N 125 100 4 4.6 DFN5*6 5000
59 RS100N125HG N 125 100 4 4.6 DFN5*6 5000
60 RS100N150HG N 150 100 3.5 4.2 DFN5*6 5000
ฝากข้อความ
No. Part No. Type ID(A) VDSS(V) RDS(ON) Typ(mΩ) RDS(ON) Max(mΩ) Package MOQ(pcs)
รายละเอียดสินค้า

ทรานซิสเตอร์แรงกระตุ้นสนามความดันต่ําที่มี RSP เล็กสําหรับ DC / DC Converter

คําอธิบายสินค้า:

MOSFET ความดันต่ํา เป็นชนิดที่ก้าวหน้าของทรานซิสเตอร์ผลสนามความดันต่ํา (FET) ที่เหมาะสําหรับการใช้งานที่หลากหลาย เช่น การชาร์จไร้สาย, การชาร์จเร็ว,,เครื่องแปลง DC/DC เครื่องสลับความถี่สูง และการปรับปรุงแบบร่วมกัน เป็นผลิตภัณฑ์ปฏิวัติ ที่มีอัตราการสูญเสียพลังงานที่ต่ํา และนําเสนอการปรับปรุง FOMที่ครอบคลุมการใช้งานมากขึ้นมันถูกผลิตโดยใช้กระบวนการ trench และกระบวนการ SGT (เทคโนโลยี Self-Gated) ซึ่งทําให้มันเป็นไปได้ที่จะรวมและใช้ทั้งการตั้งค่าชุดและปานกลางอย่างอิสระความกระชับกระแสประตูที่ต่ําและการสูญเสียพลังงานที่ต่ําทําให้มันเป็นทางเลือกที่ดีสําหรับคนขับรถยนต์, สถานีฐาน 5G, การเก็บพลังงาน, สวิตช์ความถี่สูง, และการแก้ไขร่วมกัน

 

ปริมาตรเทคนิค:

กระบวนการ ข้อดี การใช้งาน
ช่องขัง RSP ขนาดเล็กๆ สามารถรวมและใช้ได้อย่างอิสระ ทั้งแบบชุดและแบบปานกลาง การชาร์จไร้สาย, การชาร์จรวดเร็ว, คนขับมอเตอร์, เครื่องแปลง DC/DC, เครื่องสวิทช์ความถี่สูง, การแก้ไขแบบสมอง
SGT การปรับปรุง FOM ที่เจริญเจริญ ครอบคลุมการใช้งานมากขึ้น มอเตอร์ไดรเวอร์ สถานีฐาน 5G การเก็บพลังงาน การสลับความถี่สูง การแก้ไขร่วมกัน
ลักษณะ คําอธิบาย
ประสิทธิภาพ มี ประสิทธิภาพ และ น่า เชื่อถือ
การบริโภคพลังงาน การสูญเสียพลังงานต่ํา
ความสามารถ EAS ความสามารถ EAS ที่สูง
ความต้านทาน Rdsต่ํา ((ON)
 

การใช้งาน:

REASUNOS Low Voltage MOSFET เป็นทางออกที่น่าเชื่อถือและมีประหยัดสําหรับความต้องการความดันต่ําของคุณด้วยการสูญเสียพลังงานที่ต่ําและความต้านทาน Rds ((ON) ที่ต่ํามันสมบูรณ์แบบสําหรับการใช้งาน เช่น การชาร์จไร้สาย, การชาร์จเร็ว, คนขับมอเตอร์, เครื่องแปลง DC / DC, เครื่องสลับความถี่สูง, และการปรับซินคอนที่ทําให้การใช้งานของอุปกรณ์มีประสิทธิภาพมากขึ้นกระบวนการ Trench เหมาะสําหรับการใช้งานเช่นการชาร์จไร้สาย, การชาร์จเร็ว, คนขับมอเตอร์, DC / DC converter, สวิทช์ความถี่สูง, และการแก้ไขร่วมกันกระบวนการ SGT เหมาะสมที่สุดสําหรับคนขับรถยนต์, 5G สถานีฐาน, การเก็บพลังงาน, สวิตช์ความถี่สูง, และการแก้ไขร่วมกันและการบรรจุท่อกันสแตติก ให้แน่ใจว่า MOSFET ความดันต่ํา REASUNOS ทั้งหมดจะมาถึงอย่างปลอดภัย, และมีเวลาในการจัดส่ง 2-30 วัน (ขึ้นอยู่กับปริมาณทั้งหมด) และการชําระเงิน 100% T / T ก่อน (EXW) คุณสามารถมั่นใจว่าการสั่งซื้อของคุณจะถูกปฏิบัติโดยไม่ช้า.ด้วยความสามารถในการจัดสรรที่ดี 5KK / เดือนคุณไม่ต้องกังวลอะไรเลย

 

การสนับสนุนและบริการ:

การสนับสนุนและบริการด้านเทคนิค MOSFET ความดันต่ํา

เราให้การสนับสนุนทางเทคนิคและบริการสําหรับ MOSFET ความดันต่ํา ทีมงานทางเทคนิคของเราให้การสนับสนุนที่ครบถ้วนสําหรับ MOSFET ความดันต่ําจากช่วงการออกแบบจนถึงช่วงการผลิตเราให้คําปรึกษาทางมืออาชีพเกี่ยวกับการเลือก, การออกแบบและการปรับปรุง MOSFET ความดันต่ํา

เราให้บริการหลากหลาย เช่น

  • บริการให้คําปรึกษาด้านการออกแบบ
  • บริการจําลองและจําลอง
  • การทดสอบและตรวจสอบ
  • การแก้ไขปัญหาและการปรับปรุง
  • การสนับสนุนการใช้งาน

เรายังมีทีมผู้เชี่ยวชาญที่พร้อมที่จะตอบคําถามใด ๆ ที่คุณอาจมีเกี่ยวกับ MOSFETs ความดันต่ํา ทีมงานของเรามีอยู่ 24/7 เพื่อให้การสนับสนุนทางเทคนิคและบริการ

 

การบรรจุและการขนส่ง

MOSFET ความดันต่ําจะถูกบรรจุและส่งออกในสองวิธีหลัก:

  • การบรรจุองค์ประกอบส่วนตัว: ส่วนประกอบส่วนตัวของ MOSFET ความดันต่ําจะบรรจุในถุงหรือกล่องที่ทนความชื้นและติดป้ายด้วยหมายเลขส่วน
  • การบรรจุสินค้าจํานวนมาก: ส่วนประกอบของ MOSFET ความดันต่ําจะถูกรวมกันและวางอยู่ในกล่องหรือถังขนาดใหญ่กล่องหรือถังจะติดป้ายด้วยหมายเลขสินค้า

ขั้นตอนการบรรจุและการจัดส่ง จะถูกจัดการโดยบริษัทการจัดส่งที่มีประสบการณ์และน่าเชื่อถือบริษัทจะรับผิดชอบในการรับรองว่า MOSFET ความดันต่ําถูกบรรจุอย่างปลอดภัยและมั่นคงใส่ป้าย และส่งไปยังจุดหมาย

 

FAQ:

Q: REASUNOS MOSFET ความดันต่ําคืออะไร?

A: REASUNOS Low Voltage MOSFET เป็นอุปกรณ์ครึ่งตัวที่สามารถใช้เป็นสวิตช์หรือเครื่องขยายเสียง

คําถาม: สถานที่กําเนิดของ REASUNOS MOSFET ความดันต่ําอยู่ที่ไหน?

ตอบ: สถานที่กําเนิดของ REASUNOS Low Voltage MOSFET คือ กวางดง ประเทศจีน

Q: ราคาของ REASUNOS MOSFET ความดันต่ําคืออะไร?

ตอบ: ราคาของ REASUNOS Low Voltage MOSFET จะถูกระบุหลังจากยืนยันสินค้า

Q: รายละเอียดการบรรจุของ REASUNOS MOSFET ความดันต่ําคืออะไร?

ตอบ: REASUNOS Low Voltage MOSFET ถูกบรรจุในบรรจุท่อกันฝุ่น กันน้ํา และกันสแตติก

คําถาม: ระยะเวลาการจัดส่งของ REASUNOS MOSFET ความดันต่ํานานแค่ไหน?

ตอบ: ระยะเวลาในการจัดส่งของ REASUNOS MOSFET ความดันต่ํา 2-30 วัน ขึ้นอยู่กับปริมาณทั้งหมด

คําถาม: เงื่อนไขการชําระเงินสําหรับ REASUNOS MOSFET ความดันต่ําคืออะไร?

ตอบ: เงื่อนไขการชําระเงินสําหรับ REASUNOS MOSFET ความดันต่ําคือ 100% T / T ในล่วงหน้า ((EXW).

แท็ก:

N Channel Mosfet ความดันขั้นต่ําต่ํา

โมสเฟตช่อง P ที่มั่นคงพลังงานต่ํา

สถานีฐาน MOSFET ความดันต่ํา

แนะนำผลิตภัณฑ์