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N canale MOSFET a bassa tensione EAS stabile e elevato per il convertitore DC DC

  • N Channel Low Voltage MOSFET Stable High EAS For DC DC Converter
Luogo di origine Guangdong, CN
Marca REASUNOS
Prezzo Confirm price based on product
Imballaggi particolari Imballaggi tubulari antipolvere, impermeabili e antistatici, collocati all'interno di una scatola di
Tempi di consegna 2-30 giorni (a seconda della quantità totale)
Termini di pagamento 100% T/T in anticipo (EXW)
Capacità di alimentazione 5KK/mese

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Dettagli
Consumo di energia Perdita di potere basso Vantaggi del processo di trincea RSP più piccoli, entrambe le configurazioni in serie e in parallelo possono essere combinate e utili
Nome del prodotto MOSFET a bassa tensione Funzionalità EAS Elevata capacità EAS
Processo di struttura Trincea/SGT Applicazione trattata di SGT Driver del motore, 5G stazione base, immagazzinamento dell'energia, commutatore ad alta frequenza, r
Vantaggi trattati di SGT Ottimizzazione di innovazione FOM, riguardante più applicazione. Resistenza RDS basso (SOPRA)
Evidenziare

MOSFET a bassa tensione di canale N

,

MOSFET a bassa tensione stabile

,

Convertitore basso Vgs N canale Mosfet
Puoi spuntare i prodotti di cui hai bisogno e comunicare con noi nella bacheca.
No. Part No. Type ID(A) VDSS(V) RDS(ON) Typ(mΩ) RDS(ON) Max(mΩ) Package MOQ(pcs)
1 RS2301E P -2.3 -20 70 110 SOT-23 3000
2 RS3415E P -4 -20 33 50 SOT-23 3000
3 RS2302E N 2.1 20 32 45 SOT-23 3000
4 RS2300E N 4.5 20 21 32 SOT-23 3000
5 RS2N7002E N 0.34 60 1300 5000 SOT-23 3000
6 RS20N90D N 90 20 3.7 5 TO-252 2500
7 RS3401E P -4.2 -30 50 65 SOT-23 3000
8 RS4435 P -10 -30 15 20 SOP-8 4000
9 RS3400E N 5.8 30 27 35 SOT-23 3000
10 RS30N30K N 30 30 5.8 9 DFN3*3 5000
11 RS30N50K N 50 30 3.8 5.5 DFN3*3 5000
12 RS30N60D N 60 30 6.2 7.5 TO-252 2500
13 RS30N86D N 86 30 4.7 5.5 TO-252 2500
14 RS30N120G N 120 30 3 4 DFN5*6 5000
15 RS30N150D N 150 30 3 4 TO-252 2500
16 RS30N150T N 150 30 3 4 TO-220 1000
17 RS40N100G N 100 40 2.8 3.5 DFN5*6 5000
18 RS40N120D N 120 40 2.8 3.5 TO-252 2500
19 RS40N120T N 120 40 2.8 3.5 TO-220 1000
20 RS150N105T N 105 150 9.8 11 TO-220 1000
21 RS76N20T N 76 200 17 20 TO-220 1000
22 RS2310E N 3 60 70 105 SOT-23 3000
23 RS60N30D N 30 60 22 35 TO-252 2500
24 RS60N50D N 50 60 14 22 TO-252 2500
25 RS60N50T N 50 60 14 22 TO-220 1000
26 RS80N25W N 80 250 30 35 TO-247 600
27 RS630D N 9 200 250 300 TO-252 2500
28 RS630T N 9 200 250 300 TO-220 1000
29 RS640D N 18 200 120 150 TO-252 2500
30 RS640T N 18 200 120 150 TO-220 1000
31 RS40N130G N 130 40 1.45 1.75 DFN5*6 5000
32 RS40N180T N 180 40 1.6 2 TO-220 1000
33 RS60N130G N 130 60 2.1 2.5 DFN5*6 5000
34 RS60N200T N 200 60 2.5 3.2 TO-220 1000
35 RS85N140T N 140 85 4.5 5.3 TO-220 1000
36 RS85N140S N 140 85 4.5 5.3 TO-263 800
37 RS85N150T N 150 85 2.8 3.6 TO-220 1000
38 RS85N150S N 150 85 2.7 3.4 TO-263 800
39 RS100N78HT N 78 100 8.2 9.5 TO-220 1000
40 RS100N78T N 78 100 8.2 9.5 TO-220 1000
41 RS100N100T N 100 100 7 8.5 TO-220 1000
42 RS100N135T N 135 100 3.7 4.2 TO-220 1000
43 RS100N135HT N 135 100 3.7 4.2 TO-220 1000
44 RS100N135HS N 135 100 4.2 5 TO-263 800
45 RS100N180T N 180 100 3 3.8 TO-220 1000
46 RS100N180S N 180 100 2.9 3.6 TO-263 800
47 RS100N190T N 190 100 2.3 3 TO-220 1000
48 RS100N190S N 190 100 2.2 2.8 TO-263 800
49 RS110N200T N 200 110 3.4 4 TO-220 1000
50 RS110N200S N 200 110 3.4 4 TO-263 800
51 RS100N210S N 200 100 1.9 2.4 TO-263 800
52 RS100N210T N 210 100 1.9 2.4 TO-220 1000
53 RS100N300I N 300 100 1.7 2.2 TOLL 2000
54 RS100N60G N 60 100 7.5 8.5 DFN5*6 5000
55 RS100N60HG N 60 100 7.5 8.5 DFN5*6 5000
56 RS100N85G N 85 100 6 7.5 DFN5*6 5000
57 RS100N85HG N 85 100 6 7.5 DFN5*6 5000
58 RS100N125G N 125 100 4 4.6 DFN5*6 5000
59 RS100N125HG N 125 100 4 4.6 DFN5*6 5000
60 RS100N150HG N 150 100 3.5 4.2 DFN5*6 5000
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No. Part No. Type ID(A) VDSS(V) RDS(ON) Typ(mΩ) RDS(ON) Max(mΩ) Package MOQ(pcs)
Descrizione di prodotto

Transistor ad effetto campo a bassa tensione con RSP più piccolo per convertitore CC/DC

Descrizione del prodotto:

Il MOSFET a bassa tensione è un tipo avanzato di transistor a effetto campo a bassa tensione di soglia (FET) adatto a una vasta gamma di applicazioni come la ricarica wireless, la ricarica rapida, il driver del motore,È un prodotto rivoluzionario che presenta basse perdite di potenza e offre ottimizzazione FOM rivoluzionaria.che copre un maggior numero di applicazioniÈ prodotto utilizzando il processo di trincea e il processo SGT (Self-Gated Technology), che consente di combinare e utilizzare liberamente sia le configurazioni in serie che quelle parallele.La sua bassa tensione e la sua bassa perdita di potenza la rendono una scelta ideale per chi guida un veicolo, stazione base 5G, accumulo di energia, interruttore ad alta frequenza e rettifica sincrona.

 

Parametri tecnici:

Processo Vantaggi Applicazione
Trincea RSP più piccole, sia le configurazioni in serie che parallele possono essere liberamente combinate e utilizzate. Ricarica wireless, ricarica rapida, driver motore, convertitore DC/DC, interruttore ad alta frequenza, rettifica sincrona.
SGT Ottimizzazione FOM rivoluzionaria, che copre più applicazioni. Motor Driver, Stazione base 5G, Immagazzinamento di energia, Interruttore ad alta frequenza, Rettifica sincrona.
Caratteristiche Descrizione
Efficienza Alta efficienza e affidabilità
Consumo di energia Basse perdite di potenza
Capacità EAS Capacità elevata di EAS
resistenza Basso Rds ((ON)
 

Applicazioni:

REASUNOS Low Voltage MOSFET è una soluzione affidabile ed economica per tutte le vostre esigenze di bassa tensione.è perfetto per applicazioni come la ricarica wireless, ricarica rapida, driver motore, convertitore DC/DC, interruttore ad alta frequenza e rettifica sincrona.che consente un uso più efficiente del dispositivoIl processo di trench è adatto per applicazioni quali la ricarica wireless, la ricarica rapida, il driver del motore, il convertitore DC/DC, l'interruttore ad alta frequenza e la rettifica sincrona.il processo SGT è più adatto al conducente di veicoli a motore, stazione base 5G, accumulo di energia, interruttore ad alta frequenza e rettifica sincrona.e l' imballaggio tubulare antistatico garantisce che tutti i MOSFET a bassa tensione REASUNOS arrivano al sicuro, e con un tempo di consegna di 2-30 giorni (a seconda della quantità totale) e un 100% T / T in anticipo (EXW) termini di pagamento, si può essere sicuri che il vostro ordine sarà soddisfatto senza ritardi.Con un'eccellente capacità di approvvigionamento di 5KK/meseNon hai nulla di cui preoccuparti.

 

Supporto e servizi:

Supporto tecnico e servizio di MOSFET a bassa tensione

Forniamo supporto tecnico e servizio per i MOSFET a bassa tensione.Forniamo consulenza professionale sulla selezione, progettazione e ottimizzazione dei MOSFET a bassa tensione.

Offriamo una vasta gamma di servizi, tra cui:

  • Consulenza in materia di progettazione
  • Servizi di simulazione e modellazione
  • Prova e verifica
  • Risoluzione dei problemi e ottimizzazione
  • Sostegno alle domande

Abbiamo anche un team di esperti che sono disponibili per rispondere a tutte le domande che potreste avere sui MOSFET a bassa tensione.

 

Imballaggio e trasporto:

Il MOSFET a bassa tensione sarà confezionato e spedito in due modi principali:

  • Imballaggio dei singoli componenti: i singoli componenti del MOSFET a bassa tensione saranno imballati in sacchi o scatole resistenti all'umidità e etichettati con un numero di componente.
  • Imballaggio a sfera: i componenti del MOSFET a bassa tensione saranno raggruppati e collocati in una grande scatola o contenitore.

Il processo di imballaggio e spedizione sarà gestito da una compagnia di navigazione esperta e affidabile.La società sarà responsabile di garantire che il MOSFET a bassa tensione sia imballato in modo sicuro e sicuro, etichettato e consegnato a destinazione.

 

FAQ:

D: Cos'è il MOSFET a bassa tensione REASUNOS?

R: REASUNOS Low Voltage MOSFET è un tipo di dispositivo semiconduttore che può essere utilizzato come interruttore o amplificatore.

D: Qual è il luogo di origine del MOSFET a bassa tensione REASUNOS?

R: Il luogo di origine del MOSFET a bassa tensione REASUNOS è Guangdong, Cina.

D: Qual è il prezzo del MOSFET a bassa tensione REASUNOS?

R: Il prezzo di REASUNOS Low Voltage MOSFET verrà fornito dopo aver confermato il prodotto.

D: Quali sono i dettagli dell'imballaggio del REASUNOS MOSFET a bassa tensione?

R: REASUNOS Low Voltage MOSFET è confezionato in un imballaggio tubulare antistatico, impermeabile e a prova di polvere, inserito in una scatola di cartone in cartone.

D: Quanto tempo dura la consegna del MOSFET a bassa tensione REASUNOS?

R: Il tempo di consegna per il MOSFET a bassa tensione REASUNOS è di 2-30 giorni, a seconda della quantità totale.

D: Quali sono i termini di pagamento per il MOSFET a bassa tensione REASUNOS?

R: I termini di pagamento per il MOSFET a bassa tensione REASUNOS sono 100% T/T in anticipo ((EXW).

Etichette:

N canale Mosfet bassa tensione di soglia

Mosfet di canale P stabile a bassa potenza

MOSFET a bassa tensione della stazione base