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MOSFET de baixa tensão de canal N EAS alto estável para conversor de CC DC

  • N Channel Low Voltage MOSFET Stable High EAS For DC DC Converter
Lugar de origem Guangdong, NC
Marca REASUNOS
Preço Confirm price based on product
Detalhes da embalagem Embalagens tubulares impermeáveis ao pó, à água e antistáticas, colocadas numa caixa de cartão em ca
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Detalhes do produto
Consumo de energia Perda de baixa potência Vantagens do processo de vala RSP menor, configurações em série e paralelas podem ser livremente combinadas e utilizadas.
Nome do produto MOSFET de baixa tensão Capacidade EAS Alta capacidade de EAS
processo de estrutura Trincheira/SGT Aplicação do processo de SGT Motorista do motor, 5G estação base, armazenamento de energia, interruptor de alta frequência, corre
Vantagens do processo de SGT Otimização da descoberta FOM, cobrindo mais aplicação. Resistência Baixo RDS (SOBRE)
Destacar

MOSFET de baixa tensão de canal N

,

MOSFET de baixa tensão estável

,

Conversor de baixo Vgs N Mosfet de canal
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No. Part No. Type ID(A) VDSS(V) RDS(ON) Typ(mΩ) RDS(ON) Max(mΩ) Package MOQ(pcs)
1 RS2301E P -2.3 -20 70 110 SOT-23 3000
2 RS3415E P -4 -20 33 50 SOT-23 3000
3 RS2302E N 2.1 20 32 45 SOT-23 3000
4 RS2300E N 4.5 20 21 32 SOT-23 3000
5 RS2N7002E N 0.34 60 1300 5000 SOT-23 3000
6 RS20N90D N 90 20 3.7 5 TO-252 2500
7 RS3401E P -4.2 -30 50 65 SOT-23 3000
8 RS4435 P -10 -30 15 20 SOP-8 4000
9 RS3400E N 5.8 30 27 35 SOT-23 3000
10 RS30N30K N 30 30 5.8 9 DFN3*3 5000
11 RS30N50K N 50 30 3.8 5.5 DFN3*3 5000
12 RS30N60D N 60 30 6.2 7.5 TO-252 2500
13 RS30N86D N 86 30 4.7 5.5 TO-252 2500
14 RS30N120G N 120 30 3 4 DFN5*6 5000
15 RS30N150D N 150 30 3 4 TO-252 2500
16 RS30N150T N 150 30 3 4 TO-220 1000
17 RS40N100G N 100 40 2.8 3.5 DFN5*6 5000
18 RS40N120D N 120 40 2.8 3.5 TO-252 2500
19 RS40N120T N 120 40 2.8 3.5 TO-220 1000
20 RS150N105T N 105 150 9.8 11 TO-220 1000
21 RS76N20T N 76 200 17 20 TO-220 1000
22 RS2310E N 3 60 70 105 SOT-23 3000
23 RS60N30D N 30 60 22 35 TO-252 2500
24 RS60N50D N 50 60 14 22 TO-252 2500
25 RS60N50T N 50 60 14 22 TO-220 1000
26 RS80N25W N 80 250 30 35 TO-247 600
27 RS630D N 9 200 250 300 TO-252 2500
28 RS630T N 9 200 250 300 TO-220 1000
29 RS640D N 18 200 120 150 TO-252 2500
30 RS640T N 18 200 120 150 TO-220 1000
31 RS40N130G N 130 40 1.45 1.75 DFN5*6 5000
32 RS40N180T N 180 40 1.6 2 TO-220 1000
33 RS60N130G N 130 60 2.1 2.5 DFN5*6 5000
34 RS60N200T N 200 60 2.5 3.2 TO-220 1000
35 RS85N140T N 140 85 4.5 5.3 TO-220 1000
36 RS85N140S N 140 85 4.5 5.3 TO-263 800
37 RS85N150T N 150 85 2.8 3.6 TO-220 1000
38 RS85N150S N 150 85 2.7 3.4 TO-263 800
39 RS100N78HT N 78 100 8.2 9.5 TO-220 1000
40 RS100N78T N 78 100 8.2 9.5 TO-220 1000
41 RS100N100T N 100 100 7 8.5 TO-220 1000
42 RS100N135T N 135 100 3.7 4.2 TO-220 1000
43 RS100N135HT N 135 100 3.7 4.2 TO-220 1000
44 RS100N135HS N 135 100 4.2 5 TO-263 800
45 RS100N180T N 180 100 3 3.8 TO-220 1000
46 RS100N180S N 180 100 2.9 3.6 TO-263 800
47 RS100N190T N 190 100 2.3 3 TO-220 1000
48 RS100N190S N 190 100 2.2 2.8 TO-263 800
49 RS110N200T N 200 110 3.4 4 TO-220 1000
50 RS110N200S N 200 110 3.4 4 TO-263 800
51 RS100N210S N 200 100 1.9 2.4 TO-263 800
52 RS100N210T N 210 100 1.9 2.4 TO-220 1000
53 RS100N300I N 300 100 1.7 2.2 TOLL 2000
54 RS100N60G N 60 100 7.5 8.5 DFN5*6 5000
55 RS100N60HG N 60 100 7.5 8.5 DFN5*6 5000
56 RS100N85G N 85 100 6 7.5 DFN5*6 5000
57 RS100N85HG N 85 100 6 7.5 DFN5*6 5000
58 RS100N125G N 125 100 4 4.6 DFN5*6 5000
59 RS100N125HG N 125 100 4 4.6 DFN5*6 5000
60 RS100N150HG N 150 100 3.5 4.2 DFN5*6 5000
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No. Part No. Type ID(A) VDSS(V) RDS(ON) Typ(mΩ) RDS(ON) Max(mΩ) Package MOQ(pcs)
Descrição de produto

Transistor de efeito de campo de baixa tensão com RSP menor para conversor DC/DC

Descrição do produto:

O MOSFET de baixa tensão é um tipo avançado de transistor de efeito de campo de baixa tensão (FET) que é adequado para uma ampla gama de aplicações, como carregamento sem fio, carregamento rápido, motor driver,Conversor DC/DC, interruptor de alta frequência e retificação síncrona.abrangendo mais aplicaçõesÉ produzido através do processo de trincheira e do processo SGT (Self-Gated Technology), o que permite combinar e utilizar livremente as configurações em série e paralelas.A sua baixa tensão e baixa perda de potência tornam-na uma escolha ideal para motoristas, estação base 5G, armazenamento de energia, interruptor de alta frequência e retificação síncrona.

 

Parâmetros técnicos:

Processo Vantagens Aplicação
Trilha RSPs menores, com configurações em série e paralelas, podem ser combinadas e utilizadas livremente. Carregamento sem fio, carregamento rápido, motorista, conversor DC/DC, interruptor de alta frequência, retificação síncrona.
SGT Otimização FOM avançada, cobrindo mais aplicações. Motorista, Estação Base 5G, Armazenamento de Energia, Comutador de Alta Frequência, Rectificação Sincrónica.
Características Descrição
Eficiência Alta eficiência e fiabilidade
Consumo de energia Baixa perda de potência
Capacidade de EAS Alta capacidade de EAS
resistência Baixa Rds ((ON)
 

Aplicações:

O REASUNOS Low Voltage MOSFET é uma solução confiável e econômica para todas as suas necessidades de baixa tensão.é perfeito para aplicações como carregamento sem fio, carregamento rápido, motor, conversor DC/DC, interruptor de alta frequência e retificação síncrona.que permite uma utilização mais eficiente do dispositivoO processo de Trench é adequado para aplicações como carregamento sem fio, carregamento rápido, motor driver, conversor DC/DC, interruptor de alta frequência e retificação síncrona.O processo SGT é mais adequado para motoristas, estação base 5G, armazenamento de energia, interruptor de alta frequência e retificação síncrona.e embalagem tubular anti-estática garante que todos os MOSFETs de baixa tensão REASUNOS cheguem em segurança, e com um prazo de entrega de 2-30 dias (dependendo da quantidade total) e um prazo de pagamento 100% T/T adiantado (EXW), pode ter a certeza de que a sua encomenda será cumprida sem demora.Com uma excelente capacidade de abastecimento de 5KK/mêsNão tens nada com que te preocupar.

 

Apoio e Serviços:

Suporte técnico e serviço de MOSFET de baixa tensão

Oferecemos suporte técnico e serviço para MOSFETs de baixa tensão.Oferecemos aconselhamento profissional na selecção, projeto e otimização de MOSFETs de baixa tensão.

Oferecemos uma vasta gama de serviços, incluindo:

  • Consultoria em design
  • Serviços de simulação e modelagem
  • Ensaios e verificação
  • Solução de problemas e otimização
  • Apoio à aplicação

Também temos uma equipe de especialistas que estão disponíveis para responder a quaisquer perguntas que você possa ter sobre MOSFETs de baixa tensão.

 

Embalagem e transporte:

O MOSFET de baixa tensão será embalado e enviado de duas maneiras principais:

  • Embalagem de componentes individuais: Os componentes individuais do MOSFET de baixa tensão serão embalados em sacos ou caixas resistentes à umidade e rotulados com um número de peça.
  • Embalagem a granel: Os componentes do MOSFET de baixa tensão serão agrupados e colocados em uma grande caixa ou recipiente.

O processo de embalagem e envio será realizado por uma empresa de navegação experiente e confiável.A empresa será responsável por garantir que o MOSFET de baixa tensão seja embalado de forma segura e segura, rotulado e entregue ao seu destino.

 

Perguntas frequentes:

P: O que é o REASUNOS MOSFET de Baixa Tensão?

R: O MOSFET de baixa tensão REASUNOS é um tipo de dispositivo semicondutor que pode ser usado como um interruptor ou amplificador.

P: Onde está o local de origem do MOSFET de baixa tensão REASUNOS?

R: O local de origem do MOSFET de baixa tensão REASUNOS é Guangdong, China.

P: Qual é o preço do MOSFET de baixa tensão REASUNOS?

R: O preço do REASUNOS Low Voltage MOSFET será fornecido após a confirmação do produto.

P: Qual é a embalagem do REASUNOS MOSFET de baixa tensão?

R: O REASUNOS Low Voltage MOSFET é embalado em embalagens tubulares à prova de poeira, à prova de água e antistáticas, colocadas dentro de uma caixa de papelão em caixas de papelão.

P: Quanto tempo dura o prazo de entrega do MOSFET de baixa tensão REASUNOS?

R: O prazo de entrega do MOSFET de baixa tensão REASUNOS é de 2 a 30 dias, dependendo da quantidade total.

P: Quais são os termos de pagamento do MOSFET de baixa tensão REASUNOS?

R: Os termos de pagamento para o MOSFET de baixa tensão REASUNOS são 100% T/T adiantado ((EXW).

Etiquetas:

N Canal Mosfet Baixa Tensão de limiar

Mosfet de canal P estável de baixa potência

MOSFET de baixa tensão da estação base