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MOSFET de baja tensión de canal N EAS estable y alto para convertidor de CC a CC

  • N Channel Low Voltage MOSFET Stable High EAS For DC DC Converter
Lugar de origen Guangdong, NC
Nombre de la marca REASUNOS
Precio Confirm price based on product
Detalles de empaquetado Envases tubulares a prueba de polvo, agua y antistáticos, colocados en una caja de cartón en cartone
Tiempo de entrega 2-30 días (depende de la cantidad total)
Condiciones de pago 100% T/T por adelantado (EXW)
Capacidad de la fuente 5KK/mes

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Datos del producto
Consumo de energía Pérdida de la energía baja Ventajas del proceso de zanja RSP más pequeño, tanto en serie como en paralelo, se pueden combinar y utilizar libremente.
Nombre del producto MOSFET de bajo voltaje Capacidad EAS Alta capacidad EAS
Proceso de estructura Trinchera/SGT Uso de proceso de SGT Conductor del motor, 5G estación base, almacenamiento de energía, interruptor de alta frecuencia, re
Ventajas de proceso de SGT Optimización de la brecha FOM, cubriendo más uso. Resistencia RDS bajo (ENCENDIDO)
Resaltar

MOSFET de baja tensión de canal N

,

MOSFET de baja tensión estable

,

Conversor de bajo Vgs N canal Mosfet
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No. Part No. Type ID(A) VDSS(V) RDS(ON) Typ(mΩ) RDS(ON) Max(mΩ) Package MOQ(pcs)
1 RS2301E P -2.3 -20 70 110 SOT-23 3000
2 RS3415E P -4 -20 33 50 SOT-23 3000
3 RS2302E N 2.1 20 32 45 SOT-23 3000
4 RS2300E N 4.5 20 21 32 SOT-23 3000
5 RS2N7002E N 0.34 60 1300 5000 SOT-23 3000
6 RS20N90D N 90 20 3.7 5 TO-252 2500
7 RS3401E P -4.2 -30 50 65 SOT-23 3000
8 RS4435 P -10 -30 15 20 SOP-8 4000
9 RS3400E N 5.8 30 27 35 SOT-23 3000
10 RS30N30K N 30 30 5.8 9 DFN3*3 5000
11 RS30N50K N 50 30 3.8 5.5 DFN3*3 5000
12 RS30N60D N 60 30 6.2 7.5 TO-252 2500
13 RS30N86D N 86 30 4.7 5.5 TO-252 2500
14 RS30N120G N 120 30 3 4 DFN5*6 5000
15 RS30N150D N 150 30 3 4 TO-252 2500
16 RS30N150T N 150 30 3 4 TO-220 1000
17 RS40N100G N 100 40 2.8 3.5 DFN5*6 5000
18 RS40N120D N 120 40 2.8 3.5 TO-252 2500
19 RS40N120T N 120 40 2.8 3.5 TO-220 1000
20 RS150N105T N 105 150 9.8 11 TO-220 1000
21 RS76N20T N 76 200 17 20 TO-220 1000
22 RS2310E N 3 60 70 105 SOT-23 3000
23 RS60N30D N 30 60 22 35 TO-252 2500
24 RS60N50D N 50 60 14 22 TO-252 2500
25 RS60N50T N 50 60 14 22 TO-220 1000
26 RS80N25W N 80 250 30 35 TO-247 600
27 RS630D N 9 200 250 300 TO-252 2500
28 RS630T N 9 200 250 300 TO-220 1000
29 RS640D N 18 200 120 150 TO-252 2500
30 RS640T N 18 200 120 150 TO-220 1000
31 RS40N130G N 130 40 1.45 1.75 DFN5*6 5000
32 RS40N180T N 180 40 1.6 2 TO-220 1000
33 RS60N130G N 130 60 2.1 2.5 DFN5*6 5000
34 RS60N200T N 200 60 2.5 3.2 TO-220 1000
35 RS85N140T N 140 85 4.5 5.3 TO-220 1000
36 RS85N140S N 140 85 4.5 5.3 TO-263 800
37 RS85N150T N 150 85 2.8 3.6 TO-220 1000
38 RS85N150S N 150 85 2.7 3.4 TO-263 800
39 RS100N78HT N 78 100 8.2 9.5 TO-220 1000
40 RS100N78T N 78 100 8.2 9.5 TO-220 1000
41 RS100N100T N 100 100 7 8.5 TO-220 1000
42 RS100N135T N 135 100 3.7 4.2 TO-220 1000
43 RS100N135HT N 135 100 3.7 4.2 TO-220 1000
44 RS100N135HS N 135 100 4.2 5 TO-263 800
45 RS100N180T N 180 100 3 3.8 TO-220 1000
46 RS100N180S N 180 100 2.9 3.6 TO-263 800
47 RS100N190T N 190 100 2.3 3 TO-220 1000
48 RS100N190S N 190 100 2.2 2.8 TO-263 800
49 RS110N200T N 200 110 3.4 4 TO-220 1000
50 RS110N200S N 200 110 3.4 4 TO-263 800
51 RS100N210S N 200 100 1.9 2.4 TO-263 800
52 RS100N210T N 210 100 1.9 2.4 TO-220 1000
53 RS100N300I N 300 100 1.7 2.2 TOLL 2000
54 RS100N60G N 60 100 7.5 8.5 DFN5*6 5000
55 RS100N60HG N 60 100 7.5 8.5 DFN5*6 5000
56 RS100N85G N 85 100 6 7.5 DFN5*6 5000
57 RS100N85HG N 85 100 6 7.5 DFN5*6 5000
58 RS100N125G N 125 100 4 4.6 DFN5*6 5000
59 RS100N125HG N 125 100 4 4.6 DFN5*6 5000
60 RS100N150HG N 150 100 3.5 4.2 DFN5*6 5000
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No. Part No. Type ID(A) VDSS(V) RDS(ON) Typ(mΩ) RDS(ON) Max(mΩ) Package MOQ(pcs)
Descripción de producto

Transistor de efecto de campo de bajo voltaje con RSP más pequeño para convertidor de CC/DC

Descripción del producto:

El MOSFET de bajo voltaje es un tipo avanzado de transistor de efecto de campo de bajo voltaje (FET) que es adecuado para una amplia gama de aplicaciones como carga inalámbrica, carga rápida, conductor de motor,Convertidor de CC/DC, conmutador de alta frecuencia y rectificación síncrona.que cubre más aplicacionesSe produce mediante el proceso de trinchera y el proceso SGT (Self-Gated Technology), lo que permite combinar y utilizar libremente las configuraciones en serie y paralelas.Su baja tensión de puerta y baja pérdida de potencia lo convierten en una opción ideal para el conductor de automóviles, estación base 5G, almacenamiento de energía, conmutador de alta frecuencia y rectificación síncrona.

 

Parámetros técnicos:

Proceso Ventajas Aplicación
En la zanja RSP más pequeño, tanto en serie y configuraciones paralelas se pueden combinar y utilizar libremente. Carga inalámbrica, carga rápida, conductor del motor, convertidor de CC/CC, interruptor de alta frecuencia, rectificación síncrona.
SGT La optimización de FOM, que cubre más aplicaciones. El conductor del motor, la estación base 5G, el almacenamiento de energía, el interruptor de alta frecuencia, la rectificación síncrona.
Características Descripción
Eficiencia Alta eficiencia y fiabilidad
Consumo de energía Baja pérdida de energía
Capacidad de EAS Capacidad EAS elevada
la resistencia Bajo Rds ((ON)
 

Aplicaciones:

REASUNOS MOSFET es una solución fiable y rentable para todas sus necesidades de bajo voltaje.Es perfecto para aplicaciones como la carga inalámbrica., carga rápida, conductor del motor, convertidor DC/DC, interruptor de alta frecuencia y rectificación síncrona.que permita un uso más eficiente del dispositivoEl proceso Trench es adecuado para aplicaciones como la carga inalámbrica, la carga rápida, el conductor del motor, el convertidor DC/DC, el interruptor de alta frecuencia y la rectificación síncrona.el proceso SGT es el más adecuado para el conductor de automóviles, estación base 5G, almacenamiento de energía, conmutador de alta frecuencia, y rectificación síncrona.y el embalaje tubular antiestático asegura que todos los MOSFET de baja tensión REASUNOS lleguen con seguridad, y con un tiempo de entrega de 2-30 días (dependiendo de la cantidad total) y un 100% T / T por adelantado (EXW) términos de pago, puede estar seguro de que su pedido se cumplirá sin demora.Con una excelente capacidad de suministro de 5KK/mesNo tienes nada de qué preocuparte.

 

Apoyo y servicios:

Soporte técnico y servicio de MOSFET de baja tensión

Proporcionamos soporte técnico y servicio para los MOSFET de bajo voltaje. Nuestro equipo técnico ofrece soporte integral para los MOSFET de bajo voltaje desde la etapa de diseño hasta la etapa de producción.Proporcionamos asesoramiento profesional en la selección, diseño y optimización de MOSFET de bajo voltaje.

Ofrecemos una amplia gama de servicios, entre los que se incluyen:

  • Consultoría de diseño
  • Servicios de simulación y modelado
  • Pruebas y verificación
  • Solución de problemas y optimización
  • Apoyo a las solicitudes

También tenemos un equipo de expertos que están disponibles para responder cualquier pregunta que pueda tener sobre los MOSFET de bajo voltaje.

 

Embalaje y envío:

El MOSFET de bajo voltaje se empaquetará y enviará de dos maneras principales:

  • Embalaje de los componentes individuales: Los componentes individuales del MOSFET de bajo voltaje se empaquetarán en bolsas o cajas resistentes a la humedad y se etiquetarán con un número de pieza.
  • Embalaje a granel: Los componentes del MOSFET de bajo voltaje se agruparán y colocarán en una caja o contenedor grande.

El proceso de embalaje y envío será manejado por una compañía de envío experimentada y confiable.La empresa será responsable de garantizar que el MOSFET de bajo voltaje esté empaquetado de manera segura y segura, etiquetado y entregado a su destino.

 

Preguntas frecuentes:

P: ¿Qué es el MOSFET de bajo voltaje REASUNOS?

R: REASUNOS MOSFET de bajo voltaje es un tipo de dispositivo semiconductor que se puede usar como interruptor o amplificador.

P: ¿Dónde se encuentra el lugar de origen del MOSFET de baja tensión REASUNOS?

R: El lugar de origen de REASUNOS MOSFET de bajo voltaje es Guangdong, China.

P: ¿Cuál es el precio del MOSFET de baja tensión REASUNOS?

R: El precio del MOSFET de baja tensión REASUNOS se proporcionará después de confirmar el producto.

P: ¿Cuáles son los detalles del embalaje de REASUNOS MOSFET de bajo voltaje?

R: El MOSFET de baja tensión REASUNOS está envasado en un embalaje tubular a prueba de polvo, a prueba de agua y antiestático, colocado dentro de una caja de cartón en cartones.

P: ¿Cuánto tiempo dura el tiempo de entrega de REASUNOS MOSFET de bajo voltaje?

R: El plazo de entrega para el MOSFET de bajo voltaje REASUNOS es de 2 a 30 días, dependiendo de la cantidad total.

P: ¿Cuáles son las condiciones de pago para el MOSFET de baja tensión REASUNOS?

R: Los términos de pago para el MOSFET de baja tensión REASUNOS son 100% T/T por adelantado (EXW).

Etiquetas:

Tensión de umbral bajo del canal N Mosfet

Mosfet de canal P de baja potencia estable

MOSFET de baja tensión de la estación base