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Mosfetes de baixa potência multifuncionais, N Channel Mosfet de baixa tensão de limiar

  • Multipurpose Low Power Mosfets , N Channel Mosfet Low Threshold Voltage
Lugar de origem Guangdong, NC
Marca REASUNOS
Preço Confirm price based on product
Detalhes da embalagem Embalagens tubulares impermeáveis ao pó, à água e antistáticas, colocadas numa caixa de cartão em ca
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Detalhes do produto
Capacidade EAS Alta capacidade de EAS processo de estrutura Trincheira/SGT
Aplicação de processo de vala Carregamento sem fio, carregamento rápido, driver de motor, conversor DC/DC, interruptor de alta fre Consumo de energia Perda de baixa potência
Vantagens do processo de SGT Otimização da descoberta FOM, cobrindo mais aplicação. eficiência Alta eficiência e confiável
Nome do produto MOSFET de baixa tensão Vantagens do processo de vala RSP menor, configurações em série e paralelas podem ser livremente combinadas e utilizadas.
Destacar

Mosfets de baixa potência polivalentes

,

Mosfets de baixa potência de canal N

,

N Canal Mosfet Baixa Tensão de limiar
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No. Part No. Type ID(A) VDSS(V) RDS(ON) Typ(mΩ) RDS(ON) Max(mΩ) Package MOQ(pcs)
1 RS2301E P -2.3 -20 70 110 SOT-23 3000
2 RS3415E P -4 -20 33 50 SOT-23 3000
3 RS2302E N 2.1 20 32 45 SOT-23 3000
4 RS2300E N 4.5 20 21 32 SOT-23 3000
5 RS2N7002E N 0.34 60 1300 5000 SOT-23 3000
6 RS20N90D N 90 20 3.7 5 TO-252 2500
7 RS3401E P -4.2 -30 50 65 SOT-23 3000
8 RS4435 P -10 -30 15 20 SOP-8 4000
9 RS3400E N 5.8 30 27 35 SOT-23 3000
10 RS30N30K N 30 30 5.8 9 DFN3*3 5000
11 RS30N50K N 50 30 3.8 5.5 DFN3*3 5000
12 RS30N60D N 60 30 6.2 7.5 TO-252 2500
13 RS30N86D N 86 30 4.7 5.5 TO-252 2500
14 RS30N120G N 120 30 3 4 DFN5*6 5000
15 RS30N150D N 150 30 3 4 TO-252 2500
16 RS30N150T N 150 30 3 4 TO-220 1000
17 RS40N100G N 100 40 2.8 3.5 DFN5*6 5000
18 RS40N120D N 120 40 2.8 3.5 TO-252 2500
19 RS40N120T N 120 40 2.8 3.5 TO-220 1000
20 RS150N105T N 105 150 9.8 11 TO-220 1000
21 RS76N20T N 76 200 17 20 TO-220 1000
22 RS2310E N 3 60 70 105 SOT-23 3000
23 RS60N30D N 30 60 22 35 TO-252 2500
24 RS60N50D N 50 60 14 22 TO-252 2500
25 RS60N50T N 50 60 14 22 TO-220 1000
26 RS80N25W N 80 250 30 35 TO-247 600
27 RS630D N 9 200 250 300 TO-252 2500
28 RS630T N 9 200 250 300 TO-220 1000
29 RS640D N 18 200 120 150 TO-252 2500
30 RS640T N 18 200 120 150 TO-220 1000
31 RS40N130G N 130 40 1.45 1.75 DFN5*6 5000
32 RS40N180T N 180 40 1.6 2 TO-220 1000
33 RS60N130G N 130 60 2.1 2.5 DFN5*6 5000
34 RS60N200T N 200 60 2.5 3.2 TO-220 1000
35 RS85N140T N 140 85 4.5 5.3 TO-220 1000
36 RS85N140S N 140 85 4.5 5.3 TO-263 800
37 RS85N150T N 150 85 2.8 3.6 TO-220 1000
38 RS85N150S N 150 85 2.7 3.4 TO-263 800
39 RS100N78HT N 78 100 8.2 9.5 TO-220 1000
40 RS100N78T N 78 100 8.2 9.5 TO-220 1000
41 RS100N100T N 100 100 7 8.5 TO-220 1000
42 RS100N135T N 135 100 3.7 4.2 TO-220 1000
43 RS100N135HT N 135 100 3.7 4.2 TO-220 1000
44 RS100N135HS N 135 100 4.2 5 TO-263 800
45 RS100N180T N 180 100 3 3.8 TO-220 1000
46 RS100N180S N 180 100 2.9 3.6 TO-263 800
47 RS100N190T N 190 100 2.3 3 TO-220 1000
48 RS100N190S N 190 100 2.2 2.8 TO-263 800
49 RS110N200T N 200 110 3.4 4 TO-220 1000
50 RS110N200S N 200 110 3.4 4 TO-263 800
51 RS100N210S N 200 100 1.9 2.4 TO-263 800
52 RS100N210T N 210 100 1.9 2.4 TO-220 1000
53 RS100N300I N 300 100 1.7 2.2 TOLL 2000
54 RS100N60G N 60 100 7.5 8.5 DFN5*6 5000
55 RS100N60HG N 60 100 7.5 8.5 DFN5*6 5000
56 RS100N85G N 85 100 6 7.5 DFN5*6 5000
57 RS100N85HG N 85 100 6 7.5 DFN5*6 5000
58 RS100N125G N 125 100 4 4.6 DFN5*6 5000
59 RS100N125HG N 125 100 4 4.6 DFN5*6 5000
60 RS100N150HG N 150 100 3.5 4.2 DFN5*6 5000
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No. Part No. Type ID(A) VDSS(V) RDS(ON) Typ(mΩ) RDS(ON) Max(mΩ) Package MOQ(pcs)
Descrição de produto

Baixa Perda de Potência Aplicação do Processo SGT Baixo Rds ((ON) Transistor de Efeito de Campo de Armazenamento de Energia

Descrição do produto:

O MOSFET de baixa tensão é um tipo de transistor de efeito de campo (FET) projetado para operar com uma tensão de limiar baixa.que possui otimização FOM avançada e alta capacidade EASÉ constituído por uma estrutura de trincheira ou SGT para fornecer baixos Rds ((ON).

Os MOSFETs de baixa voltagem são amplamente utilizados em muitas aplicações, como motor driver, estação base 5G, armazenamento de energia, switch de alta frequência, retificação síncrona.Com a sua baixa tensão de porta e baixa tensão limite, é otimizado para desempenho em uma variedade de aplicações, como na gestão de energia, controle de motor, processamento de sinal e comunicação.

O MOSFET de baixa tensão é uma solução ideal para vários tipos de aplicações que exigem baixo consumo de energia, alta eficiência e baixo ruído.e oferece um excelente desempenho.

 

Parâmetros técnicos:

Parâmetros Descrição
Nome do produto MOSFET de baixa tensão
Processo de estrutura Tranche/SGT
Consumo de energia Baixa perda de potência
Resistência Baixa Rds ((ON)
Eficiência Alta eficiência e fiabilidade
Aplicação do processo de trincheira Carregamento sem fio, carregamento rápido, condutor de motor, conversor DC/DC, interruptor de alta frequência, retificação síncrona
Vantagens do processo de trincheira RSPs menores, com configurações em série e paralelas podem ser combinadas e utilizadas livremente
Processo SGT Application Motorista, Estação Base 5G, Armazenamento de Energia, Comutador de Alta Frequência, Rectificação Síncrona
Processo SGT Vantagens Optimização FOM avançada, cobrindo mais aplicações
Capacidade de EAS Alta capacidade de EAS
 

Aplicações:

O MOSFET de baixa tensão REASUNOS oferece ótimo desempenho e confiabilidade para aplicações com baixa tensão de gate, como motor driver, estação base 5G, armazenamento de energia,Comutador de alta frequência e retificação síncronaOs MOSFETs de baixa tensão são feitos do processo SGT avançado, que fornece otimização FOM inovadora e abrange mais aplicações.à prova de pó, embalagem tubular impermeável e antistática, colocada dentro de uma caixa de papelão em caixas de papelão. O tempo de entrega é de 2-30 dias dependendo da quantidade total, e os termos de pagamento é 100% T / T em antecedência ((EXW).A capacidade de abastecimento é de 5KK/mês.

 

Apoio e Serviços:

Apoio técnico e serviço para MOSFET de baixa tensão

Fornecemos suporte técnico e serviços para produtos MOSFET de baixa voltagem. Nossa equipe de engenheiros experientes e experientes fornece soluções rápidas e eficientes para qualquer problema que você possa encontrar.Os nossos serviços incluem:

  • Resolução de problemas e depuração
  • Orientação e otimização do projeto
  • Suporte de firmware e software
  • Auxílio à apresentação de candidaturas
  • Ensaios e avaliação do produto
  • Documentação técnica
  • Serviços de conceção sob medida

Estamos comprometidos em fornecer o melhor serviço possível aos nossos clientes. Se você precisar de ajuda, entre em contato conosco por telefone, e-mail ou chat ao vivo e um membro da nossa equipe entrará em contato em breve.

 

Embalagem e transporte:

Embalagem e transporte de MOSFET de baixa tensão:

  • Cada MOSFET de Baixa Tensão é colocado num saco antiestático antes de ser embalado numa caixa de papelão.
  • A caixa de papelão é então selada com um saco plástico.
  • A caixa de papelão selada é então colocada numa caixa de madeira, que é preenchida com espuma para proteger o produto durante o transporte.
  • A caixa de madeira é então selada com fita adesiva e enviada ao cliente.
 

Perguntas frequentes:

P1: Qual é a marca do MOSFET de baixa tensão?

A1:A marca do MOSFET de Baixa Tensão é REASUNOS.

P2: Onde é a origem do MOSFET de baixa tensão?

A2:A origem do MOSFET de baixa tensão é Guangdong, CN.

Q3: Qual é o preço do MOSFET de baixa tensão?

A3:O preço do MOSFET de baixa tensão deve ser confirmado com base no produto.

Q4: Como é o MOSFET de baixa tensão embalado?

A4:O MOSFET de baixa tensão é embalado com embalagens tubulares à prova de poeira, à prova de água e antistáticas, colocadas dentro de uma caixa de papelão em caixas de papelão.

Q5: Qual é o prazo de entrega do MOSFET de baixa tensão?

A5:O prazo de entrega do MOSFET de baixa tensão é de 2 a 30 dias, dependendo da quantidade total.

Etiquetas:

N Canal Mosfet Baixa Tensão de limiar

Mosfet de canal P estável de baixa potência

MOSFET de baixa tensão da estação base