बहुउद्देश्यीय कम शक्ति वाले मोस्फेट, एन चैनल मोस्फेट कम सीमा वोल्टेज
उत्पत्ति के प्लेस | गुआंग्डोंग, सीएन |
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ब्रांड नाम | REASUNOS |
मूल्य | Confirm price based on product |
पैकेजिंग विवरण | डस्टप्रूफ, वॉटरप्रूफ और एंटी-स्टैटिक ट्यूबलर पैकेजिंग, डिब्बों में कार्डबोर्ड बॉक्स के अंदर रखी गई ह |
प्रसव के समय | 2-30 दिन (कुल मात्रा पर निर्भर करता है) |
भुगतान शर्तें | अग्रिम में 100% टी/टी (EXW) |
आपूर्ति की क्षमता | 5KK/माह |

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xईएएस क्षमता | उच्च ईएएस क्षमता | संरचना प्रक्रिया | ट्रेंच/एसजीटी |
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ट्रेंच प्रक्रिया आवेदन | वायरलेस चार्जिंग, फास्ट चार्जिंग, मोटर ड्राइवर, डीसी/डीसी कनवर्टर, हाई-फ़्रीक्वेंसी स्विच, सिंक्रोनस | बिजली की खपत | कम बिजली हानि |
एसजीटी प्रक्रिया के लाभ | निर्णायक एफओएम अनुकूलन, अधिक एप्लिकेशन को कवर करता है। | दक्षता | उच्च दक्षता और विश्वसनीय |
उत्पाद का नाम | कम वोल्टेज MOSFET | ट्रेंच प्रक्रिया के लाभ | छोटे आरएसपी, श्रृंखला और समानांतर दोनों विन्यासों को स्वतंत्र रूप से संयोजित और उपयोग किया जा सकता ह |
प्रमुखता देना | बहुउद्देश्यीय कम शक्ति वाले मोस्फेट,एन चैनल कम शक्ति वाले मोस्फेट,एन चैनल मोस्फेट निम्न सीमा वोल्टेज |
No. | Part No. | Type | ID(A) | VDSS(V) | RDS(ON) Typ(mΩ) | RDS(ON) Max(mΩ) | Package | MOQ(pcs) | |
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1 | RS2301E | P | -2.3 | -20 | 70 | 110 | SOT-23 | 3000 | |
2 | RS3415E | P | -4 | -20 | 33 | 50 | SOT-23 | 3000 | |
3 | RS2302E | N | 2.1 | 20 | 32 | 45 | SOT-23 | 3000 | |
4 | RS2300E | N | 4.5 | 20 | 21 | 32 | SOT-23 | 3000 | |
5 | RS2N7002E | N | 0.34 | 60 | 1300 | 5000 | SOT-23 | 3000 | |
6 | RS20N90D | N | 90 | 20 | 3.7 | 5 | TO-252 | 2500 | |
7 | RS3401E | P | -4.2 | -30 | 50 | 65 | SOT-23 | 3000 | |
8 | RS4435 | P | -10 | -30 | 15 | 20 | SOP-8 | 4000 | |
9 | RS3400E | N | 5.8 | 30 | 27 | 35 | SOT-23 | 3000 | |
10 | RS30N30K | N | 30 | 30 | 5.8 | 9 | DFN3*3 | 5000 | |
11 | RS30N50K | N | 50 | 30 | 3.8 | 5.5 | DFN3*3 | 5000 | |
12 | RS30N60D | N | 60 | 30 | 6.2 | 7.5 | TO-252 | 2500 | |
13 | RS30N86D | N | 86 | 30 | 4.7 | 5.5 | TO-252 | 2500 | |
14 | RS30N120G | N | 120 | 30 | 3 | 4 | DFN5*6 | 5000 | |
15 | RS30N150D | N | 150 | 30 | 3 | 4 | TO-252 | 2500 | |
16 | RS30N150T | N | 150 | 30 | 3 | 4 | TO-220 | 1000 | |
17 | RS40N100G | N | 100 | 40 | 2.8 | 3.5 | DFN5*6 | 5000 | |
18 | RS40N120D | N | 120 | 40 | 2.8 | 3.5 | TO-252 | 2500 | |
19 | RS40N120T | N | 120 | 40 | 2.8 | 3.5 | TO-220 | 1000 | |
20 | RS150N105T | N | 105 | 150 | 9.8 | 11 | TO-220 | 1000 | |
21 | RS76N20T | N | 76 | 200 | 17 | 20 | TO-220 | 1000 | |
22 | RS2310E | N | 3 | 60 | 70 | 105 | SOT-23 | 3000 | |
23 | RS60N30D | N | 30 | 60 | 22 | 35 | TO-252 | 2500 | |
24 | RS60N50D | N | 50 | 60 | 14 | 22 | TO-252 | 2500 | |
25 | RS60N50T | N | 50 | 60 | 14 | 22 | TO-220 | 1000 | |
26 | RS80N25W | N | 80 | 250 | 30 | 35 | TO-247 | 600 | |
27 | RS630D | N | 9 | 200 | 250 | 300 | TO-252 | 2500 | |
28 | RS630T | N | 9 | 200 | 250 | 300 | TO-220 | 1000 | |
29 | RS640D | N | 18 | 200 | 120 | 150 | TO-252 | 2500 | |
30 | RS640T | N | 18 | 200 | 120 | 150 | TO-220 | 1000 | |
31 | RS40N130G | N | 130 | 40 | 1.45 | 1.75 | DFN5*6 | 5000 | |
32 | RS40N180T | N | 180 | 40 | 1.6 | 2 | TO-220 | 1000 | |
33 | RS60N130G | N | 130 | 60 | 2.1 | 2.5 | DFN5*6 | 5000 | |
34 | RS60N200T | N | 200 | 60 | 2.5 | 3.2 | TO-220 | 1000 | |
35 | RS85N140T | N | 140 | 85 | 4.5 | 5.3 | TO-220 | 1000 | |
36 | RS85N140S | N | 140 | 85 | 4.5 | 5.3 | TO-263 | 800 | |
37 | RS85N150T | N | 150 | 85 | 2.8 | 3.6 | TO-220 | 1000 | |
38 | RS85N150S | N | 150 | 85 | 2.7 | 3.4 | TO-263 | 800 | |
39 | RS100N78HT | N | 78 | 100 | 8.2 | 9.5 | TO-220 | 1000 | |
40 | RS100N78T | N | 78 | 100 | 8.2 | 9.5 | TO-220 | 1000 | |
41 | RS100N100T | N | 100 | 100 | 7 | 8.5 | TO-220 | 1000 | |
42 | RS100N135T | N | 135 | 100 | 3.7 | 4.2 | TO-220 | 1000 | |
43 | RS100N135HT | N | 135 | 100 | 3.7 | 4.2 | TO-220 | 1000 | |
44 | RS100N135HS | N | 135 | 100 | 4.2 | 5 | TO-263 | 800 | |
45 | RS100N180T | N | 180 | 100 | 3 | 3.8 | TO-220 | 1000 | |
46 | RS100N180S | N | 180 | 100 | 2.9 | 3.6 | TO-263 | 800 | |
47 | RS100N190T | N | 190 | 100 | 2.3 | 3 | TO-220 | 1000 | |
48 | RS100N190S | N | 190 | 100 | 2.2 | 2.8 | TO-263 | 800 | |
49 | RS110N200T | N | 200 | 110 | 3.4 | 4 | TO-220 | 1000 | |
50 | RS110N200S | N | 200 | 110 | 3.4 | 4 | TO-263 | 800 | |
51 | RS100N210S | N | 200 | 100 | 1.9 | 2.4 | TO-263 | 800 | |
52 | RS100N210T | N | 210 | 100 | 1.9 | 2.4 | TO-220 | 1000 | |
53 | RS100N300I | N | 300 | 100 | 1.7 | 2.2 | TOLL | 2000 | |
54 | RS100N60G | N | 60 | 100 | 7.5 | 8.5 | DFN5*6 | 5000 | |
55 | RS100N60HG | N | 60 | 100 | 7.5 | 8.5 | DFN5*6 | 5000 | |
56 | RS100N85G | N | 85 | 100 | 6 | 7.5 | DFN5*6 | 5000 | |
57 | RS100N85HG | N | 85 | 100 | 6 | 7.5 | DFN5*6 | 5000 | |
58 | RS100N125G | N | 125 | 100 | 4 | 4.6 | DFN5*6 | 5000 | |
59 | RS100N125HG | N | 125 | 100 | 4 | 4.6 | DFN5*6 | 5000 | |
60 | RS100N150HG | N | 150 | 100 | 3.5 | 4.2 | DFN5*6 | 5000 |
कम शक्ति हानि एसजीटी प्रक्रिया अनुप्रयोग कम आरडीएस ((ऑन) ऊर्जा भंडारण क्षेत्र प्रभाव ट्रांजिस्टर
उत्पाद का वर्णन:
कम वोल्टेज MOSFET एक प्रकार का फील्ड इफेक्ट ट्रांजिस्टर (FET) है जिसे कम थ्रेशोल्ड वोल्टेज के साथ काम करने के लिए डिज़ाइन किया गया है। यह एक विशेष अर्धचालक प्रक्रिया, SGT प्रक्रिया,जिसमें फोरम अनुकूलन और उच्च ईएएस क्षमता हैयह एक खाई या एसजीटी संरचना से बना है जो कम आरडीएस प्रदान करता है।
निम्न वोल्टेज MOSFET का व्यापक रूप से कई अनुप्रयोगों में उपयोग किया जाता है जैसे मोटर ड्राइवर, 5G बेस स्टेशन, ऊर्जा भंडारण, उच्च आवृत्ति स्विच, सिंक्रोनस रेक्टिफिकेशन।अपने कम गेट वोल्टेज और कम सीमा वोल्टेज के साथ, यह विभिन्न अनुप्रयोगों में प्रदर्शन के लिए अनुकूलित है, जैसे कि बिजली प्रबंधन, मोटर नियंत्रण, संकेत प्रसंस्करण और संचार में।
कम वोल्टेज MOSFET विभिन्न प्रकार के अनुप्रयोगों के लिए एक आदर्श समाधान है, जिसमें कम बिजली की खपत, उच्च दक्षता और कम शोर की आवश्यकता होती है। यह अत्यधिक विश्वसनीय, लागत प्रभावी है,और उत्कृष्ट प्रदर्शन प्रदान करता है.
तकनीकी मापदंडः
पैरामीटर | विवरण |
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उत्पाद का नाम | कम वोल्टेज MOSFET |
संरचना प्रक्रिया | खाई/एसजीटी |
बिजली की खपत | कम शक्ति हानि |
प्रतिरोध | कम आरडीएस (ऑन) |
दक्षता | उच्च दक्षता और विश्वसनीयता |
खाई प्रक्रिया आवेदन | वायरलेस चार्जिंग, फास्ट चार्जिंग, मोटर ड्राइवर, डीसी/डीसी कन्वर्टर, हाई-फ्रिक्वेन्सी स्विच, सिंक्रोनस रेक्टिफिकेशन |
खाई की प्रक्रिया के फायदे | छोटे आरएसपी, दोनों श्रृंखला और समानांतर विन्यास स्वतंत्र रूप से संयुक्त और उपयोग किया जा सकता है |
एसजीटी प्रक्रिया आवेदन | मोटर ड्राइवर, 5जी बेस स्टेशन, ऊर्जा भंडारण, उच्च आवृत्ति स्विच, सिंक्रोनस सुधार |
एसजीटी प्रक्रिया लाभ | फोरम अनुकूलन में सफलता, अधिक अनुप्रयोगों को कवर करना |
ईएएस क्षमता | उच्च ईएएस क्षमता |
अनुप्रयोग:
REASUNOS लो वोल्टेज MOSFET कम गेट वोल्टेज वाले अनुप्रयोगों जैसे मोटर ड्राइवर, 5G बेस स्टेशन, ऊर्जा भंडारण,उच्च आवृत्ति स्विच और सिंक्रोनस रेक्टिकेशन. निम्न वोल्टेज पावर MOSFETs उन्नत SGT प्रक्रिया से बने होते हैं, जो फोरम अनुकूलन प्रदान करता है और अधिक अनुप्रयोगों को कवर करता है। इसमें उत्कृष्ट कम Rds ((ON) प्रतिरोध है,धूल प्रतिरोधी, पनरोक और विरोधी स्थैतिक ट्यूबलर पैकेजिंग, एक कार्डबोर्ड बॉक्स के अंदर रखा कार्टन में। वितरण समय कुल मात्रा के आधार पर 2-30 दिन है, और भुगतान की शर्तें अग्रिम में 100% टी / टी है ((EXW).आपूर्ति क्षमता 5KK/माह है।
सहायता एवं सेवाएं:
हम कम वोल्टेज MOSFET उत्पादों के लिए तकनीकी सहायता और सेवाएं प्रदान करते हैं। अनुभवी और जानकार इंजीनियरों की हमारी टीम किसी भी समस्या का त्वरित और कुशल समाधान प्रदान करती है जिसका आप सामना कर सकते हैं।हमारी सेवाओं में शामिल हैं:
- समस्या निवारण और डिबगिंग
- डिजाइन मार्गदर्शन और अनुकूलन
- फर्मवेयर और सॉफ्टवेयर समर्थन
- आवेदन सहायता
- उत्पाद परीक्षण और मूल्यांकन
- तकनीकी दस्तावेज
- अनुकूलित डिजाइन सेवाएं
हम अपने ग्राहकों को सर्वोत्तम संभव सेवा प्रदान करने के लिए प्रतिबद्ध हैं। यदि आपको सहायता की आवश्यकता है, तो कृपया फोन, ईमेल या लाइव चैट के माध्यम से हमसे संपर्क करें और हमारी टीम का एक सदस्य जल्द ही संपर्क में होगा।
पैकिंग और शिपिंगः
कम वोल्टेज MOSFET के लिए पैकेजिंग और शिपिंगः
- प्रत्येक निम्न वोल्टेज MOSFET को एक कार्डबोर्ड बॉक्स में पैक करने से पहले एक एंटी-स्टेटिक बैग में रखा जाता है।
- इसके बाद कार्डबोर्ड बॉक्स को एक प्लास्टिक बैग से सील कर दिया जाता है।
- बंद कार्डबोर्ड बॉक्स को लकड़ी के बॉक्स में रखा जाता है, जिसे शिपिंग के दौरान उत्पाद की सुरक्षा के लिए फोम से भरा जाता है।
- लकड़ी के बक्से को टेप से सील कर ग्राहक को भेज दिया जाता है।
अक्सर पूछे जाने वाले प्रश्न:
प्रश्न 1: निम्न वोल्टेज मोस्फेट का ब्रांड नाम क्या है?
A1:निम्न वोल्टेज मोस्फेट का ब्रांड नाम REASUNOS है।
Q2: निम्न वोल्टेज MOSFET की उत्पत्ति कहाँ है?
A2:निम्न वोल्टेज एमओएसएफईटी की उत्पत्ति गुआंग्डोंग, सीएन से होती है।
Q3: निम्न वोल्टेज MOSFET की कीमत क्या है?
A3:निम्न वोल्टेज MOSFET की कीमत उत्पाद के आधार पर पुष्टि की जानी चाहिए।
Q4: निम्न वोल्टेज MOSFET कैसे पैक किया जाता है?
A4:लो वोल्टेज मोस्फेट को धूल, पानी और एंटी-स्टेटिक ट्यूबलर पैकेजिंग के साथ पैक किया जाता है, जो एक कार्डबोर्ड बॉक्स के अंदर कार्टन में रखा जाता है।
Q5: निम्न वोल्टेज MOSFET का वितरण समय क्या है?
A5:निम्न वोल्टेज मोस्फेट की डिलीवरी का समय 2-30 दिन है, जो कुल मात्रा पर निर्भर करता है।