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多目的低電源モスフェット,Nチャネルモスフェット 低スローレッジ電圧

  • Multipurpose Low Power Mosfets , N Channel Mosfet Low Threshold Voltage
起源の場所 広東省、CN
ブランド名 REASUNOS
価格 Confirm price based on product
パッケージの詳細 防塵,防水,防静的管状の包装,紙箱の中に詰め込まれる
受渡し時間 2~30日 (総量によって異なります)
支払条件 100%T/T 前払い (EXW)
供給の能力 5KK/月

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商品の詳細
EAS機能 高い EAS 機能 構造プロセス トレンチ/SGT
トレンチプロセスの適用 ワイヤレス充電、急速充電、モータードライバー、DC/DCコンバーター、高周波スイッチ、同期整流。 電力消費量 低い電力の損失
SGTのプロセス利点 より多くの適用をカバーする進歩FOMの最適化。 効率性 高効率と信頼性
製品名 低電圧MOSFET トレンチプロセスの利点 より小型のRSP、直列・並列構成を自由に組み合わせて活用できます。
ハイライト

多目的低電力モスフェット

,

Nチャネル低功率モスフェット

,

Nチャネル モスフェット 低スローレッジ電圧
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No. Part No. Type ID(A) VDSS(V) RDS(ON) Typ(mΩ) RDS(ON) Max(mΩ) Package MOQ(pcs)
1 RS2301E P -2.3 -20 70 110 SOT-23 3000
2 RS3415E P -4 -20 33 50 SOT-23 3000
3 RS2302E N 2.1 20 32 45 SOT-23 3000
4 RS2300E N 4.5 20 21 32 SOT-23 3000
5 RS2N7002E N 0.34 60 1300 5000 SOT-23 3000
6 RS20N90D N 90 20 3.7 5 TO-252 2500
7 RS3401E P -4.2 -30 50 65 SOT-23 3000
8 RS4435 P -10 -30 15 20 SOP-8 4000
9 RS3400E N 5.8 30 27 35 SOT-23 3000
10 RS30N30K N 30 30 5.8 9 DFN3*3 5000
11 RS30N50K N 50 30 3.8 5.5 DFN3*3 5000
12 RS30N60D N 60 30 6.2 7.5 TO-252 2500
13 RS30N86D N 86 30 4.7 5.5 TO-252 2500
14 RS30N120G N 120 30 3 4 DFN5*6 5000
15 RS30N150D N 150 30 3 4 TO-252 2500
16 RS30N150T N 150 30 3 4 TO-220 1000
17 RS40N100G N 100 40 2.8 3.5 DFN5*6 5000
18 RS40N120D N 120 40 2.8 3.5 TO-252 2500
19 RS40N120T N 120 40 2.8 3.5 TO-220 1000
20 RS150N105T N 105 150 9.8 11 TO-220 1000
21 RS76N20T N 76 200 17 20 TO-220 1000
22 RS2310E N 3 60 70 105 SOT-23 3000
23 RS60N30D N 30 60 22 35 TO-252 2500
24 RS60N50D N 50 60 14 22 TO-252 2500
25 RS60N50T N 50 60 14 22 TO-220 1000
26 RS80N25W N 80 250 30 35 TO-247 600
27 RS630D N 9 200 250 300 TO-252 2500
28 RS630T N 9 200 250 300 TO-220 1000
29 RS640D N 18 200 120 150 TO-252 2500
30 RS640T N 18 200 120 150 TO-220 1000
31 RS40N130G N 130 40 1.45 1.75 DFN5*6 5000
32 RS40N180T N 180 40 1.6 2 TO-220 1000
33 RS60N130G N 130 60 2.1 2.5 DFN5*6 5000
34 RS60N200T N 200 60 2.5 3.2 TO-220 1000
35 RS85N140T N 140 85 4.5 5.3 TO-220 1000
36 RS85N140S N 140 85 4.5 5.3 TO-263 800
37 RS85N150T N 150 85 2.8 3.6 TO-220 1000
38 RS85N150S N 150 85 2.7 3.4 TO-263 800
39 RS100N78HT N 78 100 8.2 9.5 TO-220 1000
40 RS100N78T N 78 100 8.2 9.5 TO-220 1000
41 RS100N100T N 100 100 7 8.5 TO-220 1000
42 RS100N135T N 135 100 3.7 4.2 TO-220 1000
43 RS100N135HT N 135 100 3.7 4.2 TO-220 1000
44 RS100N135HS N 135 100 4.2 5 TO-263 800
45 RS100N180T N 180 100 3 3.8 TO-220 1000
46 RS100N180S N 180 100 2.9 3.6 TO-263 800
47 RS100N190T N 190 100 2.3 3 TO-220 1000
48 RS100N190S N 190 100 2.2 2.8 TO-263 800
49 RS110N200T N 200 110 3.4 4 TO-220 1000
50 RS110N200S N 200 110 3.4 4 TO-263 800
51 RS100N210S N 200 100 1.9 2.4 TO-263 800
52 RS100N210T N 210 100 1.9 2.4 TO-220 1000
53 RS100N300I N 300 100 1.7 2.2 TOLL 2000
54 RS100N60G N 60 100 7.5 8.5 DFN5*6 5000
55 RS100N60HG N 60 100 7.5 8.5 DFN5*6 5000
56 RS100N85G N 85 100 6 7.5 DFN5*6 5000
57 RS100N85HG N 85 100 6 7.5 DFN5*6 5000
58 RS100N125G N 125 100 4 4.6 DFN5*6 5000
59 RS100N125HG N 125 100 4 4.6 DFN5*6 5000
60 RS100N150HG N 150 100 3.5 4.2 DFN5*6 5000
メッセージ
No. Part No. Type ID(A) VDSS(V) RDS(ON) Typ(mΩ) RDS(ON) Max(mΩ) Package MOQ(pcs)
製品の説明

低電源損失 SGT プロセスアプリケーション 低Rds ((ON) エネルギー貯蔵フィールド効果トランジスタ

製品説明:

低電圧MOSFETは,低値電圧で動作するように設計されたフィールド効果トランジスタ (FET) の1種類である.突破的なFOM最適化と高いEAS能力を持つ低Rds ((ON) を提供するために,溝またはSGT構造で構成されています.

低電圧MOSFETは,モータードライバー,5Gベースステーション,エネルギー貯蔵,高周波スイッチ,同期直線などの多くのアプリケーションで広く使用されています.低ゲート電圧と低しきい電圧で,電源管理,モーター制御,信号処理,通信などのさまざまなアプリケーションでの性能に最適化されています.

低電圧MOSFETは,低電力消費,高効率,低騒音を必要とする様々な種類のアプリケーションに理想的なソリューションです. 非常に信頼性があり,コスト効率が高く,性能も最高です.

 

技術パラメータ:

パラメータ 記述
製品名 低電圧MOSFET
構造プロセス トレンチ/SGT
電力消費量 低電力損失
抵抗力 低Rds ((ON)
効率性 高効率 で 信頼 できる
トレンチプロセス 適用 ワイヤレス充電,高速充電,モータードライバー,DC/DCコンバーター,高周波スイッチ,同期矯正
トレンチプロセスの利点 小型のRSP,連続型と並行型の両方が自由に組み合わせられ,利用できます
SGT プロセス 適用 モータードライバ,5Gベースステーション エネルギー貯蔵 高周波スイッチ 同期修正
SGT プロセスの利点 突破的なFOM最適化,より多くのアプリケーションをカバーする
EAS能力 高いEAS能力
 

応用:

REASUNOS低電圧MOSFETは,モータードライバー,5Gベースステーション,エネルギー貯蔵,高周波スイッチと同期直線. 低電圧電源MOSFETは先進的なSGTプロセスで作られ,FOM最適化に突破をもたらし,より多くのアプリケーションをカバーしています.優れた低Rds(ON) 抵抗性があります.防塵性,防水および抗静的管状の包装,紙箱の中に入れて,紙箱に. 配送時間は,総量に応じて2-30日,支払い条件は,100%T/Tを事前で(EXW).供給能力は月5KKです

 

サポートとサービス

低電圧MOSFETの技術サポートとサービス

低電圧 MOSFET 製品の技術サポートとサービスを提供します.経験豊富なエンジニアのチームは,あなたが直面するあらゆる問題に対して迅速かつ効率的なソリューションを提供します.私たちのサービスには:

  • トラブルシューティングとデバッグ
  • 設計指針と最適化
  • 固件・ソフトウェアサポート
  • 申請支援
  • 製品試験と評価
  • 技術資料
  • デザインサービス

当社は,お客様に可能な限り最高のサービスを提供することにコミットしています. 援助が必要な場合は,電話,メール,ライブチャットでご連絡ください. 当社のメンバーが間もなく連絡します.

 

梱包と輸送:

低電圧MOSFETの梱包と輸送:

  • 各低電圧MOSFETは,紙箱に包まれる前に,反静的袋に入れます.
  • 紙箱はプラスチック袋で封印されます.
  • 密封された紙箱は木箱に入れて 運送中に保護するために泡で満たされます
  • 木製の箱はテープで封印され 顧客に送られます
 

FAQ:

Q1:低電圧MOSFETのブランド名は何ですか?

A1:低電圧MOSFETのブランド名は REASUNOSです

Q2:低電圧MOSFETの起源は?

A2 について低電圧MOSFETの原産地は CNの広東.

Q3:低電圧MOSFETの価格は?

A3 について低電圧MOSFETの価格は製品によって確認されるべきです.

Q4:低電圧MOSFETはどのように梱包されますか?

A4 式:低電圧MOSFETは 防塵・防水・防静的管状のパッケージで 紙箱に詰められています

Q5:低電圧MOSFETの配達時間は?

A5:低電圧MOSFETの配送時間は2~30日で,総量によって異なります.

札:

Nチャネル モスフェット 低スローレッジ電圧

安定低電源Pチャネルモスフェット

ベースステーション低電圧MOSFET