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Mosfetti multiuso a bassa potenza, N-Channel Mosfet bassa tensione di soglia

  • Multipurpose Low Power Mosfets , N Channel Mosfet Low Threshold Voltage
Luogo di origine Guangdong, CN
Marca REASUNOS
Prezzo Confirm price based on product
Imballaggi particolari Imballaggi tubulari antipolvere, impermeabili e antistatici, collocati all'interno di una scatola di
Tempi di consegna 2-30 giorni (a seconda della quantità totale)
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Capacità di alimentazione 5KK/mese

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Dettagli
Funzionalità EAS Elevata capacità EAS Processo di struttura Trincea/SGT
Applicazione del processo di trincea Ricarica wireless, ricarica rapida, driver motore, convertitore DC/DC, interruttore ad alta frequenz Consumo di energia Perdita di potere basso
Vantaggi trattati di SGT Ottimizzazione di innovazione FOM, riguardante più applicazione. efficienza Alta efficienza e affidabilità
Nome del prodotto MOSFET a bassa tensione Vantaggi del processo di trincea RSP più piccoli, entrambe le configurazioni in serie e in parallelo possono essere combinate e utili
Evidenziare

Mosfetti multiuso a bassa potenza

,

Mosfetti a bassa potenza di canale N

,

N canale Mosfet bassa tensione di soglia
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No. Part No. Type ID(A) VDSS(V) RDS(ON) Typ(mΩ) RDS(ON) Max(mΩ) Package MOQ(pcs)
1 RS2301E P -2.3 -20 70 110 SOT-23 3000
2 RS3415E P -4 -20 33 50 SOT-23 3000
3 RS2302E N 2.1 20 32 45 SOT-23 3000
4 RS2300E N 4.5 20 21 32 SOT-23 3000
5 RS2N7002E N 0.34 60 1300 5000 SOT-23 3000
6 RS20N90D N 90 20 3.7 5 TO-252 2500
7 RS3401E P -4.2 -30 50 65 SOT-23 3000
8 RS4435 P -10 -30 15 20 SOP-8 4000
9 RS3400E N 5.8 30 27 35 SOT-23 3000
10 RS30N30K N 30 30 5.8 9 DFN3*3 5000
11 RS30N50K N 50 30 3.8 5.5 DFN3*3 5000
12 RS30N60D N 60 30 6.2 7.5 TO-252 2500
13 RS30N86D N 86 30 4.7 5.5 TO-252 2500
14 RS30N120G N 120 30 3 4 DFN5*6 5000
15 RS30N150D N 150 30 3 4 TO-252 2500
16 RS30N150T N 150 30 3 4 TO-220 1000
17 RS40N100G N 100 40 2.8 3.5 DFN5*6 5000
18 RS40N120D N 120 40 2.8 3.5 TO-252 2500
19 RS40N120T N 120 40 2.8 3.5 TO-220 1000
20 RS150N105T N 105 150 9.8 11 TO-220 1000
21 RS76N20T N 76 200 17 20 TO-220 1000
22 RS2310E N 3 60 70 105 SOT-23 3000
23 RS60N30D N 30 60 22 35 TO-252 2500
24 RS60N50D N 50 60 14 22 TO-252 2500
25 RS60N50T N 50 60 14 22 TO-220 1000
26 RS80N25W N 80 250 30 35 TO-247 600
27 RS630D N 9 200 250 300 TO-252 2500
28 RS630T N 9 200 250 300 TO-220 1000
29 RS640D N 18 200 120 150 TO-252 2500
30 RS640T N 18 200 120 150 TO-220 1000
31 RS40N130G N 130 40 1.45 1.75 DFN5*6 5000
32 RS40N180T N 180 40 1.6 2 TO-220 1000
33 RS60N130G N 130 60 2.1 2.5 DFN5*6 5000
34 RS60N200T N 200 60 2.5 3.2 TO-220 1000
35 RS85N140T N 140 85 4.5 5.3 TO-220 1000
36 RS85N140S N 140 85 4.5 5.3 TO-263 800
37 RS85N150T N 150 85 2.8 3.6 TO-220 1000
38 RS85N150S N 150 85 2.7 3.4 TO-263 800
39 RS100N78HT N 78 100 8.2 9.5 TO-220 1000
40 RS100N78T N 78 100 8.2 9.5 TO-220 1000
41 RS100N100T N 100 100 7 8.5 TO-220 1000
42 RS100N135T N 135 100 3.7 4.2 TO-220 1000
43 RS100N135HT N 135 100 3.7 4.2 TO-220 1000
44 RS100N135HS N 135 100 4.2 5 TO-263 800
45 RS100N180T N 180 100 3 3.8 TO-220 1000
46 RS100N180S N 180 100 2.9 3.6 TO-263 800
47 RS100N190T N 190 100 2.3 3 TO-220 1000
48 RS100N190S N 190 100 2.2 2.8 TO-263 800
49 RS110N200T N 200 110 3.4 4 TO-220 1000
50 RS110N200S N 200 110 3.4 4 TO-263 800
51 RS100N210S N 200 100 1.9 2.4 TO-263 800
52 RS100N210T N 210 100 1.9 2.4 TO-220 1000
53 RS100N300I N 300 100 1.7 2.2 TOLL 2000
54 RS100N60G N 60 100 7.5 8.5 DFN5*6 5000
55 RS100N60HG N 60 100 7.5 8.5 DFN5*6 5000
56 RS100N85G N 85 100 6 7.5 DFN5*6 5000
57 RS100N85HG N 85 100 6 7.5 DFN5*6 5000
58 RS100N125G N 125 100 4 4.6 DFN5*6 5000
59 RS100N125HG N 125 100 4 4.6 DFN5*6 5000
60 RS100N150HG N 150 100 3.5 4.2 DFN5*6 5000
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No. Part No. Type ID(A) VDSS(V) RDS(ON) Typ(mΩ) RDS(ON) Max(mΩ) Package MOQ(pcs)
Descrizione di prodotto

Trasistor a effetto campo di accumulo di energia a bassa perdita di potenza

Descrizione del prodotto:

Il MOSFET a bassa tensione è un tipo di transistor ad effetto campo (FET) progettato per funzionare con una tensione di soglia bassa.che possiede ottimizzazione FOM innovativa e elevata capacità EASÈ costituito da una trincea o struttura SGT per fornire bassi Rds ((ON).

I MOSFET a bassa tensione sono ampiamente utilizzati in molte applicazioni come il driver del motore, la stazione base 5G, lo stoccaggio di energia, l'interruttore ad alta frequenza, la rettifica sincrona.Con la sua bassa tensione di porta e bassa tensione di soglia, è ottimizzato per le prestazioni in una varietà di applicazioni, come la gestione dell'energia, il controllo motore, l'elaborazione del segnale e la comunicazione.

Il MOSFET a bassa tensione è una soluzione ideale per vari tipi di applicazioni che richiedono un basso consumo energetico, un'elevata efficienza e un basso rumore.e offre prestazioni eccellenti.

 

Parametri tecnici:

Parametri Descrizione
Nome del prodotto MOSFET a bassa tensione
Processo di struttura Fossa/SGT
Consumo di energia Basse perdite di potenza
Resistenza Basso Rds ((ON)
Efficienza Alta efficienza e affidabilità
Applicazione del processo di trincea Ricarica wireless, ricarica rapida, driver motore, convertitore DC/DC, interruttore ad alta frequenza, rettifica sincrona
Processo di trincea Vantaggi RSP più piccole, sia serie che configurazioni parallele possono essere liberamente combinate e utilizzate
Processo SGT Applicazione Motor driver, stazione base 5G, accumulo di energia, interruttore ad alta frequenza, rettifica sincrona
Processo SGT Vantaggi Ottimizzazione FOM rivoluzionaria, che copre più applicazioni
Capacità EAS Capacità elevata di EAS
 

Applicazioni:

Il MOSFET a bassa tensione REASUNOS offre ottime prestazioni e affidabilità per applicazioni a bassa tensione del cancello come driver motore, stazione base 5G, stoccaggio di energia,di alte frequenze e rettifica sincronaI MOSFET a bassa tensione sono realizzati con il processo SGT avanzato, che offre ottimizzazione FOM innovativa e copre più applicazioni.a prova di polvere, imballaggio tubulare impermeabile e antistatico, collocato all'interno di una scatola di cartone in cartoni. Il tempo di consegna è di 2-30 giorni a seconda della quantità totale, e i termini di pagamento è 100% T / T in anticipo ((EXW).La capacità di approvvigionamento è di 5KK/mese.

 

Supporto e servizi:

Supporto tecnico e servizio per MOSFET a bassa tensione

Forniamo supporto tecnico e servizi per i prodotti MOSFET a bassa tensione. Il nostro team di ingegneri esperti e esperti fornisce soluzioni rapide ed efficienti a qualsiasi problema si possa incontrare.I nostri servizi includono::

  • Risoluzione dei problemi e debug
  • Guida alla progettazione e ottimizzazione
  • Supporto per il firmware e il software
  • Assistenza alla domanda
  • Prova e valutazione del prodotto
  • Documentazione tecnica
  • Servizi di progettazione su misura

Siamo impegnati a fornire il miglior servizio possibile ai nostri clienti. Se avete bisogno di aiuto, vi preghiamo di contattarci via telefono, email o live chat e un membro del nostro team vi contatterà a breve.

 

Imballaggio e trasporto:

Imballaggio e spedizione del MOSFET a bassa tensione:

  • Ogni MOSFET a bassa tensione viene inserito in un sacchetto antistatico prima di essere confezionato in una scatola di cartone.
  • La scatola di cartone viene quindi sigillata con un sacchetto di plastica.
  • La scatola di cartone sigillata viene poi collocata in una scatola di legno, che è riempita di schiuma per proteggere il prodotto durante la spedizione.
  • La scatola di legno viene quindi sigillata con nastro adesivo e spedita al cliente.
 

FAQ:

Q1: Qual è il marchio del MOSFET a bassa tensione?

A1:Il marchio del MOSFET a bassa tensione è REASUNOS.

D2: Da dove proviene il MOSFET a bassa tensione?

A2:L'origine del MOSFET a bassa tensione è Guangdong, CN.

Q3: Qual è il prezzo del MOSFET a bassa tensione?

A3:Il prezzo del MOSFET a bassa tensione deve essere confermato in base al prodotto.

Q4: Come viene confezionato il MOSFET a bassa tensione?

A4:Il MOSFET a bassa tensione è confezionato con un imballaggio tubulare antistatico, impermeabile e a prova di polvere, inserito in una scatola di cartone in cartone.

Q5: Qual è il tempo di consegna del MOSFET a bassa tensione?

A5:Il tempo di consegna del MOSFET a bassa tensione è di 2-30 giorni, che dipende dalla quantità totale.

Etichette:

N canale Mosfet bassa tensione di soglia

Mosfet di canale P stabile a bassa potenza

MOSFET a bassa tensione della stazione base