Mosfets de baja potencia multipropósito, N canal Mosfet baja tensión de umbral

Lugar de origen Guangdong, NC
Nombre de la marca REASUNOS
Precio Confirm price based on product
Detalles de empaquetado Envases tubulares a prueba de polvo, agua y antistáticos, colocados en una caja de cartón en cartone
Tiempo de entrega 2-30 días (depende de la cantidad total)
Condiciones de pago 100% T/T por adelantado (EXW)
Capacidad de la fuente 5KK/mes

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Datos del producto
Capacidad EAS Alta capacidad EAS Proceso de estructura Trinchera/SGT
Aplicación del proceso de zanja Carga inalámbrica, carga rápida, controlador de motor, convertidor CC/CC, interruptor de alta frecue Consumo de energía Pérdida de la energía baja
Ventajas de proceso de SGT Optimización de la brecha FOM, cubriendo más uso. eficiencia Alta eficiencia y confiable
Nombre del producto MOSFET de bajo voltaje Ventajas del proceso de zanja RSP más pequeño, tanto en serie como en paralelo, se pueden combinar y utilizar libremente.
Resaltar

Mosfets de baja potencia multipropósito

,

Mosfets de baja potencia de canal N

,

Tensión de umbral bajo del canal N Mosfet

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No. Part No. Type ID(A) VDSS(V) RDS(ON) Typ(mΩ) RDS(ON) Max(mΩ) Package MOQ(pcs)
1 RS2301E P -2.3 -20 70 110 SOT-23 3000
2 RS3415E P -4 -20 33 50 SOT-23 3000
3 RS2302E N 2.1 20 32 45 SOT-23 3000
4 RS2300E N 4.5 20 21 32 SOT-23 3000
5 RS2N7002E N 0.34 60 1300 5000 SOT-23 3000
6 RS20N90D N 90 20 3.7 5 TO-252 2500
7 RS3401E P -4.2 -30 50 65 SOT-23 3000
8 RS4435 P -10 -30 15 20 SOP-8 4000
9 RS3400E N 5.8 30 27 35 SOT-23 3000
10 RS30N30K N 30 30 5.8 9 DFN3*3 5000
11 RS30N50K N 50 30 3.8 5.5 DFN3*3 5000
12 RS30N60D N 60 30 6.2 7.5 TO-252 2500
13 RS30N86D N 86 30 4.7 5.5 TO-252 2500
14 RS30N120G N 120 30 3 4 DFN5*6 5000
15 RS30N150D N 150 30 3 4 TO-252 2500
16 RS30N150T N 150 30 3 4 TO-220 1000
17 RS40N100G N 100 40 2.8 3.5 DFN5*6 5000
18 RS40N120D N 120 40 2.8 3.5 TO-252 2500
19 RS40N120T N 120 40 2.8 3.5 TO-220 1000
20 RS150N105T N 105 150 9.8 11 TO-220 1000
21 RS76N20T N 76 200 17 20 TO-220 1000
22 RS2310E N 3 60 70 105 SOT-23 3000
23 RS60N30D N 30 60 22 35 TO-252 2500
24 RS60N50D N 50 60 14 22 TO-252 2500
25 RS60N50T N 50 60 14 22 TO-220 1000
26 RS80N25W N 80 250 30 35 TO-247 600
27 RS630D N 9 200 250 300 TO-252 2500
28 RS630T N 9 200 250 300 TO-220 1000
29 RS640D N 18 200 120 150 TO-252 2500
30 RS640T N 18 200 120 150 TO-220 1000
31 RS40N130G N 130 40 1.45 1.75 DFN5*6 5000
32 RS40N180T N 180 40 1.6 2 TO-220 1000
33 RS60N130G N 130 60 2.1 2.5 DFN5*6 5000
34 RS60N200T N 200 60 2.5 3.2 TO-220 1000
35 RS85N140T N 140 85 4.5 5.3 TO-220 1000
36 RS85N140S N 140 85 4.5 5.3 TO-263 800
37 RS85N150T N 150 85 2.8 3.6 TO-220 1000
38 RS85N150S N 150 85 2.7 3.4 TO-263 800
39 RS100N78HT N 78 100 8.2 9.5 TO-220 1000
40 RS100N78T N 78 100 8.2 9.5 TO-220 1000
41 RS100N100T N 100 100 7 8.5 TO-220 1000
42 RS100N135T N 135 100 3.7 4.2 TO-220 1000
43 RS100N135HT N 135 100 3.7 4.2 TO-220 1000
44 RS100N135HS N 135 100 4.2 5 TO-263 800
45 RS100N180T N 180 100 3 3.8 TO-220 1000
46 RS100N180S N 180 100 2.9 3.6 TO-263 800
47 RS100N190T N 190 100 2.3 3 TO-220 1000
48 RS100N190S N 190 100 2.2 2.8 TO-263 800
49 RS110N200T N 200 110 3.4 4 TO-220 1000
50 RS110N200S N 200 110 3.4 4 TO-263 800
51 RS100N210S N 200 100 1.9 2.4 TO-263 800
52 RS100N210T N 210 100 1.9 2.4 TO-220 1000
53 RS100N300I N 300 100 1.7 2.2 TOLL 2000
54 RS100N60G N 60 100 7.5 8.5 DFN5*6 5000
55 RS100N60HG N 60 100 7.5 8.5 DFN5*6 5000
56 RS100N85G N 85 100 6 7.5 DFN5*6 5000
57 RS100N85HG N 85 100 6 7.5 DFN5*6 5000
58 RS100N125G N 125 100 4 4.6 DFN5*6 5000
59 RS100N125HG N 125 100 4 4.6 DFN5*6 5000
60 RS100N150HG N 150 100 3.5 4.2 DFN5*6 5000
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No. Part No. Type ID(A) VDSS(V) RDS(ON) Typ(mΩ) RDS(ON) Max(mΩ) Package MOQ(pcs)
Descripción de producto

Baja pérdida de potencia SGT Aplicación del proceso Transistor de efecto de campo de almacenamiento de energía de baja Rds ((ON)

Descripción del producto:

El MOSFET de bajo voltaje es un tipo de transistor de efecto de campo (FET) que está diseñado para operar con un voltaje de umbral bajo.que tiene una optimización de FOM innovadora y una alta capacidad de EASSe compone de una zanja o estructura SGT para proporcionar bajos Rds ((ON).

Los MOSFET de bajo voltaje se utilizan ampliamente en muchas aplicaciones como conductor de motor, estación base 5G, almacenamiento de energía, interruptor de alta frecuencia, rectificación síncrona.Con su baja tensión de puerta y baja tensión de umbral, está optimizado para el rendimiento en una variedad de aplicaciones, como en la gestión de energía, control de motores, procesamiento de señales y comunicación.

El MOSFET de bajo voltaje es una solución ideal para diversos tipos de aplicaciones que requieren bajo consumo de energía, alta eficiencia y bajo ruido.y ofrece un excelente rendimiento.

 

Parámetros técnicos:

Parámetros Descripción
Nombre del producto MOSFET de baja tensión
Proceso de estructura En el caso de las empresas de transporte de mercancías
Consumo de energía Baja pérdida de energía
Resistencia Bajo Rds ((ON)
Eficiencia Alta eficiencia y fiabilidad
Proceso de zanja Aplicación Carga inalámbrica, carga rápida, conductor del motor, convertidor de CC/DC, interruptor de alta frecuencia, rectificación síncrona
Proceso de zanja Ventajas RSP más pequeño, tanto en serie como en configuraciones paralelas pueden combinarse y utilizarse libremente
Proceso SGT Aplicación El conductor del motor, la estación base 5G, el almacenamiento de energía, el interruptor de alta frecuencia, la rectificación síncrona.
Proceso SGT Ventajas Optimización FOM de gran avance, que cubre más aplicaciones
Capacidad de EAS Capacidad EAS elevada
 

Aplicaciones:

REASUNOS MOSFET de bajo voltaje ofrece un gran rendimiento y fiabilidad para aplicaciones con bajo voltaje de puerta, como controlador de motor, estación base 5G, almacenamiento de energía,con una frecuencia de transmisión superior a 100 Hz,Los MOSFET de baja tensión están hechos del proceso SGT avanzado, que proporciona una optimización FOM innovadora y cubre más aplicaciones.a prueba de polvoEl plazo de entrega es de 2-30 días en función de la cantidad total, y los términos de pago son 100% T/T por adelantado ((EXW).La capacidad de suministro es de 5KK/mes.

 

Apoyo y servicios:

Apoyo técnico y servicio para MOSFET de bajo voltaje

Proporcionamos soporte técnico y servicios para productos MOSFET de bajo voltaje. Nuestro equipo de ingenieros experimentados y conocedores proporciona soluciones rápidas y eficientes para cualquier problema que pueda encontrar.Nuestros servicios incluyen::

  • Solución de problemas y depuración
  • Orientación y optimización del diseño
  • Soporte de firmware y software
  • Asistencia para la solicitud
  • Pruebas y evaluación de productos
  • Documentación técnica
  • Servicios de diseño a medida

Nos comprometemos a brindar el mejor servicio posible a nuestros clientes. Si necesita ayuda, póngase en contacto con nosotros por teléfono, correo electrónico o chat en vivo y un miembro de nuestro equipo se pondrá en contacto en breve.

 

Embalaje y envío:

Embalaje y envío del MOSFET de bajo voltaje:

  • Cada MOSFET de bajo voltaje se coloca en una bolsa antiestática antes de ser empaquetado en una caja de cartón.
  • La caja de cartón se sella con una bolsa de plástico.
  • La caja de cartón sellada se coloca luego en una caja de madera, que se llena de espuma para proteger el producto durante el envío.
  • La caja de madera se sella con cinta adhesiva y se envía al cliente.
 

Preguntas frecuentes:

P1: ¿Cuál es el nombre comercial del MOSFET de bajo voltaje?

A1: ¿Qué es esto?El nombre comercial de MOSFET de Bajo Voltado es REASUNOS.

P2: ¿Cuál es el origen del MOSFET de bajo voltaje?

A2: ¿Qué es esto?El origen del MOSFET de bajo voltaje es Guangdong, CN.

P3: ¿Cuál es el precio del MOSFET de bajo voltaje?

A3: ¿Qué es eso?El precio del MOSFET de bajo voltaje debe confirmarse en función del producto.

P4: ¿Cómo se empaqueta el MOSFET de bajo voltaje?

A4: No hay más.El MOSFET de bajo voltaje está embalado con un embalaje tubular a prueba de polvo, a prueba de agua y antiestático, colocado dentro de una caja de cartón en cajas de cartón.

P5: ¿Cuál es el tiempo de entrega del MOSFET de bajo voltaje?

A5: No se puedeEl tiempo de entrega del MOSFET de bajo voltaje es de 2 a 30 días, lo que depende de la cantidad total.