همه محصولات
تماس با شخص : Anita Yin
شماره تلفن : +86 13712219843
واتس اپ : +8613712219843

موزفيت هاي چند منظوره با قدرت کم، موزفيت هاي کانال N و ولتاژ آستانه پايين

  • Multipurpose Low Power Mosfets , N Channel Mosfet Low Threshold Voltage
محل منبع گوانگدونگ، CN
نام تجاری REASUNOS
قیمت Confirm price based on product
جزئیات بسته بندی بسته بندی لوله ای ضد گرد و غبار، ضد آب و ضد الکتریسیته ساکن داخل جعبه مقوایی در کارتن
زمان تحویل 2-30 روز (بستگی به مقدار کل دارد)
شرایط پرداخت 100% T/T پیشاپیش (EXW)
قابلیت ارائه 5KK در ماه

برای نمونه و کوپن رایگان با من تماس بگیرید.

واتس اپ:0086 18588475571

ویچت: 0086 18588475571

اسکایپ: sales10@aixton.com

اگر نگرانی دارید، ما به صورت آنلاین 24 ساعته راهنمایی می کنیم.

x
جزئیات محصول
قابلیت EAS قابلیت EAS بالا فرآیند ساختار سنگر/SGT
کاربرد فرآیند ترانشه شارژ بی سیم، شارژ سریع، درایور موتور، مبدل DC/DC، سوئیچ فرکانس بالا، یکسوسازی همزمان. مصرف برق تلفات برق کم
مزایای فرآیند SGT پیشرفت بهینه سازی FOM، پوشش برنامه های بیشتر. کارایی راندمان بالا و قابل اعتماد
نام محصول ماسفت ولتاژ پایین مزایای فرآیند ترانشه RSP کوچکتر، هر دو سری و تنظیمات موازی را می توان آزادانه ترکیب و استفاده کرد.
برجسته کردن

موزفت های چند منظوره با قدرت کم,موسفیت های کم قدرت کانال N,N کانال Mosfet ولتاژ آستانه پایین

,

N Channel Low Power Mosfets

,

N Channel Mosfet Low Threshold Voltage
می توانید محصولات مورد نیاز خود را علامت بزنید و در صفحه پیام با ما ارتباط برقرار کنید.
No. Part No. Type ID(A) VDSS(V) RDS(ON) Typ(mΩ) RDS(ON) Max(mΩ) Package MOQ(pcs)
1 RS2301E P -2.3 -20 70 110 SOT-23 3000
2 RS3415E P -4 -20 33 50 SOT-23 3000
3 RS2302E N 2.1 20 32 45 SOT-23 3000
4 RS2300E N 4.5 20 21 32 SOT-23 3000
5 RS2N7002E N 0.34 60 1300 5000 SOT-23 3000
6 RS20N90D N 90 20 3.7 5 TO-252 2500
7 RS3401E P -4.2 -30 50 65 SOT-23 3000
8 RS4435 P -10 -30 15 20 SOP-8 4000
9 RS3400E N 5.8 30 27 35 SOT-23 3000
10 RS30N30K N 30 30 5.8 9 DFN3*3 5000
11 RS30N50K N 50 30 3.8 5.5 DFN3*3 5000
12 RS30N60D N 60 30 6.2 7.5 TO-252 2500
13 RS30N86D N 86 30 4.7 5.5 TO-252 2500
14 RS30N120G N 120 30 3 4 DFN5*6 5000
15 RS30N150D N 150 30 3 4 TO-252 2500
16 RS30N150T N 150 30 3 4 TO-220 1000
17 RS40N100G N 100 40 2.8 3.5 DFN5*6 5000
18 RS40N120D N 120 40 2.8 3.5 TO-252 2500
19 RS40N120T N 120 40 2.8 3.5 TO-220 1000
20 RS150N105T N 105 150 9.8 11 TO-220 1000
21 RS76N20T N 76 200 17 20 TO-220 1000
22 RS2310E N 3 60 70 105 SOT-23 3000
23 RS60N30D N 30 60 22 35 TO-252 2500
24 RS60N50D N 50 60 14 22 TO-252 2500
25 RS60N50T N 50 60 14 22 TO-220 1000
26 RS80N25W N 80 250 30 35 TO-247 600
27 RS630D N 9 200 250 300 TO-252 2500
28 RS630T N 9 200 250 300 TO-220 1000
29 RS640D N 18 200 120 150 TO-252 2500
30 RS640T N 18 200 120 150 TO-220 1000
31 RS40N130G N 130 40 1.45 1.75 DFN5*6 5000
32 RS40N180T N 180 40 1.6 2 TO-220 1000
33 RS60N130G N 130 60 2.1 2.5 DFN5*6 5000
34 RS60N200T N 200 60 2.5 3.2 TO-220 1000
35 RS85N140T N 140 85 4.5 5.3 TO-220 1000
36 RS85N140S N 140 85 4.5 5.3 TO-263 800
37 RS85N150T N 150 85 2.8 3.6 TO-220 1000
38 RS85N150S N 150 85 2.7 3.4 TO-263 800
39 RS100N78HT N 78 100 8.2 9.5 TO-220 1000
40 RS100N78T N 78 100 8.2 9.5 TO-220 1000
41 RS100N100T N 100 100 7 8.5 TO-220 1000
42 RS100N135T N 135 100 3.7 4.2 TO-220 1000
43 RS100N135HT N 135 100 3.7 4.2 TO-220 1000
44 RS100N135HS N 135 100 4.2 5 TO-263 800
45 RS100N180T N 180 100 3 3.8 TO-220 1000
46 RS100N180S N 180 100 2.9 3.6 TO-263 800
47 RS100N190T N 190 100 2.3 3 TO-220 1000
48 RS100N190S N 190 100 2.2 2.8 TO-263 800
49 RS110N200T N 200 110 3.4 4 TO-220 1000
50 RS110N200S N 200 110 3.4 4 TO-263 800
51 RS100N210S N 200 100 1.9 2.4 TO-263 800
52 RS100N210T N 210 100 1.9 2.4 TO-220 1000
53 RS100N300I N 300 100 1.7 2.2 TOLL 2000
54 RS100N60G N 60 100 7.5 8.5 DFN5*6 5000
55 RS100N60HG N 60 100 7.5 8.5 DFN5*6 5000
56 RS100N85G N 85 100 6 7.5 DFN5*6 5000
57 RS100N85HG N 85 100 6 7.5 DFN5*6 5000
58 RS100N125G N 125 100 4 4.6 DFN5*6 5000
59 RS100N125HG N 125 100 4 4.6 DFN5*6 5000
60 RS100N150HG N 150 100 3.5 4.2 DFN5*6 5000
پیام بگذارید
No. Part No. Type ID(A) VDSS(V) RDS(ON) Typ(mΩ) RDS(ON) Max(mΩ) Package MOQ(pcs)
توضیحات محصول

از دست دادن قدرت کم SGT فرآیند کاربرد کم Rds ((ON) ذخیره انرژی میدان اثر ترانزیستور

توضیحات محصول:

MOSFET ولتاژ پایین یک نوع ترانزیستور اثر میدان (FET) است که برای کار با ولتاژ آستانه پایین طراحی شده است.که دارای بهینه سازی پیشرفته FOM و قابلیت EAS بالا استاین شامل یک خندق یا ساختار SGT برای ارائه Rds پایین ((ON) است.

MOSFETهای ولتاژ پایین به طور گسترده ای در بسیاری از برنامه های کاربردی مانند راننده موتور، ایستگاه پایه 5G، ذخیره سازی انرژی، سوئیچ فرکانس بالا، اصلاح همگام استفاده می شوند.با ولتاژ دروازه پایین و ولتاژ آستانه پایین، برای عملکرد در کاربردهای مختلف، مانند مدیریت قدرت، کنترل موتور، پردازش سیگنال و ارتباطات بهینه شده است.

MOSFET ولتاژ پایین یک راه حل ایده آل برای انواع مختلفی از برنامه های کاربردی است که نیاز به مصرف انرژی کم، کارایی بالا و سر و صدا کم دارد.و عملکرد بسیار خوبی دارد..

 

پارامترهای فنی:

پارامترها توضیحات
نام محصول MOSFET ولتاژ پایین
فرآیند ساختار خندق/SGT
مصرف برق از دست دادن قدرت کم
مقاومت کم Rds ((ON)
کارایی کارایی بالا و قابلیت اطمینان
فرآیند خندق کاربرد شارژ بی سیم، شارژ سریع، راننده موتور، کنورتر DC/DC، سوئیچ فرکانس بالا، اصلاح همزمان
مزایای فرآیند خندق RSP کوچکتر، هر دو سری و پیکربندی موازی می تواند به طور آزاد ترکیب و استفاده شود
فرآیند SGT درخواست راننده موتور، ایستگاه پایه 5G، ذخیره انرژی، سوئیچ فرکانس بالا، اصلاح همزمان
مزایای فرآیند SGT پیشرفت بهینه سازی FOM، پوشش بیشتر برنامه های کاربردی
قابلیت EAS قابلیت EAS بالا
 

کاربردها:

MOSFET ولتاژ پایین REASUNOS عملکرد عالی و قابلیت اطمینان برای برنامه های کاربردی با ولتاژ پایین دروازه مانند راننده موتور، ایستگاه پایه 5G، ذخیره انرژی،سوئیچ فرکانس بالا و اصلاح همزمان. MOSFET های ولتاژ پایین از فرآیند پیشرفته SGT ساخته شده اند که بهینه سازی FOM را ارائه می دهد و کاربرد بیشتری را پوشش می دهد.ضد گردو، بسته بندی لوله ای ضد آب و ضد استاتیک، قرار داده شده در داخل یک جعبه کارتن در کارتن. زمان تحویل 2-30 روز بسته به کل مقدار، و شرایط پرداخت است 100٪ T / T پیش پرداخت ((EXW).ظرفیت عرضه 5 کلو در ماه است.

 

پشتیبانی و خدمات:

پشتیبانی فنی و خدمات برای MOSFET ولتاژ پایین

ما پشتیبانی فنی و خدمات را برای محصولات MOSFET ولتاژ پایین ارائه می دهیم. تیم ما از مهندسان باتجربه و با تجربه راه حل های سریع و کارآمد برای هر مشکلی که ممکن است با آن روبرو شوید را ارائه می دهد.خدمات ما شامل:

  • عیب یابی و عیب یابی
  • راهنمای طراحی و بهینه سازی
  • پشتیبانی از نرم افزار و نرم افزار
  • کمک به درخواست
  • آزمایش و ارزیابی محصولات
  • مدارک فنی
  • خدمات طراحی سفارشی

ما متعهد به ارائه بهترین خدمات ممکن به مشتریان خود هستیم. اگر به کمک نیاز دارید، لطفاً از طریق تلفن، ایمیل یا چت زنده با ما تماس بگیرید و یکی از اعضای تیم ما به زودی با شما در تماس خواهد بود.

 

بسته بندی و حمل:

بسته بندی و حمل و نقل برای MOSFET ولتاژ پایین:

  • هر MOSFET ولتاژ پایین در یک کیسه ضد ایستاتیک قرار می گیرد قبل از بسته بندی در یک جعبه کارتونی.
  • سپس جعبه کارتونی با یک کیسه پلاستیکی بسته می شود.
  • جعبه کارتن مهر و موم شده سپس در یک جعبه چوبی قرار می گیرد، که برای محافظت از محصول در طول حمل و نقل پر شده است.
  • سپس جعبه چوبی با نوار بسته می شود و به مشتری ارسال می شود.
 

سوالات متداول:

سوال1: نام تجاری MOSFET ولتاژ پایین چیست؟

A1:نام تجاری MOSFET ولتاژ پایین REASUNOS است.

سوال2: منشاء MOSFET ولتاژ پایین کجاست؟

A2:منشاء MOSFET ولتاژ پایین در گوانگدونگ، CN است.

س3: قیمت MOSFET ولتاژ پایین چیست؟

A3:قیمت MOSFET ولتاژ پایین باید بر اساس محصول تایید شود.

سوال 4: MOSFET ولتاژ پایین چگونه بسته بندی می شود؟

A4:MOSFET ولتاژ پایین با بسته بندی لوله ای ضد گرد و غبار، ضد آب و ضد جامد بسته بندی شده است، که در داخل یک جعبه کارتن در کارتن قرار می گیرد.

س5: زمان تحویل MOSFET ولتاژ پایین چیست؟

A5:زمان تحویل MOSFET ولتاژ پایین 2 تا 30 روز است که به کل مقدار بستگی دارد.

برچسب ها:

N کانال Mosfet ولتاژ آستانه پایین,موسفیت کانال P با قدرت پایین پایدار,MOSFET ولتاژ پایین ایستگاه پایه

موزفت های چند منظوره با قدرت کم,موسفیت های کم قدرت کانال N,N کانال Mosfet ولتاژ آستانه پایین

Base Station Low Voltage MOSFET