جميع المنتجات
اتصل شخص : Anita Yin
رقم الهاتف : +86 13712219843
ال WhatsApp : +8613712219843

خندق SGT MOSFET منخفضة الجهد منخفضة العملية على المقاومة 30 فولت 40 فولت

  • Trench SGT Low Voltage MOSFET Practical Low On Resistance 30V 40V
مكان المنشأ قوانغدونغ ، CN
اسم العلامة التجارية REASUNOS
الأسعار Confirm price based on product
تفاصيل التغليف عبوات أنبوبية مقاومة للغبار والماء ومضادة للكهرباء الساكنة، موضوعة داخل صندوق من الورق المقوى في علب
وقت التسليم 2-30 يومًا (يعتمد على الكمية الإجمالية)
شروط الدفع 100% T/T مقدمًا (EXW)
القدرة على العرض 5 مليون/شهر

اتصل بي للحصول على عينات مجانية وكوبونات.

ال WhatsApp:0086 18588475571

wechat: 0086 18588475571

سكايب: sales10@aixton.com

إذا كان لديك أي قلق ، فنحن نقدم مساعدة عبر الإنترنت على مدار 24 ساعة.

x
تفاصيل المنتج
تطبيق عملية SGT محرك المحرك، محطة قاعدة 5G، تخزين الطاقة، مفتاح عالي التردد، تصحيح متزامن. مزايا عملية SGT اختراق FOM الأمثل، ويغطي المزيد من التطبيقات.
تطبيق عملية الخندق الشحن اللاسلكي، الشحن السريع، محرك المحرك، محول DC/DC، مفتاح عالي التردد، تصحيح متزامن. اسم المنتج موسفيت الجهد المنخفض
الكفاءة كفاءة عالية وموثوقة عملية الهيكلة خندق / الرقيب
استهلاك الطاقة فقدان منخفض للطاقة قدرة شرق آسيا قدرة EAS عالية
إبراز

خندق MOSFET منخفضة الجهد,MOSFET منخفض الجهد منخفض المقاومة,التوتر المنخفض العرضي Mosfet

,

Low Voltage MOSFET Low On Resistance

,

Practical Low Threshold Voltage Mosfet
يمكنك تحديد المنتجات التي تحتاجها والتواصل معنا في لوحة الرسائل.
No. Part No. Type ID(A) VDSS(V) RDS(ON) Typ(mΩ) RDS(ON) Max(mΩ) Package MOQ(pcs)
1 RS2301E P -2.3 -20 70 110 SOT-23 3000
2 RS3415E P -4 -20 33 50 SOT-23 3000
3 RS2302E N 2.1 20 32 45 SOT-23 3000
4 RS2300E N 4.5 20 21 32 SOT-23 3000
5 RS2N7002E N 0.34 60 1300 5000 SOT-23 3000
6 RS20N90D N 90 20 3.7 5 TO-252 2500
7 RS3401E P -4.2 -30 50 65 SOT-23 3000
8 RS4435 P -10 -30 15 20 SOP-8 4000
9 RS3400E N 5.8 30 27 35 SOT-23 3000
10 RS30N30K N 30 30 5.8 9 DFN3*3 5000
11 RS30N50K N 50 30 3.8 5.5 DFN3*3 5000
12 RS30N60D N 60 30 6.2 7.5 TO-252 2500
13 RS30N86D N 86 30 4.7 5.5 TO-252 2500
14 RS30N120G N 120 30 3 4 DFN5*6 5000
15 RS30N150D N 150 30 3 4 TO-252 2500
16 RS30N150T N 150 30 3 4 TO-220 1000
17 RS40N100G N 100 40 2.8 3.5 DFN5*6 5000
18 RS40N120D N 120 40 2.8 3.5 TO-252 2500
19 RS40N120T N 120 40 2.8 3.5 TO-220 1000
20 RS150N105T N 105 150 9.8 11 TO-220 1000
21 RS76N20T N 76 200 17 20 TO-220 1000
22 RS2310E N 3 60 70 105 SOT-23 3000
23 RS60N30D N 30 60 22 35 TO-252 2500
24 RS60N50D N 50 60 14 22 TO-252 2500
25 RS60N50T N 50 60 14 22 TO-220 1000
26 RS80N25W N 80 250 30 35 TO-247 600
27 RS630D N 9 200 250 300 TO-252 2500
28 RS630T N 9 200 250 300 TO-220 1000
29 RS640D N 18 200 120 150 TO-252 2500
30 RS640T N 18 200 120 150 TO-220 1000
31 RS40N130G N 130 40 1.45 1.75 DFN5*6 5000
32 RS40N180T N 180 40 1.6 2 TO-220 1000
33 RS60N130G N 130 60 2.1 2.5 DFN5*6 5000
34 RS60N200T N 200 60 2.5 3.2 TO-220 1000
35 RS85N140T N 140 85 4.5 5.3 TO-220 1000
36 RS85N140S N 140 85 4.5 5.3 TO-263 800
37 RS85N150T N 150 85 2.8 3.6 TO-220 1000
38 RS85N150S N 150 85 2.7 3.4 TO-263 800
39 RS100N78HT N 78 100 8.2 9.5 TO-220 1000
40 RS100N78T N 78 100 8.2 9.5 TO-220 1000
41 RS100N100T N 100 100 7 8.5 TO-220 1000
42 RS100N135T N 135 100 3.7 4.2 TO-220 1000
43 RS100N135HT N 135 100 3.7 4.2 TO-220 1000
44 RS100N135HS N 135 100 4.2 5 TO-263 800
45 RS100N180T N 180 100 3 3.8 TO-220 1000
46 RS100N180S N 180 100 2.9 3.6 TO-263 800
47 RS100N190T N 190 100 2.3 3 TO-220 1000
48 RS100N190S N 190 100 2.2 2.8 TO-263 800
49 RS110N200T N 200 110 3.4 4 TO-220 1000
50 RS110N200S N 200 110 3.4 4 TO-263 800
51 RS100N210S N 200 100 1.9 2.4 TO-263 800
52 RS100N210T N 210 100 1.9 2.4 TO-220 1000
53 RS100N300I N 300 100 1.7 2.2 TOLL 2000
54 RS100N60G N 60 100 7.5 8.5 DFN5*6 5000
55 RS100N60HG N 60 100 7.5 8.5 DFN5*6 5000
56 RS100N85G N 85 100 6 7.5 DFN5*6 5000
57 RS100N85HG N 85 100 6 7.5 DFN5*6 5000
58 RS100N125G N 125 100 4 4.6 DFN5*6 5000
59 RS100N125HG N 125 100 4 4.6 DFN5*6 5000
60 RS100N150HG N 150 100 3.5 4.2 DFN5*6 5000
اترك رسالة
No. Part No. Type ID(A) VDSS(V) RDS(ON) Typ(mΩ) RDS(ON) Max(mΩ) Package MOQ(pcs)
منتوج وصف

خندق / SGT MOSFET منخفضة الجهد موثوقية عالية مقاومة منخفضة

وصف المنتج:

MOSFET منخفضة الجهد هو نوع من ترانزستورات الطاقة التي يمكن أن توفر أداء التبديل السريع والموثوق به وكفاءة عالية وخسائر طاقة منخفضة. يستخدم على نطاق واسع في تطبيقات مختلفة ،مثل الشحن اللاسلكي، الشحن السريع، سائق المحرك، محول DC / DC، مفتاح التردد العالي، وتصحيح متزامن.يمكن أن تغطي MOSFET منخفضة الجهد القائمة على عملية الخندق المزيد من التطبيقات ويتم دمجها واستخدامها بحرية في كل من التكوينات المتوازية والسلسلةكما يوفر قدرة EAS عالية ويمكن استخدامه في سائق السيارات ومحطة قاعدة 5G وتخزين الطاقة والتحويل عالي التردد والتصحيح المزامنة عند استنادا إلى عملية SGT.

 

المعلمات التقنية:

المعلم عملية الخندق عملية SGT
قدرة EAS قدرة عالية على EAS قدرة عالية على EAS
استهلاك الطاقة خسارة طاقة منخفضة خسارة طاقة منخفضة
الكفاءة كفاءة عالية وموثوقية كفاءة عالية وموثوقية
التطبيق الشحن اللاسلكي، الشحن السريع، سائق المحرك، محول DC / DC، مفتاح التردد العالي، تصحيح متزامن. سائق المحرك، محطة قاعدة 5G، تخزين الطاقة، مفتاح التردد العالي، تصحيح متزامن.
عملية الهيكل خندق SGT
المزايا RSP أصغر ، يمكن الجمع بين كل من التكوينات المتسلسلة والموازية واستخدامها بحرية. اختراق في تحسين FOM، تغطي المزيد من التطبيقات.
المقاومة Rds ((ON)) منخفضة Rds ((ON)) منخفضة
 

التطبيقات:

SGT MOSFET منخفضة الجهد REASUNOS

REASUNOS SGT Low Voltage MOSFET هو مكون طاقة عالي الأداء يقدم تبديل طاقة منخفضة الجهد بكفاءة لا مثيل لها. مع تقنيات عملية Trench و SGT ،أنها توفر أداء ممتاز وموثوقيةتقدم عملية SGT تحسينات FOM متطورة ، تغطي المزيد من التطبيقات. تقدم عملية Trench RSP أصغر ،ويمكن الجمع بين كل من التكوينات المتوازية والسلسلة ويمكن استخدامها بحريةوهو مناسب لتطبيقات مثل سائق السيارات، محطة قاعدة 5G، تخزين الطاقة، مفتاح التردد العالي، تصحيح متزامن. كما أنه يستهلك خسارة طاقة منخفضة.

الـ REASUNOS SGT MOSFET منخفض الجهد متاح للشراء في قوانغدونغ ، الصين. يتم تأكيد السعر بناءً على المنتج. تأتي العبوة في مقاومة الغبار ، مقاومة للماء ،وتغليفات أنبوبية مضادة للستاتيكية، وضعت داخل صندوق من الورق المقوى في الكرتونات. وقت التسليم هو 2-30 يوما اعتمادا على الكمية الكلية، ويتم قبول الدفع عن طريق 100٪ T / T مقدما (EXW).الشركة لديها قدرة إمداد 5KK / الشهر.

 

الدعم والخدمات:

الدعم التقني لـ MOSFET منخفض الجهد والخدمات

نحن نقدم الدعم التقني والخدمات لمساعدتك على الحصول على أقصى استفادة من جهاز MOSFET منخفض الجهد.فريقنا من الخبراء متاح للإجابة على أي أسئلة قد يكون لديك حول جهاز MOSFET الجهد المنخفض، وتقديم حلول لأي مشاكل قد تواجه.

وثائق المنتج

نحن نقدم وثائق منتجات شاملة ومواصفات تقنية لجهاز MOSFET منخفض الجهد الخاص بك، بما في ذلك أوراق البيانات، ملاحظات التطبيق، ودلائل المستخدم.

الدعم التقني

نحن نقدم الدعم التقني لجهاز MOSFET منخفض الجهد، بما في ذلك تسوية الأخطاء ومساعدة التكوين.فريقنا من الخبراء متاح للإجابة على أي أسئلة قد يكون لديك حول جهاز MOSFET الجهد المنخفض، وتقديم حلول لأي مشاكل قد تواجه.

تحديثات البرمجيات والبرمجيات الثابتة

نحن نقدم تحديثات البرمجيات والبرمجيات الثابتة لجهاز MOSFET منخفض الجهد، لضمان أن جهازك يعمل بأعلى أداء.فريقنا من الخبراء متاح للإجابة على أي أسئلة قد يكون لديك حول التحديثات، وتقديم حلول لأي مشاكل قد تواجه.

التدريب والتعليم

نحن نقدم تدريب شامل ومصادر تعليمية لجهاز MOSFET منخفض الجهد الخاص بك، بما في ذلك الندوات والندوات عبر الإنترنت، لمساعدتك على الحصول على أقصى استفادة من جهازك.فريقنا من الخبراء متاح للإجابة على أي أسئلة قد يكون لديك حول الموارد التدريبية والتعليمية، وتقديم حلول لأي مشاكل قد تواجه.

 

التعبئة والشحن:

يجب أن تكون MOSFETs منخفضة الجهد معبأة وتشحنها بشكل صحيح لضمان الحماية والسلامة. فيما يلي مبادئنا التوجيهية لتعبئة شحن MOSFETs منخفضة الجهد:

  • يجب وضع MOSFETs منخفضة الجهد في أكياس أو صناديق مضادة للثبات.
  • يجب أن تكون العبوة مغلقة جيداً لمنع دخول الرطوبة أو الغبار.
  • يجب أن تكون العبوة ملصقة بوضوح باسم المنتج والنموذج وأي معلومات أخرى ذات صلة.
  • يجب أن تكون العبوة مرسومة بوضوح بعلامة "FRAGILE".
  • يجب حماية الحزمة بمواد مسدس مناسبة لمنع أي تلف أثناء النقل.
  • يجب شحن الطرد باستخدام طرق شحن موثوقة وآمنة ، مثل الشحن الجوي ، الشحن البحري ، أو الكوريير السريع.
 

الأسئلة الشائعة:

أسئلة وأجوبة:

س1: ما هو اسم العلامة التجارية لهذا الجهد المنخفض MOSFET؟
الجواب: الاسم التجاري هو REASUNOS.

س2: أين هو مكان المنشأ لهذا MOSFET منخفض الجهد؟
A2: مكان المنشأ هو غوانغدونغ، الصين.

س3: ما هو هيكل الأسعار لهذا MOSFET منخفض الجهد؟
ج3: يتم تأكيد السعر على أساس المنتج.

س4: كيف يتم تعبئة المنتج؟
A4: يتم تعبئة المنتج في عبوات أنبوبية مضادة للغبار والماء ومضادة للستاتيكية ، وضعت داخل صندوق من الورق المقوى في الكرتون.

س5: كم يستغرق وقت التسليم؟
ج5: فترة التسليم تتراوح بين 2-30 يومًا ، اعتمادًا على الكمية الإجمالية.

بطاقة:

N القناة Mosfet الجهد الحد الأدنى,مستقر منخفضة الطاقة قناة P Mosfet,محطة قاعدة MOSFET منخفضة الجهد

خندق MOSFET منخفضة الجهد,MOSFET منخفض الجهد منخفض المقاومة,التوتر المنخفض العرضي Mosfet

Base Station Low Voltage MOSFET