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Trench SGT MOSFET a bassa tensione a bassa resistenza 30V 40V

  • Trench SGT Low Voltage MOSFET Practical Low On Resistance 30V 40V
Luogo di origine Guangdong, CN
Marca REASUNOS
Prezzo Confirm price based on product
Imballaggi particolari Imballaggi tubulari antipolvere, impermeabili e antistatici, collocati all'interno di una scatola di
Tempi di consegna 2-30 giorni (a seconda della quantità totale)
Termini di pagamento 100% T/T in anticipo (EXW)
Capacità di alimentazione 5KK/mese

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Dettagli
Applicazione trattata di SGT Driver del motore, 5G stazione base, immagazzinamento dell'energia, commutatore ad alta frequenza, r Vantaggi trattati di SGT Ottimizzazione di innovazione FOM, riguardante più applicazione.
Applicazione del processo di trincea Ricarica wireless, ricarica rapida, driver motore, convertitore DC/DC, interruttore ad alta frequenz Nome del prodotto MOSFET a bassa tensione
efficienza Alta efficienza e affidabilità Processo di struttura Trincea/SGT
Consumo di energia Perdita di potere basso Funzionalità EAS Elevata capacità EAS
Evidenziare

MOSFET a bassa tensione

,

MOSFET a bassa tensione a bassa resistenza

,

Mosfet pratico di bassa tensione di soglia
Puoi spuntare i prodotti di cui hai bisogno e comunicare con noi nella bacheca.
No. Part No. Type ID(A) VDSS(V) RDS(ON) Typ(mΩ) RDS(ON) Max(mΩ) Package MOQ(pcs)
1 RS2301E P -2.3 -20 70 110 SOT-23 3000
2 RS3415E P -4 -20 33 50 SOT-23 3000
3 RS2302E N 2.1 20 32 45 SOT-23 3000
4 RS2300E N 4.5 20 21 32 SOT-23 3000
5 RS2N7002E N 0.34 60 1300 5000 SOT-23 3000
6 RS20N90D N 90 20 3.7 5 TO-252 2500
7 RS3401E P -4.2 -30 50 65 SOT-23 3000
8 RS4435 P -10 -30 15 20 SOP-8 4000
9 RS3400E N 5.8 30 27 35 SOT-23 3000
10 RS30N30K N 30 30 5.8 9 DFN3*3 5000
11 RS30N50K N 50 30 3.8 5.5 DFN3*3 5000
12 RS30N60D N 60 30 6.2 7.5 TO-252 2500
13 RS30N86D N 86 30 4.7 5.5 TO-252 2500
14 RS30N120G N 120 30 3 4 DFN5*6 5000
15 RS30N150D N 150 30 3 4 TO-252 2500
16 RS30N150T N 150 30 3 4 TO-220 1000
17 RS40N100G N 100 40 2.8 3.5 DFN5*6 5000
18 RS40N120D N 120 40 2.8 3.5 TO-252 2500
19 RS40N120T N 120 40 2.8 3.5 TO-220 1000
20 RS150N105T N 105 150 9.8 11 TO-220 1000
21 RS76N20T N 76 200 17 20 TO-220 1000
22 RS2310E N 3 60 70 105 SOT-23 3000
23 RS60N30D N 30 60 22 35 TO-252 2500
24 RS60N50D N 50 60 14 22 TO-252 2500
25 RS60N50T N 50 60 14 22 TO-220 1000
26 RS80N25W N 80 250 30 35 TO-247 600
27 RS630D N 9 200 250 300 TO-252 2500
28 RS630T N 9 200 250 300 TO-220 1000
29 RS640D N 18 200 120 150 TO-252 2500
30 RS640T N 18 200 120 150 TO-220 1000
31 RS40N130G N 130 40 1.45 1.75 DFN5*6 5000
32 RS40N180T N 180 40 1.6 2 TO-220 1000
33 RS60N130G N 130 60 2.1 2.5 DFN5*6 5000
34 RS60N200T N 200 60 2.5 3.2 TO-220 1000
35 RS85N140T N 140 85 4.5 5.3 TO-220 1000
36 RS85N140S N 140 85 4.5 5.3 TO-263 800
37 RS85N150T N 150 85 2.8 3.6 TO-220 1000
38 RS85N150S N 150 85 2.7 3.4 TO-263 800
39 RS100N78HT N 78 100 8.2 9.5 TO-220 1000
40 RS100N78T N 78 100 8.2 9.5 TO-220 1000
41 RS100N100T N 100 100 7 8.5 TO-220 1000
42 RS100N135T N 135 100 3.7 4.2 TO-220 1000
43 RS100N135HT N 135 100 3.7 4.2 TO-220 1000
44 RS100N135HS N 135 100 4.2 5 TO-263 800
45 RS100N180T N 180 100 3 3.8 TO-220 1000
46 RS100N180S N 180 100 2.9 3.6 TO-263 800
47 RS100N190T N 190 100 2.3 3 TO-220 1000
48 RS100N190S N 190 100 2.2 2.8 TO-263 800
49 RS110N200T N 200 110 3.4 4 TO-220 1000
50 RS110N200S N 200 110 3.4 4 TO-263 800
51 RS100N210S N 200 100 1.9 2.4 TO-263 800
52 RS100N210T N 210 100 1.9 2.4 TO-220 1000
53 RS100N300I N 300 100 1.7 2.2 TOLL 2000
54 RS100N60G N 60 100 7.5 8.5 DFN5*6 5000
55 RS100N60HG N 60 100 7.5 8.5 DFN5*6 5000
56 RS100N85G N 85 100 6 7.5 DFN5*6 5000
57 RS100N85HG N 85 100 6 7.5 DFN5*6 5000
58 RS100N125G N 125 100 4 4.6 DFN5*6 5000
59 RS100N125HG N 125 100 4 4.6 DFN5*6 5000
60 RS100N150HG N 150 100 3.5 4.2 DFN5*6 5000
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No. Part No. Type ID(A) VDSS(V) RDS(ON) Typ(mΩ) RDS(ON) Max(mΩ) Package MOQ(pcs)
Descrizione di prodotto

Trench/SGT MOSFET a bassa tensione Alta affidabilità bassa resistenza

Descrizione del prodotto:

Il MOSFET a bassa tensione è un tipo di transistor di potenza che può fornire prestazioni di commutazione veloci e affidabili, alta efficienza e bassa perdita di potenza.come la ricarica wireless, ricarica rapida, driver motore, convertitore DC/DC, interruttore ad alta frequenza e rettifica sincrona.il MOSFET a bassa tensione basato sul processo di trincea può coprire più applicazioni ed essere liberamente combinato e utilizzato sia in serie che in configurazioni paralleleOffre inoltre elevate capacità di EAS e può essere utilizzato nel driver motore, nella base 5G, nello stoccaggio di energia, nello switch ad alta frequenza e nella rettifica sincrona se basato sul processo SGT.

 

Parametri tecnici:

Parametro Processo di trincea Processo SGT
Capacità EAS Capacità elevata di EAS Capacità elevata di EAS
Consumo di energia Basse perdite di potenza Basse perdite di potenza
Efficienza Alta efficienza e affidabilità Alta efficienza e affidabilità
Applicazione Ricarica wireless, ricarica rapida, driver motore, convertitore DC/DC, interruttore ad alta frequenza, rettifica sincrona. Motor Driver, Stazione base 5G, Immagazzinamento di energia, Interruttore ad alta frequenza, Rettifica sincrona.
Processo di struttura Trincea SGT
Vantaggi RSP più piccole, sia le configurazioni in serie che parallele possono essere liberamente combinate e utilizzate. Ottimizzazione FOM rivoluzionaria, che copre più applicazioni.
resistenza Basso Rds ((ON) Basso Rds ((ON)
 

Applicazioni:

SGT MOSFET a bassa tensione

Il MOSFET a bassa tensione REASUNOS SGT è un componente di potenza ad alte prestazioni che offre una commutazione di potenza a bassa tensione con una efficienza senza pari.fornisce prestazioni eccellenti e affidabilitàIl processo SGT offre un'ottimizzazione FOM rivoluzionaria, che copre più applicazioni.e sia le configurazioni di serie che quelle parallele possono essere liberamente combinate e utilizzate. È adatto per applicazioni come il driver del motore, la stazione base 5G, lo stoccaggio di energia, l'interruttore ad alta frequenza, la rettifica sincrona.

Il MOSFET a bassa tensione REASUNOS SGT è disponibile per l'acquisto a Guangdong, Cina. Il prezzo è confermato in base al prodotto.e imballaggi tubulari antistaticiIl tempo di consegna è di 2-30 giorni a seconda della quantità totale, e il pagamento è accettato tramite 100% T/T in anticipo (EXW).La società ha una capacità di approvvigionamento di 5KK/mese.

 

Supporto e servizi:

Supporto tecnico e servizi per MOSFET a bassa tensione

Offriamo supporto tecnico e servizi per aiutarti a ottenere il massimo dal tuo dispositivo MOSFET a bassa tensione.Il nostro team di esperti è disponibile per rispondere a tutte le domande che potreste avere sul vostro dispositivo MOSFET a bassa tensione, e fornire soluzioni a tutti i problemi che potresti incontrare.

Documentazione del prodotto

Forniamo una documentazione completa del prodotto e specifiche tecniche per il dispositivo MOSFET a bassa tensione, inclusi fogli di dati, note di applicazione e guide per l'utente.

Supporto tecnico

Offriamo supporto tecnico per il tuo dispositivo MOSFET a bassa tensione, compresa l'assistenza per la risoluzione dei problemi e la configurazione.Il nostro team di esperti è disponibile per rispondere a tutte le domande che potreste avere sul vostro dispositivo MOSFET a bassa tensione, e fornire soluzioni a tutti i problemi che potresti incontrare.

Aggiornamenti software e firmware

Forniamo aggiornamenti software e firmware per il vostro dispositivo MOSFET a bassa tensione, per garantire che il vostro dispositivo funzioni al massimo delle prestazioni.Il nostro team di esperti è disponibile per rispondere a tutte le domande che potreste avere sugli aggiornamenti, e fornire soluzioni a tutti i problemi che potresti incontrare.

Formazione ed istruzione

Offriamo una formazione completa e risorse didattiche per il tuo dispositivo MOSFET a bassa tensione, inclusi seminari e webinar, per aiutarti a ottenere il massimo dal tuo dispositivo.Il nostro team di esperti è a vostra disposizione per rispondere a tutte le domande che potreste avere sulle risorse formative e didattiche, e fornire soluzioni a tutti i problemi che potresti incontrare.

 

Imballaggio e trasporto:

I MOSFET a bassa tensione devono essere adeguatamente confezionati e spediti per garantire la protezione e la sicurezza.

  • I MOSFET a bassa tensione devono essere collocati in sacchi o scatole antistatiche.
  • L' imballaggio deve essere ben sigillato per evitare l' ingresso di umidità o polvere.
  • L'imballaggio deve inoltre essere chiaramente etichettato con il nome del prodotto, il modello e qualsiasi altra informazione pertinente.
  • La confezione deve essere chiaramente contrassegnata con il segno " FRAGILE ".
  • L'imballaggio deve essere protetto con materiali di ammortizzazione appropriati per evitare danni durante il trasporto.
  • Il pacco deve essere spedito utilizzando metodi di spedizione affidabili e sicuri, come il trasporto aereo, il trasporto marittimo o il corriere espresso.
 

FAQ:

Domande e risposte:

D1: Qual è il nome di marca di questo MOSFET a bassa tensione?
R1: Il marchio è REASUNOS.

D2: Qual è il luogo di origine di questo MOSFET a bassa tensione?
A2: Il luogo di origine è Guangdong, Cina.

D3: Qual è la struttura dei prezzi per questo MOSFET a bassa tensione?
R3: Il prezzo è confermato in base al prodotto.

Q4: Come viene confezionato il prodotto?
A4: Il prodotto è confezionato in un imballaggio tubulare antispolvere, impermeabile e antistatico, inserito in una scatola di cartone in cartone.

Q5: Quanto tempo ci vuole per la consegna?
R5: Il tempo di consegna varia da 2 a 30 giorni, a seconda della quantità totale.

Etichette:

N canale Mosfet bassa tensione di soglia

Mosfet di canale P stabile a bassa potenza

MOSFET a bassa tensione della stazione base