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SGT de trinchera MOSFET de baja tensión de baja resistencia 30V 40V

  • Trench SGT Low Voltage MOSFET Practical Low On Resistance 30V 40V
Lugar de origen Guangdong, NC
Nombre de la marca REASUNOS
Precio Confirm price based on product
Detalles de empaquetado Envases tubulares a prueba de polvo, agua y antistáticos, colocados en una caja de cartón en cartone
Tiempo de entrega 2-30 días (depende de la cantidad total)
Condiciones de pago 100% T/T por adelantado (EXW)
Capacidad de la fuente 5KK/mes

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Datos del producto
Uso de proceso de SGT Conductor del motor, 5G estación base, almacenamiento de energía, interruptor de alta frecuencia, re Ventajas de proceso de SGT Optimización de la brecha FOM, cubriendo más uso.
Aplicación del proceso de zanja Carga inalámbrica, carga rápida, controlador de motor, convertidor CC/CC, interruptor de alta frecue Nombre del producto MOSFET de bajo voltaje
eficiencia Alta eficiencia y confiable Proceso de estructura Trinchera/SGT
Consumo de energía Pérdida de la energía baja Capacidad EAS Alta capacidad EAS
Resaltar

MOSFET de baja tensión de zanja

,

MOSFET de baja tensión con baja resistencia

,

Mosfet de voltaje de umbral bajo práctico
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No. Part No. Type ID(A) VDSS(V) RDS(ON) Typ(mΩ) RDS(ON) Max(mΩ) Package MOQ(pcs)
1 RS2301E P -2.3 -20 70 110 SOT-23 3000
2 RS3415E P -4 -20 33 50 SOT-23 3000
3 RS2302E N 2.1 20 32 45 SOT-23 3000
4 RS2300E N 4.5 20 21 32 SOT-23 3000
5 RS2N7002E N 0.34 60 1300 5000 SOT-23 3000
6 RS20N90D N 90 20 3.7 5 TO-252 2500
7 RS3401E P -4.2 -30 50 65 SOT-23 3000
8 RS4435 P -10 -30 15 20 SOP-8 4000
9 RS3400E N 5.8 30 27 35 SOT-23 3000
10 RS30N30K N 30 30 5.8 9 DFN3*3 5000
11 RS30N50K N 50 30 3.8 5.5 DFN3*3 5000
12 RS30N60D N 60 30 6.2 7.5 TO-252 2500
13 RS30N86D N 86 30 4.7 5.5 TO-252 2500
14 RS30N120G N 120 30 3 4 DFN5*6 5000
15 RS30N150D N 150 30 3 4 TO-252 2500
16 RS30N150T N 150 30 3 4 TO-220 1000
17 RS40N100G N 100 40 2.8 3.5 DFN5*6 5000
18 RS40N120D N 120 40 2.8 3.5 TO-252 2500
19 RS40N120T N 120 40 2.8 3.5 TO-220 1000
20 RS150N105T N 105 150 9.8 11 TO-220 1000
21 RS76N20T N 76 200 17 20 TO-220 1000
22 RS2310E N 3 60 70 105 SOT-23 3000
23 RS60N30D N 30 60 22 35 TO-252 2500
24 RS60N50D N 50 60 14 22 TO-252 2500
25 RS60N50T N 50 60 14 22 TO-220 1000
26 RS80N25W N 80 250 30 35 TO-247 600
27 RS630D N 9 200 250 300 TO-252 2500
28 RS630T N 9 200 250 300 TO-220 1000
29 RS640D N 18 200 120 150 TO-252 2500
30 RS640T N 18 200 120 150 TO-220 1000
31 RS40N130G N 130 40 1.45 1.75 DFN5*6 5000
32 RS40N180T N 180 40 1.6 2 TO-220 1000
33 RS60N130G N 130 60 2.1 2.5 DFN5*6 5000
34 RS60N200T N 200 60 2.5 3.2 TO-220 1000
35 RS85N140T N 140 85 4.5 5.3 TO-220 1000
36 RS85N140S N 140 85 4.5 5.3 TO-263 800
37 RS85N150T N 150 85 2.8 3.6 TO-220 1000
38 RS85N150S N 150 85 2.7 3.4 TO-263 800
39 RS100N78HT N 78 100 8.2 9.5 TO-220 1000
40 RS100N78T N 78 100 8.2 9.5 TO-220 1000
41 RS100N100T N 100 100 7 8.5 TO-220 1000
42 RS100N135T N 135 100 3.7 4.2 TO-220 1000
43 RS100N135HT N 135 100 3.7 4.2 TO-220 1000
44 RS100N135HS N 135 100 4.2 5 TO-263 800
45 RS100N180T N 180 100 3 3.8 TO-220 1000
46 RS100N180S N 180 100 2.9 3.6 TO-263 800
47 RS100N190T N 190 100 2.3 3 TO-220 1000
48 RS100N190S N 190 100 2.2 2.8 TO-263 800
49 RS110N200T N 200 110 3.4 4 TO-220 1000
50 RS110N200S N 200 110 3.4 4 TO-263 800
51 RS100N210S N 200 100 1.9 2.4 TO-263 800
52 RS100N210T N 210 100 1.9 2.4 TO-220 1000
53 RS100N300I N 300 100 1.7 2.2 TOLL 2000
54 RS100N60G N 60 100 7.5 8.5 DFN5*6 5000
55 RS100N60HG N 60 100 7.5 8.5 DFN5*6 5000
56 RS100N85G N 85 100 6 7.5 DFN5*6 5000
57 RS100N85HG N 85 100 6 7.5 DFN5*6 5000
58 RS100N125G N 125 100 4 4.6 DFN5*6 5000
59 RS100N125HG N 125 100 4 4.6 DFN5*6 5000
60 RS100N150HG N 150 100 3.5 4.2 DFN5*6 5000
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No. Part No. Type ID(A) VDSS(V) RDS(ON) Typ(mΩ) RDS(ON) Max(mΩ) Package MOQ(pcs)
Descripción de producto

Trench/SGT MOSFET de baja tensión Alta fiabilidad Baja resistencia

Descripción del producto:

El MOSFET de bajo voltaje es un tipo de transistor de potencia que puede proporcionar un rendimiento de conmutación rápido y confiable, una alta eficiencia y una baja pérdida de energía.como la carga inalámbrica, carga rápida, controlador de motor, convertidor DC/DC, conmutador de alta frecuencia y rectificación síncrona.el MOSFET de baja tensión basado en el proceso de trinchera puede cubrir más aplicaciones y ser combinado y utilizado libremente tanto en serie como en configuraciones paralelasTambién ofrece una alta capacidad de EAS y se puede utilizar en el conductor del motor, la estación base 5G, el almacenamiento de energía, el interruptor de alta frecuencia y la rectificación síncrona cuando se basa en el proceso SGT.

 

Parámetros técnicos:

Parámetro Proceso de las zanjas Proceso de SGT
Capacidad de EAS Capacidad EAS elevada Capacidad EAS elevada
Consumo de energía Baja pérdida de energía Baja pérdida de energía
Eficiencia Alta eficiencia y fiabilidad Alta eficiencia y fiabilidad
Aplicación Carga inalámbrica, carga rápida, conductor del motor, convertidor de CC/CC, interruptor de alta frecuencia, rectificación síncrona. El conductor del motor, la estación base 5G, el almacenamiento de energía, el interruptor de alta frecuencia, la rectificación síncrona.
Proceso de estructura En la zanja SGT
Ventajas RSP más pequeño, tanto en serie y configuraciones paralelas se pueden combinar y utilizar libremente. La optimización de FOM, que cubre más aplicaciones.
la resistencia Bajo Rds ((ON) Bajo Rds ((ON)
 

Aplicaciones:

SGT MOSFET de baja tensión REASUNOS

El REASUNOS SGT Low Voltage MOSFET es un componente de potencia de alto rendimiento que ofrece conmutación de energía de bajo voltaje con una eficiencia sin igual.proporciona un excelente rendimiento y fiabilidadEl proceso SGT ofrece una optimización FOM innovadora, que cubre más aplicaciones.y ambas configuraciones de serie y paralela se pueden combinar y utilizar librementeEs adecuado para aplicaciones como conductor de motor, estación base 5G, almacenamiento de energía, conmutador de alta frecuencia, rectificación síncrona.

El REASUNOS SGT Low Voltage MOSFET está disponible para su compra en Guangdong, China. El precio se confirma en función del producto.y envases tubulares antistaticosEl tiempo de entrega es de 2-30 días dependiendo de la cantidad total, y el pago se acepta a través del 100% T/T por adelantado (EXW).La empresa tiene una capacidad de suministro de 5KK / mes.

 

Apoyo y servicios:

Apoyo técnico y servicios de MOSFET de baja tensión

Ofrecemos soporte técnico y servicios para ayudarle a sacar el máximo provecho de su dispositivo MOSFET de bajo voltaje.Nuestro equipo de expertos está disponible para responder cualquier pregunta que pueda tener sobre su dispositivo MOSFET de baja tensión, y proporcionar soluciones a cualquier problema que pueda estar enfrentando.

Documentación del producto

Proporcionamos una documentación completa del producto y especificaciones técnicas para su dispositivo MOSFET de bajo voltaje, incluidas hojas de datos, notas de aplicación y guías de usuario.

Apoyo técnico

Ofrecemos soporte técnico para su dispositivo MOSFET de bajo voltaje, incluyendo solución de problemas y asistencia de configuración.Nuestro equipo de expertos está disponible para responder cualquier pregunta que pueda tener sobre su dispositivo MOSFET de baja tensión, y proporcionar soluciones a cualquier problema que pueda estar enfrentando.

Actualizaciones de software y firmware

Proporcionamos actualizaciones de software y firmware para su dispositivo MOSFET de bajo voltaje, para garantizar que su dispositivo esté funcionando al máximo rendimiento.Nuestro equipo de expertos está disponible para responder cualquier pregunta que pueda tener sobre las actualizaciones, y proporcionar soluciones a cualquier problema que pueda estar enfrentando.

Formación y educación

Ofrecemos una formación completa y recursos educativos para su dispositivo MOSFET de bajo voltaje, incluyendo seminarios y seminarios web, para ayudarle a sacar el máximo provecho de su dispositivo.Nuestro equipo de expertos está disponible para responder a cualquier pregunta que pueda tener sobre los recursos de formación y educación, y proporcionar soluciones a cualquier problema que pueda estar enfrentando.

 

Embalaje y envío:

Los MOSFET de baja tensión deben estar correctamente envasados y enviados para garantizar la protección y la seguridad.

  • Los MOSFET de bajo voltaje deben colocarse en bolsas o cajas antistaticas.
  • El envase debe estar bien sellado para evitar la entrada de humedad o polvo.
  • El envase también debe estar claramente etiquetado con el nombre del producto, el modelo y cualquier otra información relevante.
  • El paquete debe estar claramente marcado con el signo "FRAGILE".
  • El paquete debe estar protegido con materiales de amortiguación adecuados para evitar daños durante el transporte.
  • El paquete debe enviarse utilizando métodos de envío confiables y seguros, como el transporte aéreo, el transporte marítimo o el servicio de mensajería rápida.
 

Preguntas frecuentes:

Pregunta y respuesta:

P1: ¿Cuál es el nombre de marca de este MOSFET de Bajo Voltado?
R1: La marca es REASUNOS.

P2: ¿Dónde está el lugar de origen de este MOSFET de bajo voltaje?
R2: El lugar de origen es Guangdong, China.

P3: ¿Cuál es la estructura de precios para este MOSFET de bajo voltaje?
R3: El precio se confirma en función del producto.

P4: ¿Cómo se empaqueta el producto?
A4: El producto está envasado en un embalaje tubular a prueba de polvo, impermeable y antiestático, colocado dentro de una caja de cartón en cartones.

P5: ¿Cuánto tiempo tarda la entrega?
R5: El plazo de entrega oscila entre 2 y 30 días, dependiendo de la cantidad total.

Etiquetas:

Tensión de umbral bajo del canal N Mosfet

Mosfet de canal P de baja potencia estable

MOSFET de baja tensión de la estación base