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트렌치 SGT 저전압 MOSFET 실질적인 저항압 30V 40V

  • Trench SGT Low Voltage MOSFET Practical Low On Resistance 30V 40V
원래 장소 광동, CN
브랜드 이름 REASUNOS
가격 Confirm price based on product
포장 세부 사항 방진, 방수, 정전기 방지 관형 포장으로 판지 상자 안에 포장되어 있습니다.
배달 시간 2-30일 (총 수량에 따라 다름)
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공급 능력 5KK/월

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제품 상세 정보
SGT 프로세스 적용 모터 드라이버, 5G 기지국, 에너지 저장, 고주파 스위치, 동기 정류. SGT 프로세스의 장점 획기적인 FOM 최적화로 더 많은 애플리케이션을 포괄합니다.
트렌치 공정 적용 무선 충전, 고속 충전, 모터 드라이버, DC/DC 컨버터, 고주파 스위치, 동기 정류. 제품 이름 저전압 MOSFET
효율성 높은 효율성과 신뢰성 구조 프로세스 트렌치/SGT
소비 전력 낮은 전력 손실 EAS 기능 높은 EAS 기능
강조하다

트렌치 저전압 MOSFET

,

저전압 MOSFET 저항이 낮다

,

실용적 인 낮은 임계 전압 모스페트
필요한 제품을 선택하고 게시판에서 당사와 소통 할 수 있습니다.
No. Part No. Type ID(A) VDSS(V) RDS(ON) Typ(mΩ) RDS(ON) Max(mΩ) Package MOQ(pcs)
1 RS2301E P -2.3 -20 70 110 SOT-23 3000
2 RS3415E P -4 -20 33 50 SOT-23 3000
3 RS2302E N 2.1 20 32 45 SOT-23 3000
4 RS2300E N 4.5 20 21 32 SOT-23 3000
5 RS2N7002E N 0.34 60 1300 5000 SOT-23 3000
6 RS20N90D N 90 20 3.7 5 TO-252 2500
7 RS3401E P -4.2 -30 50 65 SOT-23 3000
8 RS4435 P -10 -30 15 20 SOP-8 4000
9 RS3400E N 5.8 30 27 35 SOT-23 3000
10 RS30N30K N 30 30 5.8 9 DFN3*3 5000
11 RS30N50K N 50 30 3.8 5.5 DFN3*3 5000
12 RS30N60D N 60 30 6.2 7.5 TO-252 2500
13 RS30N86D N 86 30 4.7 5.5 TO-252 2500
14 RS30N120G N 120 30 3 4 DFN5*6 5000
15 RS30N150D N 150 30 3 4 TO-252 2500
16 RS30N150T N 150 30 3 4 TO-220 1000
17 RS40N100G N 100 40 2.8 3.5 DFN5*6 5000
18 RS40N120D N 120 40 2.8 3.5 TO-252 2500
19 RS40N120T N 120 40 2.8 3.5 TO-220 1000
20 RS150N105T N 105 150 9.8 11 TO-220 1000
21 RS76N20T N 76 200 17 20 TO-220 1000
22 RS2310E N 3 60 70 105 SOT-23 3000
23 RS60N30D N 30 60 22 35 TO-252 2500
24 RS60N50D N 50 60 14 22 TO-252 2500
25 RS60N50T N 50 60 14 22 TO-220 1000
26 RS80N25W N 80 250 30 35 TO-247 600
27 RS630D N 9 200 250 300 TO-252 2500
28 RS630T N 9 200 250 300 TO-220 1000
29 RS640D N 18 200 120 150 TO-252 2500
30 RS640T N 18 200 120 150 TO-220 1000
31 RS40N130G N 130 40 1.45 1.75 DFN5*6 5000
32 RS40N180T N 180 40 1.6 2 TO-220 1000
33 RS60N130G N 130 60 2.1 2.5 DFN5*6 5000
34 RS60N200T N 200 60 2.5 3.2 TO-220 1000
35 RS85N140T N 140 85 4.5 5.3 TO-220 1000
36 RS85N140S N 140 85 4.5 5.3 TO-263 800
37 RS85N150T N 150 85 2.8 3.6 TO-220 1000
38 RS85N150S N 150 85 2.7 3.4 TO-263 800
39 RS100N78HT N 78 100 8.2 9.5 TO-220 1000
40 RS100N78T N 78 100 8.2 9.5 TO-220 1000
41 RS100N100T N 100 100 7 8.5 TO-220 1000
42 RS100N135T N 135 100 3.7 4.2 TO-220 1000
43 RS100N135HT N 135 100 3.7 4.2 TO-220 1000
44 RS100N135HS N 135 100 4.2 5 TO-263 800
45 RS100N180T N 180 100 3 3.8 TO-220 1000
46 RS100N180S N 180 100 2.9 3.6 TO-263 800
47 RS100N190T N 190 100 2.3 3 TO-220 1000
48 RS100N190S N 190 100 2.2 2.8 TO-263 800
49 RS110N200T N 200 110 3.4 4 TO-220 1000
50 RS110N200S N 200 110 3.4 4 TO-263 800
51 RS100N210S N 200 100 1.9 2.4 TO-263 800
52 RS100N210T N 210 100 1.9 2.4 TO-220 1000
53 RS100N300I N 300 100 1.7 2.2 TOLL 2000
54 RS100N60G N 60 100 7.5 8.5 DFN5*6 5000
55 RS100N60HG N 60 100 7.5 8.5 DFN5*6 5000
56 RS100N85G N 85 100 6 7.5 DFN5*6 5000
57 RS100N85HG N 85 100 6 7.5 DFN5*6 5000
58 RS100N125G N 125 100 4 4.6 DFN5*6 5000
59 RS100N125HG N 125 100 4 4.6 DFN5*6 5000
60 RS100N150HG N 150 100 3.5 4.2 DFN5*6 5000
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No. Part No. Type ID(A) VDSS(V) RDS(ON) Typ(mΩ) RDS(ON) Max(mΩ) Package MOQ(pcs)
제품 설명

트렌치/SGT 저전압 MOSFET 높은 신뢰성 낮은 온 저항

제품 설명:

저전압 MOSFET는 빠르고 신뢰할 수있는 스위칭 성능, 높은 효율성 및 낮은 전력 손실을 제공할 수 있는 전력 트랜지스터의 일종입니다. 다양한 응용 분야에서 널리 사용됩니다.무선 충전 같은, 빠른 충전, 모터 드라이버, DC/DC 변환기, 고주파 스위치, 그리고 동기 교정트렌치 프로세스를 기반으로 하는 저전압 MOSFET는 더 많은 응용 프로그램을 커버 할 수 있으며 시리즈 및 병렬 구성 모두에서 자유롭게 결합 및 활용 될 수 있습니다.또한 높은 EAS 기능을 제공하며 SGT 프로세스를 기반으로 할 때 모터 드라이버, 5G 베이스 스테이션, 에너지 저장, 고 주파수 스위치 및 동기 교정에서 사용할 수 있습니다.

 

기술 매개 변수:

매개 변수 트렌치 프로세스 SGT 프로세스
EAS 능력 높은 EAS 능력 높은 EAS 능력
전력 소비 낮은 전력 손실 낮은 전력 손실
효율성 높은 효율성 과 신뢰성 높은 효율성 과 신뢰성
적용 무선 충전, 빠른 충전, 모터 드라이버, DC/DC 변환기, 고주파 스위치, 동기 교정 모터 드라이버, 5G 베이스 스테이션, 에너지 저장, 고주파 스위치, 동기 교정
구조 과정 트렌치 SGT
장점 더 작은 RSP, 시리즈 및 병렬 구성 모두 자유롭게 결합 및 활용 할 수 있습니다. 돌파구 FOM 최적화, 더 많은 응용 프로그램을 커버.
저항력 낮은 Rds ((ON) 낮은 Rds ((ON)
 

응용 프로그램:

SGT 저전압 MOSFET

REASUNOS SGT 저전압 MOSFET는 저전압 전력 전환을 비교할 수 없는 효율성을 제공하는 고성능 전력 부품입니다.뛰어난 성능과 신뢰성을 제공합니다.SGT 프로세스는 더 많은 응용 프로그램을 다루는 획기적인 FOM 최적화를 제공합니다. 트렌치 프로세스는 더 작은 RSP를 제공합니다.그리고 시리즈와 병렬 구성 모두 자유롭게 결합 및 활용 될 수 있습니다. 그것은 모터 드라이버, 5G 베이스 스테이션, 에너지 저장, 고 주파수 스위치, 동기 수정과 같은 응용 프로그램에 적합합니다. 그것은 또한 낮은 전력 손실을 소비합니다.

REASUNOS SGT 저전압 MOSFET는 중국 광둥에서 구입할 수 있습니다. 가격은 제품에 따라 확인됩니다. 포장은 먼지, 방수,그리고 반 정적 튜브 포장, 카드 상자 안에 박스. 배달 시간은 전체 양에 따라 2 ~ 30 일이며, 지불은 100% T / T 사전 (EXW) 를 통해 받아 들여집니다.회사는 5KK/월의 공급 능력을 가지고 있습니다..

 

지원 및 서비스:

저전압 MOSFET 기술 지원 및 서비스

우리는 기술 지원과 서비스를 제공하여 낮은 전압 MOSFET 장치에서 최대한의 효과를 얻을 수 있도록 도와줍니다.우리의 전문가 팀은 당신의 저전압 MOSFET 장치에 대해 가질 수 있는 모든 질문에 대답 할 수 있습니다, 그리고 당신이 직면 할 수있는 모든 문제에 대한 해결책을 제공합니다.

제품 문서

우리는 데이터 시트, 애플리케이션 노트 및 사용자 가이드 등으로, 낮은 전압 MOSFET 장치에 대한 포괄적인 제품 문서 및 기술 사양을 제공합니다.

기술 지원

우리는 문제 해결 및 구성 지원을 포함하여 낮은 전압 MOSFET 장치에 대한 기술 지원을 제공합니다.우리의 전문가 팀은 당신의 저전압 MOSFET 장치에 대해 가질 수 있는 모든 질문에 대답 할 수 있습니다, 그리고 당신이 직면 할 수있는 모든 문제에 대한 해결책을 제공합니다.

소프트웨어 및 펌웨어 업데이트

우리는 당신의 저전압 MOSFET 장치에 대한 소프트웨어 및 펌웨어 업데이트를 제공하여 장치가 최고 성능을 발휘하는지 확인합니다.우리의 전문가 팀은 업데이트에 대한 모든 질문에 대답 할 수 있습니다, 그리고 당신이 직면 할 수있는 모든 문제에 대한 해결책을 제공합니다.

교육 및 교육

우리는 세미나와 웹 세미나를 포함하여 낮은 전압 MOSFET 장치에 대한 포괄적인 교육 및 교육 자원을 제공합니다.우리의 전문가 팀은 교육 및 교육 자원에 대한 모든 질문에 대답 할 수 있습니다., 그리고 당신이 직면 할 수있는 모든 문제에 대한 해결책을 제공합니다.

 

포장 및 운송:

저전압 MOSFET 는 보호 및 안전 을 보장 하기 위해 적절 한 포장 및 운송 을 해야 한다. 아래 는 저전압 MOSFET 의 포장 및 운송 에 대한 우리 의 지침 이다:

  • 저전압 MOSFET는 반 정적 봉지 또는 상자에 배치해야합니다.
  • 수분이나 먼지가 들어가지 않도록 포장지가 잘 밀폐되어야 합니다.
  • 또한 패키지는 제품 이름, 모델 및 기타 관련 정보를 명확하게 표시해야합니다.
  • 패키지에는 "FRAGILE"라는 표시가 명확하게 표시되어야 합니다.
  • 패키지는 운송 중에 손상을 방지하기 위해 적절한 완충 물질로 보호되어야합니다.
  • 패키지는 항공 화물, 해상 화물 또는 급속 택배 등 신뢰할 수 있고 안전한 운송 방법을 사용하여 배송되어야 합니다.
 

FAQ:

질문과 답변:

Q1: 이 저전압 MOSFET의 브랜드 이름은 무엇입니까?
A1: 브랜드 이름은 REASUNOS입니다.

Q2: 이 저전압 MOSFET의 원산지는 어디인가요?
A2: 원산지는 중국 광둥입니다.

Q3: 이 저전압 MOSFET의 가격 구조는 무엇입니까?
A3: 가격은 제품에 따라 확인됩니다.

Q4: 제품은 어떻게 포장됩니까?
A4: 제품은 먼지, 물 및 반 정적 튜브 형태의 포장재에 포장되어 있으며, 카튼 상자 안에 배치됩니다.

Q5: 배달 시간이 얼마나 걸리나요?
A5: 배송 시간은 전체 수량에 따라 2~30일 정도입니다.

꼬리표:

N 채널 모스페트 낮은 문장 전압

안정적인 저전력 P 채널 모스페트

기본 스테이션 저전압 MOSFET