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ट्रेंच एसजीटी कम वोल्टेज एमओएसएफईटी व्यावहारिक कम प्रतिरोध 30V 40V

  • Trench SGT Low Voltage MOSFET Practical Low On Resistance 30V 40V
उत्पत्ति के प्लेस गुआंग्डोंग, सीएन
ब्रांड नाम REASUNOS
मूल्य Confirm price based on product
पैकेजिंग विवरण डस्टप्रूफ, वॉटरप्रूफ और एंटी-स्टैटिक ट्यूबलर पैकेजिंग, डिब्बों में कार्डबोर्ड बॉक्स के अंदर रखी गई ह
प्रसव के समय 2-30 दिन (कुल मात्रा पर निर्भर करता है)
भुगतान शर्तें अग्रिम में 100% टी/टी (EXW)
आपूर्ति की क्षमता 5KK/माह

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उत्पाद विवरण
एसजीटी प्रक्रिया आवेदन मोटर ड्राइवर, 5जी बेस स्टेशन, ऊर्जा भंडारण, उच्च आवृत्ति स्विच, सिंक्रोनस रेक्टिफिकेशन। एसजीटी प्रक्रिया के लाभ निर्णायक एफओएम अनुकूलन, अधिक एप्लिकेशन को कवर करता है।
ट्रेंच प्रक्रिया आवेदन वायरलेस चार्जिंग, फास्ट चार्जिंग, मोटर ड्राइवर, डीसी/डीसी कनवर्टर, हाई-फ़्रीक्वेंसी स्विच, सिंक्रोनस उत्पाद का नाम कम वोल्टेज MOSFET
दक्षता उच्च दक्षता और विश्वसनीय संरचना प्रक्रिया ट्रेंच/एसजीटी
बिजली की खपत कम बिजली हानि ईएएस क्षमता उच्च ईएएस क्षमता
प्रमुखता देना

खाई कम वोल्टेज MOSFET

,

कम वोल्टेज MOSFET कम प्रतिरोध पर

,

व्यावहारिक निम्न सीमा वोल्टेज मोस्फेट
आप अपनी ज़रूरत के उत्पादों को टिक कर सकते हैं और हमारे साथ संदेश बोर्ड में संचार कर सकते हैं।
No. Part No. Type ID(A) VDSS(V) RDS(ON) Typ(mΩ) RDS(ON) Max(mΩ) Package MOQ(pcs)
1 RS2301E P -2.3 -20 70 110 SOT-23 3000
2 RS3415E P -4 -20 33 50 SOT-23 3000
3 RS2302E N 2.1 20 32 45 SOT-23 3000
4 RS2300E N 4.5 20 21 32 SOT-23 3000
5 RS2N7002E N 0.34 60 1300 5000 SOT-23 3000
6 RS20N90D N 90 20 3.7 5 TO-252 2500
7 RS3401E P -4.2 -30 50 65 SOT-23 3000
8 RS4435 P -10 -30 15 20 SOP-8 4000
9 RS3400E N 5.8 30 27 35 SOT-23 3000
10 RS30N30K N 30 30 5.8 9 DFN3*3 5000
11 RS30N50K N 50 30 3.8 5.5 DFN3*3 5000
12 RS30N60D N 60 30 6.2 7.5 TO-252 2500
13 RS30N86D N 86 30 4.7 5.5 TO-252 2500
14 RS30N120G N 120 30 3 4 DFN5*6 5000
15 RS30N150D N 150 30 3 4 TO-252 2500
16 RS30N150T N 150 30 3 4 TO-220 1000
17 RS40N100G N 100 40 2.8 3.5 DFN5*6 5000
18 RS40N120D N 120 40 2.8 3.5 TO-252 2500
19 RS40N120T N 120 40 2.8 3.5 TO-220 1000
20 RS150N105T N 105 150 9.8 11 TO-220 1000
21 RS76N20T N 76 200 17 20 TO-220 1000
22 RS2310E N 3 60 70 105 SOT-23 3000
23 RS60N30D N 30 60 22 35 TO-252 2500
24 RS60N50D N 50 60 14 22 TO-252 2500
25 RS60N50T N 50 60 14 22 TO-220 1000
26 RS80N25W N 80 250 30 35 TO-247 600
27 RS630D N 9 200 250 300 TO-252 2500
28 RS630T N 9 200 250 300 TO-220 1000
29 RS640D N 18 200 120 150 TO-252 2500
30 RS640T N 18 200 120 150 TO-220 1000
31 RS40N130G N 130 40 1.45 1.75 DFN5*6 5000
32 RS40N180T N 180 40 1.6 2 TO-220 1000
33 RS60N130G N 130 60 2.1 2.5 DFN5*6 5000
34 RS60N200T N 200 60 2.5 3.2 TO-220 1000
35 RS85N140T N 140 85 4.5 5.3 TO-220 1000
36 RS85N140S N 140 85 4.5 5.3 TO-263 800
37 RS85N150T N 150 85 2.8 3.6 TO-220 1000
38 RS85N150S N 150 85 2.7 3.4 TO-263 800
39 RS100N78HT N 78 100 8.2 9.5 TO-220 1000
40 RS100N78T N 78 100 8.2 9.5 TO-220 1000
41 RS100N100T N 100 100 7 8.5 TO-220 1000
42 RS100N135T N 135 100 3.7 4.2 TO-220 1000
43 RS100N135HT N 135 100 3.7 4.2 TO-220 1000
44 RS100N135HS N 135 100 4.2 5 TO-263 800
45 RS100N180T N 180 100 3 3.8 TO-220 1000
46 RS100N180S N 180 100 2.9 3.6 TO-263 800
47 RS100N190T N 190 100 2.3 3 TO-220 1000
48 RS100N190S N 190 100 2.2 2.8 TO-263 800
49 RS110N200T N 200 110 3.4 4 TO-220 1000
50 RS110N200S N 200 110 3.4 4 TO-263 800
51 RS100N210S N 200 100 1.9 2.4 TO-263 800
52 RS100N210T N 210 100 1.9 2.4 TO-220 1000
53 RS100N300I N 300 100 1.7 2.2 TOLL 2000
54 RS100N60G N 60 100 7.5 8.5 DFN5*6 5000
55 RS100N60HG N 60 100 7.5 8.5 DFN5*6 5000
56 RS100N85G N 85 100 6 7.5 DFN5*6 5000
57 RS100N85HG N 85 100 6 7.5 DFN5*6 5000
58 RS100N125G N 125 100 4 4.6 DFN5*6 5000
59 RS100N125HG N 125 100 4 4.6 DFN5*6 5000
60 RS100N150HG N 150 100 3.5 4.2 DFN5*6 5000
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No. Part No. Type ID(A) VDSS(V) RDS(ON) Typ(mΩ) RDS(ON) Max(mΩ) Package MOQ(pcs)
उत्पाद विवरण

ट्रेंच/एसजीटी कम वोल्टेज एमओएसएफईटी उच्च विश्वसनीयता कम प्रतिरोध

उत्पाद का वर्णन:

कम वोल्टेज मोस्फेट एक प्रकार का पावर ट्रांजिस्टर है जो तेज और विश्वसनीय स्विचिंग प्रदर्शन, उच्च दक्षता और कम बिजली हानि प्रदान कर सकता है। इसका व्यापक रूप से विभिन्न अनुप्रयोगों में उपयोग किया जाता है,जैसे वायरलेस चार्जिंग, फास्ट चार्जिंग, मोटर ड्राइवर, डीसी/डीसी कनवर्टर, उच्च आवृत्ति स्विच और सिंक्रोनस रेक्टिफिकेशन।खाई प्रक्रिया पर आधारित कम वोल्टेज MOSFET अधिक आवेदन को कवर कर सकता है और स्वतंत्र रूप से श्रृंखला और समानांतर विन्यास दोनों में संयुक्त और उपयोग किया जा सकता हैयह उच्च ईएएस क्षमता भी प्रदान करता है और एसजीटी प्रक्रिया के आधार पर मोटर ड्राइवर, 5जी बेस स्टेशन, ऊर्जा भंडारण, उच्च आवृत्ति स्विच और सिंक्रोनस रेक्टिफिकेशन में इस्तेमाल किया जा सकता है।

 

तकनीकी मापदंडः

पैरामीटर खाई की प्रक्रिया एसजीटी प्रक्रिया
ईएएस क्षमता उच्च ईएएस क्षमता उच्च ईएएस क्षमता
बिजली की खपत कम शक्ति हानि कम शक्ति हानि
दक्षता उच्च दक्षता और विश्वसनीयता उच्च दक्षता और विश्वसनीयता
आवेदन वायरलेस चार्जिंग, फास्ट चार्जिंग, मोटर ड्राइवर, डीसी/डीसी कनवर्टर, हाई-फ्रीक्वेंसी स्विच, सिंक्रोनस रेक्टिफिकेशन मोटर ड्राइवर, 5जी बेस स्टेशन, ऊर्जा भंडारण, उच्च आवृत्ति स्विच, सिंक्रोनस सुधार।
संरचना प्रक्रिया खाई एसजीटी
लाभ छोटे आरएसपी, दोनों श्रृंखला और समानांतर विन्यास को स्वतंत्र रूप से जोड़ा और उपयोग किया जा सकता है। अधिक अनुप्रयोगों को कवर करने के लिए सफलतापूर्वक FOM अनुकूलन।
प्रतिरोध कम आरडीएस (ऑन) कम आरडीएस (ऑन)
 

अनुप्रयोग:

एसजीटी कम वोल्टेज मोस्फेट ¥ REASUNOS

REASUNOS SGT लो वोल्टेज MOSFET एक उच्च प्रदर्शन बिजली घटक है जो अद्वितीय दक्षता के साथ कम वोल्टेज बिजली स्विचिंग प्रदान करता है।यह उत्कृष्ट प्रदर्शन और विश्वसनीयता प्रदान करता है. एसजीटी प्रक्रिया फूट-थ्रू एफओएम अनुकूलन प्रदान करती है, जो अधिक अनुप्रयोगों को कवर करती है। ट्रेंच प्रक्रिया छोटे आरएसपी प्रदान करती है,और दोनों श्रृंखला और समानांतर विन्यास स्वतंत्र रूप से संयुक्त और उपयोग किया जा सकता हैयह मोटर ड्राइवर, 5 जी बेस स्टेशन, ऊर्जा भंडारण, उच्च आवृत्ति स्विच, सिंक्रोनस सुधार जैसे अनुप्रयोगों के लिए उपयुक्त है। यह कम बिजली की हानि का भी उपभोग करता है।

REASUNOS SGT लो वोल्टेज MOSFET गुआंग्डोंग, चीन में खरीदने के लिए उपलब्ध है। कीमत उत्पाद के आधार पर पुष्टि की जाती है। पैकेजिंग धूल प्रतिरोधी, जल प्रतिरोधी,और विरोधी स्थैतिक ट्यूबलर पैकेजिंगडिलीवरी का समय कुल मात्रा के आधार पर 2-30 दिन है, और भुगतान 100% टी/टी अग्रिम (एक्सडब्ल्यू) के माध्यम से स्वीकार किया जाता है।कंपनी की आपूर्ति क्षमता 5KK/माह है।.

 

सहायता एवं सेवाएं:

निम्न वोल्टेज MOSFET तकनीकी सहायता और सेवाएं

हम आपको अपने निम्न वोल्टेज MOSFET डिवाइस से अधिकतम लाभ उठाने में मदद करने के लिए तकनीकी सहायता और सेवाएं प्रदान करते हैं।विशेषज्ञों की हमारी टीम आपके निम्न वोल्टेज MOSFET डिवाइस के बारे में आपके किसी भी प्रश्न का उत्तर देने के लिए उपलब्ध है, और आपके सामने आने वाली किसी भी समस्या का समाधान प्रदान करें।

उत्पाद प्रलेखन

हम आपके निम्न वोल्टेज MOSFET डिवाइस के लिए व्यापक उत्पाद प्रलेखन और तकनीकी विनिर्देश प्रदान करते हैं, जिसमें डेटा शीट, अनुप्रयोग नोट्स और उपयोगकर्ता गाइड शामिल हैं।

तकनीकी सहायता

हम आपकी कम वोल्टेज MOSFET डिवाइस के लिए तकनीकी सहायता प्रदान करते हैं, जिसमें समस्या निवारण और विन्यास सहायता शामिल है।विशेषज्ञों की हमारी टीम आपके निम्न वोल्टेज MOSFET डिवाइस के बारे में आपके किसी भी प्रश्न का उत्तर देने के लिए उपलब्ध है, और आपके सामने आने वाली किसी भी समस्या का समाधान प्रदान करें।

सॉफ्टवेयर और फर्मवेयर अद्यतन

हम आपके निम्न वोल्टेज MOSFET डिवाइस के लिए सॉफ्टवेयर और फर्मवेयर अपडेट प्रदान करते हैं, यह सुनिश्चित करने के लिए कि आपका डिवाइस चरम प्रदर्शन पर चल रहा है।हमारे विशेषज्ञों की टीम अपडेट के बारे में आपके किसी भी प्रश्न का उत्तर देने के लिए उपलब्ध है, और आपके सामने आने वाली किसी भी समस्या का समाधान प्रदान करें।

प्रशिक्षण और शिक्षा

हम आपके निम्न वोल्टेज MOSFET डिवाइस के लिए व्यापक प्रशिक्षण और शैक्षिक संसाधन प्रदान करते हैं, जिसमें सेमिनार और वेबिनार शामिल हैं, ताकि आप अपने डिवाइस से अधिकतम लाभ उठा सकें।हमारे विशेषज्ञों की टीम प्रशिक्षण और शैक्षिक संसाधनों के बारे में आपके किसी भी प्रश्न का उत्तर देने के लिए उपलब्ध है, और आपके सामने आने वाली किसी भी समस्या का समाधान प्रदान करें।

 

पैकिंग और शिपिंगः

निम्न वोल्टेज MOSFETs को सुरक्षा और सुरक्षा सुनिश्चित करने के लिए ठीक से पैक और शिप किया जाना चाहिए। निम्न निम्न निम्न हैं हमारे दिशा-निर्देशों के लिए पैकेजिंग और शिपिंग के लिए निम्न वोल्टेज MOSFETs:

  • निम्न वोल्टेज MOSFET को एंटीस्टेटिक बैग या बक्से में रखा जाना चाहिए।
  • पैकेज को अच्छी तरह से सील किया जाना चाहिए ताकि किसी भी प्रकार की नमी या धूल के प्रवेश को रोका जा सके।
  • पैकेज पर उत्पाद का नाम, मॉडल और कोई अन्य प्रासंगिक जानकारी भी स्पष्ट रूप से होनी चाहिए।
  • पैकेजिंग पर स्पष्ट रूप से "FRAGILE" का संकेत होना चाहिए।
  • पैकेज को परिवहन के दौरान किसी भी क्षति से बचने के लिए उपयुक्त डिफ्यूजिंग सामग्री से संरक्षित किया जाना चाहिए।
  • पैकेज को विश्वसनीय और सुरक्षित शिपिंग विधियों जैसे हवाई माल, समुद्री माल या एक्सप्रेस कूरियर का उपयोग करके भेजा जाना चाहिए।
 

अक्सर पूछे जाने वाले प्रश्न:

प्रश्न और उत्तर:

प्रश्न 1: इस निम्न वोल्टेज MOSFET का ब्रांड नाम क्या है?
A1: ब्रांड नाम REASUNOS है।

Q2: इस निम्न वोल्टेज MOSFET का मूल स्थान कहाँ है?
A2: मूल स्थान गुआंग्डोंग, चीन है।

Q3: इस निम्न वोल्टेज MOSFET के लिए मूल्य संरचना क्या है?
A3: उत्पाद के आधार पर कीमत की पुष्टि की जाती है।

Q4: उत्पाद कैसे पैक किया जाता है?
A4: उत्पाद को धूल, पानी और एंटी-स्टेटिक ट्यूबलर पैकेजिंग में पैक किया जाता है, जो एक कार्डबोर्ड बॉक्स में कार्टन में रखा जाता है।

Q5: डिलीवरी में कितना समय लगता है?
A5: कुल मात्रा के आधार पर डिलीवरी का समय 2-30 दिनों के बीच होता है।

टैग:

एन चैनल मोस्फेट निम्न सीमा वोल्टेज

स्थिर निम्न शक्ति पी चैनल मोस्फेट

बेस स्टेशन कम वोल्टेज MOSFET

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