Semua produk
Kontak Person : Anita Yin
Nomor telepon : +86 13712219843
Ada apa : +8613712219843

Trench SGT MOSFET Tegangan Rendah 30V 40V

  • Trench SGT Low Voltage MOSFET Practical Low On Resistance 30V 40V
Tempat asal Guangdong, CN
Nama merek REASUNOS
Harga Confirm price based on product
Kemasan rincian Kemasan berbentuk tabung tahan debu, tahan air, dan antistatis, ditempatkan di dalam kotak karton da
Waktu pengiriman 2-30 hari (Tergantung Jumlah Total)
Syarat-syarat pembayaran 100% T/T di Muka (EXW)
Menyediakan kemampuan 5KK/bulan

Hubungi saya untuk sampel dan kupon gratis.

Ada apa:0086 18588475571

Wechat wechat: 0086 18588475571

Skype: sales10@aixton.com

Jika Anda memiliki kekhawatiran, kami menyediakan bantuan online 24 jam.

x
Detail produk
Aplikasi proses SGT Pengemudi Motor, Pemancar 5G, Penyimpanan Energi, Sakelar Frekuensi Tinggi, Rektifikasi Sinkron. Keuntungan proses SGT Terobosan Optimasi FOM, Mencakup Lebih Banyak Aplikasi.
Aplikasi proses parit Pengisian Nirkabel, Pengisian Cepat, Driver Motor, Konverter DC/DC, Sakelar Frekuensi Tinggi, Rektif Nama produk MOSFET Tegangan Rendah
efisiensi Efisiensi Tinggi Dan Andal Proses struktur Parit/SGT
Konsumsi daya Kehilangan Daya Rendah kemampuan EAS Kemampuan EAS Tinggi
Menyoroti

Trench Low Voltage MOSFET

,

Low Voltage MOSFET Low On Resistance

,

Mosfet Tegangan Ambang Rendah Praktis
Anda dapat mencentang produk yang Anda butuhkan dan berkomunikasi dengan kami di papan pesan.
No. Part No. Type ID(A) VDSS(V) RDS(ON) Typ(mΩ) RDS(ON) Max(mΩ) Package MOQ(pcs)
1 RS2301E P -2.3 -20 70 110 SOT-23 3000
2 RS3415E P -4 -20 33 50 SOT-23 3000
3 RS2302E N 2.1 20 32 45 SOT-23 3000
4 RS2300E N 4.5 20 21 32 SOT-23 3000
5 RS2N7002E N 0.34 60 1300 5000 SOT-23 3000
6 RS20N90D N 90 20 3.7 5 TO-252 2500
7 RS3401E P -4.2 -30 50 65 SOT-23 3000
8 RS4435 P -10 -30 15 20 SOP-8 4000
9 RS3400E N 5.8 30 27 35 SOT-23 3000
10 RS30N30K N 30 30 5.8 9 DFN3*3 5000
11 RS30N50K N 50 30 3.8 5.5 DFN3*3 5000
12 RS30N60D N 60 30 6.2 7.5 TO-252 2500
13 RS30N86D N 86 30 4.7 5.5 TO-252 2500
14 RS30N120G N 120 30 3 4 DFN5*6 5000
15 RS30N150D N 150 30 3 4 TO-252 2500
16 RS30N150T N 150 30 3 4 TO-220 1000
17 RS40N100G N 100 40 2.8 3.5 DFN5*6 5000
18 RS40N120D N 120 40 2.8 3.5 TO-252 2500
19 RS40N120T N 120 40 2.8 3.5 TO-220 1000
20 RS150N105T N 105 150 9.8 11 TO-220 1000
21 RS76N20T N 76 200 17 20 TO-220 1000
22 RS2310E N 3 60 70 105 SOT-23 3000
23 RS60N30D N 30 60 22 35 TO-252 2500
24 RS60N50D N 50 60 14 22 TO-252 2500
25 RS60N50T N 50 60 14 22 TO-220 1000
26 RS80N25W N 80 250 30 35 TO-247 600
27 RS630D N 9 200 250 300 TO-252 2500
28 RS630T N 9 200 250 300 TO-220 1000
29 RS640D N 18 200 120 150 TO-252 2500
30 RS640T N 18 200 120 150 TO-220 1000
31 RS40N130G N 130 40 1.45 1.75 DFN5*6 5000
32 RS40N180T N 180 40 1.6 2 TO-220 1000
33 RS60N130G N 130 60 2.1 2.5 DFN5*6 5000
34 RS60N200T N 200 60 2.5 3.2 TO-220 1000
35 RS85N140T N 140 85 4.5 5.3 TO-220 1000
36 RS85N140S N 140 85 4.5 5.3 TO-263 800
37 RS85N150T N 150 85 2.8 3.6 TO-220 1000
38 RS85N150S N 150 85 2.7 3.4 TO-263 800
39 RS100N78HT N 78 100 8.2 9.5 TO-220 1000
40 RS100N78T N 78 100 8.2 9.5 TO-220 1000
41 RS100N100T N 100 100 7 8.5 TO-220 1000
42 RS100N135T N 135 100 3.7 4.2 TO-220 1000
43 RS100N135HT N 135 100 3.7 4.2 TO-220 1000
44 RS100N135HS N 135 100 4.2 5 TO-263 800
45 RS100N180T N 180 100 3 3.8 TO-220 1000
46 RS100N180S N 180 100 2.9 3.6 TO-263 800
47 RS100N190T N 190 100 2.3 3 TO-220 1000
48 RS100N190S N 190 100 2.2 2.8 TO-263 800
49 RS110N200T N 200 110 3.4 4 TO-220 1000
50 RS110N200S N 200 110 3.4 4 TO-263 800
51 RS100N210S N 200 100 1.9 2.4 TO-263 800
52 RS100N210T N 210 100 1.9 2.4 TO-220 1000
53 RS100N300I N 300 100 1.7 2.2 TOLL 2000
54 RS100N60G N 60 100 7.5 8.5 DFN5*6 5000
55 RS100N60HG N 60 100 7.5 8.5 DFN5*6 5000
56 RS100N85G N 85 100 6 7.5 DFN5*6 5000
57 RS100N85HG N 85 100 6 7.5 DFN5*6 5000
58 RS100N125G N 125 100 4 4.6 DFN5*6 5000
59 RS100N125HG N 125 100 4 4.6 DFN5*6 5000
60 RS100N150HG N 150 100 3.5 4.2 DFN5*6 5000
Tinggalkan pesan
No. Part No. Type ID(A) VDSS(V) RDS(ON) Typ(mΩ) RDS(ON) Max(mΩ) Package MOQ(pcs)
Deskripsi Produk

Trench/SGT MOSFET Tegangan Rendah Keandalan Tinggi Resistensi On Rendah

Deskripsi produk:

MOSFET Tegangan Rendah adalah jenis transistor daya yang dapat memberikan kinerja switching yang cepat dan andal, efisiensi tinggi dan kehilangan daya yang rendah.seperti pengisian daya nirkabel, pengisian cepat, driver motor, DC / DC konverter, high-frequency switch, dan rektifisasi sinkron.MOSFET Tegangan Rendah berdasarkan proses parit dapat mencakup lebih banyak aplikasi dan dapat dikombinasikan dan digunakan secara bebas dalam konfigurasi seri dan paralelHal ini juga menawarkan kemampuan EAS yang tinggi dan dapat digunakan dalam driver motor, base station 5G, penyimpanan energi, switch frekuensi tinggi, dan rectifikasi sinkron ketika didasarkan pada proses SGT.

 

Parameter teknis:

Parameter Proses Parit Proses SGT
Kemampuan EAS Kemampuan EAS yang tinggi Kemampuan EAS yang tinggi
Konsumsi daya Kerugian Daya Rendah Kerugian Daya Rendah
Efisiensi Efisiensi Tinggi dan Dapat Diandalkan Efisiensi Tinggi dan Dapat Diandalkan
Aplikasi Pengisian nirkabel, pengisian cepat, driver motor, DC/DC converter, High-frequency switch, Synchronous Rectification. Pengemudi Motor, Stasiun Basis 5G, Penyimpanan Energi, Saklar Frekuensi Tinggi, Rektifisasi Sinkron.
Proses struktur Parit SGT
Keuntungan RSP yang lebih kecil, konfigurasi seri dan paralel dapat dikombinasikan dan digunakan secara bebas. Terobosan Optimasi FOM, Mencakup Lebih Banyak Aplikasi.
resistensi Rds rendah ((ON) Rds rendah ((ON)
 

Aplikasi:

SGT MOSFET Tegangan Rendah

REASUNOS SGT Low Voltage MOSFET adalah komponen daya berkinerja tinggi yang menawarkan switching daya tegangan rendah dengan efisiensi yang tak tertandingi.memberikan kinerja dan keandalan yang sangat baikProses SGT menawarkan optimasi FOM terobosan, yang mencakup lebih banyak aplikasi.dan kedua konfigurasi seri dan paralel dapat dikombinasikan dan dimanfaatkan secara bebas. Ini cocok untuk aplikasi seperti Driver Motor, 5G Base Station, Energy Storage, High-Frequency Switch, Synchronous Rectification.

REASUNOS SGT Low Voltage MOSFET tersedia untuk dibeli di Guangdong, Cina. Harga dikonfirmasi berdasarkan produk.dan kemasan tabung anti-statisWaktu pengiriman adalah 2-30 hari tergantung pada jumlah total, dan pembayaran diterima melalui 100% T / T di Advance (EXW).Perusahaan memiliki kemampuan pasokan 5KK / bulan.

 

Dukungan dan Layanan:

Dukungan dan Layanan Teknis MOSFET Tegangan Rendah

Kami menawarkan dukungan teknis dan layanan untuk membantu Anda mendapatkan hasil maksimal dari perangkat MOSFET Tegangan Rendah Anda.Tim ahli kami tersedia untuk menjawab pertanyaan yang mungkin Anda miliki tentang perangkat MOSFET Tegangan Rendah Anda, dan memberikan solusi untuk setiap masalah yang mungkin Anda hadapi.

Dokumen Produk

Kami menyediakan dokumentasi produk yang komprehensif dan spesifikasi teknis untuk perangkat MOSFET Tegangan Rendah Anda, termasuk lembar data, catatan aplikasi, dan panduan pengguna.

Dukungan Teknis

Kami menawarkan dukungan teknis untuk perangkat MOSFET Tegangan Rendah Anda, termasuk pemecahan masalah dan bantuan konfigurasi.Tim ahli kami tersedia untuk menjawab pertanyaan yang mungkin Anda miliki tentang perangkat MOSFET Tegangan Rendah Anda, dan memberikan solusi untuk setiap masalah yang mungkin Anda hadapi.

Pembaruan Perangkat Lunak & Firmware

Kami menyediakan pembaruan perangkat lunak dan firmware untuk perangkat MOSFET Tegangan Rendah Anda, untuk memastikan bahwa perangkat Anda berjalan pada kinerja puncak.Tim ahli kami tersedia untuk menjawab pertanyaan Anda mungkin memiliki tentang pembaruan, dan memberikan solusi untuk setiap masalah yang mungkin Anda hadapi.

Pelatihan & Pendidikan

Kami menawarkan pelatihan yang komprehensif dan sumber daya pendidikan untuk perangkat MOSFET Tegangan Rendah Anda, termasuk seminar dan webinar, untuk membantu Anda mendapatkan hasil maksimal dari perangkat Anda.Tim ahli kami tersedia untuk menjawab pertanyaan Anda tentang pelatihan dan sumber daya pendidikan, dan memberikan solusi untuk setiap masalah yang mungkin Anda hadapi.

 

Kemasan dan Pengiriman:

MOSFET Tegangan Rendah harus dikemas dan dikirim dengan benar untuk memastikan perlindungan dan keselamatan. Berikut ini adalah pedoman kami untuk kemasan dan pengiriman MOSFET Tegangan Rendah:

  • MOSFET Tegangan Rendah harus ditempatkan dalam kantong atau kotak antistatik.
  • Kemasan harus disegel dengan baik untuk mencegah kelembaban atau debu masuk.
  • Kemasan juga harus diberi label yang jelas dengan nama produk, model, dan informasi lain yang relevan.
  • Kemasan harus ditandai dengan jelas dengan tanda "FRAGILE".
  • Paket harus dilindungi dengan bahan bantalan yang tepat untuk mencegah kerusakan selama transit.
  • Paket harus dikirim menggunakan metode pengiriman yang dapat diandalkan dan aman, seperti pengiriman udara, pengiriman laut, atau kurir ekspres.
 

FAQ:

Pertanyaan dan Jawaban:

T1: Apa nama merek MOSFET Tegangan Rendah ini?
A1: Nama mereknya adalah REASUNOS.

P2: Di mana tempat asal MOSFET Tegangan Rendah ini?
A2: Tempat asal adalah Guangdong, Cina.

T3: Apa struktur harga untuk MOSFET Tegangan Rendah ini?
A3: Harga dikonfirmasi berdasarkan produk.

Q4: Bagaimana produk dikemas?
A4: Produk dikemas dalam kemasan tabung anti debu, anti air dan anti statis, ditempatkan di dalam kotak karton dalam karton.

T5: Berapa lama waktu pengiriman?
A5: Waktu pengiriman berkisar antara 2-30 hari, tergantung pada jumlah total.

Tag:

N Saluran Mosfet Tegangan Sempadan Rendah

Stabil Low Power P Channel Mosfet

MOSFET tegangan rendah stasiun dasar