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Transistores Mosfet de baja potencia multiscene SGT estables con voltaje de umbral bajo

  • Multiscene Low Power Mosfet Transistors SGT Stable With Low Threshold Voltage
Lugar de origen Guangdong, NC
Nombre de la marca REASUNOS
Precio Confirm price based on product
Detalles de empaquetado Envases tubulares a prueba de polvo, agua y antistáticos, colocados en una caja de cartón en cartone
Tiempo de entrega 2-30 días (depende de la cantidad total)
Condiciones de pago 100% T/T por adelantado (EXW)
Capacidad de la fuente 5KK/mes

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Datos del producto
Consumo de energía Pérdida de la energía baja Nombre del producto MOSFET de bajo voltaje
Aplicación del proceso de zanja Carga inalámbrica, carga rápida, controlador de motor, convertidor CC/CC, interruptor de alta frecue Ventajas de proceso de SGT Optimización de la brecha FOM, cubriendo más uso.
Proceso de estructura Trinchera/SGT Capacidad EAS Alta capacidad EAS
Resistencia RDS bajo (ENCENDIDO) Ventajas del proceso de zanja RSP más pequeño, tanto en serie como en paralelo, se pueden combinar y utilizar libremente.
Resaltar

Transistores Mosfet de baja potencia de escenas múltiples

,

Transistores Mosfet de baja potencia SGT

,

Mosfet estable con voltaje de umbral bajo
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No. Part No. Type ID(A) VDSS(V) RDS(ON) Typ(mΩ) RDS(ON) Max(mΩ) Package MOQ(pcs)
1 RS2301E P -2.3 -20 70 110 SOT-23 3000
2 RS3415E P -4 -20 33 50 SOT-23 3000
3 RS2302E N 2.1 20 32 45 SOT-23 3000
4 RS2300E N 4.5 20 21 32 SOT-23 3000
5 RS2N7002E N 0.34 60 1300 5000 SOT-23 3000
6 RS20N90D N 90 20 3.7 5 TO-252 2500
7 RS3401E P -4.2 -30 50 65 SOT-23 3000
8 RS4435 P -10 -30 15 20 SOP-8 4000
9 RS3400E N 5.8 30 27 35 SOT-23 3000
10 RS30N30K N 30 30 5.8 9 DFN3*3 5000
11 RS30N50K N 50 30 3.8 5.5 DFN3*3 5000
12 RS30N60D N 60 30 6.2 7.5 TO-252 2500
13 RS30N86D N 86 30 4.7 5.5 TO-252 2500
14 RS30N120G N 120 30 3 4 DFN5*6 5000
15 RS30N150D N 150 30 3 4 TO-252 2500
16 RS30N150T N 150 30 3 4 TO-220 1000
17 RS40N100G N 100 40 2.8 3.5 DFN5*6 5000
18 RS40N120D N 120 40 2.8 3.5 TO-252 2500
19 RS40N120T N 120 40 2.8 3.5 TO-220 1000
20 RS150N105T N 105 150 9.8 11 TO-220 1000
21 RS76N20T N 76 200 17 20 TO-220 1000
22 RS2310E N 3 60 70 105 SOT-23 3000
23 RS60N30D N 30 60 22 35 TO-252 2500
24 RS60N50D N 50 60 14 22 TO-252 2500
25 RS60N50T N 50 60 14 22 TO-220 1000
26 RS80N25W N 80 250 30 35 TO-247 600
27 RS630D N 9 200 250 300 TO-252 2500
28 RS630T N 9 200 250 300 TO-220 1000
29 RS640D N 18 200 120 150 TO-252 2500
30 RS640T N 18 200 120 150 TO-220 1000
31 RS40N130G N 130 40 1.45 1.75 DFN5*6 5000
32 RS40N180T N 180 40 1.6 2 TO-220 1000
33 RS60N130G N 130 60 2.1 2.5 DFN5*6 5000
34 RS60N200T N 200 60 2.5 3.2 TO-220 1000
35 RS85N140T N 140 85 4.5 5.3 TO-220 1000
36 RS85N140S N 140 85 4.5 5.3 TO-263 800
37 RS85N150T N 150 85 2.8 3.6 TO-220 1000
38 RS85N150S N 150 85 2.7 3.4 TO-263 800
39 RS100N78HT N 78 100 8.2 9.5 TO-220 1000
40 RS100N78T N 78 100 8.2 9.5 TO-220 1000
41 RS100N100T N 100 100 7 8.5 TO-220 1000
42 RS100N135T N 135 100 3.7 4.2 TO-220 1000
43 RS100N135HT N 135 100 3.7 4.2 TO-220 1000
44 RS100N135HS N 135 100 4.2 5 TO-263 800
45 RS100N180T N 180 100 3 3.8 TO-220 1000
46 RS100N180S N 180 100 2.9 3.6 TO-263 800
47 RS100N190T N 190 100 2.3 3 TO-220 1000
48 RS100N190S N 190 100 2.2 2.8 TO-263 800
49 RS110N200T N 200 110 3.4 4 TO-220 1000
50 RS110N200S N 200 110 3.4 4 TO-263 800
51 RS100N210S N 200 100 1.9 2.4 TO-263 800
52 RS100N210T N 210 100 1.9 2.4 TO-220 1000
53 RS100N300I N 300 100 1.7 2.2 TOLL 2000
54 RS100N60G N 60 100 7.5 8.5 DFN5*6 5000
55 RS100N60HG N 60 100 7.5 8.5 DFN5*6 5000
56 RS100N85G N 85 100 6 7.5 DFN5*6 5000
57 RS100N85HG N 85 100 6 7.5 DFN5*6 5000
58 RS100N125G N 125 100 4 4.6 DFN5*6 5000
59 RS100N125HG N 125 100 4 4.6 DFN5*6 5000
60 RS100N150HG N 150 100 3.5 4.2 DFN5*6 5000
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No. Part No. Type ID(A) VDSS(V) RDS(ON) Typ(mΩ) RDS(ON) Max(mΩ) Package MOQ(pcs)
Descripción de producto

Bajo voltaje MOSFET Proceso de zanja Carga inalámbrica Capacidad EAS alta

Descripción del producto:

El MOSFET de bajo voltaje es un tipo de MOSFET que está optimizado para su uso en aplicaciones que requieren bajo voltaje de puerta y baja resistencia.Es un dispositivo de semiconductores avanzado que utiliza tanto el proceso de trinchera y tecnologías de proceso SGT para un rendimiento superiorEl proceso SGT es la tecnología ideal para aplicaciones tales como conductores de motor, estaciones base 5G, almacenamiento de energía, conmutación de alta frecuencia y rectificación síncrona.Cuenta con la optimización de FOM innovadora y cubre más aplicacionesPor otra parte, la tecnología de proceso de trinchera está optimizada para RSP más pequeños y puede combinarse y utilizarse libremente tanto en serie como en configuraciones paralelas.El MOSFET de baja tensión es la opción ideal para la carga inalámbrica, carga rápida, controlador de motor, convertidor DC/DC, interruptor de alta frecuencia y rectificación síncrona, debido a su baja Rds ((ON) y baja tensión de puerta.

 

Parámetros técnicos:

Nombre del producto MOSFET de baja tensión
Proceso de estructura En el caso de las empresas de transporte de mercancías
Resistencia Bajo Rds ((ON)
Consumo de energía Baja pérdida de energía
Eficiencia Alta eficiencia y fiabilidad
Capacidad de EAS Capacidad EAS elevada
Ventajas del proceso de zanja RSP más pequeño, tanto en serie y configuraciones paralelas se pueden combinar y utilizar libremente.
Aplicación del proceso de zanja Carga inalámbrica, carga rápida, conductor del motor, convertidor de CC/CC, interruptor de alta frecuencia, rectificación síncrona.
Ventajas del proceso SGT La optimización de FOM, que cubre más aplicaciones.
Aplicación del proceso SGT El conductor del motor, la estación base 5G, el almacenamiento de energía, el interruptor de alta frecuencia, la rectificación síncrona.
 

Aplicaciones:

REASUNOS Low Voltage MOSFET es un producto de Guangdong, China. Tiene un precio competitivo que se confirma basado en el producto.y se coloca dentro de una caja de cartón en cartonesEl tiempo de entrega es de 2-30 días, dependiendo de la cantidad total. Los términos de pago son 100% T / T por adelantado, y el producto tiene una capacidad de suministro de 5KK / mes.El proceso de estructura es Trench o SGT, con proceso de trinchera que tiene ventajas de RSP más pequeño, y configuraciones tanto en serie como paralelas que se pueden combinar y utilizar libremente.Proceso SGT tiene ventajas de la optimización FOM de avance, y cubre más aplicaciones como Motor Driver, Estación Base 5G, Almacenamiento de Energía, Conmutador de Alta Frecuencia, Rectificación Sincrónica.

 

Apoyo y servicios:

Los productos MOSFET de bajo voltaje vienen con una gama de soporte técnico y servicios.Proporcionamos a los clientes los recursos necesarios para ayudarles a lograr resultados óptimos de sus productos MOSFET de bajo voltajeEstos servicios incluyen:

  • Apoyo al diseño y a la aplicación
  • Documentación técnica y recursos
  • Preguntas frecuentes sobre el producto
  • Asistencia para la resolución de problemas del producto
  • Actualizaciones de software y firmware
  • Reemplazo y actualización de productos
  • Servicios de garantía y reparación
 

Embalaje y envío:

El embalaje y envío del MOSFET de bajo voltaje sigue el proceso de embalaje y envío estándar.La caja se asegura con envoltura de burbujas y se coloca en una caja exterior de cartónEl paquete se envía a través de un servicio de envío confiable.

 

Preguntas frecuentes:

P: ¿Qué es el MOSFET de bajo voltaje?
R: El MOSFET de bajo voltaje es un tipo de transistor que utiliza MOSFET (transistores de efecto de campo de semiconductores de óxido metálico) para controlar el flujo de corriente en un circuito electrónico.
P: ¿Cuál es la marca de MOSFET de Bajo Voltado?
R: El nombre comercial del MOSFET de bajo voltaje es REASUNOS.
P: ¿Dónde está el lugar de origen del MOSFET de bajo voltaje?
R: El lugar de origen del MOSFET de bajo voltaje es Guangdong, China.
P: ¿Cuál es el precio del MOSFET de bajo voltaje?
R: El precio del MOSFET de bajo voltaje es el precio de confirmación basado en el producto.
P: ¿Cómo está el embalaje del MOSFET de bajo voltaje?
R: El envase del MOSFET de bajo voltaje es un envase tubular a prueba de polvo, a prueba de agua y antistatico, colocado dentro de una caja de cartón en cartones.
P: ¿Cuál es el tiempo de entrega del MOSFET de bajo voltaje?
R: El tiempo de entrega del MOSFET de bajo voltaje es de 2 a 30 días, dependiendo de la cantidad total.
P: ¿Cuáles son los términos de pago de MOSFET de bajo voltaje?
R: Los términos de pago del MOSFET de bajo voltaje son 100% T/T por adelantado (EXW).
P: ¿Cuál es la capacidad de suministro de MOSFET de bajo voltaje?
R: La capacidad de suministro de MOSFET de bajo voltaje es de 5KK / mes.
Etiquetas:

Tensión de umbral bajo del canal N Mosfet

Mosfet de canal P de baja potencia estable

MOSFET de baja tensión de la estación base