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Transistores Mosfet de baixa potência multiscene SGT estável com baixa tensão limite

  • Multiscene Low Power Mosfet Transistors SGT Stable With Low Threshold Voltage
Lugar de origem Guangdong, NC
Marca REASUNOS
Preço Confirm price based on product
Detalhes da embalagem Embalagens tubulares impermeáveis ao pó, à água e antistáticas, colocadas numa caixa de cartão em ca
Tempo de entrega 2-30 dias (depende da quantidade total)
Termos de pagamento 100% T/T adiantado (EXW)
Habilidade da fonte 5KK/mês

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Detalhes do produto
Consumo de energia Perda de baixa potência Nome do produto MOSFET de baixa tensão
Aplicação de processo de vala Carregamento sem fio, carregamento rápido, driver de motor, conversor DC/DC, interruptor de alta fre Vantagens do processo de SGT Otimização da descoberta FOM, cobrindo mais aplicação.
processo de estrutura Trincheira/SGT Capacidade EAS Alta capacidade de EAS
Resistência Baixo RDS (SOBRE) Vantagens do processo de vala RSP menor, configurações em série e paralelas podem ser livremente combinadas e utilizadas.
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Transistores Mosfet de baixa potência multiscene

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Transistores Mosfet de baixa potência SGT

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Mosfet estável com baixa tensão limite
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No. Part No. Type ID(A) VDSS(V) RDS(ON) Typ(mΩ) RDS(ON) Max(mΩ) Package MOQ(pcs)
1 RS2301E P -2.3 -20 70 110 SOT-23 3000
2 RS3415E P -4 -20 33 50 SOT-23 3000
3 RS2302E N 2.1 20 32 45 SOT-23 3000
4 RS2300E N 4.5 20 21 32 SOT-23 3000
5 RS2N7002E N 0.34 60 1300 5000 SOT-23 3000
6 RS20N90D N 90 20 3.7 5 TO-252 2500
7 RS3401E P -4.2 -30 50 65 SOT-23 3000
8 RS4435 P -10 -30 15 20 SOP-8 4000
9 RS3400E N 5.8 30 27 35 SOT-23 3000
10 RS30N30K N 30 30 5.8 9 DFN3*3 5000
11 RS30N50K N 50 30 3.8 5.5 DFN3*3 5000
12 RS30N60D N 60 30 6.2 7.5 TO-252 2500
13 RS30N86D N 86 30 4.7 5.5 TO-252 2500
14 RS30N120G N 120 30 3 4 DFN5*6 5000
15 RS30N150D N 150 30 3 4 TO-252 2500
16 RS30N150T N 150 30 3 4 TO-220 1000
17 RS40N100G N 100 40 2.8 3.5 DFN5*6 5000
18 RS40N120D N 120 40 2.8 3.5 TO-252 2500
19 RS40N120T N 120 40 2.8 3.5 TO-220 1000
20 RS150N105T N 105 150 9.8 11 TO-220 1000
21 RS76N20T N 76 200 17 20 TO-220 1000
22 RS2310E N 3 60 70 105 SOT-23 3000
23 RS60N30D N 30 60 22 35 TO-252 2500
24 RS60N50D N 50 60 14 22 TO-252 2500
25 RS60N50T N 50 60 14 22 TO-220 1000
26 RS80N25W N 80 250 30 35 TO-247 600
27 RS630D N 9 200 250 300 TO-252 2500
28 RS630T N 9 200 250 300 TO-220 1000
29 RS640D N 18 200 120 150 TO-252 2500
30 RS640T N 18 200 120 150 TO-220 1000
31 RS40N130G N 130 40 1.45 1.75 DFN5*6 5000
32 RS40N180T N 180 40 1.6 2 TO-220 1000
33 RS60N130G N 130 60 2.1 2.5 DFN5*6 5000
34 RS60N200T N 200 60 2.5 3.2 TO-220 1000
35 RS85N140T N 140 85 4.5 5.3 TO-220 1000
36 RS85N140S N 140 85 4.5 5.3 TO-263 800
37 RS85N150T N 150 85 2.8 3.6 TO-220 1000
38 RS85N150S N 150 85 2.7 3.4 TO-263 800
39 RS100N78HT N 78 100 8.2 9.5 TO-220 1000
40 RS100N78T N 78 100 8.2 9.5 TO-220 1000
41 RS100N100T N 100 100 7 8.5 TO-220 1000
42 RS100N135T N 135 100 3.7 4.2 TO-220 1000
43 RS100N135HT N 135 100 3.7 4.2 TO-220 1000
44 RS100N135HS N 135 100 4.2 5 TO-263 800
45 RS100N180T N 180 100 3 3.8 TO-220 1000
46 RS100N180S N 180 100 2.9 3.6 TO-263 800
47 RS100N190T N 190 100 2.3 3 TO-220 1000
48 RS100N190S N 190 100 2.2 2.8 TO-263 800
49 RS110N200T N 200 110 3.4 4 TO-220 1000
50 RS110N200S N 200 110 3.4 4 TO-263 800
51 RS100N210S N 200 100 1.9 2.4 TO-263 800
52 RS100N210T N 210 100 1.9 2.4 TO-220 1000
53 RS100N300I N 300 100 1.7 2.2 TOLL 2000
54 RS100N60G N 60 100 7.5 8.5 DFN5*6 5000
55 RS100N60HG N 60 100 7.5 8.5 DFN5*6 5000
56 RS100N85G N 85 100 6 7.5 DFN5*6 5000
57 RS100N85HG N 85 100 6 7.5 DFN5*6 5000
58 RS100N125G N 125 100 4 4.6 DFN5*6 5000
59 RS100N125HG N 125 100 4 4.6 DFN5*6 5000
60 RS100N150HG N 150 100 3.5 4.2 DFN5*6 5000
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No. Part No. Type ID(A) VDSS(V) RDS(ON) Typ(mΩ) RDS(ON) Max(mΩ) Package MOQ(pcs)
Descrição de produto

MOSFET de baixa tensão processo de trincheira Carregamento sem fio Capacidade alta de EAS

Descrição do produto:

O MOSFET de baixa tensão é um tipo de MOSFET que é otimizado para uso em aplicações que exigem baixa tensão de porta e baixa resistência.É um dispositivo de semicondutor avançado que utiliza tanto o processo de trincheira e tecnologias de processo SGT para desempenho superiorO processo SGT é a tecnologia ideal para aplicações como motor drivers, estações base 5G, armazenamento de energia, comutação de alta frequência e retificação síncrona.Possui otimização FOM avançada e abrange mais aplicaçõesA tecnologia de processo de trincheira, por outro lado, é otimizada para RSP menores e pode ser livremente combinada e utilizada em configurações em série e paralelas.O MOSFET de baixa tensão é a escolha ideal para carregamento sem fio, carregamento rápido, motorista, conversor DC/DC, interruptor de alta frequência e retificação síncrona, devido à sua baixa Rds ((ON) e baixa tensão de porta.

 

Parâmetros técnicos:

Nome do produto MOSFET de baixa tensão
Processo de estrutura Tranche/SGT
Resistência Baixa Rds ((ON)
Consumo de energia Baixa perda de potência
Eficiência Alta eficiência e fiabilidade
Capacidade do EAS Alta capacidade de EAS
Vantagens do processo de trincheira RSPs menores, com configurações em série e paralelas, podem ser combinadas e utilizadas livremente.
Aplicação do processo de trincheira Carregamento sem fio, carregamento rápido, motorista, conversor DC/DC, interruptor de alta frequência, retificação síncrona.
Vantagens do processo SGT Otimização FOM avançada, cobrindo mais aplicações.
Aplicação do processo SGT Motorista, Estação Base 5G, Armazenamento de Energia, Comutador de Alta Frequência, Rectificação Sincrónica.
 

Aplicações:

O REASUNOS Low Voltage MOSFET é um produto de Guangdong, China. Tem um preço competitivo que é confirmado com base no produto. A embalagem é à prova de poeira, à prova de água e antiestática,e é colocado dentro de uma caixa de papelão em caixas de papelãoO prazo de entrega é de 2 a 30 dias, dependendo da quantidade total. Os termos de pagamento são 100% T/T antecipadamente, e o produto tem uma capacidade de fornecimento de 5KK/mês.O processo de estrutura é ou Trench ou SGT, com processo de trincheira tendo vantagens de RSP menor, e configurações em série e paralelas que podem ser livremente combinadas e utilizadas.O processo SGT tem vantagens de otimização FOM avançada, e abrange mais aplicações, como motorista, estação base 5G, armazenamento de energia, comutador de alta frequência, retificação síncrona.

 

Apoio e Serviços:

Os produtos MOSFET de baixa tensão vêm com uma gama de suporte técnico e serviços.Fornecemos aos clientes os recursos necessários para ajudá-los a alcançar resultados ideais de seus produtos MOSFET de baixa tensãoEstes serviços incluem:

  • Apoio à concepção e aplicação
  • Documentação técnica e recursos
  • Perguntas frequentes sobre produtos
  • Assistência para solução de problemas do produto
  • Atualizações de software e firmware
  • Substituições e melhorias de produtos
  • Serviços de garantia e reparação
 

Embalagem e transporte:

A embalagem e o envio do MOSFET de baixa tensão seguem o processo padrão de embalagem e envio.A caixa é então segura com papel de borracha e colocada numa caixa externa de papelãoA caixa é rotulada com o nome, endereço e informações de contato do cliente. O pacote é enviado através de um serviço de transporte confiável.

 

Perguntas frequentes:

P: O que é um MOSFET de baixa tensão?
R: O MOSFET de baixa tensão é um tipo de transistor que usa MOSFETs (transistores de efeito de campo de semicondutores de óxido metálico) para controlar o fluxo de corrente em um circuito eletrônico.
P: Qual é a marca do MOSFET de Baixa Tensão?
R: A marca do MOSFET de Baixa Tensão é REASUNOS.
P: Qual é o local de origem do MOSFET de baixa tensão?
R: O local de origem do MOSFET de baixa tensão é Guangdong, na China.
P: Qual é o preço do MOSFET de baixa tensão?
R: O preço do MOSFET de baixa tensão é o preço confirmado com base no produto.
P: Como é a embalagem do MOSFET de Baixa Tensão?
R: A embalagem do MOSFET de baixa tensão é uma embalagem tubular à prova de poeira, à prova de água e antiestática, colocada dentro de uma caixa de papelão em caixas de papelão.
P: Qual é o prazo de entrega do MOSFET de baixa tensão?
R: O prazo de entrega do MOSFET de baixa tensão é de 2 a 30 dias, dependendo da quantidade total.
P: Quais são os termos de pagamento do MOSFET de baixa tensão?
A: Os termos de pagamento do MOSFET de baixa tensão são 100% T/T adiantado (EXW).
P: Qual é a capacidade de abastecimento do MOSFET de baixa tensão?
R: A capacidade de abastecimento do MOSFET de baixa tensão é de 5KK/mês.
Etiquetas:

N Canal Mosfet Baixa Tensão de limiar

Mosfet de canal P estável de baixa potência

MOSFET de baixa tensão da estação base