รายละเอียดสินค้า

กระบวนการ MOSFET กระบวนการกระบวนการกระบวนการกระบวนการกระบวนการกระบวนการกระบวนการกระบวนการกระบวนการกระบวนการกระบวนการกระบวนการกระบวนการกระบวนการกระบวนการ

คําอธิบายสินค้า:

MOSFET ความดันต่ํา เป็นชนิดของ MOSFET ที่ได้รับการปรับปรุงให้ดีที่สุดสําหรับการใช้งานในแอพลิเคชั่นที่ต้องการความดันประตูต่ําและความต้านทานต่ํามันเป็นอุปกรณ์ครึ่งประสาทที่มีความก้าวหน้าที่ใช้ทั้งกระบวนการ trench และ SGT เทคโนโลยีกระบวนการสําหรับการทํางานที่ดีกว่ากระบวนการ SGT เป็นเทคโนโลยีที่เหมาะสมสําหรับการใช้งาน เช่น คนขับรถ, สถานีฐาน 5G, การเก็บพลังงาน, การสลับความถี่สูงและการแก้ไขร่วมกันมีการปรับปรุง FOM ที่มีความก้าวหน้า และครอบคลุมการใช้งานมากขึ้นเทคโนโลยีกระบวนการขังทางด้านอื่นถูกปรับปรุงให้ดีสําหรับ RSP ที่เล็กกว่าและสามารถนําไปรวมและใช้ได้อย่างอิสระในระบบลําดับและปานกลางMOSFET ความดันต่ํา เป็นทางเลือกที่เหมาะสมสําหรับการชาร์จไร้สาย, การชาร์จเร็ว, ไดรเวอร์มอเตอร์, เครื่องแปลง DC / DC, สวิทช์ความถี่สูงและการปรับซินโครโนมส์, เนื่องจาก Rds ((ON) ต่ําและความดันประตูต่ํา.

ปริมาตรเทคนิค:

ชื่อสินค้า	MOSFET ความดันต่ํา
กระบวนการโครงสร้าง	กรุงเทพมหานคร
ความต้านทาน	Rdsต่ํา ((ON)
การบริโภคพลังงาน	การสูญเสียพลังงานต่ํา
ประสิทธิภาพ	มี ประสิทธิภาพ และ น่า เชื่อถือ
ความสามารถ EAS	ความสามารถ EAS ที่สูง
ข้อดีของกระบวนการขัง	RSP ขนาดเล็กๆ สามารถรวมและใช้ได้อย่างอิสระ ทั้งแบบชุดและแบบปานกลาง
การใช้งานกระบวนการ Trench	การชาร์จไร้สาย, การชาร์จรวดเร็ว, คนขับมอเตอร์, เครื่องแปลง DC/DC, เครื่องสวิทช์ความถี่สูง, การแก้ไขแบบสมอง
ข้อดีของกระบวนการ SGT	การปรับปรุง FOM ที่เจริญเจริญ ครอบคลุมการใช้งานมากขึ้น
การใช้กระบวนการ SGT	มอเตอร์ไดรเวอร์ สถานีฐาน 5G การเก็บพลังงาน การสลับความถี่สูง การแก้ไขร่วมกัน

การใช้งาน:

REASUNOS Low Voltage MOSFET เป็นผลิตภัณฑ์จากกรุงเทพมหานคร, จีน. มันมีราคาที่แข่งขันที่ยืนยันขึ้นอยู่กับผลิตภัณฑ์.และวางอยู่ในกล่องกระดาษกล่องในกล่อง. เวลาในการจัดส่งจาก 2-30 วัน, ขึ้นอยู่กับปริมาณทั้งหมด. เงื่อนไขการชําระเงินคือ 100% T / T ก่อน, และผลิตภัณฑ์มีความสามารถในการจัดจําหน่ายของ 5KK / เดือน.กระบวนการโครงสร้างเป็น Trench หรือ SGT, ด้วยกระบวนการ Trench ที่มีข้อดีของ RSP เล็ก ๆ น้อย ๆ, และการตั้งค่าทั้งชุดและปานกลางที่สามารถนําไปรวมและใช้ได้อย่างอิสระกระบวนการ SGT มีข้อดีของการปรับปรุง FOM, และครอบคลุมการใช้งานเพิ่มเติม เช่น มอเตอร์ไดรเวอร์, สถานีฐาน 5G, การเก็บพลังงาน, สวิตช์ความถี่สูง, การแก้ไขร่วม

การสนับสนุนและบริการ:

ผลิตภัณฑ์ MOSFET ความดันต่ํามีบริการและการสนับสนุนทางเทคนิคมากมายเรามอบทรัพยากรที่จําเป็นให้กับลูกค้า เพื่อช่วยให้พวกเขาได้รับผลลัพธ์ที่ดีที่สุด จากผลิตภัณฑ์ MOSFET ความดันต่ําของพวกเขาบริการเหล่านี้ประกอบด้วย

การสนับสนุนการออกแบบและการใช้งาน
เอกสารและทรัพยากรทางเทคนิค
สอบถามเกี่ยวกับสินค้า
การช่วยเหลือในการแก้ไขปัญหาของสินค้า
อัพเดทโปรแกรมและฟอร์มแวร์
การเปลี่ยนและปรับปรุงสินค้า
บริการรับประกันและซ่อมแซม

การบรรจุและการขนส่ง

การบรรจุและการจัดส่ง MOSFET ความดันต่ําปฏิบัติตามกระบวนการบรรจุและการจัดส่งมาตรฐาน. ผลิตภัณฑ์ถูกบรรจุในกระเป๋าระบายสแตตติกที่ปลอดภัยจาก ESD และวางอยู่ในกล่องส่งที่ป้องกันสแตตติก.จากนั้นกล่องจะถูกปิดด้วยผนังกระโปรงและวางในกล่องกระดาษกระดาษกล่องถูกติดป้ายด้วยชื่อ, ที่อยู่, และข้อมูลติดต่อของลูกค้า. สิทธิ์จะส่งผ่านบริการการจัดส่งที่น่าเชื่อถือ

FAQ:

คําถาม: MOSFET ความดันต่ําคืออะไร?: A: MOSFET ความดันต่ําคือชนิดของทรานซิสเตอร์ที่ใช้ MOSFETs (ทรานซิสเตอร์ผลสนามครึ่งตัวนําโลหะ) เพื่อควบคุมการไหลของกระแสในวงจรอิเล็กทรอนิกส์
คําถาม: ชื่อแบรนด์ของ MOSFET ความดันต่ําคืออะไร?: A: ชื่อแบรนด์ของ MOSFET ความดันต่ําคือ REASUNOS
คําถาม: สถานที่กําเนิดของ MOSFET ความดันต่ําอยู่ที่ไหน?: ตอบ: สถานที่กําเนิดของ MOSFET ความดันต่ําคือ กวางดง, จีน
คําถาม: ราคาของ MOSFET ความดันต่ําเท่าไหร่?: ตอบ: ราคาของ MOSFET ความดันต่ําคือราคายืนยันขึ้นอยู่กับสินค้า
คําถาม: การบรรจุของ MOSFET ความดันต่ําเป็นอย่างไร?: A: การบรรจุของ Low Voltage MOSFET เป็นการบรรจุท่อกันฝุ่น กันน้ํา และกันสแตตติก ใส่ในกล่องกระดาษกล่อง
Q: เวลาในการจัดส่งของ MOSFET ความดันต่ําคืออะไร?: ตอบ: ระยะเวลาการจัดส่งของ MOSFET ความดันต่ําคือ 2-30 วัน ขึ้นอยู่กับปริมาณทั้งหมด
คําถาม: เงื่อนไขการชําระเงินของ MOSFET ความดันต่ําคืออะไร?: A: หลักการชําระเงินของ MOSFET ความดันต่ําคือ 100% T / T ก่อน (EXW).
Q: ความสามารถในการจําหน่ายของ MOSFET ความดันต่ําคืออะไร?: A: ความสามารถในการจําหน่ายของ MOSFET ความดันต่ําคือ 5KK / เดือน

แท็ก:

สถานที่กำเนิด	กวางตุ้ง CN
ชื่อแบรนด์	REASUNOS
ราคา	Confirm price based on product
รายละเอียดการบรรจุ	บรรจุภัณฑ์แบบท่อกันฝุ่น กันน้ำ และป้องกันไฟฟ้าสถิต วางอยู่ภายในกล่องกระดาษแข็งในกล่องกระดาษแข็ง
เวลาการส่งมอบ	2-30 วัน (ขึ้นอยู่กับปริมาณรวม)
เงื่อนไขการชำระเงิน	100% T/T ล่วงหน้า (EXW)
สามารถในการผลิต	5KK/เดือน

การใช้พลังงาน	การสูญเสียพลังงานต่ำ	ชื่อสินค้า	มอสเฟตแรงดันต่ำ
การประยุกต์ใช้กระบวนการร่องลึก	การชาร์จแบบไร้สาย, การชาร์จอย่างรวดเร็ว, ไดรเวอร์มอเตอร์, ตัวแปลง DC/DC, สวิตช์ความถี่สูง, การแก้ไขแ	ข้อดีของกระบวนการ SGT	การเพิ่มประสิทธิภาพ FOM ที่ก้าวล้ำ ครอบคลุมการใช้งานมากขึ้น
กระบวนการโครงสร้าง	ร่องลึก/SGT	ความสามารถของ EAS	ความสามารถ EAS สูง
ความต้านทาน	ถนนต่ำ(ON)	ข้อดีของกระบวนการร่องลึก	RSP ที่เล็กกว่า ทั้งซีรีส์และการกำหนดค่าแบบขนานสามารถรวมและใช้งานได้อย่างอิสระ
เน้น	ทรานซิสเตอร์มอสเฟตพลังงานต่ําหลายฉาก , ทรานซิสเตอร์มอสเฟตพลังงานต่ํา SGT , โมสเฟตที่มั่นคงที่มีความดันขั้นต่ํา

	No.	Part No.	Type	ID(A)	VDSS(V)	RDS(ON) Typ(mΩ)	RDS(ON) Max(mΩ)	Package	MOQ(pcs)
checkbox	1	RS2301E	P	-2.3	-20	70	110	SOT-23	3000
checkbox	2	RS3415E	P	-4	-20	33	50	SOT-23	3000
checkbox	3	RS2302E	N	2.1	20	32	45	SOT-23	3000
checkbox	4	RS2300E	N	4.5	20	21	32	SOT-23	3000
checkbox	5	RS2N7002E	N	0.34	60	1300	5000	SOT-23	3000
checkbox	6	RS20N90D	N	90	20	3.7	5	TO-252	2500
checkbox	7	RS3401E	P	-4.2	-30	50	65	SOT-23	3000
checkbox	8	RS4435	P	-10	-30	15	20	SOP-8	4000
checkbox	9	RS3400E	N	5.8	30	27	35	SOT-23	3000
checkbox	10	RS30N30K	N	30	30	5.8	9	DFN3*3	5000
checkbox	11	RS30N50K	N	50	30	3.8	5.5	DFN3*3	5000
checkbox	12	RS30N60D	N	60	30	6.2	7.5	TO-252	2500
checkbox	13	RS30N86D	N	86	30	4.7	5.5	TO-252	2500
checkbox	14	RS30N120G	N	120	30	3	4	DFN5*6	5000
checkbox	15	RS30N150D	N	150	30	3	4	TO-252	2500
checkbox	16	RS30N150T	N	150	30	3	4	TO-220	1000
checkbox	17	RS40N100G	N	100	40	2.8	3.5	DFN5*6	5000
checkbox	18	RS40N120D	N	120	40	2.8	3.5	TO-252	2500
checkbox	19	RS40N120T	N	120	40	2.8	3.5	TO-220	1000
checkbox	20	RS150N105T	N	105	150	9.8	11	TO-220	1000
checkbox	21	RS76N20T	N	76	200	17	20	TO-220	1000
checkbox	22	RS2310E	N	3	60	70	105	SOT-23	3000
checkbox	23	RS60N30D	N	30	60	22	35	TO-252	2500
checkbox	24	RS60N50D	N	50	60	14	22	TO-252	2500
checkbox	25	RS60N50T	N	50	60	14	22	TO-220	1000
checkbox	26	RS80N25W	N	80	250	30	35	TO-247	600
checkbox	27	RS630D	N	9	200	250	300	TO-252	2500
checkbox	28	RS630T	N	9	200	250	300	TO-220	1000
checkbox	29	RS640D	N	18	200	120	150	TO-252	2500
checkbox	30	RS640T	N	18	200	120	150	TO-220	1000
checkbox	31	RS40N130G	N	130	40	1.45	1.75	DFN5*6	5000
checkbox	32	RS40N180T	N	180	40	1.6	2	TO-220	1000
checkbox	33	RS60N130G	N	130	60	2.1	2.5	DFN5*6	5000
checkbox	34	RS60N200T	N	200	60	2.5	3.2	TO-220	1000
checkbox	35	RS85N140T	N	140	85	4.5	5.3	TO-220	1000
checkbox	36	RS85N140S	N	140	85	4.5	5.3	TO-263	800
checkbox	37	RS85N150T	N	150	85	2.8	3.6	TO-220	1000
checkbox	38	RS85N150S	N	150	85	2.7	3.4	TO-263	800
checkbox	39	RS100N78HT	N	78	100	8.2	9.5	TO-220	1000
checkbox	40	RS100N78T	N	78	100	8.2	9.5	TO-220	1000
checkbox	41	RS100N100T	N	100	100	7	8.5	TO-220	1000
checkbox	42	RS100N135T	N	135	100	3.7	4.2	TO-220	1000
checkbox	43	RS100N135HT	N	135	100	3.7	4.2	TO-220	1000
checkbox	44	RS100N135HS	N	135	100	4.2	5	TO-263	800
checkbox	45	RS100N180T	N	180	100	3	3.8	TO-220	1000
checkbox	46	RS100N180S	N	180	100	2.9	3.6	TO-263	800
checkbox	47	RS100N190T	N	190	100	2.3	3	TO-220	1000
checkbox	48	RS100N190S	N	190	100	2.2	2.8	TO-263	800
checkbox	49	RS110N200T	N	200	110	3.4	4	TO-220	1000
checkbox	50	RS110N200S	N	200	110	3.4	4	TO-263	800
checkbox	51	RS100N210S	N	200	100	1.9	2.4	TO-263	800
checkbox	52	RS100N210T	N	210	100	1.9	2.4	TO-220	1000
checkbox	53	RS100N300I	N	300	100	1.7	2.2	TOLL	2000
checkbox	54	RS100N60G	N	60	100	7.5	8.5	DFN5*6	5000
checkbox	55	RS100N60HG	N	60	100	7.5	8.5	DFN5*6	5000
checkbox	56	RS100N85G	N	85	100	6	7.5	DFN5*6	5000
checkbox	57	RS100N85HG	N	85	100	6	7.5	DFN5*6	5000
checkbox	58	RS100N125G	N	125	100	4	4.6	DFN5*6	5000
checkbox	59	RS100N125HG	N	125	100	4	4.6	DFN5*6	5000
checkbox	60	RS100N150HG	N	150	100	3.5	4.2	DFN5*6	5000

มอสเฟตกำลังสูง

ซิลิคอนคาร์ไบด์ MOSFET

Super Junction MOSFET (MOSFET ที่เชื่อมต่อกันสูง)

ซิลิคอนคาร์ไบด SBD

มอสเฟตแรงดันสูง

มอสเฟตแรงดันต่ำ

IGBT พลังงานสูง

ชอตกี้ แบร์ริเออร์ ไดโอด

สารกึ่งตัวนำกำลังสูง

เอสไอซี พาวเวอร์ เซมิคอนดักเตอร์

ทรานซิสเตอร์มอสเฟตพลังงานต่ําหลายฉาก SGT เสถียรด้วยความดันขั้นต่ํา