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多面性低功率モスフェットトランジスタ SGT 低しきい電圧で安定

  • Multiscene Low Power Mosfet Transistors SGT Stable With Low Threshold Voltage
起源の場所 広東省、CN
ブランド名 REASUNOS
価格 Confirm price based on product
パッケージの詳細 防塵,防水,防静的管状の包装,紙箱の中に詰め込まれる
受渡し時間 2~30日 (総量によって異なります)
支払条件 100%T/T 前払い (EXW)
供給の能力 5KK/月

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商品の詳細
電力消費量 低い電力の損失 製品名 低電圧MOSFET
トレンチプロセスの適用 ワイヤレス充電、急速充電、モータードライバー、DC/DCコンバーター、高周波スイッチ、同期整流。 SGTのプロセス利点 より多くの適用をカバーする進歩FOMの最適化。
構造プロセス トレンチ/SGT EAS機能 高い EAS 機能
抵抗 低いRDS （） トレンチプロセスの利点 より小型のRSP、直列・並列構成を自由に組み合わせて活用できます。
ハイライト

マルチシーンの低電力モスフェットトランジスタ

,

低功率モスフェットトランジスタSGT

,

低しきい電圧の安定モスフェット
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No. Part No. Type ID(A) VDSS(V) RDS(ON) Typ(mΩ) RDS(ON) Max(mΩ) Package MOQ(pcs)
1 RS2301E P -2.3 -20 70 110 SOT-23 3000
2 RS3415E P -4 -20 33 50 SOT-23 3000
3 RS2302E N 2.1 20 32 45 SOT-23 3000
4 RS2300E N 4.5 20 21 32 SOT-23 3000
5 RS2N7002E N 0.34 60 1300 5000 SOT-23 3000
6 RS20N90D N 90 20 3.7 5 TO-252 2500
7 RS3401E P -4.2 -30 50 65 SOT-23 3000
8 RS4435 P -10 -30 15 20 SOP-8 4000
9 RS3400E N 5.8 30 27 35 SOT-23 3000
10 RS30N30K N 30 30 5.8 9 DFN3*3 5000
11 RS30N50K N 50 30 3.8 5.5 DFN3*3 5000
12 RS30N60D N 60 30 6.2 7.5 TO-252 2500
13 RS30N86D N 86 30 4.7 5.5 TO-252 2500
14 RS30N120G N 120 30 3 4 DFN5*6 5000
15 RS30N150D N 150 30 3 4 TO-252 2500
16 RS30N150T N 150 30 3 4 TO-220 1000
17 RS40N100G N 100 40 2.8 3.5 DFN5*6 5000
18 RS40N120D N 120 40 2.8 3.5 TO-252 2500
19 RS40N120T N 120 40 2.8 3.5 TO-220 1000
20 RS150N105T N 105 150 9.8 11 TO-220 1000
21 RS76N20T N 76 200 17 20 TO-220 1000
22 RS2310E N 3 60 70 105 SOT-23 3000
23 RS60N30D N 30 60 22 35 TO-252 2500
24 RS60N50D N 50 60 14 22 TO-252 2500
25 RS60N50T N 50 60 14 22 TO-220 1000
26 RS80N25W N 80 250 30 35 TO-247 600
27 RS630D N 9 200 250 300 TO-252 2500
28 RS630T N 9 200 250 300 TO-220 1000
29 RS640D N 18 200 120 150 TO-252 2500
30 RS640T N 18 200 120 150 TO-220 1000
31 RS40N130G N 130 40 1.45 1.75 DFN5*6 5000
32 RS40N180T N 180 40 1.6 2 TO-220 1000
33 RS60N130G N 130 60 2.1 2.5 DFN5*6 5000
34 RS60N200T N 200 60 2.5 3.2 TO-220 1000
35 RS85N140T N 140 85 4.5 5.3 TO-220 1000
36 RS85N140S N 140 85 4.5 5.3 TO-263 800
37 RS85N150T N 150 85 2.8 3.6 TO-220 1000
38 RS85N150S N 150 85 2.7 3.4 TO-263 800
39 RS100N78HT N 78 100 8.2 9.5 TO-220 1000
40 RS100N78T N 78 100 8.2 9.5 TO-220 1000
41 RS100N100T N 100 100 7 8.5 TO-220 1000
42 RS100N135T N 135 100 3.7 4.2 TO-220 1000
43 RS100N135HT N 135 100 3.7 4.2 TO-220 1000
44 RS100N135HS N 135 100 4.2 5 TO-263 800
45 RS100N180T N 180 100 3 3.8 TO-220 1000
46 RS100N180S N 180 100 2.9 3.6 TO-263 800
47 RS100N190T N 190 100 2.3 3 TO-220 1000
48 RS100N190S N 190 100 2.2 2.8 TO-263 800
49 RS110N200T N 200 110 3.4 4 TO-220 1000
50 RS110N200S N 200 110 3.4 4 TO-263 800
51 RS100N210S N 200 100 1.9 2.4 TO-263 800
52 RS100N210T N 210 100 1.9 2.4 TO-220 1000
53 RS100N300I N 300 100 1.7 2.2 TOLL 2000
54 RS100N60G N 60 100 7.5 8.5 DFN5*6 5000
55 RS100N60HG N 60 100 7.5 8.5 DFN5*6 5000
56 RS100N85G N 85 100 6 7.5 DFN5*6 5000
57 RS100N85HG N 85 100 6 7.5 DFN5*6 5000
58 RS100N125G N 125 100 4 4.6 DFN5*6 5000
59 RS100N125HG N 125 100 4 4.6 DFN5*6 5000
60 RS100N150HG N 150 100 3.5 4.2 DFN5*6 5000
メッセージ
No. Part No. Type ID(A) VDSS(V) RDS(ON) Typ(mΩ) RDS(ON) Max(mΩ) Package MOQ(pcs)
製品の説明

低電圧MOSFET トレンチプロセス 無線充電 高EAS能力

製品説明:

低電圧MOSFETは,低ゲート電圧と低抵抗を必要とするアプリケーションで使用するために最適化されたMOSFETの一種である.優れた性能のためにトレントプロセスとSGTプロセスの技術の両方を利用する先進的な半導体装置ですSGTプロセスは,モータードライバー,5Gベースステーション,エネルギー貯蔵,高周波スイッチ,同期直線などのアプリケーションにとって理想的な技術です.突破的なFOM最適化機能があり,より多くのアプリケーションをカバーしています一方,トランッチプロセスの技術は,より小さなRSPに最適化され,連続および並列構成の両方で自由に組み合わせ,利用することができます.低電圧 MOSFET は,ワイヤレス 充電 の 理想 的 な 選択 です,高速充電,モータードライバ,DC/DC変換器,高周波スイッチ,同期直線,低Rds ((ON) と低ゲート電圧のため.

 

技術パラメータ:

製品名 低電圧MOSFET
構造プロセス トレンチ/SGT
抵抗力 低Rds ((ON)
電力消費量 低電力損失
効率性 高効率 で 信頼 できる
EAS 能力 高いEAS能力
トレンチ プロセス の 利点 小型のRSPでは,連続型と並行型の両方が自由に組み合わせて利用できます.
トレンチプロセスの応用 ワイヤレス充電 急速充電 モータードライバー DC/DC変換 高周波スイッチ シンクロノス修正
SGT プロセスの利点 突破的なFOM最適化により多くのアプリケーションをカバーします
SGTプロセスの適用 モータードライバー,5Gベースステーション エネルギー貯蔵 高周波スイッチ 同期修正
 

応用:

REASUNOS低電圧MOSFETは中国広東の製品です. 製品によって確認される競争力のある価格があります. 包装は防塵,防水,反静的です.紙箱の中に入れられ,紙箱に詰められています配送時間は2~30日です. 総量によって異なります. 支払い条件は100%T/Tで,製品には月5KKの供給能力があります.構造プロセスはTrenchかSGTか, トレンチプロセスは,より小さなRSPの利点があり,自由に組み合わせて利用できるシリーズと並列の構成の両方があります.SGTプロセスは突破的なFOM最適化の利点があります,モータードライバー,5Gベースステーション,エネルギー貯蔵,高周波スイッチ,同期矯正などのより多くのアプリケーションをカバーしています.

 

サポートとサービス

低電圧MOSFET製品には様々な技術サポートとサービスが付属しています低電圧MOSFET製品から最適な結果を得るために必要なリソースを顧客に提供しますこれらのサービスには,以下が含まれます.

  • 設計とアプリケーションサポート
  • 技術文書と資源
  • 製品に関するFAQ
  • 製品のトラブルシューティング支援
  • ソフトウェアとファームウェアの更新
  • 製品交換とアップグレード
  • 保証と修理サービス
 

梱包と輸送:

低電圧MOSFETの梱包および出荷は標準的な梱包および出荷プロセスを遵守します.製品はESD安全な静的分散袋に梱包され,静的防止の出荷箱に配置されます.箱 は 泡 の 包み で 固定 さ れ,外側 の 紙箱 に 置か れ ます.包装テープで封印される.箱には,顧客の名前,住所,連絡先が記載されている.その後,信頼性の高い配送サービスで送付される.

 

FAQ:

Q:低電圧MOSFETとは何か?
A:低電圧MOSFETは電子回路の電流を制御するためにMOSFET (金属酸化半導体場効果トランジスタ) を使用するトランジスタの一種です.
Q:低電圧MOSFETのブランド名は?
A:低電圧MOSFETのブランド名は REASUNOSです
Q:低電圧MOSFETの原産地は?
A: 低電圧MOSFETの原産地は中国広東です.
Q:低電圧MOSFETの価格は?
A: 低電圧MOSFETの価格は製品によって確認されます.
Q:低電圧MOSFETのパッケージは?
A: 低電圧MOSFETのパッケージは 防塵,防水,反静的管状のパッケージで, 紙箱の中に入れており,
Q:低電圧MOSFETの配送時間はどれくらいですか?
A: 低電圧MOSFETの配送時間は,総量に応じて 2~30日です.
Q:低電圧MOSFETの支払い条件は?
A: 低電圧MOSFETの支払い条件は 100%T/T (EXW) です.
Q:低電圧MOSFETの供給能力は?
A:低電圧MOSFETの供給能力は 5KK/月です.
札:

Nチャネル モスフェット 低スローレッジ電圧

安定低電源Pチャネルモスフェット

ベースステーション低電圧MOSFET