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Transistori Mosfet a bassa potenza multiscene SGT stabili con bassa tensione soglia

  • Multiscene Low Power Mosfet Transistors SGT Stable With Low Threshold Voltage
Luogo di origine Guangdong, CN
Marca REASUNOS
Prezzo Confirm price based on product
Imballaggi particolari Imballaggi tubulari antipolvere, impermeabili e antistatici, collocati all'interno di una scatola di
Tempi di consegna 2-30 giorni (a seconda della quantità totale)
Termini di pagamento 100% T/T in anticipo (EXW)
Capacità di alimentazione 5KK/mese

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Dettagli
Consumo di energia Perdita di potere basso Nome del prodotto MOSFET a bassa tensione
Applicazione del processo di trincea Ricarica wireless, ricarica rapida, driver motore, convertitore DC/DC, interruttore ad alta frequenz Vantaggi trattati di SGT Ottimizzazione di innovazione FOM, riguardante più applicazione.
Processo di struttura Trincea/SGT Funzionalità EAS Elevata capacità EAS
Resistenza RDS basso (SOPRA) Vantaggi del processo di trincea RSP più piccoli, entrambe le configurazioni in serie e in parallelo possono essere combinate e utili
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Transistori Mosfet a bassa potenza multiscene

,

Transistori Mosfet a bassa potenza

,

Mosfet stabile con bassa tensione di soglia
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No. Part No. Type ID(A) VDSS(V) RDS(ON) Typ(mΩ) RDS(ON) Max(mΩ) Package MOQ(pcs)
1 RS2301E P -2.3 -20 70 110 SOT-23 3000
2 RS3415E P -4 -20 33 50 SOT-23 3000
3 RS2302E N 2.1 20 32 45 SOT-23 3000
4 RS2300E N 4.5 20 21 32 SOT-23 3000
5 RS2N7002E N 0.34 60 1300 5000 SOT-23 3000
6 RS20N90D N 90 20 3.7 5 TO-252 2500
7 RS3401E P -4.2 -30 50 65 SOT-23 3000
8 RS4435 P -10 -30 15 20 SOP-8 4000
9 RS3400E N 5.8 30 27 35 SOT-23 3000
10 RS30N30K N 30 30 5.8 9 DFN3*3 5000
11 RS30N50K N 50 30 3.8 5.5 DFN3*3 5000
12 RS30N60D N 60 30 6.2 7.5 TO-252 2500
13 RS30N86D N 86 30 4.7 5.5 TO-252 2500
14 RS30N120G N 120 30 3 4 DFN5*6 5000
15 RS30N150D N 150 30 3 4 TO-252 2500
16 RS30N150T N 150 30 3 4 TO-220 1000
17 RS40N100G N 100 40 2.8 3.5 DFN5*6 5000
18 RS40N120D N 120 40 2.8 3.5 TO-252 2500
19 RS40N120T N 120 40 2.8 3.5 TO-220 1000
20 RS150N105T N 105 150 9.8 11 TO-220 1000
21 RS76N20T N 76 200 17 20 TO-220 1000
22 RS2310E N 3 60 70 105 SOT-23 3000
23 RS60N30D N 30 60 22 35 TO-252 2500
24 RS60N50D N 50 60 14 22 TO-252 2500
25 RS60N50T N 50 60 14 22 TO-220 1000
26 RS80N25W N 80 250 30 35 TO-247 600
27 RS630D N 9 200 250 300 TO-252 2500
28 RS630T N 9 200 250 300 TO-220 1000
29 RS640D N 18 200 120 150 TO-252 2500
30 RS640T N 18 200 120 150 TO-220 1000
31 RS40N130G N 130 40 1.45 1.75 DFN5*6 5000
32 RS40N180T N 180 40 1.6 2 TO-220 1000
33 RS60N130G N 130 60 2.1 2.5 DFN5*6 5000
34 RS60N200T N 200 60 2.5 3.2 TO-220 1000
35 RS85N140T N 140 85 4.5 5.3 TO-220 1000
36 RS85N140S N 140 85 4.5 5.3 TO-263 800
37 RS85N150T N 150 85 2.8 3.6 TO-220 1000
38 RS85N150S N 150 85 2.7 3.4 TO-263 800
39 RS100N78HT N 78 100 8.2 9.5 TO-220 1000
40 RS100N78T N 78 100 8.2 9.5 TO-220 1000
41 RS100N100T N 100 100 7 8.5 TO-220 1000
42 RS100N135T N 135 100 3.7 4.2 TO-220 1000
43 RS100N135HT N 135 100 3.7 4.2 TO-220 1000
44 RS100N135HS N 135 100 4.2 5 TO-263 800
45 RS100N180T N 180 100 3 3.8 TO-220 1000
46 RS100N180S N 180 100 2.9 3.6 TO-263 800
47 RS100N190T N 190 100 2.3 3 TO-220 1000
48 RS100N190S N 190 100 2.2 2.8 TO-263 800
49 RS110N200T N 200 110 3.4 4 TO-220 1000
50 RS110N200S N 200 110 3.4 4 TO-263 800
51 RS100N210S N 200 100 1.9 2.4 TO-263 800
52 RS100N210T N 210 100 1.9 2.4 TO-220 1000
53 RS100N300I N 300 100 1.7 2.2 TOLL 2000
54 RS100N60G N 60 100 7.5 8.5 DFN5*6 5000
55 RS100N60HG N 60 100 7.5 8.5 DFN5*6 5000
56 RS100N85G N 85 100 6 7.5 DFN5*6 5000
57 RS100N85HG N 85 100 6 7.5 DFN5*6 5000
58 RS100N125G N 125 100 4 4.6 DFN5*6 5000
59 RS100N125HG N 125 100 4 4.6 DFN5*6 5000
60 RS100N150HG N 150 100 3.5 4.2 DFN5*6 5000
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No. Part No. Type ID(A) VDSS(V) RDS(ON) Typ(mΩ) RDS(ON) Max(mΩ) Package MOQ(pcs)
Descrizione di prodotto

MOSFET a bassa tensione processo di trincea ricarica wireless elevata capacità EAS

Descrizione del prodotto:

Il MOSFET a bassa tensione è un tipo di MOSFET ottimizzato per l'uso in applicazioni che richiedono una bassa tensione di cancello e una bassa resistenza.È un dispositivo semiconduttore avanzato che utilizza sia il processo di trincea che le tecnologie di processo SGT per prestazioni superioriIl processo SGT è la tecnologia ideale per applicazioni quali i driver a motore, le stazioni base 5G, lo stoccaggio dell'energia, la commutazione ad alta frequenza e la rettifica sincrona.Dispone di ottimizzazione FOM innovativa e copre più applicazioniLa tecnologia di processo in trincea, invece, è ottimizzata per RSP più piccoli e può essere liberamente combinata e utilizzata sia in serie che in configurazione parallela.Il MOSFET a bassa tensione è la scelta ideale per la ricarica wireless, ricarica rapida, driver del motore, convertitore DC/DC, interruttore ad alta frequenza e rettifica sincrona, a causa del suo basso Rds ((ON) e della bassa tensione del cancello.

 

Parametri tecnici:

Nome del prodotto MOSFET a bassa tensione
Processo di struttura Fossa/SGT
Resistenza Basso Rds ((ON)
Consumo di energia Basse perdite di potenza
Efficienza Alta efficienza e affidabilità
Capacità EAS Capacità elevata di EAS
Vantaggi del processo di trincea RSP più piccole, sia le configurazioni in serie che parallele possono essere liberamente combinate e utilizzate.
Applicazione del processo di trincea Ricarica wireless, ricarica rapida, driver motore, convertitore DC/DC, interruttore ad alta frequenza, rettifica sincrona.
Vantaggi del processo SGT Ottimizzazione FOM rivoluzionaria, che copre più applicazioni.
Applicazione del processo SGT Motor Driver, Stazione base 5G, Immagazzinamento di energia, Interruttore ad alta frequenza, Rettifica sincrona.
 

Applicazioni:

REASUNOS Low Voltage MOSFET è un prodotto di Guangdong, Cina. Ha un prezzo competitivo che è confermato in base al prodotto.e viene collocato in una scatola di cartone in cartone. Il tempo di consegna è da 2-30 giorni, a seconda della quantità totale. Termini di pagamento è 100% T / T in anticipo, e il prodotto ha una capacità di fornitura di 5KK / mese.Il processo di struttura è sia Trench o SGT, con processo di trincea che ha i vantaggi di RSP più piccolo, e sia serie e configurazioni parallele che possono essere liberamente combinati e utilizzati.Il processo SGT ha i vantaggi di ottimizzazione FOM, e copre più applicazioni come Motor Driver, 5G Base Station, Energy Storage, High-Frequency Switch, Synchronous Rectification.

 

Supporto e servizi:

I prodotti MOSFET a bassa tensione sono dotati di una serie di servizi e supporto tecnico.Forniamo ai clienti le risorse necessarie per aiutarli a ottenere risultati ottimali dai loro prodotti MOSFET a bassa tensioneTali servizi comprendono:

  • Sostegno alla progettazione e all'applicazione
  • Documentazione tecnica e risorse
  • Domande frequenti sul prodotto
  • Assistenza alla risoluzione dei problemi del prodotto
  • Aggiornamenti software e firmware
  • Sostituzione e aggiornamento dei prodotti
  • Servizi di garanzia e riparazione
 

Imballaggio e trasporto:

L'imballaggio e la spedizione del MOSFET a bassa tensione seguono il processo standard di imballaggio e spedizione.La scatola viene quindi fissata con un involucro a bolle e collocata in una scatola esterna in cartoneIl pacchetto viene quindi spedito tramite un servizio di spedizione affidabile.

 

FAQ:

D: Cos'è il MOSFET a bassa tensione?
R: Il MOSFET a bassa tensione è un tipo di transistor che utilizza MOSFET (transistori a effetto campo di ossido metallico) per controllare il flusso di corrente in un circuito elettronico.
D: Qual è il marchio del MOSFET a bassa tensione?
R: Il marchio del MOSFET a bassa tensione è REASUNOS.
D: Qual è il luogo di origine del MOSFET a bassa tensione?
R: Il luogo di origine del MOSFET a bassa tensione è il Guangdong, in Cina.
D: Qual è il prezzo del MOSFET a bassa tensione?
R: Il prezzo del MOSFET a bassa tensione è il prezzo di conferma basato sul prodotto.
D: Com'è l'imballaggio del MOSFET a bassa tensione?
R: L'imballaggio del MOSFET a bassa tensione è a prova di polvere, impermeabile e antistatico, in forma di tubo, collocato in una scatola di cartone in cartone.
D: Qual è il tempo di consegna del MOSFET a bassa tensione?
R: Il tempo di consegna del MOSFET a bassa tensione è di 2-30 giorni, a seconda della quantità totale.
D: Quali sono i termini di pagamento del MOSFET a bassa tensione?
R: I termini di pagamento del MOSFET a bassa tensione sono il 100% T/T in anticipo (EXW).
D: Qual è la capacità di alimentazione del MOSFET a bassa tensione?
R: La capacità di approvvigionamento del MOSFET a bassa tensione è di 5KK/mese.
Etichette:

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