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Motorfahrer Niedrigspannung Mosfet, Multiscene Niedrig Vgs N Kanal Mosfet

  • Motor Driver Low Gate Voltage Mosfet , Multiscene Low Vgs N Channel Mosfet
Herkunftsort Guangdong, KN
Markenname REASUNOS
Preis Confirm price based on product
Verpackung Informationen Staub-, Wasser- und antistatische Rohrverpackungen, in Kartons
Lieferzeit 2-30 Tage (abhängig von der Gesamtmenge)
Zahlungsbedingungen 100% T/T im Voraus (EXW)
Versorgungsmaterial-Fähigkeit 5KK/Monat

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Produktdetails
Vorteile des Grabenverfahrens Kleinere RSPs, sowohl Serien- als auch Parallelkonfigurationen können frei kombiniert und genutzt we Widerstand Niedriges RDS (AN)
Anwendung im Grabenverfahren Kabelloses Laden, Schnellladen, Motortreiber, DC/DC-Wandler, Hochfrequenzschalter, Synchrongleichric Produktbezeichnung Niederspannungs-MOSFET
SGT-Prozessanwendung Lokführer, 5G Basisstation, Energie-Speicher, Hochfrequenzschalter, synchrone Korrektur. EAS-Fähigkeit Hohe EAS-Fähigkeit
Stromverbrauch Leistungsabfall der geringen Energie Prozess strukturieren Graben/SGT
Hervorheben

Motorfahrer Niedrigspannung Mosfet

,

N-Kanal Niedrigspannung Mosfet

,

Multiscene Niedrig Vgs N Kanal Mosfet
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No. Part No. Type ID(A) VDSS(V) RDS(ON) Typ(mΩ) RDS(ON) Max(mΩ) Package MOQ(pcs)
1 RS2301E P -2.3 -20 70 110 SOT-23 3000
2 RS3415E P -4 -20 33 50 SOT-23 3000
3 RS2302E N 2.1 20 32 45 SOT-23 3000
4 RS2300E N 4.5 20 21 32 SOT-23 3000
5 RS2N7002E N 0.34 60 1300 5000 SOT-23 3000
6 RS20N90D N 90 20 3.7 5 TO-252 2500
7 RS3401E P -4.2 -30 50 65 SOT-23 3000
8 RS4435 P -10 -30 15 20 SOP-8 4000
9 RS3400E N 5.8 30 27 35 SOT-23 3000
10 RS30N30K N 30 30 5.8 9 DFN3*3 5000
11 RS30N50K N 50 30 3.8 5.5 DFN3*3 5000
12 RS30N60D N 60 30 6.2 7.5 TO-252 2500
13 RS30N86D N 86 30 4.7 5.5 TO-252 2500
14 RS30N120G N 120 30 3 4 DFN5*6 5000
15 RS30N150D N 150 30 3 4 TO-252 2500
16 RS30N150T N 150 30 3 4 TO-220 1000
17 RS40N100G N 100 40 2.8 3.5 DFN5*6 5000
18 RS40N120D N 120 40 2.8 3.5 TO-252 2500
19 RS40N120T N 120 40 2.8 3.5 TO-220 1000
20 RS150N105T N 105 150 9.8 11 TO-220 1000
21 RS76N20T N 76 200 17 20 TO-220 1000
22 RS2310E N 3 60 70 105 SOT-23 3000
23 RS60N30D N 30 60 22 35 TO-252 2500
24 RS60N50D N 50 60 14 22 TO-252 2500
25 RS60N50T N 50 60 14 22 TO-220 1000
26 RS80N25W N 80 250 30 35 TO-247 600
27 RS630D N 9 200 250 300 TO-252 2500
28 RS630T N 9 200 250 300 TO-220 1000
29 RS640D N 18 200 120 150 TO-252 2500
30 RS640T N 18 200 120 150 TO-220 1000
31 RS40N130G N 130 40 1.45 1.75 DFN5*6 5000
32 RS40N180T N 180 40 1.6 2 TO-220 1000
33 RS60N130G N 130 60 2.1 2.5 DFN5*6 5000
34 RS60N200T N 200 60 2.5 3.2 TO-220 1000
35 RS85N140T N 140 85 4.5 5.3 TO-220 1000
36 RS85N140S N 140 85 4.5 5.3 TO-263 800
37 RS85N150T N 150 85 2.8 3.6 TO-220 1000
38 RS85N150S N 150 85 2.7 3.4 TO-263 800
39 RS100N78HT N 78 100 8.2 9.5 TO-220 1000
40 RS100N78T N 78 100 8.2 9.5 TO-220 1000
41 RS100N100T N 100 100 7 8.5 TO-220 1000
42 RS100N135T N 135 100 3.7 4.2 TO-220 1000
43 RS100N135HT N 135 100 3.7 4.2 TO-220 1000
44 RS100N135HS N 135 100 4.2 5 TO-263 800
45 RS100N180T N 180 100 3 3.8 TO-220 1000
46 RS100N180S N 180 100 2.9 3.6 TO-263 800
47 RS100N190T N 190 100 2.3 3 TO-220 1000
48 RS100N190S N 190 100 2.2 2.8 TO-263 800
49 RS110N200T N 200 110 3.4 4 TO-220 1000
50 RS110N200S N 200 110 3.4 4 TO-263 800
51 RS100N210S N 200 100 1.9 2.4 TO-263 800
52 RS100N210T N 210 100 1.9 2.4 TO-220 1000
53 RS100N300I N 300 100 1.7 2.2 TOLL 2000
54 RS100N60G N 60 100 7.5 8.5 DFN5*6 5000
55 RS100N60HG N 60 100 7.5 8.5 DFN5*6 5000
56 RS100N85G N 85 100 6 7.5 DFN5*6 5000
57 RS100N85HG N 85 100 6 7.5 DFN5*6 5000
58 RS100N125G N 125 100 4 4.6 DFN5*6 5000
59 RS100N125HG N 125 100 4 4.6 DFN5*6 5000
60 RS100N150HG N 150 100 3.5 4.2 DFN5*6 5000
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No. Part No. Type ID(A) VDSS(V) RDS(ON) Typ(mΩ) RDS(ON) Max(mΩ) Package MOQ(pcs)
Produkt-Beschreibung

Niedrigspannungs-MOSFET mit zuverlässiger und hoher EAS-Fähigkeit

Beschreibung des Produkts:

Ein Niederspannungs-MOSFET ist eine Art Hochleistungs- und Leistungsverbrauchs-Feldwirkungstransistor (FET), der eine hervorragende Leistung in Bezug auf geringen Widerstand, hohe Effizienz,und zuverlässiger BetriebEs wird mit Hilfe der fortschrittlichen MOSFET-Technologie mit niedriger Schwellenspannung hergestellt, die einen geringen Stromverlust gewährleistet und die Verwendung sowohl in Serien- als auch in Parallelkonfigurationen ermöglicht.mit einem speziellen Trench-Verfahren, ermöglicht die Optimierung des Verdienstwerts (FOM) und die Verringerung des On-Widerstands (Rds ((ON)) des MOSFET, wodurch es ideal für Anwendungen mit geringem Stromverbrauch geeignet ist.Außerdem, bietet das SGT-Verfahren zusätzliche Vorteile, wie eine erhöhte FOM-Optimierung, eine weitere Verringerung der Rds ((ON) und die Gestaltung effizienterer und zuverlässigerer Schaltungen.Niederspannungs-MOSFET ist eine großartige Lösung für Anwendungen, die hohe Leistung und geringen Stromverbrauch benötigen.

 

Technische Parameter:

Parameter Beschreibung
Produktbezeichnung Niederspannungs-MOSFET
Strukturprozess Graben/SGT
Stromverbrauch Niedriger Stromverlust
Effizienz Hochwirksam und zuverlässig
EAS-Fähigkeit Hohe EAS-Fähigkeit
Widerstand Niedrige Rds ((ON)
Anwendung des Gräbenprozesses Wireless Charging, Fast Charging, Motor-Treiber, Gleichspannungs-/ Gleichspannungsumrichter, Hochfrequenzschalter, synchrone Berichtigung.
Vorteile des Schützengrabenprozesses Kleinere RSP, sowohl Serien- als auch Parallelkonfigurationen können frei kombiniert und genutzt werden.
Anwendung des SGT-Verfahrens Motorfahrer, 5G-Basisstation, Energiespeicher, Hochfrequenzschalter, synchrone Berichtigung.
Vorteile des SGT-Verfahrens Durchbruch FOM-Optimierung, mehr Anwendung abdeckt.
 

Anwendungen:

REASUNOS Low Voltage Field Effect Transistor (Low Voltage MOSFET) ist eine ideale Wahl für Motor Driver, 5G Basisstation, Energiespeicher, Hochfrequenzschalter und synchrone Berichtigung.Es verfügt über ein Trench Low Voltage MOSFET Verfahren und hat eine niedrige VGS MOSFET Struktur, bietet hohe Effizienz und zuverlässige Leistung. Es verfügt auch über eine kleinere RSP und sowohl Serien- als auch parallele Konfigurationen können frei kombiniert und genutzt werden.und antistatische Rohrverpackungen, wird es in eine Kartonbox in Kartons für die Lieferung gelegt. Es dauert 2-30 Tage für die Lieferung (basierend auf der Gesamtmenge). Es ist zu einem wettbewerbsfähigen Preis und Lieferfähigkeit von 5KK / Monat erhältlich.Die Zahlungsbedingungen sind 100% T/T im Voraus (EXW).

 

Unterstützung und Dienstleistungen:

Technische Unterstützung und Wartung von Niederspannungs-MOSFET

In unserem Unternehmen verstehen wir, dass Qualitätsservice und -unterstützung für den Erfolg unserer Kunden unerlässlich sind.so bemühen wir uns um Unterstützung und Service für unsere Low-Voltage-MOSFET-Produkte, die die Erwartungen übersteigtUnser Team von qualifizierten Fachleuten ist bereit, bei allen technischen Supportbedürfnissen unserer Kunden zu helfen.

Wir haben ein Team von Ingenieuren und technischen Experten, die alle Fragen zu unseren Niederspannungs-MOSFET-Produkten beantworten können.Unser technisches Supportteam kann bei der Auswahl der Produkte helfen.Wir haben auch eine große Bibliothek an Ressourcen, wie Benutzerhandbücher, Anwendungsnotizen und Videos, die online verfügbar sind.

Wir bieten auch regelmäßige Wartungs- und Reparaturleistungen für unsere Niederspannungs-MOSFET-Produkte an.sowie die Bereitstellung von vorbeugenden WartungsleistungenWir stellen auch Garantien für unsere Produkte bereit, damit unsere Kunden sicher sein können, dass ihre Einkäufe geschützt sind.

In unserem Unternehmen sind wir stolz darauf, unseren Niederspannungs-MOSFET-Produkten hervorragende technische Unterstützung und Service zu bieten.Unser Team hilft unseren Kunden, das Beste aus ihren Einkäufen herauszuholen.Wenn Sie Fragen oder Bedenken bezüglich unserer Produkte haben, zögern Sie bitte nicht, uns zu kontaktieren.

 

Verpackung und Versand:

Niederspannungs-MOSFET-Produkte sollten in einer sicheren und schützenden Art und Weise verpackt und versendet werden.und Schaumpolsterung zum Schutz des Produkts vor Stoß und Vibrationen. Die Box sollte klar mit dem Produktnamen, der Menge und der Bestimmungsadresse versehen sein. Die Produkte sollten mit einem zuverlässigen Spediteur versandt werden, der Nachverfolgungsinformationen bereitstellt.

 

Häufige Fragen:

F: Welche Marke trägt das Niederspannungs-MOSFET?
A: Gründe.
F: Wo liegt der Ursprungsort?
A: Der Ursprungsort liegt in Guangdong, China.
F: Wie hoch ist der Preis für das Niederspannungs-MOSFET?
A: Bitte bestätigen Sie den Preis, der auf dem Produkt basiert.
F: Wie wird das Niederspannungs-MOSFET verpackt?
A: Das Niederspannungs-MOSFET wird in staub-, wasser- und antistatischen Rohrverpackungen verpackt und in Kartons in einem Karton verpackt.
F: Wie lange dauert die Lieferzeit?
A: Die Lieferzeit hängt von der Gesamtmenge ab und dauert in der Regel 2-30 Tage.
F: Welche Zahlungsbedingungen gelten?
A: Die Zahlungsbedingungen sind 100% T/T im Voraus (EXW).
F: Wie hoch ist die Versorgungsfähigkeit?
A: Die Lieferkapazität beträgt 5KK/Monat.
Umbauten:

N-Kanal Mosfet Niedrigspannungsschwelle

Stabil Low Power P-Kanal Mosfet

Basisstation Niederspannungs-MOSFET