Motorista Baixa Portão Voltagem Mosfet, Multiscene Baixo Vgs N Canal Mosfet

Lugar de origem Guangdong, NC
Marca REASUNOS
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Detalhes da embalagem Embalagens tubulares impermeáveis ao pó, à água e antistáticas, colocadas numa caixa de cartão em ca
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Detalhes do produto
Vantagens do processo de vala RSP menor, configurações em série e paralelas podem ser livremente combinadas e utilizadas. Resistência Baixo RDS (SOBRE)
Aplicação de processo de vala Carregamento sem fio, carregamento rápido, driver de motor, conversor DC/DC, interruptor de alta fre Nome do produto MOSFET de baixa tensão
Aplicação do processo de SGT Motorista do motor, 5G estação base, armazenamento de energia, interruptor de alta frequência, corre Capacidade EAS Alta capacidade de EAS
Consumo de energia Perda de baixa potência processo de estrutura Trincheira/SGT
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Motorista Mosfet de baixa tensão de porta

,

Mosfet de baixa tensão de porta de canal N

,

Multiscene baixo Vgs N Canal Mosfet

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No. Part No. Type ID(A) VDSS(V) RDS(ON) Typ(mΩ) RDS(ON) Max(mΩ) Package MOQ(pcs)
1 RS2301E P -2.3 -20 70 110 SOT-23 3000
2 RS3415E P -4 -20 33 50 SOT-23 3000
3 RS2302E N 2.1 20 32 45 SOT-23 3000
4 RS2300E N 4.5 20 21 32 SOT-23 3000
5 RS2N7002E N 0.34 60 1300 5000 SOT-23 3000
6 RS20N90D N 90 20 3.7 5 TO-252 2500
7 RS3401E P -4.2 -30 50 65 SOT-23 3000
8 RS4435 P -10 -30 15 20 SOP-8 4000
9 RS3400E N 5.8 30 27 35 SOT-23 3000
10 RS30N30K N 30 30 5.8 9 DFN3*3 5000
11 RS30N50K N 50 30 3.8 5.5 DFN3*3 5000
12 RS30N60D N 60 30 6.2 7.5 TO-252 2500
13 RS30N86D N 86 30 4.7 5.5 TO-252 2500
14 RS30N120G N 120 30 3 4 DFN5*6 5000
15 RS30N150D N 150 30 3 4 TO-252 2500
16 RS30N150T N 150 30 3 4 TO-220 1000
17 RS40N100G N 100 40 2.8 3.5 DFN5*6 5000
18 RS40N120D N 120 40 2.8 3.5 TO-252 2500
19 RS40N120T N 120 40 2.8 3.5 TO-220 1000
20 RS150N105T N 105 150 9.8 11 TO-220 1000
21 RS76N20T N 76 200 17 20 TO-220 1000
22 RS2310E N 3 60 70 105 SOT-23 3000
23 RS60N30D N 30 60 22 35 TO-252 2500
24 RS60N50D N 50 60 14 22 TO-252 2500
25 RS60N50T N 50 60 14 22 TO-220 1000
26 RS80N25W N 80 250 30 35 TO-247 600
27 RS630D N 9 200 250 300 TO-252 2500
28 RS630T N 9 200 250 300 TO-220 1000
29 RS640D N 18 200 120 150 TO-252 2500
30 RS640T N 18 200 120 150 TO-220 1000
31 RS40N130G N 130 40 1.45 1.75 DFN5*6 5000
32 RS40N180T N 180 40 1.6 2 TO-220 1000
33 RS60N130G N 130 60 2.1 2.5 DFN5*6 5000
34 RS60N200T N 200 60 2.5 3.2 TO-220 1000
35 RS85N140T N 140 85 4.5 5.3 TO-220 1000
36 RS85N140S N 140 85 4.5 5.3 TO-263 800
37 RS85N150T N 150 85 2.8 3.6 TO-220 1000
38 RS85N150S N 150 85 2.7 3.4 TO-263 800
39 RS100N78HT N 78 100 8.2 9.5 TO-220 1000
40 RS100N78T N 78 100 8.2 9.5 TO-220 1000
41 RS100N100T N 100 100 7 8.5 TO-220 1000
42 RS100N135T N 135 100 3.7 4.2 TO-220 1000
43 RS100N135HT N 135 100 3.7 4.2 TO-220 1000
44 RS100N135HS N 135 100 4.2 5 TO-263 800
45 RS100N180T N 180 100 3 3.8 TO-220 1000
46 RS100N180S N 180 100 2.9 3.6 TO-263 800
47 RS100N190T N 190 100 2.3 3 TO-220 1000
48 RS100N190S N 190 100 2.2 2.8 TO-263 800
49 RS110N200T N 200 110 3.4 4 TO-220 1000
50 RS110N200S N 200 110 3.4 4 TO-263 800
51 RS100N210S N 200 100 1.9 2.4 TO-263 800
52 RS100N210T N 210 100 1.9 2.4 TO-220 1000
53 RS100N300I N 300 100 1.7 2.2 TOLL 2000
54 RS100N60G N 60 100 7.5 8.5 DFN5*6 5000
55 RS100N60HG N 60 100 7.5 8.5 DFN5*6 5000
56 RS100N85G N 85 100 6 7.5 DFN5*6 5000
57 RS100N85HG N 85 100 6 7.5 DFN5*6 5000
58 RS100N125G N 125 100 4 4.6 DFN5*6 5000
59 RS100N125HG N 125 100 4 4.6 DFN5*6 5000
60 RS100N150HG N 150 100 3.5 4.2 DFN5*6 5000
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No. Part No. Type ID(A) VDSS(V) RDS(ON) Typ(mΩ) RDS(ON) Max(mΩ) Package MOQ(pcs)
Descrição de produto

MOSFET de baixa tensão de entrada com capacidade EAS confiável e elevada

Descrição do produto:

O MOSFET de baixa tensão é um tipo de transistor de efeito de campo (FET) de alto desempenho e baixo consumo de energia que oferece um desempenho excepcional em termos de baixa resistência, alta eficiência,e operação fiávelÉ fabricado utilizando a tecnologia MOSFET avançada de baixa tensão de limiar, que garante baixas perdas de potência e permite a utilização de configurações em série e paralelas.Combinado com um processo especial de Trench, permite a otimização da figura de mérito (FOM) e a redução da resistência de ligação (Rds ((ON)) do MOSFET, tornando-o ideal para aplicações que exigem baixo consumo de energia.Além disso,, o processo SGT oferece vantagens adicionais, tais como o aumento da otimização FOM, reduzindo ainda mais o Rds ((ON) e permitindo o projeto de circuitos mais eficientes e confiáveis.O MOSFET de baixa tensão é uma ótima solução para aplicações que necessitam de alto desempenho e baixo consumo de energia.

 

Parâmetros técnicos:

Parâmetros Descrição
Nome do produto MOSFET de baixa tensão
Processo de estrutura Tranche/SGT
Consumo de energia Baixa perda de potência
Eficiência Alta eficiência e fiabilidade
Capacidade do EAS Alta capacidade de EAS
Resistência Baixa Rds ((ON)
Aplicação do processo de trincheira Carregamento sem fio, carregamento rápido, motorista, conversor DC/DC, interruptor de alta frequência, retificação síncrona.
Vantagens do processo de trincheira RSPs menores, com configurações em série e paralelas, podem ser combinadas e utilizadas livremente.
Aplicação do processo SGT Motorista, Estação Base 5G, Armazenamento de Energia, Comutador de Alta Frequência, Rectificação Sincrónica.
Vantagens do processo SGT Otimização FOM avançada, cobrindo mais aplicações.
 

Aplicações:

O transistor de efeito de campo de baixa tensão REASUNOS (MOSFET de baixa tensão) é uma escolha ideal para motorista, estação base 5G, armazenamento de energia, interruptor de alta frequência e retificação síncrona.Possui um processo MOSFET de baixa tensão de trincheira e tem uma estrutura MOSFET de baixa VGSO sistema de proteção do motor, que permite a utilização de um motor de dois cilindros, permite a utilização de um motor de dois cilindros, que oferece uma elevada eficiência e um desempenho fiável.e embalagens tubulares antiestáticasO produto é colocado dentro de uma caixa de papelão em caixas de papelão para entrega. Demora 2-30 dias para entrega (com base na quantidade total).Os termos de pagamento são 100% T/T adiantado ((EXW).

 

Apoio e Serviços:

Suporte técnico e serviço de MOSFET de baixa tensão

Na nossa empresa, entendemos que o serviço de qualidade e apoio são essenciais para o sucesso dos nossos clientes,Então nós nos esforçamos para fornecer suporte e serviço para os nossos produtos MOSFET de baixa tensão que excede as expectativasA nossa equipa de profissionais qualificados está disponível para ajudar com todas as necessidades de apoio técnico que os nossos clientes possam ter.

Temos uma equipe de engenheiros e especialistas técnicos que estão disponíveis para responder a qualquer pergunta sobre nossos produtos MOSFET de baixa tensão.A nossa equipa de apoio técnico pode prestar assistência com a selecção do produtoTambém temos uma vasta biblioteca de recursos, tais como manuais de usuário, notas de aplicação e vídeos, que estão disponíveis online.

Oferecemos também serviços de manutenção e reparação regulares para os nossos produtos MOSFET de baixa tensão.e prestar serviços de manutenção preventivaTambém fornecemos garantias sobre os nossos produtos, para que os nossos clientes possam ter a certeza de que as suas compras estão protegidas.

Na nossa empresa, orgulhamos-nos de fornecer excelente suporte técnico e serviço para os nossos produtos MOSFET de Baixa Tensão.A nossa equipa dedica-se a ajudar os nossos clientes a tirar o máximo partido das suas compras.Se tiver quaisquer dúvidas ou preocupações sobre os nossos produtos, não hesite em contactar-nos.

 

Embalagem e transporte:

Os produtos MOSFET de baixa tensão devem ser embalados e enviados de forma segura e protetora.e amortecimento de espuma para proteger o produto de choques e vibrações. A caixa deve ser claramente rotulada com o nome do produto, quantidade e endereço de destino. Os produtos devem ser enviados com um transportador confiável que forneça informações de rastreamento.

 

Perguntas frequentes:

P: Qual é a marca do MOSFET de baixa tensão?
A: Razões.
P: Onde é o local de origem?
R: O local de origem é em Guangdong, China.
P: Qual é o preço do MOSFET de baixa tensão?
R: Por favor, confirme o preço com base no produto.
P: Como é que o MOSFET de Baixa Tensão é embalado?
R: O MOSFET de baixa tensão é embalado em embalagens tubulares à prova de poeira, à prova de água e antistáticas, colocadas dentro de uma caixa de papelão em caixas de papelão.
Q: Quanto tempo dura a entrega?
R: O prazo de entrega depende da quantidade total e normalmente leva 2 a 30 dias.
Q: Quais são os termos de pagamento?
R: Os termos de pagamento são 100% T/T adiantado (EXW).
P: Qual é a capacidade de abastecimento?
R: A capacidade de abastecimento é de 5KK/mês.