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Conducteur moteur basse tension Mosfet, Multiscene basse Vgs N canal Mosfet

  • Motor Driver Low Gate Voltage Mosfet , Multiscene Low Vgs N Channel Mosfet
Lieu d'origine Guangdong, NC
Nom de marque REASUNOS
Prix Confirm price based on product
Détails d'emballage Emballages tubulaires à l'épreuve de la poussière, de l'eau et antistatiques, placés dans une boîte
Délai de livraison 2 à 30 jours (selon la quantité totale)
Conditions de paiement 100% T/T à l'avance
Capacité d'approvisionnement 5KK/mois

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Détails sur le produit
Avantages du procédé de tranchée Un RSP plus petit, les configurations série et parallèle peuvent être librement combinées et utilisé Résistance Le bas RDS (DESSUS)
Application du procédé de tranchée Chargement sans fil, charge rapide, pilote de moteur, convertisseur DC/DC, commutateur haute fréquen Nom du produit MOSFET basse tension
Application de processus de SGT Conducteur de moteur, station de la base 5G, stockage de l'énergie, commutateur à haute fréquence, r Capacité EAS Capacité EAS élevée
Consommation d'électricité Perte de puissance faible Processus de structuration Tranchée/SGT
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Conducteur moteur basse tension de la porte Mosfet

,

Mosfet de basse tension de la porte du canal N

,

Multi-scène basse VGS N Canal Mosfet
Vous pouvez cocher les produits dont vous avez besoin et communiquer avec nous dans le babillard électronique.
No. Part No. Type ID(A) VDSS(V) RDS(ON) Typ(mΩ) RDS(ON) Max(mΩ) Package MOQ(pcs)
1 RS2301E P -2.3 -20 70 110 SOT-23 3000
2 RS3415E P -4 -20 33 50 SOT-23 3000
3 RS2302E N 2.1 20 32 45 SOT-23 3000
4 RS2300E N 4.5 20 21 32 SOT-23 3000
5 RS2N7002E N 0.34 60 1300 5000 SOT-23 3000
6 RS20N90D N 90 20 3.7 5 TO-252 2500
7 RS3401E P -4.2 -30 50 65 SOT-23 3000
8 RS4435 P -10 -30 15 20 SOP-8 4000
9 RS3400E N 5.8 30 27 35 SOT-23 3000
10 RS30N30K N 30 30 5.8 9 DFN3*3 5000
11 RS30N50K N 50 30 3.8 5.5 DFN3*3 5000
12 RS30N60D N 60 30 6.2 7.5 TO-252 2500
13 RS30N86D N 86 30 4.7 5.5 TO-252 2500
14 RS30N120G N 120 30 3 4 DFN5*6 5000
15 RS30N150D N 150 30 3 4 TO-252 2500
16 RS30N150T N 150 30 3 4 TO-220 1000
17 RS40N100G N 100 40 2.8 3.5 DFN5*6 5000
18 RS40N120D N 120 40 2.8 3.5 TO-252 2500
19 RS40N120T N 120 40 2.8 3.5 TO-220 1000
20 RS150N105T N 105 150 9.8 11 TO-220 1000
21 RS76N20T N 76 200 17 20 TO-220 1000
22 RS2310E N 3 60 70 105 SOT-23 3000
23 RS60N30D N 30 60 22 35 TO-252 2500
24 RS60N50D N 50 60 14 22 TO-252 2500
25 RS60N50T N 50 60 14 22 TO-220 1000
26 RS80N25W N 80 250 30 35 TO-247 600
27 RS630D N 9 200 250 300 TO-252 2500
28 RS630T N 9 200 250 300 TO-220 1000
29 RS640D N 18 200 120 150 TO-252 2500
30 RS640T N 18 200 120 150 TO-220 1000
31 RS40N130G N 130 40 1.45 1.75 DFN5*6 5000
32 RS40N180T N 180 40 1.6 2 TO-220 1000
33 RS60N130G N 130 60 2.1 2.5 DFN5*6 5000
34 RS60N200T N 200 60 2.5 3.2 TO-220 1000
35 RS85N140T N 140 85 4.5 5.3 TO-220 1000
36 RS85N140S N 140 85 4.5 5.3 TO-263 800
37 RS85N150T N 150 85 2.8 3.6 TO-220 1000
38 RS85N150S N 150 85 2.7 3.4 TO-263 800
39 RS100N78HT N 78 100 8.2 9.5 TO-220 1000
40 RS100N78T N 78 100 8.2 9.5 TO-220 1000
41 RS100N100T N 100 100 7 8.5 TO-220 1000
42 RS100N135T N 135 100 3.7 4.2 TO-220 1000
43 RS100N135HT N 135 100 3.7 4.2 TO-220 1000
44 RS100N135HS N 135 100 4.2 5 TO-263 800
45 RS100N180T N 180 100 3 3.8 TO-220 1000
46 RS100N180S N 180 100 2.9 3.6 TO-263 800
47 RS100N190T N 190 100 2.3 3 TO-220 1000
48 RS100N190S N 190 100 2.2 2.8 TO-263 800
49 RS110N200T N 200 110 3.4 4 TO-220 1000
50 RS110N200S N 200 110 3.4 4 TO-263 800
51 RS100N210S N 200 100 1.9 2.4 TO-263 800
52 RS100N210T N 210 100 1.9 2.4 TO-220 1000
53 RS100N300I N 300 100 1.7 2.2 TOLL 2000
54 RS100N60G N 60 100 7.5 8.5 DFN5*6 5000
55 RS100N60HG N 60 100 7.5 8.5 DFN5*6 5000
56 RS100N85G N 85 100 6 7.5 DFN5*6 5000
57 RS100N85HG N 85 100 6 7.5 DFN5*6 5000
58 RS100N125G N 125 100 4 4.6 DFN5*6 5000
59 RS100N125HG N 125 100 4 4.6 DFN5*6 5000
60 RS100N150HG N 150 100 3.5 4.2 DFN5*6 5000
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No. Part No. Type ID(A) VDSS(V) RDS(ON) Typ(mΩ) RDS(ON) Max(mΩ) Package MOQ(pcs)
Description de produit

MOSFET à basse tension avec une capacité EAS fiable et élevée

Description du produit:

Le MOSFET basse tension est un type de transistor à effet de champ (FET) à haute performance et à faible consommation d'énergie qui offre des performances exceptionnelles en termes de faible résistance, de haute efficacité,et fonctionnement fiableIl est fabriqué à l'aide de la technologie MOSFET avancée à basse tension de seuil, qui garantit une faible perte de puissance et permet l'utilisation de configurations en série et en parallèle.combiné avec un procédé spécial de Trench, permet d'optimiser le chiffre de mérite (FOM) et de réduire la résistance d'allumage (Rds ((ON)) du MOSFET, ce qui le rend idéal pour les applications nécessitant une faible consommation d'énergie.En outre,, le procédé SGT offre des avantages supplémentaires, tels qu'une optimisation accrue du FOM, une réduction supplémentaire du Rds ((ON) et la conception de circuits plus efficaces et fiables.Le MOSFET basse tension est une excellente solution pour les applications nécessitant des performances élevées et une faible consommation d'énergie.

 

Paramètres techniques:

Paramètres Définition
Nom du produit MOSFET à basse tension
Processus de la structure Traînée/SGT
Consommation d'électricité Faible perte de puissance
Efficacité Très efficace et fiable
Capacité du SEA Capacité EAS élevée
Résistance Rds bas ((ON)
Application du procédé des tranchées Chargement sans fil, charge rapide, pilote de moteur, convertisseur CC/DC, commutateur haute fréquence, rectification synchrone.
Les avantages du procédé de tranchée Les RSP plus petits, à la fois en série et en parallèle, peuvent être librement combinés et utilisés.
Application du procédé SGT Conducteur, station de base 5G, stockage d'énergie, commutateur haute fréquence, rectification synchrone.
Avantages du procédé SGT Optimisation FOM révolutionnaire, couvrant plus d'application.
 

Applications:

Le transistor à effet de champ basse tension REASUNOS (MOSFET basse tension) est un choix idéal pour le pilote de moteur, la station de base 5G, le stockage d'énergie, le commutateur haute fréquence et la rectification synchrone.Il présente un processus MOSFET à basse tension de tranchée et a une structure MOSFET VGS basse, offrant une efficacité élevée et des performances fiables. Il a également un RSP plus petit et les deux configurations en série et en parallèle peuvent être librement combinées et utilisées.et emballage tubulaire antistatique, il est placé dans une boîte en carton dans des cartons pour la livraison. Il faut 2 à 30 jours pour la livraison (en fonction de la quantité totale). Il est disponible à un prix compétitif et une capacité d'approvisionnement de 5KK / mois.Les conditions de paiement sont 100% T/T à l'avance (EXW).

 

Assistance et services:

Assistance technique et service des MOSFET basse tension

Chez nous, nous comprenons que le service et le soutien de qualité sont essentiels au succès de nos clients.Nous nous efforçons donc de fournir un support et un service pour nos produits MOSFET basse tension qui dépasse les attentesNotre équipe de professionnels qualifiés est disponible pour répondre à tous les besoins de support technique de nos clients.

Nous avons une équipe d'ingénieurs et d'experts techniques qui sont disponibles pour répondre à toutes les questions concernant nos produits MOSFET basse tension.Notre équipe de support technique peut vous aider à sélectionner le produit.Nous avons également une vaste bibliothèque de ressources, telles que des manuels d'utilisation, des notes d'application et des vidéos, qui sont disponibles en ligne.

Notre équipe de techniciens expérimentés est disponible pour inspecter et réparer tous les composants défectueux,ainsi que de fournir des services de maintenance préventiveNous offrons également des garanties sur nos produits, afin que nos clients puissent être sûrs que leurs achats sont protégés.

Dans notre entreprise, nous sommes fiers de fournir un excellent support technique et un excellent service pour nos produits MOSFET basse tension.Notre équipe est dédiée à aider nos clients à tirer le meilleur parti de leurs achats.Si vous avez des questions ou des préoccupations concernant nos produits, n'hésitez pas à nous contacter.

 

Emballage et expédition

Les produits MOSFET basse tension doivent être emballés et expédiés de manière sûre et protectrice.et amortissement en mousse pour protéger le produit contre les chocs et les vibrations. La boîte doit être clairement étiquetée avec le nom du produit, la quantité et l'adresse de destination. Les produits doivent être expédiés avec un transporteur fiable qui fournit des informations de suivi.

 

FAQ:

Q: Quel est le nom de marque du MOSFET basse tension?
R: Les raisons.
Q: Où se trouve le lieu d'origine?
R: Le lieu d'origine est le Guangdong, en Chine.
Q: Quel est le prix du MOSFET basse tension?
R: Veuillez confirmer le prix en fonction du produit.
Q: Comment le MOSFET basse tension est-il emballé?
R: Le MOSFET basse tension est emballé dans un emballage tubulaire antipoussière, imperméable à l'eau et antistatique, placé dans une boîte en carton dans des cartons.
Q: Quelle est la durée de livraison?
R: Le délai de livraison dépend de la quantité totale et prend généralement 2 à 30 jours.
Q: Quelles sont les conditions de paiement?
R: Les conditions de paiement sont de 100% T/T à l'avance (EXW).
Q: Quelle est la capacité d'approvisionnement?
R: La capacité d'approvisionnement est de 5KK/mois.
Étiquettes:

N-canal Mosfet basse tension de seuil

Mosfet de canal P à faible puissance stable

MOSFET basse tension de la station de base