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Conductor de motor de baja tensión Mosfet, Multiscene baja Vgs N canal Mosfet

  • Motor Driver Low Gate Voltage Mosfet , Multiscene Low Vgs N Channel Mosfet
Lugar de origen Guangdong, NC
Nombre de la marca REASUNOS
Precio Confirm price based on product
Detalles de empaquetado Envases tubulares a prueba de polvo, agua y antistáticos, colocados en una caja de cartón en cartone
Tiempo de entrega 2-30 días (depende de la cantidad total)
Condiciones de pago 100% T/T por adelantado (EXW)
Capacidad de la fuente 5KK/mes

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Datos del producto
Ventajas del proceso de zanja RSP más pequeño, tanto en serie como en paralelo, se pueden combinar y utilizar libremente. Resistencia RDS bajo (ENCENDIDO)
Aplicación del proceso de zanja Carga inalámbrica, carga rápida, controlador de motor, convertidor CC/CC, interruptor de alta frecue Nombre del producto MOSFET de bajo voltaje
Uso de proceso de SGT Conductor del motor, 5G estación base, almacenamiento de energía, interruptor de alta frecuencia, re Capacidad EAS Alta capacidad EAS
Consumo de energía Pérdida de la energía baja Proceso de estructura Trinchera/SGT
Resaltar

Conducción del motor Mosfet de voltaje de puerta baja

,

Mosfet de baja tensión de entrada de canal N

,

Multiscene bajo Vgs N Canal Mosfet
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No. Part No. Type ID(A) VDSS(V) RDS(ON) Typ(mΩ) RDS(ON) Max(mΩ) Package MOQ(pcs)
1 RS2301E P -2.3 -20 70 110 SOT-23 3000
2 RS3415E P -4 -20 33 50 SOT-23 3000
3 RS2302E N 2.1 20 32 45 SOT-23 3000
4 RS2300E N 4.5 20 21 32 SOT-23 3000
5 RS2N7002E N 0.34 60 1300 5000 SOT-23 3000
6 RS20N90D N 90 20 3.7 5 TO-252 2500
7 RS3401E P -4.2 -30 50 65 SOT-23 3000
8 RS4435 P -10 -30 15 20 SOP-8 4000
9 RS3400E N 5.8 30 27 35 SOT-23 3000
10 RS30N30K N 30 30 5.8 9 DFN3*3 5000
11 RS30N50K N 50 30 3.8 5.5 DFN3*3 5000
12 RS30N60D N 60 30 6.2 7.5 TO-252 2500
13 RS30N86D N 86 30 4.7 5.5 TO-252 2500
14 RS30N120G N 120 30 3 4 DFN5*6 5000
15 RS30N150D N 150 30 3 4 TO-252 2500
16 RS30N150T N 150 30 3 4 TO-220 1000
17 RS40N100G N 100 40 2.8 3.5 DFN5*6 5000
18 RS40N120D N 120 40 2.8 3.5 TO-252 2500
19 RS40N120T N 120 40 2.8 3.5 TO-220 1000
20 RS150N105T N 105 150 9.8 11 TO-220 1000
21 RS76N20T N 76 200 17 20 TO-220 1000
22 RS2310E N 3 60 70 105 SOT-23 3000
23 RS60N30D N 30 60 22 35 TO-252 2500
24 RS60N50D N 50 60 14 22 TO-252 2500
25 RS60N50T N 50 60 14 22 TO-220 1000
26 RS80N25W N 80 250 30 35 TO-247 600
27 RS630D N 9 200 250 300 TO-252 2500
28 RS630T N 9 200 250 300 TO-220 1000
29 RS640D N 18 200 120 150 TO-252 2500
30 RS640T N 18 200 120 150 TO-220 1000
31 RS40N130G N 130 40 1.45 1.75 DFN5*6 5000
32 RS40N180T N 180 40 1.6 2 TO-220 1000
33 RS60N130G N 130 60 2.1 2.5 DFN5*6 5000
34 RS60N200T N 200 60 2.5 3.2 TO-220 1000
35 RS85N140T N 140 85 4.5 5.3 TO-220 1000
36 RS85N140S N 140 85 4.5 5.3 TO-263 800
37 RS85N150T N 150 85 2.8 3.6 TO-220 1000
38 RS85N150S N 150 85 2.7 3.4 TO-263 800
39 RS100N78HT N 78 100 8.2 9.5 TO-220 1000
40 RS100N78T N 78 100 8.2 9.5 TO-220 1000
41 RS100N100T N 100 100 7 8.5 TO-220 1000
42 RS100N135T N 135 100 3.7 4.2 TO-220 1000
43 RS100N135HT N 135 100 3.7 4.2 TO-220 1000
44 RS100N135HS N 135 100 4.2 5 TO-263 800
45 RS100N180T N 180 100 3 3.8 TO-220 1000
46 RS100N180S N 180 100 2.9 3.6 TO-263 800
47 RS100N190T N 190 100 2.3 3 TO-220 1000
48 RS100N190S N 190 100 2.2 2.8 TO-263 800
49 RS110N200T N 200 110 3.4 4 TO-220 1000
50 RS110N200S N 200 110 3.4 4 TO-263 800
51 RS100N210S N 200 100 1.9 2.4 TO-263 800
52 RS100N210T N 210 100 1.9 2.4 TO-220 1000
53 RS100N300I N 300 100 1.7 2.2 TOLL 2000
54 RS100N60G N 60 100 7.5 8.5 DFN5*6 5000
55 RS100N60HG N 60 100 7.5 8.5 DFN5*6 5000
56 RS100N85G N 85 100 6 7.5 DFN5*6 5000
57 RS100N85HG N 85 100 6 7.5 DFN5*6 5000
58 RS100N125G N 125 100 4 4.6 DFN5*6 5000
59 RS100N125HG N 125 100 4 4.6 DFN5*6 5000
60 RS100N150HG N 150 100 3.5 4.2 DFN5*6 5000
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No. Part No. Type ID(A) VDSS(V) RDS(ON) Typ(mΩ) RDS(ON) Max(mΩ) Package MOQ(pcs)
Descripción de producto

MOSFET de baja tensión de puerta con capacidad EAS confiable y alta

Descripción del producto:

El MOSFET de bajo voltaje es un tipo de transistor de efecto de campo (FET) de alto rendimiento y bajo consumo de energía que proporciona un rendimiento excepcional en términos de baja resistencia, alta eficiencia,y funcionamiento fiableSe fabrica con tecnología MOSFET avanzada de bajo voltaje de umbral, que garantiza una baja pérdida de potencia y permite la utilización de configuraciones tanto en serie como en paralelo.combinado con un proceso especial de trinchera, permite la optimización de la cifra de mérito (FOM) y la reducción de la resistencia de encendido (Rds ((ON)) del MOSFET, por lo que es ideal para aplicaciones que requieren un bajo consumo de energía.Además,, el proceso SGT proporciona ventajas adicionales, como una mayor optimización de FOM, reduciendo aún más el Rds ((ON) y permitiendo el diseño de circuitos más eficientes y confiables.El MOSFET de baja tensión es una gran solución para aplicaciones que necesitan alto rendimiento y bajo consumo de energía.

 

Parámetros técnicos:

Parámetros Descripción
Nombre del producto MOSFET de baja tensión
Proceso de estructura En el caso de las empresas de transporte de mercancías
Consumo de energía Baja pérdida de energía
Eficiencia Alta eficiencia y fiabilidad
Capacidad de EAS Capacidad EAS elevada
Resistencia Bajo Rds ((ON)
Aplicación del proceso de zanja Carga inalámbrica, carga rápida, conductor del motor, convertidor de CC/CC, interruptor de alta frecuencia, rectificación síncrona.
Ventajas del proceso de zanja RSP más pequeño, tanto en serie y configuraciones paralelas se pueden combinar y utilizar libremente.
Aplicación del proceso SGT El conductor del motor, la estación base 5G, el almacenamiento de energía, el interruptor de alta frecuencia, la rectificación síncrona.
Ventajas del proceso SGT La optimización de FOM, que cubre más aplicaciones.
 

Aplicaciones:

El transistor de efecto de campo de bajo voltaje REASUNOS (MOSFET de bajo voltaje) es una opción ideal para el conductor del motor, la estación base 5G, el almacenamiento de energía, el interruptor de alta frecuencia y la rectificación síncrona.Cuenta con un proceso MOSFET de Trench Low Voltage y tiene una estructura MOSFET VGS baja, proporcionando una alta eficiencia y un rendimiento fiable. También tiene un RSP más pequeño y ambas configuraciones en serie y paralelas se pueden combinar y utilizar libremente.y envases tubulares antistaticos, se coloca dentro de una caja de cartón en cajas de cartón para la entrega. Toma 2-30 días para la entrega (basado en la cantidad total). Está disponible a un precio competitivo y capacidad de suministro de 5KK / mes.Las condiciones de pago son 100% T/T por adelantado ((EXW).

 

Apoyo y servicios:

Soporte técnico y servicio de MOSFET de baja tensión

En nuestra compañía, entendemos que el servicio de calidad y el apoyo son esenciales para el éxito de nuestros clientes,Así que nos esforzamos por proporcionar soporte y servicio para nuestros productos MOSFET de bajo voltaje que supera las expectativasNuestro equipo de profesionales calificados está disponible para ayudar con cualquier y todas las necesidades de soporte técnico que nuestros clientes puedan tener.

Tenemos un equipo de ingenieros y expertos técnicos que están disponibles para responder cualquier pregunta sobre nuestros productos MOSFET de bajo voltaje.Nuestro equipo de soporte técnico puede proporcionar asistencia con la selección de productosTambién tenemos una vasta biblioteca de recursos, como manuales de usuario, notas de aplicación y videos, que están disponibles en línea.

Nuestro equipo de técnicos experimentados está disponible para inspeccionar y reparar cualquier componente defectuoso,así como proporcionar servicios de mantenimiento preventivoTambién ofrecemos garantías sobre nuestros productos, para que nuestros clientes puedan estar seguros de que sus compras están protegidas.

En nuestra empresa, nos enorgullecemos de proporcionar un excelente soporte técnico y servicio para nuestros productos MOSFET de bajo voltaje.Nuestro equipo se dedica a ayudar a nuestros clientes a sacar el máximo provecho de sus compras.Si tiene alguna pregunta o inquietud acerca de nuestros productos, no dude en contactarnos.

 

Embalaje y envío:

Los productos MOSFET de baja tensión deben empaquetarse y enviarse de manera segura y protectora.y amortiguación de espuma para proteger el producto de golpes y vibraciones. La caja debe estar claramente etiquetada con el nombre del producto, la cantidad y la dirección de destino. Los productos deben enviarse con un transportista confiable que proporcione información de seguimiento.

 

Preguntas frecuentes:

P: ¿Cuál es la marca del MOSFET de bajo voltaje?
R: Las razones.
P: ¿Dónde está el lugar de origen?
R: El lugar de origen es Guangdong, China.
P: ¿Cuál es el precio del MOSFET de bajo voltaje?
R: Por favor, confirme el precio basado en el producto.
P: ¿Cómo se empaqueta el MOSFET de bajo voltaje?
R: El MOSFET de bajo voltaje está envasado en un embalaje tubular a prueba de polvo, a prueba de agua y antistatico, colocado dentro de una caja de cartón en cartones.
P: ¿Cuánto tiempo dura la entrega?
R: El tiempo de entrega depende de la cantidad total y suele tardar de 2 a 30 días.
P: ¿Cuáles son las condiciones de pago?
R: Los términos de pago son 100% T/T por adelantado (EXW).
P: ¿Cuál es la capacidad de suministro?
R: La capacidad de suministro es de 5KK/mes.
Etiquetas:

Tensión de umbral bajo del canal N Mosfet

Mosfet de canal P de baja potencia estable

MOSFET de baja tensión de la estación base