Pengemudi Motor Low Gate Voltage Mosfet, Multiscene Low Vgs N Channel Mosfet

Tempat asal Guangdong, CN
Nama merek REASUNOS
Harga Confirm price based on product
Kemasan rincian Kemasan berbentuk tabung tahan debu, tahan air, dan antistatis, ditempatkan di dalam kotak karton da
Waktu pengiriman 2-30 hari (Tergantung Jumlah Total)
Syarat-syarat pembayaran 100% T/T di Muka (EXW)
Menyediakan kemampuan 5KK/bulan

Hubungi saya untuk sampel dan kupon gratis.

Ada apa:0086 18588475571

Wechat wechat: 0086 18588475571

Skype: sales10@aixton.com

Jika Anda memiliki kekhawatiran, kami menyediakan bantuan online 24 jam.

x
Detail produk
Keuntungan proses parit RSP Lebih Kecil, Konfigurasi Seri Maupun Paralel Dapat Dikombinasikan Dan Dimanfaatkan Secara Bebas. Perlawanan Rds Rendah (AKTIF)
Aplikasi proses parit Pengisian Nirkabel, Pengisian Cepat, Driver Motor, Konverter DC/DC, Sakelar Frekuensi Tinggi, Rektif Nama produk MOSFET Tegangan Rendah
Aplikasi proses SGT Pengemudi Motor, Pemancar 5G, Penyimpanan Energi, Sakelar Frekuensi Tinggi, Rektifikasi Sinkron. kemampuan EAS Kemampuan EAS Tinggi
Konsumsi daya Kehilangan Daya Rendah Proses struktur Parit/SGT
Menyoroti

Pengemudi Motor Low Gate Voltage Mosfet

,

N Channel Low Gate Voltage Mosfet

,

Multiscene Low Vgs N Saluran Mosfet

Anda dapat mencentang produk yang Anda butuhkan dan berkomunikasi dengan kami di papan pesan.
No. Part No. Type ID(A) VDSS(V) RDS(ON) Typ(mΩ) RDS(ON) Max(mΩ) Package MOQ(pcs)
1 RS2301E P -2.3 -20 70 110 SOT-23 3000
2 RS3415E P -4 -20 33 50 SOT-23 3000
3 RS2302E N 2.1 20 32 45 SOT-23 3000
4 RS2300E N 4.5 20 21 32 SOT-23 3000
5 RS2N7002E N 0.34 60 1300 5000 SOT-23 3000
6 RS20N90D N 90 20 3.7 5 TO-252 2500
7 RS3401E P -4.2 -30 50 65 SOT-23 3000
8 RS4435 P -10 -30 15 20 SOP-8 4000
9 RS3400E N 5.8 30 27 35 SOT-23 3000
10 RS30N30K N 30 30 5.8 9 DFN3*3 5000
11 RS30N50K N 50 30 3.8 5.5 DFN3*3 5000
12 RS30N60D N 60 30 6.2 7.5 TO-252 2500
13 RS30N86D N 86 30 4.7 5.5 TO-252 2500
14 RS30N120G N 120 30 3 4 DFN5*6 5000
15 RS30N150D N 150 30 3 4 TO-252 2500
16 RS30N150T N 150 30 3 4 TO-220 1000
17 RS40N100G N 100 40 2.8 3.5 DFN5*6 5000
18 RS40N120D N 120 40 2.8 3.5 TO-252 2500
19 RS40N120T N 120 40 2.8 3.5 TO-220 1000
20 RS150N105T N 105 150 9.8 11 TO-220 1000
21 RS76N20T N 76 200 17 20 TO-220 1000
22 RS2310E N 3 60 70 105 SOT-23 3000
23 RS60N30D N 30 60 22 35 TO-252 2500
24 RS60N50D N 50 60 14 22 TO-252 2500
25 RS60N50T N 50 60 14 22 TO-220 1000
26 RS80N25W N 80 250 30 35 TO-247 600
27 RS630D N 9 200 250 300 TO-252 2500
28 RS630T N 9 200 250 300 TO-220 1000
29 RS640D N 18 200 120 150 TO-252 2500
30 RS640T N 18 200 120 150 TO-220 1000
31 RS40N130G N 130 40 1.45 1.75 DFN5*6 5000
32 RS40N180T N 180 40 1.6 2 TO-220 1000
33 RS60N130G N 130 60 2.1 2.5 DFN5*6 5000
34 RS60N200T N 200 60 2.5 3.2 TO-220 1000
35 RS85N140T N 140 85 4.5 5.3 TO-220 1000
36 RS85N140S N 140 85 4.5 5.3 TO-263 800
37 RS85N150T N 150 85 2.8 3.6 TO-220 1000
38 RS85N150S N 150 85 2.7 3.4 TO-263 800
39 RS100N78HT N 78 100 8.2 9.5 TO-220 1000
40 RS100N78T N 78 100 8.2 9.5 TO-220 1000
41 RS100N100T N 100 100 7 8.5 TO-220 1000
42 RS100N135T N 135 100 3.7 4.2 TO-220 1000
43 RS100N135HT N 135 100 3.7 4.2 TO-220 1000
44 RS100N135HS N 135 100 4.2 5 TO-263 800
45 RS100N180T N 180 100 3 3.8 TO-220 1000
46 RS100N180S N 180 100 2.9 3.6 TO-263 800
47 RS100N190T N 190 100 2.3 3 TO-220 1000
48 RS100N190S N 190 100 2.2 2.8 TO-263 800
49 RS110N200T N 200 110 3.4 4 TO-220 1000
50 RS110N200S N 200 110 3.4 4 TO-263 800
51 RS100N210S N 200 100 1.9 2.4 TO-263 800
52 RS100N210T N 210 100 1.9 2.4 TO-220 1000
53 RS100N300I N 300 100 1.7 2.2 TOLL 2000
54 RS100N60G N 60 100 7.5 8.5 DFN5*6 5000
55 RS100N60HG N 60 100 7.5 8.5 DFN5*6 5000
56 RS100N85G N 85 100 6 7.5 DFN5*6 5000
57 RS100N85HG N 85 100 6 7.5 DFN5*6 5000
58 RS100N125G N 125 100 4 4.6 DFN5*6 5000
59 RS100N125HG N 125 100 4 4.6 DFN5*6 5000
60 RS100N150HG N 150 100 3.5 4.2 DFN5*6 5000
Tinggalkan pesan
No. Part No. Type ID(A) VDSS(V) RDS(ON) Typ(mΩ) RDS(ON) Max(mΩ) Package MOQ(pcs)
Deskripsi Produk

Low Gate Voltage MOSFET dengan Kemampuan EAS yang Dapat Diandalkan dan Tinggi

Deskripsi produk:

MOSFET Tegangan Rendah adalah jenis transistor efek medan (FET) berkinerja tinggi, konsumsi daya rendah yang memberikan kinerja yang luar biasa dalam hal resistensi rendah, efisiensi tinggi,dan operasi yang andalHal ini diproduksi dengan menggunakan teknologi MOSFET tegangan ambang rendah canggih, yang menjamin kehilangan daya yang rendah dan memungkinkan pemanfaatan kedua seri dan konfigurasi paralel.dikombinasikan dengan proses trench khusus, memungkinkan untuk mengoptimalkan angka merit (FOM) dan pengurangan on-resistance (Rds ((ON)) dari MOSFET, sehingga membuatnya ideal untuk aplikasi yang membutuhkan konsumsi daya rendah.Selanjutnya, proses SGT memberikan keuntungan tambahan, seperti peningkatan optimasi FOM, mengurangi Rds ((ON) dan memungkinkan desain sirkuit yang lebih efisien dan dapat diandalkan.MOSFET Tegangan Rendah adalah solusi yang bagus untuk aplikasi yang membutuhkan kinerja tinggi dan konsumsi daya rendah.

 

Parameter teknis:

Parameter Deskripsi
Nama produk MOSFET Tegangan Rendah
Proses Struktur Trench/SGT
Konsumsi Daya Kerugian Daya Rendah
Efisiensi Efisiensi Tinggi dan Dapat Diandalkan
Kemampuan EAS Kemampuan EAS yang tinggi
Resistensi Rds rendah ((ON)
Aplikasi Proses Parit Pengisian nirkabel, pengisian cepat, driver motor, DC/DC converter, High-frequency switch, Synchronous Rectification.
Keuntungan Proses Parit RSP yang lebih kecil, konfigurasi seri dan paralel dapat dikombinasikan dan digunakan secara bebas.
Aplikasi Proses SGT Pengemudi Motor, Stasiun Basis 5G, Penyimpanan Energi, Saklar Frekuensi Tinggi, Rektifisasi Sinkron.
Keuntungan Proses SGT Terobosan Optimasi FOM, Mencakup Lebih Banyak Aplikasi.
 

Aplikasi:

REASUNOS Low Voltage Field Effect Transistor (Low Voltage MOSFET) adalah pilihan ideal untuk Driver Motor, Base Station 5G, Storage Energy, High-Frequency Switch, dan Synchronous Rectification.Ini memiliki proses Trench Low Voltage MOSFET dan memiliki struktur MOSFET VGS rendah, memberikan efisiensi tinggi dan kinerja yang dapat diandalkan. juga memiliki RSP yang lebih kecil dan kedua seri dan konfigurasi paralel dapat secara bebas dikombinasikan dan dimanfaatkan.dan kemasan tabung anti-statis, itu diletakkan di dalam kotak karton dalam karton untuk pengiriman. dibutuhkan 2-30 hari untuk pengiriman (berdasarkan jumlah total).Syarat pembayaran adalah 100% T / T di muka ((EXW).

 

Dukungan dan Layanan:

Dukungan dan Layanan Teknis MOSFET Tegangan Rendah

Di perusahaan kami, kami mengerti bahwa layanan berkualitas dan dukungan sangat penting untuk keberhasilan pelanggan kami,Jadi kami berusaha untuk memberikan dukungan dan layanan untuk produk MOSFET Tegangan Rendah kami yang melebihi harapanTim profesional kami tersedia untuk membantu dengan semua kebutuhan dukungan teknis yang mungkin dimiliki pelanggan kami.

Kami memiliki tim insinyur dan ahli teknis yang tersedia untuk menjawab pertanyaan tentang produk MOSFET Tegangan Rendah kami.Tim dukungan teknis kami dapat memberikan bantuan dengan pemilihan produkKami juga memiliki perpustakaan sumber daya yang luas, seperti manual pengguna, catatan aplikasi, dan video, yang tersedia secara online.

Kami juga menawarkan layanan pemeliharaan dan perbaikan reguler untuk produk MOSFET Tegangan Rendah kami. tim teknisi berpengalaman kami tersedia untuk memeriksa dan memperbaiki setiap komponen yang rusak,serta menyediakan layanan pemeliharaan pencegahanKami juga memberikan garansi pada produk kami, sehingga pelanggan kami dapat yakin bahwa pembelian mereka dilindungi.

Di perusahaan kami, kami bangga memberikan dukungan teknis dan layanan yang sangat baik untuk produk MOSFET Tegangan Rendah kami.Tim kami berdedikasi untuk membantu pelanggan kami mendapatkan hasil maksimal dari pembelian merekaJika Anda memiliki pertanyaan atau kekhawatiran tentang produk kami, jangan ragu untuk menghubungi kami.

 

Kemasan dan Pengiriman:

Produk MOSFET Tegangan Rendah harus dikemas dan dikirim dengan cara yang aman dan protektif.dan bantalan busa untuk melindungi produk dari kejut dan getaran. Kotak harus diberi label dengan jelas dengan nama produk, jumlah, dan alamat tujuan. Produk harus dikirim dengan operator yang dapat diandalkan yang menyediakan informasi pelacakan.

 

FAQ:

T: Apa nama merek MOSFET Tegangan Rendah?
A: Alasan.
T: Di mana tempat asalnya?
A: Tempat asalnya adalah di Guangdong, Cina.
T: Berapa harga MOSFET Tegangan Rendah?
A: Mohon konfirmasi harga berdasarkan produk.
T: Bagaimana MOSFET Tegangan Rendah dikemas?
A: MOSFET Tegangan Rendah dikemas dalam kemasan tabung anti debu, anti air, dan anti statis, ditempatkan di dalam kotak karton dalam karton.
T: Berapa lama waktu pengiriman?
A: Waktu pengiriman tergantung pada jumlah total dan biasanya memakan waktu 2-30 hari.
T: Apa syarat pembayaran?
A: Syarat pembayaran adalah 100% T/T Advance (EXW).
T: Berapa kapasitas pasokan?
A: Kemampuan pasokan adalah 5KK/bulan.