Pengemudi Motor Low Gate Voltage Mosfet, Multiscene Low Vgs N Channel Mosfet
Tempat asal | Guangdong, CN |
---|---|
Nama merek | REASUNOS |
Harga | Confirm price based on product |
Kemasan rincian | Kemasan berbentuk tabung tahan debu, tahan air, dan antistatis, ditempatkan di dalam kotak karton da |
Waktu pengiriman | 2-30 hari (Tergantung Jumlah Total) |
Syarat-syarat pembayaran | 100% T/T di Muka (EXW) |
Menyediakan kemampuan | 5KK/bulan |

Hubungi saya untuk sampel dan kupon gratis.
Ada apa:0086 18588475571
Wechat wechat: 0086 18588475571
Skype: sales10@aixton.com
Jika Anda memiliki kekhawatiran, kami menyediakan bantuan online 24 jam.
xKeuntungan proses parit | RSP Lebih Kecil, Konfigurasi Seri Maupun Paralel Dapat Dikombinasikan Dan Dimanfaatkan Secara Bebas. | Perlawanan | Rds Rendah (AKTIF) |
---|---|---|---|
Aplikasi proses parit | Pengisian Nirkabel, Pengisian Cepat, Driver Motor, Konverter DC/DC, Sakelar Frekuensi Tinggi, Rektif | Nama produk | MOSFET Tegangan Rendah |
Aplikasi proses SGT | Pengemudi Motor, Pemancar 5G, Penyimpanan Energi, Sakelar Frekuensi Tinggi, Rektifikasi Sinkron. | kemampuan EAS | Kemampuan EAS Tinggi |
Konsumsi daya | Kehilangan Daya Rendah | Proses struktur | Parit/SGT |
Menyoroti | Pengemudi Motor Low Gate Voltage Mosfet,N Channel Low Gate Voltage Mosfet,Multiscene Low Vgs N Saluran Mosfet |
No. | Part No. | Type | ID(A) | VDSS(V) | RDS(ON) Typ(mΩ) | RDS(ON) Max(mΩ) | Package | MOQ(pcs) | |
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
1 | RS2301E | P | -2.3 | -20 | 70 | 110 | SOT-23 | 3000 | |
2 | RS3415E | P | -4 | -20 | 33 | 50 | SOT-23 | 3000 | |
3 | RS2302E | N | 2.1 | 20 | 32 | 45 | SOT-23 | 3000 | |
4 | RS2300E | N | 4.5 | 20 | 21 | 32 | SOT-23 | 3000 | |
5 | RS2N7002E | N | 0.34 | 60 | 1300 | 5000 | SOT-23 | 3000 | |
6 | RS20N90D | N | 90 | 20 | 3.7 | 5 | TO-252 | 2500 | |
7 | RS3401E | P | -4.2 | -30 | 50 | 65 | SOT-23 | 3000 | |
8 | RS4435 | P | -10 | -30 | 15 | 20 | SOP-8 | 4000 | |
9 | RS3400E | N | 5.8 | 30 | 27 | 35 | SOT-23 | 3000 | |
10 | RS30N30K | N | 30 | 30 | 5.8 | 9 | DFN3*3 | 5000 | |
11 | RS30N50K | N | 50 | 30 | 3.8 | 5.5 | DFN3*3 | 5000 | |
12 | RS30N60D | N | 60 | 30 | 6.2 | 7.5 | TO-252 | 2500 | |
13 | RS30N86D | N | 86 | 30 | 4.7 | 5.5 | TO-252 | 2500 | |
14 | RS30N120G | N | 120 | 30 | 3 | 4 | DFN5*6 | 5000 | |
15 | RS30N150D | N | 150 | 30 | 3 | 4 | TO-252 | 2500 | |
16 | RS30N150T | N | 150 | 30 | 3 | 4 | TO-220 | 1000 | |
17 | RS40N100G | N | 100 | 40 | 2.8 | 3.5 | DFN5*6 | 5000 | |
18 | RS40N120D | N | 120 | 40 | 2.8 | 3.5 | TO-252 | 2500 | |
19 | RS40N120T | N | 120 | 40 | 2.8 | 3.5 | TO-220 | 1000 | |
20 | RS150N105T | N | 105 | 150 | 9.8 | 11 | TO-220 | 1000 | |
21 | RS76N20T | N | 76 | 200 | 17 | 20 | TO-220 | 1000 | |
22 | RS2310E | N | 3 | 60 | 70 | 105 | SOT-23 | 3000 | |
23 | RS60N30D | N | 30 | 60 | 22 | 35 | TO-252 | 2500 | |
24 | RS60N50D | N | 50 | 60 | 14 | 22 | TO-252 | 2500 | |
25 | RS60N50T | N | 50 | 60 | 14 | 22 | TO-220 | 1000 | |
26 | RS80N25W | N | 80 | 250 | 30 | 35 | TO-247 | 600 | |
27 | RS630D | N | 9 | 200 | 250 | 300 | TO-252 | 2500 | |
28 | RS630T | N | 9 | 200 | 250 | 300 | TO-220 | 1000 | |
29 | RS640D | N | 18 | 200 | 120 | 150 | TO-252 | 2500 | |
30 | RS640T | N | 18 | 200 | 120 | 150 | TO-220 | 1000 | |
31 | RS40N130G | N | 130 | 40 | 1.45 | 1.75 | DFN5*6 | 5000 | |
32 | RS40N180T | N | 180 | 40 | 1.6 | 2 | TO-220 | 1000 | |
33 | RS60N130G | N | 130 | 60 | 2.1 | 2.5 | DFN5*6 | 5000 | |
34 | RS60N200T | N | 200 | 60 | 2.5 | 3.2 | TO-220 | 1000 | |
35 | RS85N140T | N | 140 | 85 | 4.5 | 5.3 | TO-220 | 1000 | |
36 | RS85N140S | N | 140 | 85 | 4.5 | 5.3 | TO-263 | 800 | |
37 | RS85N150T | N | 150 | 85 | 2.8 | 3.6 | TO-220 | 1000 | |
38 | RS85N150S | N | 150 | 85 | 2.7 | 3.4 | TO-263 | 800 | |
39 | RS100N78HT | N | 78 | 100 | 8.2 | 9.5 | TO-220 | 1000 | |
40 | RS100N78T | N | 78 | 100 | 8.2 | 9.5 | TO-220 | 1000 | |
41 | RS100N100T | N | 100 | 100 | 7 | 8.5 | TO-220 | 1000 | |
42 | RS100N135T | N | 135 | 100 | 3.7 | 4.2 | TO-220 | 1000 | |
43 | RS100N135HT | N | 135 | 100 | 3.7 | 4.2 | TO-220 | 1000 | |
44 | RS100N135HS | N | 135 | 100 | 4.2 | 5 | TO-263 | 800 | |
45 | RS100N180T | N | 180 | 100 | 3 | 3.8 | TO-220 | 1000 | |
46 | RS100N180S | N | 180 | 100 | 2.9 | 3.6 | TO-263 | 800 | |
47 | RS100N190T | N | 190 | 100 | 2.3 | 3 | TO-220 | 1000 | |
48 | RS100N190S | N | 190 | 100 | 2.2 | 2.8 | TO-263 | 800 | |
49 | RS110N200T | N | 200 | 110 | 3.4 | 4 | TO-220 | 1000 | |
50 | RS110N200S | N | 200 | 110 | 3.4 | 4 | TO-263 | 800 | |
51 | RS100N210S | N | 200 | 100 | 1.9 | 2.4 | TO-263 | 800 | |
52 | RS100N210T | N | 210 | 100 | 1.9 | 2.4 | TO-220 | 1000 | |
53 | RS100N300I | N | 300 | 100 | 1.7 | 2.2 | TOLL | 2000 | |
54 | RS100N60G | N | 60 | 100 | 7.5 | 8.5 | DFN5*6 | 5000 | |
55 | RS100N60HG | N | 60 | 100 | 7.5 | 8.5 | DFN5*6 | 5000 | |
56 | RS100N85G | N | 85 | 100 | 6 | 7.5 | DFN5*6 | 5000 | |
57 | RS100N85HG | N | 85 | 100 | 6 | 7.5 | DFN5*6 | 5000 | |
58 | RS100N125G | N | 125 | 100 | 4 | 4.6 | DFN5*6 | 5000 | |
59 | RS100N125HG | N | 125 | 100 | 4 | 4.6 | DFN5*6 | 5000 | |
60 | RS100N150HG | N | 150 | 100 | 3.5 | 4.2 | DFN5*6 | 5000 |
Low Gate Voltage MOSFET dengan Kemampuan EAS yang Dapat Diandalkan dan Tinggi
Deskripsi produk:
MOSFET Tegangan Rendah adalah jenis transistor efek medan (FET) berkinerja tinggi, konsumsi daya rendah yang memberikan kinerja yang luar biasa dalam hal resistensi rendah, efisiensi tinggi,dan operasi yang andalHal ini diproduksi dengan menggunakan teknologi MOSFET tegangan ambang rendah canggih, yang menjamin kehilangan daya yang rendah dan memungkinkan pemanfaatan kedua seri dan konfigurasi paralel.dikombinasikan dengan proses trench khusus, memungkinkan untuk mengoptimalkan angka merit (FOM) dan pengurangan on-resistance (Rds ((ON)) dari MOSFET, sehingga membuatnya ideal untuk aplikasi yang membutuhkan konsumsi daya rendah.Selanjutnya, proses SGT memberikan keuntungan tambahan, seperti peningkatan optimasi FOM, mengurangi Rds ((ON) dan memungkinkan desain sirkuit yang lebih efisien dan dapat diandalkan.MOSFET Tegangan Rendah adalah solusi yang bagus untuk aplikasi yang membutuhkan kinerja tinggi dan konsumsi daya rendah.
Parameter teknis:
Parameter | Deskripsi |
---|---|
Nama produk | MOSFET Tegangan Rendah |
Proses Struktur | Trench/SGT |
Konsumsi Daya | Kerugian Daya Rendah |
Efisiensi | Efisiensi Tinggi dan Dapat Diandalkan |
Kemampuan EAS | Kemampuan EAS yang tinggi |
Resistensi | Rds rendah ((ON) |
Aplikasi Proses Parit | Pengisian nirkabel, pengisian cepat, driver motor, DC/DC converter, High-frequency switch, Synchronous Rectification. |
Keuntungan Proses Parit | RSP yang lebih kecil, konfigurasi seri dan paralel dapat dikombinasikan dan digunakan secara bebas. |
Aplikasi Proses SGT | Pengemudi Motor, Stasiun Basis 5G, Penyimpanan Energi, Saklar Frekuensi Tinggi, Rektifisasi Sinkron. |
Keuntungan Proses SGT | Terobosan Optimasi FOM, Mencakup Lebih Banyak Aplikasi. |
Aplikasi:
REASUNOS Low Voltage Field Effect Transistor (Low Voltage MOSFET) adalah pilihan ideal untuk Driver Motor, Base Station 5G, Storage Energy, High-Frequency Switch, dan Synchronous Rectification.Ini memiliki proses Trench Low Voltage MOSFET dan memiliki struktur MOSFET VGS rendah, memberikan efisiensi tinggi dan kinerja yang dapat diandalkan. juga memiliki RSP yang lebih kecil dan kedua seri dan konfigurasi paralel dapat secara bebas dikombinasikan dan dimanfaatkan.dan kemasan tabung anti-statis, itu diletakkan di dalam kotak karton dalam karton untuk pengiriman. dibutuhkan 2-30 hari untuk pengiriman (berdasarkan jumlah total).Syarat pembayaran adalah 100% T / T di muka ((EXW).
Dukungan dan Layanan:
Di perusahaan kami, kami mengerti bahwa layanan berkualitas dan dukungan sangat penting untuk keberhasilan pelanggan kami,Jadi kami berusaha untuk memberikan dukungan dan layanan untuk produk MOSFET Tegangan Rendah kami yang melebihi harapanTim profesional kami tersedia untuk membantu dengan semua kebutuhan dukungan teknis yang mungkin dimiliki pelanggan kami.
Kami memiliki tim insinyur dan ahli teknis yang tersedia untuk menjawab pertanyaan tentang produk MOSFET Tegangan Rendah kami.Tim dukungan teknis kami dapat memberikan bantuan dengan pemilihan produkKami juga memiliki perpustakaan sumber daya yang luas, seperti manual pengguna, catatan aplikasi, dan video, yang tersedia secara online.
Kami juga menawarkan layanan pemeliharaan dan perbaikan reguler untuk produk MOSFET Tegangan Rendah kami. tim teknisi berpengalaman kami tersedia untuk memeriksa dan memperbaiki setiap komponen yang rusak,serta menyediakan layanan pemeliharaan pencegahanKami juga memberikan garansi pada produk kami, sehingga pelanggan kami dapat yakin bahwa pembelian mereka dilindungi.
Di perusahaan kami, kami bangga memberikan dukungan teknis dan layanan yang sangat baik untuk produk MOSFET Tegangan Rendah kami.Tim kami berdedikasi untuk membantu pelanggan kami mendapatkan hasil maksimal dari pembelian merekaJika Anda memiliki pertanyaan atau kekhawatiran tentang produk kami, jangan ragu untuk menghubungi kami.
Kemasan dan Pengiriman:
Produk MOSFET Tegangan Rendah harus dikemas dan dikirim dengan cara yang aman dan protektif.dan bantalan busa untuk melindungi produk dari kejut dan getaran. Kotak harus diberi label dengan jelas dengan nama produk, jumlah, dan alamat tujuan. Produk harus dikirim dengan operator yang dapat diandalkan yang menyediakan informasi pelacakan.
FAQ:
- T: Apa nama merek MOSFET Tegangan Rendah?
- A: Alasan.
- T: Di mana tempat asalnya?
- A: Tempat asalnya adalah di Guangdong, Cina.
- T: Berapa harga MOSFET Tegangan Rendah?
- A: Mohon konfirmasi harga berdasarkan produk.
- T: Bagaimana MOSFET Tegangan Rendah dikemas?
- A: MOSFET Tegangan Rendah dikemas dalam kemasan tabung anti debu, anti air, dan anti statis, ditempatkan di dalam kotak karton dalam karton.
- T: Berapa lama waktu pengiriman?
- A: Waktu pengiriman tergantung pada jumlah total dan biasanya memakan waktu 2-30 hari.
- T: Apa syarat pembayaran?
- A: Syarat pembayaran adalah 100% T/T Advance (EXW).
- T: Berapa kapasitas pasokan?
- A: Kemampuan pasokan adalah 5KK/bulan.