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Motorista Basso Portello Voltaggio Mosfet, Multiscene Basso Vgs N Canale Mosfet

  • Motor Driver Low Gate Voltage Mosfet , Multiscene Low Vgs N Channel Mosfet
Luogo di origine Guangdong, CN
Marca REASUNOS
Prezzo Confirm price based on product
Imballaggi particolari Imballaggi tubulari antipolvere, impermeabili e antistatici, collocati all'interno di una scatola di
Tempi di consegna 2-30 giorni (a seconda della quantità totale)
Termini di pagamento 100% T/T in anticipo (EXW)
Capacità di alimentazione 5KK/mese

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Dettagli
Vantaggi del processo di trincea RSP più piccoli, entrambe le configurazioni in serie e in parallelo possono essere combinate e utili Resistenza RDS basso (SOPRA)
Applicazione del processo di trincea Ricarica wireless, ricarica rapida, driver motore, convertitore DC/DC, interruttore ad alta frequenz Nome del prodotto MOSFET a bassa tensione
Applicazione trattata di SGT Driver del motore, 5G stazione base, immagazzinamento dell'energia, commutatore ad alta frequenza, r Funzionalità EAS Elevata capacità EAS
Consumo di energia Perdita di potere basso Processo di struttura Trincea/SGT
Evidenziare

Motorista Mosfet a bassa tensione di ingresso

,

N canale Mosfet di bassa tensione di porta

,

Multiscene a bassa Vgs N Canale Mosfet
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No. Part No. Type ID(A) VDSS(V) RDS(ON) Typ(mΩ) RDS(ON) Max(mΩ) Package MOQ(pcs)
1 RS2301E P -2.3 -20 70 110 SOT-23 3000
2 RS3415E P -4 -20 33 50 SOT-23 3000
3 RS2302E N 2.1 20 32 45 SOT-23 3000
4 RS2300E N 4.5 20 21 32 SOT-23 3000
5 RS2N7002E N 0.34 60 1300 5000 SOT-23 3000
6 RS20N90D N 90 20 3.7 5 TO-252 2500
7 RS3401E P -4.2 -30 50 65 SOT-23 3000
8 RS4435 P -10 -30 15 20 SOP-8 4000
9 RS3400E N 5.8 30 27 35 SOT-23 3000
10 RS30N30K N 30 30 5.8 9 DFN3*3 5000
11 RS30N50K N 50 30 3.8 5.5 DFN3*3 5000
12 RS30N60D N 60 30 6.2 7.5 TO-252 2500
13 RS30N86D N 86 30 4.7 5.5 TO-252 2500
14 RS30N120G N 120 30 3 4 DFN5*6 5000
15 RS30N150D N 150 30 3 4 TO-252 2500
16 RS30N150T N 150 30 3 4 TO-220 1000
17 RS40N100G N 100 40 2.8 3.5 DFN5*6 5000
18 RS40N120D N 120 40 2.8 3.5 TO-252 2500
19 RS40N120T N 120 40 2.8 3.5 TO-220 1000
20 RS150N105T N 105 150 9.8 11 TO-220 1000
21 RS76N20T N 76 200 17 20 TO-220 1000
22 RS2310E N 3 60 70 105 SOT-23 3000
23 RS60N30D N 30 60 22 35 TO-252 2500
24 RS60N50D N 50 60 14 22 TO-252 2500
25 RS60N50T N 50 60 14 22 TO-220 1000
26 RS80N25W N 80 250 30 35 TO-247 600
27 RS630D N 9 200 250 300 TO-252 2500
28 RS630T N 9 200 250 300 TO-220 1000
29 RS640D N 18 200 120 150 TO-252 2500
30 RS640T N 18 200 120 150 TO-220 1000
31 RS40N130G N 130 40 1.45 1.75 DFN5*6 5000
32 RS40N180T N 180 40 1.6 2 TO-220 1000
33 RS60N130G N 130 60 2.1 2.5 DFN5*6 5000
34 RS60N200T N 200 60 2.5 3.2 TO-220 1000
35 RS85N140T N 140 85 4.5 5.3 TO-220 1000
36 RS85N140S N 140 85 4.5 5.3 TO-263 800
37 RS85N150T N 150 85 2.8 3.6 TO-220 1000
38 RS85N150S N 150 85 2.7 3.4 TO-263 800
39 RS100N78HT N 78 100 8.2 9.5 TO-220 1000
40 RS100N78T N 78 100 8.2 9.5 TO-220 1000
41 RS100N100T N 100 100 7 8.5 TO-220 1000
42 RS100N135T N 135 100 3.7 4.2 TO-220 1000
43 RS100N135HT N 135 100 3.7 4.2 TO-220 1000
44 RS100N135HS N 135 100 4.2 5 TO-263 800
45 RS100N180T N 180 100 3 3.8 TO-220 1000
46 RS100N180S N 180 100 2.9 3.6 TO-263 800
47 RS100N190T N 190 100 2.3 3 TO-220 1000
48 RS100N190S N 190 100 2.2 2.8 TO-263 800
49 RS110N200T N 200 110 3.4 4 TO-220 1000
50 RS110N200S N 200 110 3.4 4 TO-263 800
51 RS100N210S N 200 100 1.9 2.4 TO-263 800
52 RS100N210T N 210 100 1.9 2.4 TO-220 1000
53 RS100N300I N 300 100 1.7 2.2 TOLL 2000
54 RS100N60G N 60 100 7.5 8.5 DFN5*6 5000
55 RS100N60HG N 60 100 7.5 8.5 DFN5*6 5000
56 RS100N85G N 85 100 6 7.5 DFN5*6 5000
57 RS100N85HG N 85 100 6 7.5 DFN5*6 5000
58 RS100N125G N 125 100 4 4.6 DFN5*6 5000
59 RS100N125HG N 125 100 4 4.6 DFN5*6 5000
60 RS100N150HG N 150 100 3.5 4.2 DFN5*6 5000
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No. Part No. Type ID(A) VDSS(V) RDS(ON) Typ(mΩ) RDS(ON) Max(mΩ) Package MOQ(pcs)
Descrizione di prodotto

MOSFET a bassa tensione con capacità EAS affidabile e elevata

Descrizione del prodotto:

Il MOSFET a bassa tensione è un tipo di transistor a effetto campo (FET) ad alte prestazioni e basso consumo di energia che offre prestazioni eccezionali in termini di bassa resistenza, elevata efficienza,e funzionamento affidabileLa tecnologia MOSFET, che garantisce basse perdite di potenza e consente l'utilizzo di configurazioni sia in serie che in parallelo, è stata utilizzata per la realizzazione di una serie di dispositivi di controllo di tensione.con un processo speciale di trench, consente l'ottimizzazione del valore di merito (FOM) e la riduzione della resistenza di accensione (Rds ((ON)) del MOSFET, rendendolo quindi ideale per applicazioni che richiedono un basso consumo energetico.Inoltre,, il processo SGT offre ulteriori vantaggi, come una maggiore ottimizzazione FOM, riducendo ulteriormente il Rds ((ON) e consentendo la progettazione di circuiti più efficienti e affidabili.Il MOSFET a bassa tensione è una grande soluzione per applicazioni che richiedono elevate prestazioni e basso consumo di energia.

 

Parametri tecnici:

Parametri Descrizione
Nome del prodotto MOSFET a bassa tensione
Processo di struttura Fossa/SGT
Consumo di energia Basse perdite di potenza
Efficienza Alta efficienza e affidabilità
Capacità EAS Capacità elevata di EAS
Resistenza Basso Rds ((ON)
Applicazione del processo di trincea Ricarica wireless, ricarica rapida, driver motore, convertitore DC/DC, interruttore ad alta frequenza, rettifica sincrona.
Vantaggi del processo di trincea RSP più piccole, sia le configurazioni in serie che parallele possono essere liberamente combinate e utilizzate.
Applicazione del processo SGT Motor Driver, Stazione base 5G, Immagazzinamento di energia, Interruttore ad alta frequenza, Rettifica sincrona.
Vantaggi del processo SGT Ottimizzazione FOM rivoluzionaria, che copre più applicazioni.
 

Applicazioni:

Il transistor a effetto campo a bassa tensione REASUNOS (Low Voltage MOSFET) è una scelta ideale per il driver del motore, la stazione base 5G, lo stoccaggio di energia, l'interruttore ad alta frequenza e la rettifica sincrona.Dispone di un processo MOSFET a bassa tensione di trincea e ha una struttura MOSFET a bassa VGS, offrendo un'elevata efficienza e prestazioni affidabili. ha anche un RSP più piccolo e sia le configurazioni di serie che quelle parallele possono essere liberamente combinate e utilizzate.e imballaggi tubulari antistatici, è collocato all'interno di una scatola di cartone in cartoni per la consegna.Le condizioni di pagamento sono il 100% T/T in anticipo ((EXW).

 

Supporto e servizi:

Supporto tecnico e servizio di MOSFET a bassa tensione

Nella nostra azienda, comprendiamo che un servizio e un supporto di qualità sono essenziali per il successo dei nostri clienti.Quindi ci sforziamo di fornire supporto e servizio per i nostri prodotti MOSFET a bassa tensione che supera le aspettativeIl nostro team di professionisti qualificati è disponibile per aiutare con qualsiasi e tutte le esigenze di supporto tecnico che i nostri clienti possano avere.

Abbiamo un team di ingegneri ed esperti tecnici disponibili per rispondere a qualsiasi domanda relativa ai nostri prodotti MOSFET a bassa tensione.Il nostro team di supporto tecnico può fornire assistenza con la selezione del prodottoAbbiamo anche una vasta libreria di risorse, come manuali per l'utente, note di applicazione e video, disponibili online.

Offriamo anche servizi di manutenzione e riparazione regolari per i nostri prodotti MOSFET a bassa tensione.fornire servizi di manutenzione preventivaForniamo anche garanzie sui nostri prodotti, in modo che i nostri clienti possano essere sicuri che i loro acquisti sono protetti.

Nella nostra azienda, siamo orgogliosi di fornire un eccellente supporto tecnico e servizio per i nostri prodotti MOSFET a bassa tensione.Il nostro team è dedicato ad aiutare i nostri clienti a ottenere il massimo dai loro acquisti.Se avete domande o dubbi sui nostri prodotti, non esitate a contattarci.

 

Imballaggio e trasporto:

I prodotti MOSFET a bassa tensione devono essere confezionati e spediti in modo sicuro e protettivo.e ammortizzatori di schiuma per proteggere il prodotto da urti e vibrazioni. La scatola deve essere chiaramente etichettata con il nome del prodotto, la quantità e l'indirizzo di destinazione.

 

FAQ:

D: Qual è il marchio del MOSFET a bassa tensione?
A: RASUNOS.
D: Qual è il luogo di origine?
R: Il luogo di origine è Guangdong, Cina.
D: Qual è il prezzo del MOSFET a bassa tensione?
R: Si prega di confermare il prezzo in base al prodotto.
D: Come viene confezionato il MOSFET a bassa tensione?
R: Il MOSFET a bassa tensione è confezionato in un imballaggio tubulare antipolvere, impermeabile e antistatico, collocato all'interno di una scatola di cartone in cartone.
D: Quanto dura la consegna?
R: Il tempo di consegna dipende dalla quantità totale e di solito dura da 2 a 30 giorni.
D: Quali sono i termini di pagamento?
R: I termini di pagamento sono il 100% T/T in anticipo (EXW).
D: Qual è la capacità di approvvigionamento?
R: La capacità di approvvigionamento è di 5KK/mese.
Etichette:

N canale Mosfet bassa tensione di soglia

Mosfet di canale P stabile a bassa potenza

MOSFET a bassa tensione della stazione base