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मोटर चालक कम गेट वोल्टेज मोस्फेट, मल्टीस्केन कम वीजीएस एन चैनल मोस्फेट

  • Motor Driver Low Gate Voltage Mosfet , Multiscene Low Vgs N Channel Mosfet
उत्पत्ति के प्लेस गुआंग्डोंग, सीएन
ब्रांड नाम REASUNOS
मूल्य Confirm price based on product
पैकेजिंग विवरण डस्टप्रूफ, वॉटरप्रूफ और एंटी-स्टैटिक ट्यूबलर पैकेजिंग, डिब्बों में कार्डबोर्ड बॉक्स के अंदर रखी गई ह
प्रसव के समय 2-30 दिन (कुल मात्रा पर निर्भर करता है)
भुगतान शर्तें अग्रिम में 100% टी/टी (EXW)
आपूर्ति की क्षमता 5KK/माह

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उत्पाद विवरण
ट्रेंच प्रक्रिया के लाभ छोटे आरएसपी, श्रृंखला और समानांतर दोनों विन्यासों को स्वतंत्र रूप से संयोजित और उपयोग किया जा सकता ह प्रतिरोध कम आरडीएस(चालू)
ट्रेंच प्रक्रिया आवेदन वायरलेस चार्जिंग, फास्ट चार्जिंग, मोटर ड्राइवर, डीसी/डीसी कनवर्टर, हाई-फ़्रीक्वेंसी स्विच, सिंक्रोनस उत्पाद का नाम कम वोल्टेज MOSFET
एसजीटी प्रक्रिया आवेदन मोटर ड्राइवर, 5जी बेस स्टेशन, ऊर्जा भंडारण, उच्च आवृत्ति स्विच, सिंक्रोनस रेक्टिफिकेशन। ईएएस क्षमता उच्च ईएएस क्षमता
बिजली की खपत कम बिजली हानि संरचना प्रक्रिया ट्रेंच/एसजीटी
प्रमुखता देना

मोटर चालक कम गेट वोल्टेज मोस्फेट

,

एन चैनल लो गेट वोल्टेज मोस्फेट

,

मल्टीस्केन लो वीजीएस एन चैनल मोस्फेट
आप अपनी ज़रूरत के उत्पादों को टिक कर सकते हैं और हमारे साथ संदेश बोर्ड में संचार कर सकते हैं।
No. Part No. Type ID(A) VDSS(V) RDS(ON) Typ(mΩ) RDS(ON) Max(mΩ) Package MOQ(pcs)
1 RS2301E P -2.3 -20 70 110 SOT-23 3000
2 RS3415E P -4 -20 33 50 SOT-23 3000
3 RS2302E N 2.1 20 32 45 SOT-23 3000
4 RS2300E N 4.5 20 21 32 SOT-23 3000
5 RS2N7002E N 0.34 60 1300 5000 SOT-23 3000
6 RS20N90D N 90 20 3.7 5 TO-252 2500
7 RS3401E P -4.2 -30 50 65 SOT-23 3000
8 RS4435 P -10 -30 15 20 SOP-8 4000
9 RS3400E N 5.8 30 27 35 SOT-23 3000
10 RS30N30K N 30 30 5.8 9 DFN3*3 5000
11 RS30N50K N 50 30 3.8 5.5 DFN3*3 5000
12 RS30N60D N 60 30 6.2 7.5 TO-252 2500
13 RS30N86D N 86 30 4.7 5.5 TO-252 2500
14 RS30N120G N 120 30 3 4 DFN5*6 5000
15 RS30N150D N 150 30 3 4 TO-252 2500
16 RS30N150T N 150 30 3 4 TO-220 1000
17 RS40N100G N 100 40 2.8 3.5 DFN5*6 5000
18 RS40N120D N 120 40 2.8 3.5 TO-252 2500
19 RS40N120T N 120 40 2.8 3.5 TO-220 1000
20 RS150N105T N 105 150 9.8 11 TO-220 1000
21 RS76N20T N 76 200 17 20 TO-220 1000
22 RS2310E N 3 60 70 105 SOT-23 3000
23 RS60N30D N 30 60 22 35 TO-252 2500
24 RS60N50D N 50 60 14 22 TO-252 2500
25 RS60N50T N 50 60 14 22 TO-220 1000
26 RS80N25W N 80 250 30 35 TO-247 600
27 RS630D N 9 200 250 300 TO-252 2500
28 RS630T N 9 200 250 300 TO-220 1000
29 RS640D N 18 200 120 150 TO-252 2500
30 RS640T N 18 200 120 150 TO-220 1000
31 RS40N130G N 130 40 1.45 1.75 DFN5*6 5000
32 RS40N180T N 180 40 1.6 2 TO-220 1000
33 RS60N130G N 130 60 2.1 2.5 DFN5*6 5000
34 RS60N200T N 200 60 2.5 3.2 TO-220 1000
35 RS85N140T N 140 85 4.5 5.3 TO-220 1000
36 RS85N140S N 140 85 4.5 5.3 TO-263 800
37 RS85N150T N 150 85 2.8 3.6 TO-220 1000
38 RS85N150S N 150 85 2.7 3.4 TO-263 800
39 RS100N78HT N 78 100 8.2 9.5 TO-220 1000
40 RS100N78T N 78 100 8.2 9.5 TO-220 1000
41 RS100N100T N 100 100 7 8.5 TO-220 1000
42 RS100N135T N 135 100 3.7 4.2 TO-220 1000
43 RS100N135HT N 135 100 3.7 4.2 TO-220 1000
44 RS100N135HS N 135 100 4.2 5 TO-263 800
45 RS100N180T N 180 100 3 3.8 TO-220 1000
46 RS100N180S N 180 100 2.9 3.6 TO-263 800
47 RS100N190T N 190 100 2.3 3 TO-220 1000
48 RS100N190S N 190 100 2.2 2.8 TO-263 800
49 RS110N200T N 200 110 3.4 4 TO-220 1000
50 RS110N200S N 200 110 3.4 4 TO-263 800
51 RS100N210S N 200 100 1.9 2.4 TO-263 800
52 RS100N210T N 210 100 1.9 2.4 TO-220 1000
53 RS100N300I N 300 100 1.7 2.2 TOLL 2000
54 RS100N60G N 60 100 7.5 8.5 DFN5*6 5000
55 RS100N60HG N 60 100 7.5 8.5 DFN5*6 5000
56 RS100N85G N 85 100 6 7.5 DFN5*6 5000
57 RS100N85HG N 85 100 6 7.5 DFN5*6 5000
58 RS100N125G N 125 100 4 4.6 DFN5*6 5000
59 RS100N125HG N 125 100 4 4.6 DFN5*6 5000
60 RS100N150HG N 150 100 3.5 4.2 DFN5*6 5000
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No. Part No. Type ID(A) VDSS(V) RDS(ON) Typ(mΩ) RDS(ON) Max(mΩ) Package MOQ(pcs)
उत्पाद विवरण

विश्वसनीय और उच्च ईएएस क्षमता के साथ कम गेट वोल्टेज एमओएसएफईटी

उत्पाद का वर्णन:

कम वोल्टेज MOSFET एक प्रकार का उच्च प्रदर्शन, कम बिजली की खपत क्षेत्र प्रभाव ट्रांजिस्टर (FET) है जो कम प्रतिरोध, उच्च दक्षता,और विश्वसनीय संचालनयह उन्नत निम्न सीमा वोल्टेज MOSFET तकनीक का उपयोग करके निर्मित किया जाता है, जो कम शक्ति हानि की गारंटी देता है और श्रृंखला और समानांतर कॉन्फ़िगरेशन दोनों का उपयोग करने में सक्षम बनाता है।एक विशेष ट्रेंच प्रक्रिया के साथ संयुक्त, MOSFET के योग्यता के आंकड़े (FOM) के अनुकूलन और ऑन-प्रतिरोध (Rds ((ON)) को कम करने की अनुमति देता है, जिससे इसे कम बिजली की खपत की आवश्यकता वाले अनुप्रयोगों के लिए आदर्श बनाता है।इसके अतिरिक्त, एसजीटी प्रक्रिया अतिरिक्त लाभ प्रदान करती है, जैसे कि एफओएम अनुकूलन में वृद्धि, आरडीएस ((ओएन) को और कम करना और अधिक कुशल और विश्वसनीय सर्किट के डिजाइन की अनुमति देना।उच्च प्रदर्शन और कम बिजली की खपत की आवश्यकता वाले अनुप्रयोगों के लिए कम वोल्टेज MOSFET एक महान समाधान है.

 

तकनीकी मापदंडः

पैरामीटर विवरण
उत्पाद का नाम कम वोल्टेज MOSFET
संरचना प्रक्रिया खाई/एसजीटी
बिजली की खपत कम शक्ति हानि
दक्षता उच्च दक्षता और विश्वसनीयता
ईएएस क्षमता उच्च ईएएस क्षमता
प्रतिरोध कम आरडीएस (ऑन)
खाई प्रक्रिया अनुप्रयोग वायरलेस चार्जिंग, फास्ट चार्जिंग, मोटर ड्राइवर, डीसी/डीसी कनवर्टर, हाई-फ्रीक्वेंसी स्विच, सिंक्रोनस रेक्टिफिकेशन
खाई प्रक्रिया के फायदे छोटे आरएसपी, दोनों श्रृंखला और समानांतर विन्यास को स्वतंत्र रूप से जोड़ा और उपयोग किया जा सकता है।
एसजीटी प्रक्रिया आवेदन मोटर ड्राइवर, 5जी बेस स्टेशन, ऊर्जा भंडारण, उच्च आवृत्ति स्विच, सिंक्रोनस सुधार।
एसजीटी प्रक्रिया के फायदे अधिक अनुप्रयोगों को कवर करने के लिए सफलतापूर्वक FOM अनुकूलन।
 

अनुप्रयोग:

REASUNOS लो वोल्टेज फील्ड इफेक्ट ट्रांजिस्टर (लो वोल्टेज एमओएसएफईटी) मोटर ड्राइवर, 5 जी बेस स्टेशन, ऊर्जा भंडारण, उच्च आवृत्ति स्विच और सिंक्रोनस रेक्टिफिकेशन के लिए एक आदर्श विकल्प है।इसमें ट्रेंच लो वोल्टेज मोस्फेट प्रक्रिया है और इसमें कम वीजीएस मोस्फेट संरचना है, उच्च दक्षता और विश्वसनीय प्रदर्शन प्रदान करता है। इसमें एक छोटा आरएसपी भी है और दोनों श्रृंखला और समानांतर कॉन्फ़िगरेशन को स्वतंत्र रूप से जोड़ा और उपयोग किया जा सकता है।और विरोधी स्थैतिक ट्यूबलर पैकेजिंग, इसे डिलीवरी के लिए एक कार्डबोर्ड बॉक्स में रखा जाता है। डिलीवरी के लिए 2-30 दिन लगते हैं (कुल मात्रा के आधार पर) । यह 5KK / महीने की प्रतिस्पर्धी कीमत और आपूर्ति क्षमता पर उपलब्ध है।भुगतान की शर्तें अग्रिम में 100% टी/टी हैं ((EXW).

 

सहायता एवं सेवाएं:

कम वोल्टेज MOSFET तकनीकी सहायता और सेवा

हमारी कंपनी में, हम समझते हैं कि गुणवत्ता सेवा और समर्थन हमारे ग्राहकों की सफलता के लिए आवश्यक है,इसलिए हम अपने कम वोल्टेज MOSFET उत्पादों के लिए समर्थन और सेवा प्रदान करने का प्रयास करते हैं जो अपेक्षाओं से अधिक हैहमारे योग्य पेशेवरों की टीम किसी भी और सभी तकनीकी सहायता आवश्यकताओं के साथ मदद करने के लिए उपलब्ध है जो हमारे ग्राहकों के पास हो सकती है।

हमारे पास इंजीनियरों और तकनीकी विशेषज्ञों की एक टीम है जो हमारे निम्न वोल्टेज MOSFET उत्पादों के बारे में किसी भी प्रश्न का उत्तर देने के लिए उपलब्ध है।हमारी तकनीकी सहायता टीम उत्पाद चयन के साथ सहायता प्रदान कर सकते हैं, स्थापना, समस्या निवारण, और अधिक। हमारे पास संसाधनों का एक विशाल पुस्तकालय भी है, जैसे कि उपयोगकर्ता मैनुअल, एप्लिकेशन नोट्स, और वीडियो, जो ऑनलाइन उपलब्ध हैं।

हम अपने कम वोल्टेज MOSFET उत्पादों के लिए नियमित रखरखाव और मरम्मत सेवाएं भी प्रदान करते हैं। अनुभवी तकनीशियनों की हमारी टीम किसी भी दोषपूर्ण घटकों का निरीक्षण और मरम्मत करने के लिए उपलब्ध है,साथ ही निवारक रखरखाव सेवाएं प्रदान करेंहम अपने उत्पादों पर गारंटी भी प्रदान करते हैं, ताकि हमारे ग्राहक आश्वस्त हो सकें कि उनकी खरीद सुरक्षित है।

हमारी कंपनी में, हम अपने कम वोल्टेज MOSFET उत्पादों के लिए उत्कृष्ट तकनीकी सहायता और सेवा प्रदान करने पर गर्व करते हैं।हमारी टीम हमारे ग्राहकों को उनकी खरीदारी का अधिकतम लाभ उठाने में मदद करने के लिए समर्पित हैयदि आपके पास हमारे उत्पादों के बारे में कोई प्रश्न या चिंता है, तो कृपया हमसे संपर्क करने में संकोच न करें।

 

पैकिंग और शिपिंगः

निम्न वोल्टेज MOSFET उत्पादों को सुरक्षित और सुरक्षात्मक तरीके से पैक और शिप किया जाना चाहिए। पैकेजिंग में एक स्थिर-सुरक्षित बैग, एक बॉक्स,और उत्पाद को झटके और कंपन से बचाने के लिए फोम ड्यूशिंग. बॉक्स में उत्पाद का नाम, मात्रा और गंतव्य पता स्पष्ट रूप से लिखा होना चाहिए। उत्पादों को एक विश्वसनीय वाहक के साथ भेजा जाना चाहिए जो ट्रैकिंग जानकारी प्रदान करता है।

 

अक्सर पूछे जाने वाले प्रश्न:

प्रश्न: निम्न वोल्टेज मोस्फेट का ब्रांड नाम क्या है?
उत्तर: कारण।
प्रश्न: मूल स्थान कहाँ है?
उत्तर: मूल स्थान गुआंग्डोंग, चीन में है।
प्रश्न: निम्न वोल्टेज MOSFET की कीमत क्या है?
उत्तर: कृपया उत्पाद के आधार पर मूल्य की पुष्टि करें।
प्रश्न: निम्न वोल्टेज MOSFET कैसे पैक किया जाता है?
A: निम्न वोल्टेज MOSFET को धूल, जल, और विरोधी स्थैतिक ट्यूबलर पैकेजिंग में पैक किया जाता है, जो एक कार्डबोर्ड बॉक्स के अंदर कार्टन में रखा जाता है।
प्रश्न: डिलीवरी का समय कितना है?
उत्तर: डिलीवरी का समय कुल मात्रा पर निर्भर करता है और आमतौर पर 2-30 दिन लगते हैं।
प्रश्न: भुगतान की शर्तें क्या हैं?
उत्तर: भुगतान की शर्तें 100% टी/टी अग्रिम (एक्सडब्ल्यू) हैं।
प्रश्न: आपूर्ति की क्षमता क्या है?
उत्तर: आपूर्ति क्षमता 5KK/माह है।
टैग:

एन चैनल मोस्फेट निम्न सीमा वोल्टेज

स्थिर निम्न शक्ति पी चैनल मोस्फेट

बेस स्टेशन कम वोल्टेज MOSFET

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