MOSFET eingebettete FRD HV Hochspannungs-FET für Anwendungen usw.

Herkunftsort Guangdong, KN
Markenname REASUNOS
Preis Confirm price based on product
Verpackung Informationen Staub-, Wasser- und antistatische Rohrverpackungen, in Kartons
Lieferzeit 2-30 Tage (abhängig von der Gesamtmenge)
Zahlungsbedingungen 100% T/T im Voraus (EXW)
Versorgungsmaterial-Fähigkeit 5KK/Monat

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Produktdetails
Produktbezeichnung Hochspannungs-MOSFET Anwendung MOSFET-Ultra-Hochspg Intelligentes Meter, Kabinett-Stromversorgung, industrielles Schaltnetzteil, System der elektrischen
Wärmeableitung Große Wärmeableitung Hochspg Mosfet-Anwendung LED-Fahrer, Adapter, industrielles Schaltnetzteil, Inverter usw.
Leckage Niedriges Durchsickern kann weniger als 1 µ A erreichen Widerstand Niedriger Auf-Widerstand
Vorteile Neue seitliche variable lackierende Technologie, spezielle Energie MOS Structure, ausgezeichnete Eig Technologie MOSFET
Sie können die gewünschten Produkte ankreuzen und im Message Board mit uns kommunizieren.
No. Part No. Type ID(A) VDSS(V) RDS(ON) Typ(mΩ) RDS(ON) Max(mΩ) Package MOQ(pcs) Diode Trr(nS)
1 RSF38N30F N 38 300 0.09 0.11 TO-220F 1000 80
2 RSF45N50W N 45 500 0.1 0.125 TO-247 600 95
3 RSF5N50D N 5 500 1.5 1.85 TO-252 2500 61
4 RSF7N50D N 7 500 1.1 1.5 TO-252 2500 100
5 RSF3N60D N 3 600 2.8 3.4 TO-252 2500 55
6 RSF4N60D N 4 600 2 2.4 TO-252 2500 60
7 RSF4N60F N 4 600 2 2.4 TO-220F 1000 60
8 RS2N65D N 2 650 3.8 4.5 TO-252 2500 --
9 RS2N65F N 2 650 3.8 4.5 TO-220F 1000 --
10 RS4N65D N 4 650 2 2.4 TO-252 2500 --
11 RS4N65MD N 4 650 2 2.4 TO-251 4000 --
12 RS4N65F N 4 650 2 2.4 TO-220F 1000 --
13 RS5N65D N 5 650 1.8 2.1 TO-252 2500 --
14 RS5N65F N 5 650 1.8 2.1 TO-220F 1000 --
15 RS6N65D N 6 650 1.65 1.9 TO-252 2500 --
16 RS6N60F N 6 600 1 1.15 TO-220F 1000 --
17 RS6N65F N 6 650 1.65 1.9 TO-220F 1000 --
18 RS7N65D N 7 650 1.1 1.4 TO-252 2500 --
19 RS7N65MD N 7 650 1.1 1.4 TO-251 4000 --
20 RS7N65F N 7 650 1.1 1.4 TO-220F 1000 --
21 RS8N60F N 8 600 0.75 0.9 TO-220F 1000 --
22 RS8N65F N 8 650 0.95 1.15 TO-220F 1000 --
23 RS10N65D N 10 650 0.93 1.05 TO-252 2500 --
24 RS10N65F N 10 650 0.65 0.8 TO-220F 1000 --
25 RS10N60F N 10 600 0.6 0.72 TO-220F 1000 --
26 RS12N65F N 12 650 0.6 0.72 TO-220F 1000 --
27 RS12N60F N 12 600 0.5 0.62 TO-220F 1000 --
28 RS13N65F N 13 650 0.52 0.65 TO-220F 1000 --
29 RS16N65F N 16 650 0.45 0.55 TO-220F 1000 --
30 RS20N65F N 20 650 0.35 0.45 TO-220F 1000 --
31 RS5N50D N 5 500 1.25 1.45 TO-252 2500 --
32 RS6N50D N 6 500 1.2 1.5 TO-252 2500 --
33 RS9N50D N 9 500 0.65 0.8 TO-252 2500 --
34 RS9N50F N 9 500 0.65 0.8 TO-220F 1000 --
35 RS10N50F N 10 500 0.66 0.8 TO-220F 1000 --
36 RS11N50F N 11 500 0.48 0.6 TO-220F 1000 --
37 RS13N50F N 13 500 0.39 0.46 TO-220F 1000 --
38 RS15N50F N 15 500 0.35 0.42 TO-220F 1000 --
39 RS18N50F N 18 500 0.28 0.34 TO-220F 1000 --
40 RS20N50F N 20 500 0.21 0.27 TO-220F 1000 --
41 RS20N50W N 20 500 0.21 0.27 TO-247-3 600 --
42 RS25N50F N 25 500 0.18 0.24 TO-220F 1000 --
43 RS25N50W N 25 500 0.18 0.24 TO-247-3 600 --
44 RS28N50W N 28 500 0.14 0.18 TO-247-3 600 --
45 RS30N50W N 30 500 0.085 0.12 TO-247-3 600 --
46 RS4N80F N 4 800 3.2 3.8 TO-220F 1000 --
47 RS8N80F N 8 800 1.35 1.6 TO-220F 1000 --
48 RS10N80F N 10 800 1 1.2 TO-220F 1000 --
49 RS3N90MD N 3 900 4 4.8 TO-251 4000 --
50 RS4N90D N 4 900 3 3.5 TO-252 2500 --
51 RS4N90F N 4 900 3 3.5 TO-220F 1000 --
52 RS6N90F N 6 900 1.7 2.05 TO-220F 1000 --
53 RS9N90F N 9 900 1.2 1.55 TO-220F 1000 --
54 RS9N90PF N 9 900 1.2 1.55 TO-3PF 300 --
55 RS2N100D N 2 1000 6 7.2 TO-252 2500 --
56 RSE3N100F N 3 1000 4.6 5.5 TO-220F 1000 --
57 RS6N100F N 6 1000 1.2 1.5 TO-220F 1000 --
58 RS2N120D N 2 1200 10.5 12.5 TO-252 2500 --
59 RS3N120D N 3 1200 7.3 8.5 TO-252 2500 --
60 RS6N120T N 6 1200 2.1 2.5 TO-220 1000 --
61 RS3N150F N 3 1500 5.5 6.5 TO-220F 1000 --
62 RS3N150PF N 3 1500 5.5 6.5 TO-3PF 300 --
63 RS3N150W N 3 1500 5.5 6.5 TO247-3 600 --
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No. Part No. Type ID(A) VDSS(V) RDS(ON) Typ(mΩ) RDS(ON) Max(mΩ) Package MOQ(pcs) Diode Trr(nS)
Produkt-Beschreibung

Beschreibung des Produkts:

Hochspannungs-MOSFET ist eine neue Generation von Ultra-Hochspannungs-MOSFET-Technologie, die die Vorteile der neuen seitlichen variablen Dopingtechnologie aufweist,Spezielle Leistung MOS-Struktur und ausgezeichnete Eigenschaften bei hohen TemperaturenEs wird weit verbreitet in Motor-Serie, Wechselrichter, Halbbrücke / Vollbrücke Schaltkreis Anwendungen, LED-Treiber, Adapter, industrielle Schaltanlage und Wechselrichter, etc.Es hat eine extrem geringe Leckage., die weniger als 1 μ A erreichen können.

 

Technische Parameter:

Parameter Wert
Widerstand Niedriger Einsatzwiderstand
Leckage Niedrige Leckage kann weniger als 1 μ A erreichen
Anwendung von Ultra-HV-MOSFET Smart Meter, Kabinettstromversorgung, industrielle Schaltanlage, elektrische Stromversorgung usw.
Vorteile Neue Technologie für das doppende Abwechslungsmittel, spezielle MOS-Struktur, ausgezeichnete Eigenschaften bei hohen Temperaturen.
Typ N
Eingebettete FRD HV MOSFET-Anwendung Motorreihe, Wechselrichter, Halbbrücken-/Vollbrücken-Schaltkreis-Anwendungen usw.
Anwendung von HV Mosfet LED-Treiber, Adapter, industrielle Schaltanlage, Wechselrichter usw.
Wärmeabbau Große Wärmeverteilung
Technologie MOSFET
Nennspannung Hochspannung/Ultrahochspannung
 

Anwendungen:

Reasunos, eine Marke aus Guangdong, China, liefert Hochspannungs-MOSFETs, Ultra-Hochspannungs-MOSFETs und eingebettete FRD HV-MOSFETs für verschiedene Anwendungen.Die HV-MOSFETs von Reasunos sind für ihre geringe Leckage bekannt.Der Preis hängt von der Gesamtmenge ab, und die Verpackung ist staub-, wasser- und antistatische Rohrverpackung.,Die Lieferzeit beträgt 2-30 Tage, abhängig von der Gesamtmenge, und die Zahlungsbedingungen sind 100% T/T im Voraus (EXW).Die HV-MOSFETs werden in LED-Treibern weit verbreitet, Adapter, industrielle Schaltnetzteile und Wechselrichter.

 

Unterstützung und Dienstleistungen:

Technische Unterstützung und Dienstleistungen für Hochspannungs-MOSFET

Wir bieten fachkundige technische Unterstützung und Dienstleistungen für unser Hochspannungs-MOSFET-Produkt an. Unser erfahrenes Team von Ingenieuren steht Ihnen bei Fragen oder Problemen zur Verfügung.

Wir bieten eine breite Palette von Dienstleistungen an, darunter:

  • Fehlerbehebung und Diagnose
  • Konstruktionsberatung
  • technische Unterstützung vor Ort
  • Softwareaktualisierungen
  • Individuelle Lösungen

Wenn Sie Fragen haben oder mehr über unsere technische Unterstützung und Dienstleistungen für Hochspannungs-MOSFET erfahren möchten, zögern Sie bitte nicht, uns zu kontaktieren.

 

Verpackung und Versand:

Hochspannungs-MOSFETs werden in einem statisch-dissipativen Versandbeutel verpackt und versandt.Das Produkt sollte unmittelbar nach Erhalt auf Beschädigung untersucht werden und etwaige Beschädigungen dem Reedereiunternehmen gemeldet werden..

Der Beutel sollte vorsichtig geöffnet und das Produkt erst dann entfernt werden, wenn alle Sicherheitsmaßnahmen getroffen wurden.Das Produkt darf während des Versands oder der Handhabung keiner Spannung ausgesetzt werden, die höher ist als seine Nennspannung.Das Produkt sollte in einer statisch sicheren Umgebung, z. B. in einer antistatischen Tasche, gelagert werden.

Das Produkt sollte vor der Installation vorsichtig behandelt und auf Anzeichen von Beschädigungen untersucht werden.Das Produkt sollte gemäß den Anweisungen des Herstellers installiert werden..

 

Häufige Fragen:

F: Wie heißt dieser Hochspannungs-MOSFET?
A: Der Markenname dieses Hochspannungs-MOSFET ist REASUNOS.
F: Wo ist der Ursprungsort dieses Hochspannungs-MOSFET?
A: Dieses Hochspannungs-MOSFET stammt aus Guangdong, China.
F: Wie hoch ist der Preis dieses Hochspannungs-MOSFET?
A: Der Preis für dieses Hochspannungs-MOSFET hängt vom Produkt ab. Bitte kontaktieren Sie uns für weitere Informationen.
F: Wie ist dieses Hochspannungs-MOSFET verpackt?
A: Dieses Hochspannungs-MOSFET ist mit staub-, wasser- und antistatischen Rohrverpackungen verpackt, die in Kartons in einer Kartonbox platziert sind.
F: Wie lange dauert die Lieferung für dieses Hochspannungs-MOSFET?
A: Die Lieferzeit für dieses Hochspannungs-MOSFET beträgt 2-30 Tage, abhängig von der Gesamtmenge.