MOSFET Встроенные FRD HV высоковольтные FET для приложений и т. д.
Место происхождения | Гуандун, CN |
---|---|
Фирменное наименование | REASUNOS |
Цена | Confirm price based on product |
Упаковывая детали | Прочная, водонепроницаемая и антистатическая трубчатая упаковка, помещенная в картонную коробку в ка |
Время доставки | 2-30 дней (зависит от общего количества) |
Условия оплаты | 100% T/T заранее ((EXW) |
Поставка способности | 5кк/месяц |

Свяжитесь я бесплатно образцы и талоны.
WhatsApp:0086 18588475571
Вичат: 0086 18588475571
Скайп: sales10@aixton.com
Если вы имеете любую заботу, то мы предусматриваем 24-часовую интерактивную справку.
xНаименование продукта | Высоковольтный MOSFET | Применение MOSFET Ультра-HV | Умный метр, электропитание шкафа, промышленное переключая электропитание, система электропитания, Et |
---|---|---|---|
тепловыделение | Большее тепловыделение | Применение Mosfet HV | Водитель СИД, переходники, промышленное переключая электропитание, инверторы Etc |
Утечка | Низкая утечка может достигнуть меньше чем 1 µ a | Сопротивление | Низкое На-сопротивление |
Преимущества | Новая боковая переменная давая допинг технология, особенная структура MOS силы, превосходные характе | Технологии | MOSFET |
Выделить | HV встроенный FRD MOSFET,Встроенный FRD MOSFET высокого напряжения,И т. д. Приложения FRD MOSFET |
No. | Part No. | Type | ID(A) | VDSS(V) | RDS(ON) Typ(mΩ) | RDS(ON) Max(mΩ) | Package | MOQ(pcs) | Diode Trr(nS) | |
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
1 | RSF38N30F | N | 38 | 300 | 0.09 | 0.11 | TO-220F | 1000 | 80 | |
2 | RSF45N50W | N | 45 | 500 | 0.1 | 0.125 | TO-247 | 600 | 95 | |
3 | RSF5N50D | N | 5 | 500 | 1.5 | 1.85 | TO-252 | 2500 | 61 | |
4 | RSF7N50D | N | 7 | 500 | 1.1 | 1.5 | TO-252 | 2500 | 100 | |
5 | RSF3N60D | N | 3 | 600 | 2.8 | 3.4 | TO-252 | 2500 | 55 | |
6 | RSF4N60D | N | 4 | 600 | 2 | 2.4 | TO-252 | 2500 | 60 | |
7 | RSF4N60F | N | 4 | 600 | 2 | 2.4 | TO-220F | 1000 | 60 | |
8 | RS2N65D | N | 2 | 650 | 3.8 | 4.5 | TO-252 | 2500 | -- | |
9 | RS2N65F | N | 2 | 650 | 3.8 | 4.5 | TO-220F | 1000 | -- | |
10 | RS4N65D | N | 4 | 650 | 2 | 2.4 | TO-252 | 2500 | -- | |
11 | RS4N65MD | N | 4 | 650 | 2 | 2.4 | TO-251 | 4000 | -- | |
12 | RS4N65F | N | 4 | 650 | 2 | 2.4 | TO-220F | 1000 | -- | |
13 | RS5N65D | N | 5 | 650 | 1.8 | 2.1 | TO-252 | 2500 | -- | |
14 | RS5N65F | N | 5 | 650 | 1.8 | 2.1 | TO-220F | 1000 | -- | |
15 | RS6N65D | N | 6 | 650 | 1.65 | 1.9 | TO-252 | 2500 | -- | |
16 | RS6N60F | N | 6 | 600 | 1 | 1.15 | TO-220F | 1000 | -- | |
17 | RS6N65F | N | 6 | 650 | 1.65 | 1.9 | TO-220F | 1000 | -- | |
18 | RS7N65D | N | 7 | 650 | 1.1 | 1.4 | TO-252 | 2500 | -- | |
19 | RS7N65MD | N | 7 | 650 | 1.1 | 1.4 | TO-251 | 4000 | -- | |
20 | RS7N65F | N | 7 | 650 | 1.1 | 1.4 | TO-220F | 1000 | -- | |
21 | RS8N60F | N | 8 | 600 | 0.75 | 0.9 | TO-220F | 1000 | -- | |
22 | RS8N65F | N | 8 | 650 | 0.95 | 1.15 | TO-220F | 1000 | -- | |
23 | RS10N65D | N | 10 | 650 | 0.93 | 1.05 | TO-252 | 2500 | -- | |
24 | RS10N65F | N | 10 | 650 | 0.65 | 0.8 | TO-220F | 1000 | -- | |
25 | RS10N60F | N | 10 | 600 | 0.6 | 0.72 | TO-220F | 1000 | -- | |
26 | RS12N65F | N | 12 | 650 | 0.6 | 0.72 | TO-220F | 1000 | -- | |
27 | RS12N60F | N | 12 | 600 | 0.5 | 0.62 | TO-220F | 1000 | -- | |
28 | RS13N65F | N | 13 | 650 | 0.52 | 0.65 | TO-220F | 1000 | -- | |
29 | RS16N65F | N | 16 | 650 | 0.45 | 0.55 | TO-220F | 1000 | -- | |
30 | RS20N65F | N | 20 | 650 | 0.35 | 0.45 | TO-220F | 1000 | -- | |
31 | RS5N50D | N | 5 | 500 | 1.25 | 1.45 | TO-252 | 2500 | -- | |
32 | RS6N50D | N | 6 | 500 | 1.2 | 1.5 | TO-252 | 2500 | -- | |
33 | RS9N50D | N | 9 | 500 | 0.65 | 0.8 | TO-252 | 2500 | -- | |
34 | RS9N50F | N | 9 | 500 | 0.65 | 0.8 | TO-220F | 1000 | -- | |
35 | RS10N50F | N | 10 | 500 | 0.66 | 0.8 | TO-220F | 1000 | -- | |
36 | RS11N50F | N | 11 | 500 | 0.48 | 0.6 | TO-220F | 1000 | -- | |
37 | RS13N50F | N | 13 | 500 | 0.39 | 0.46 | TO-220F | 1000 | -- | |
38 | RS15N50F | N | 15 | 500 | 0.35 | 0.42 | TO-220F | 1000 | -- | |
39 | RS18N50F | N | 18 | 500 | 0.28 | 0.34 | TO-220F | 1000 | -- | |
40 | RS20N50F | N | 20 | 500 | 0.21 | 0.27 | TO-220F | 1000 | -- | |
41 | RS20N50W | N | 20 | 500 | 0.21 | 0.27 | TO-247-3 | 600 | -- | |
42 | RS25N50F | N | 25 | 500 | 0.18 | 0.24 | TO-220F | 1000 | -- | |
43 | RS25N50W | N | 25 | 500 | 0.18 | 0.24 | TO-247-3 | 600 | -- | |
44 | RS28N50W | N | 28 | 500 | 0.14 | 0.18 | TO-247-3 | 600 | -- | |
45 | RS30N50W | N | 30 | 500 | 0.085 | 0.12 | TO-247-3 | 600 | -- | |
46 | RS4N80F | N | 4 | 800 | 3.2 | 3.8 | TO-220F | 1000 | -- | |
47 | RS8N80F | N | 8 | 800 | 1.35 | 1.6 | TO-220F | 1000 | -- | |
48 | RS10N80F | N | 10 | 800 | 1 | 1.2 | TO-220F | 1000 | -- | |
49 | RS3N90MD | N | 3 | 900 | 4 | 4.8 | TO-251 | 4000 | -- | |
50 | RS4N90D | N | 4 | 900 | 3 | 3.5 | TO-252 | 2500 | -- | |
51 | RS4N90F | N | 4 | 900 | 3 | 3.5 | TO-220F | 1000 | -- | |
52 | RS6N90F | N | 6 | 900 | 1.7 | 2.05 | TO-220F | 1000 | -- | |
53 | RS9N90F | N | 9 | 900 | 1.2 | 1.55 | TO-220F | 1000 | -- | |
54 | RS9N90PF | N | 9 | 900 | 1.2 | 1.55 | TO-3PF | 300 | -- | |
55 | RS2N100D | N | 2 | 1000 | 6 | 7.2 | TO-252 | 2500 | -- | |
56 | RSE3N100F | N | 3 | 1000 | 4.6 | 5.5 | TO-220F | 1000 | -- | |
57 | RS6N100F | N | 6 | 1000 | 1.2 | 1.5 | TO-220F | 1000 | -- | |
58 | RS2N120D | N | 2 | 1200 | 10.5 | 12.5 | TO-252 | 2500 | -- | |
59 | RS3N120D | N | 3 | 1200 | 7.3 | 8.5 | TO-252 | 2500 | -- | |
60 | RS6N120T | N | 6 | 1200 | 2.1 | 2.5 | TO-220 | 1000 | -- | |
61 | RS3N150F | N | 3 | 1500 | 5.5 | 6.5 | TO-220F | 1000 | -- | |
62 | RS3N150PF | N | 3 | 1500 | 5.5 | 6.5 | TO-3PF | 300 | -- | |
63 | RS3N150W | N | 3 | 1500 | 5.5 | 6.5 | TO247-3 | 600 | -- |
Описание продукта:
MOSFET высокого напряжения - это новое поколение технологии MOSFET сверхвысокого напряжения, которая имеет преимущества новой технологии латерального переменного допинга,специальная мощность MOS структура и отличные характеристики при высоких температурахОн широко применяется в серии двигателей, инверторах, приложениях полного моста / полного моста, светодиодных драйверах, адаптерах, промышленных коммутаторах и инверторах.У него очень низкая утечка., которые могут достигать менее 1 мкА.
Технические параметры:
Параметр | Стоимость |
---|---|
Сопротивление | Низкое сопротивление |
Утечка | Низкая утечка может достигать менее 1 мкА |
Применение ультра-ВВ MOSFET | Умный счетчик, электроснабжение кабинета, промышленное переключающее электроснабжение, система электроэнергии и т.д. |
Преимущества | Новая технология латерального переменного допинга, специальная структура MOS с мощностью, отличные характеристики при высоких температурах. |
Тип | N |
Встроенное приложение FRD HV MOSFET | Моторные серии, инверторы, Half Bridge/Full Bridge Circuit приложения и т.д. |
Применение HV Mosfet | Диодный драйвер, адаптеры, промышленные переключатели питания, инверторы и т.д. |
Рассеивание тепла | Большое рассеивание тепла |
Технологии | MOSFET |
Направление напряжения | Высокое напряжение/Ультравысокое напряжение |
Применение:
Reasunos, бренд из Гуандун, Китай, предоставляет высоковольтные MOSFET, сверхвысоковольтные MOSFET и встроенные FRD HV MOSFET для различных приложений.HV MOSFET от Reasunos хорошо известны своей низкой утечкойЦена продукта зависит от общего количества, а упаковка является пылестойкой, водостойкой и антистатической трубчатой упаковкой.,Срок доставки составляет 2-30 дней, в зависимости от общего количества, а условия оплаты - 100% T/T заранее (EXW).HV MOSFET широко используются в светодиодных драйверах, адаптеры, промышленные коммутаторы питания и инверторы.
Поддержка и услуги:
Мы предлагаем экспертную техническую поддержку и услуги для нашего высоковольтного продукта MOSFET. Наша опытная команда инженеров доступна, чтобы помочь вам с любыми вопросами или проблемами, которые могут возникнуть.
Мы предоставляем широкий спектр услуг, в том числе:
- Устранение неполадок и диагностика
- Консультации по проектированию
- Техническая поддержка на месте
- Обновления программного обеспечения
- Решения на заказ
Если у вас есть какие-либо вопросы или вы хотите узнать больше о нашей технической поддержке и услугах для высоковольтных MOSFET, пожалуйста, не стесняйтесь связаться с нами.
Упаковка и перевозка:
Высоковольтные MOSFET упаковываются и отправляются в статично-диссипативный пакет для доставки.Продукт должен быть осмотрен на наличие повреждений сразу же после получения, и о любом повреждении следует сообщить судоходной компании..
Скидка должна быть открыта осторожно, и препарат не должен быть снят до тех пор, пока не будут приняты все меры безопасности.Продукт не должен подвергаться воздействию напряжения, превышающего его номинальное напряжение, во время транспортировки или обработкиПродукт должен храниться в статически безопасной среде, например, в антистатическом мешке.
Продукт следует обращаться с осторожностью и проверять на наличие признаков повреждения перед установкой.Продукт должен быть установлен в соответствии с инструкциями производителя..