एमओएसएफईटी एम्बेडेड एफआरडी एचवी उच्च वोल्टेज एफईटी आदि अनुप्रयोगों के लिए

उत्पत्ति के प्लेस गुआंग्डोंग, सीएन
ब्रांड नाम REASUNOS
मूल्य Confirm price based on product
पैकेजिंग विवरण डस्टप्रूफ, वॉटरप्रूफ और एंटी-स्टैटिक ट्यूबलर पैकेजिंग, डिब्बों में कार्डबोर्ड बॉक्स के अंदर रखी गई ह
प्रसव के समय 2-30 दिन (कुल मात्रा पर निर्भर करता है)
भुगतान शर्तें अग्रिम में 100% टी/टी (EXW)
आपूर्ति की क्षमता 5KK/माह

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उत्पाद विवरण
उत्पाद का नाम उच्च वोल्टेज MOSFET अल्ट्रा-एचवी एमओएसएफईटी अनुप्रयोग स्मार्ट मीटर, कैबिनेट बिजली आपूर्ति, औद्योगिक स्विचिंग बिजली आपूर्ति, विद्युत ऊर्जा प्रणाली, आदि।
ताप लोपन महान ताप अपव्यय एचवी मॉसफेट एप्लीकेशन एलईडी ड्राइवर, एडेप्टर, औद्योगिक स्विचिंग बिजली आपूर्ति, इनवर्टर आदि
रिसाव के कम रिसाव 1 μA से कम तक पहुंच सकता है प्रतिरोध कम प्रतिरोध
लाभ नई लेटरल वेरिएबल डोपिंग तकनीक, विशेष पावर एमओएस संरचना, उच्च तापमान में उत्कृष्ट विशेषताएं। तकनीकी MOSFET
प्रमुखता देना

एचवी एम्बेडेड एफआरडी मोस्फेट

,

उच्च वोल्टेज एम्बेडेड FRD MOSFET

,

आदि. अनुप्रयोग एम्बेडेड एफआरडी मोस्फेट

आप अपनी ज़रूरत के उत्पादों को टिक कर सकते हैं और हमारे साथ संदेश बोर्ड में संचार कर सकते हैं।
No. Part No. Type ID(A) VDSS(V) RDS(ON) Typ(mΩ) RDS(ON) Max(mΩ) Package MOQ(pcs) Diode Trr(nS)
1 RSF38N30F N 38 300 0.09 0.11 TO-220F 1000 80
2 RSF45N50W N 45 500 0.1 0.125 TO-247 600 95
3 RSF5N50D N 5 500 1.5 1.85 TO-252 2500 61
4 RSF7N50D N 7 500 1.1 1.5 TO-252 2500 100
5 RSF3N60D N 3 600 2.8 3.4 TO-252 2500 55
6 RSF4N60D N 4 600 2 2.4 TO-252 2500 60
7 RSF4N60F N 4 600 2 2.4 TO-220F 1000 60
8 RS2N65D N 2 650 3.8 4.5 TO-252 2500 --
9 RS2N65F N 2 650 3.8 4.5 TO-220F 1000 --
10 RS4N65D N 4 650 2 2.4 TO-252 2500 --
11 RS4N65MD N 4 650 2 2.4 TO-251 4000 --
12 RS4N65F N 4 650 2 2.4 TO-220F 1000 --
13 RS5N65D N 5 650 1.8 2.1 TO-252 2500 --
14 RS5N65F N 5 650 1.8 2.1 TO-220F 1000 --
15 RS6N65D N 6 650 1.65 1.9 TO-252 2500 --
16 RS6N60F N 6 600 1 1.15 TO-220F 1000 --
17 RS6N65F N 6 650 1.65 1.9 TO-220F 1000 --
18 RS7N65D N 7 650 1.1 1.4 TO-252 2500 --
19 RS7N65MD N 7 650 1.1 1.4 TO-251 4000 --
20 RS7N65F N 7 650 1.1 1.4 TO-220F 1000 --
21 RS8N60F N 8 600 0.75 0.9 TO-220F 1000 --
22 RS8N65F N 8 650 0.95 1.15 TO-220F 1000 --
23 RS10N65D N 10 650 0.93 1.05 TO-252 2500 --
24 RS10N65F N 10 650 0.65 0.8 TO-220F 1000 --
25 RS10N60F N 10 600 0.6 0.72 TO-220F 1000 --
26 RS12N65F N 12 650 0.6 0.72 TO-220F 1000 --
27 RS12N60F N 12 600 0.5 0.62 TO-220F 1000 --
28 RS13N65F N 13 650 0.52 0.65 TO-220F 1000 --
29 RS16N65F N 16 650 0.45 0.55 TO-220F 1000 --
30 RS20N65F N 20 650 0.35 0.45 TO-220F 1000 --
31 RS5N50D N 5 500 1.25 1.45 TO-252 2500 --
32 RS6N50D N 6 500 1.2 1.5 TO-252 2500 --
33 RS9N50D N 9 500 0.65 0.8 TO-252 2500 --
34 RS9N50F N 9 500 0.65 0.8 TO-220F 1000 --
35 RS10N50F N 10 500 0.66 0.8 TO-220F 1000 --
36 RS11N50F N 11 500 0.48 0.6 TO-220F 1000 --
37 RS13N50F N 13 500 0.39 0.46 TO-220F 1000 --
38 RS15N50F N 15 500 0.35 0.42 TO-220F 1000 --
39 RS18N50F N 18 500 0.28 0.34 TO-220F 1000 --
40 RS20N50F N 20 500 0.21 0.27 TO-220F 1000 --
41 RS20N50W N 20 500 0.21 0.27 TO-247-3 600 --
42 RS25N50F N 25 500 0.18 0.24 TO-220F 1000 --
43 RS25N50W N 25 500 0.18 0.24 TO-247-3 600 --
44 RS28N50W N 28 500 0.14 0.18 TO-247-3 600 --
45 RS30N50W N 30 500 0.085 0.12 TO-247-3 600 --
46 RS4N80F N 4 800 3.2 3.8 TO-220F 1000 --
47 RS8N80F N 8 800 1.35 1.6 TO-220F 1000 --
48 RS10N80F N 10 800 1 1.2 TO-220F 1000 --
49 RS3N90MD N 3 900 4 4.8 TO-251 4000 --
50 RS4N90D N 4 900 3 3.5 TO-252 2500 --
51 RS4N90F N 4 900 3 3.5 TO-220F 1000 --
52 RS6N90F N 6 900 1.7 2.05 TO-220F 1000 --
53 RS9N90F N 9 900 1.2 1.55 TO-220F 1000 --
54 RS9N90PF N 9 900 1.2 1.55 TO-3PF 300 --
55 RS2N100D N 2 1000 6 7.2 TO-252 2500 --
56 RSE3N100F N 3 1000 4.6 5.5 TO-220F 1000 --
57 RS6N100F N 6 1000 1.2 1.5 TO-220F 1000 --
58 RS2N120D N 2 1200 10.5 12.5 TO-252 2500 --
59 RS3N120D N 3 1200 7.3 8.5 TO-252 2500 --
60 RS6N120T N 6 1200 2.1 2.5 TO-220 1000 --
61 RS3N150F N 3 1500 5.5 6.5 TO-220F 1000 --
62 RS3N150PF N 3 1500 5.5 6.5 TO-3PF 300 --
63 RS3N150W N 3 1500 5.5 6.5 TO247-3 600 --
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No. Part No. Type ID(A) VDSS(V) RDS(ON) Typ(mΩ) RDS(ON) Max(mΩ) Package MOQ(pcs) Diode Trr(nS)
उत्पाद विवरण

उत्पाद का वर्णन:

उच्च वोल्टेज MOSFET अल्ट्रा-उच्च वोल्टेज MOSFET प्रौद्योगिकी की एक नई पीढ़ी है, जिसमें नई पार्श्व चर डोपिंग तकनीक के फायदे हैं,विशेष शक्ति एमओएस संरचना और उच्च तापमान में उत्कृष्ट विशेषताओंयह मोटर श्रृंखला, इन्वर्टर, हाफ ब्रिज/फुल ब्रिज सर्किट एप्लिकेशन, एलईडी ड्राइवर, एडाप्टर, औद्योगिक स्विचिंग पावर सप्लाई और इन्वर्टर आदि में व्यापक रूप से लागू होता है।इसमें बहुत कम रिसाव होता है, जो 1 μ A से कम तक पहुंच सकता है।

 

तकनीकी मापदंडः

पैरामीटर मूल्य
प्रतिरोध कम प्रतिरोध
रिसाव कम रिसाव 1 माइक्रोन ए से कम तक पहुंच सकता है
अल्ट्रा-एचवी एमओएसएफईटी अनुप्रयोग स्मार्ट मीटर, कैबिनेट पावर सप्लाई, इंडस्ट्रियल स्विचिंग पावर सप्लाई, इलेक्ट्रिकल पावर सिस्टम आदि।
लाभ नई पार्श्व परिवर्तनीय डोपिंग तकनीक, विशेष शक्ति एमओएस संरचना, उच्च तापमान में उत्कृष्ट विशेषताएं।
प्रकार एन
एम्बेडेड FRD HV MOSFET अनुप्रयोग मोटर श्रृंखला, इन्वर्टर, हाफ ब्रिज/फुल ब्रिज सर्किट एप्लिकेशन, आदि।
एचवी मोस्फेट आवेदन एलईडी ड्राइवर, एडाप्टर, औद्योगिक स्विचिंग पावर सप्लाई, इन्वर्टर आदि
ताप विसर्जन बड़ी गर्मी विसर्जन
प्रौद्योगिकी एमओएसएफईटी
वोल्टेज रेटिंग उच्च वोल्टेज/अति उच्च वोल्टेज
 

अनुप्रयोग:

गुआंग्डोंग, चीन का एक ब्रांड, उच्च वोल्टेज एमओएसएफईटी, अल्ट्रा-उच्च वोल्टेज एमओएसएफईटी और विभिन्न अनुप्रयोगों के लिए एम्बेडेड एफआरडी एचवी एमओएसएफईटी प्रदान करता है।Reasunos के HV MOSFET अपने कम रिसाव के लिए प्रसिद्ध हैंउत्पाद की कीमत कुल मात्रा पर निर्भर करती है, और पैकेजिंग धूलरोधी, जलरोधी और विरोधी स्थैतिक ट्यूबलर पैकेजिंग है।,एक कार्डबोर्ड बॉक्स के अंदर डिब्बों में रखा जाता है। डिलीवरी का समय कुल मात्रा के आधार पर 2-30 दिन है, और भुगतान की शर्तें 100% टी / टी अग्रिम (एक्सडब्ल्यू) हैं। आपूर्ति क्षमता 5KK / माह है।एचवी एमओएसएफईटी का एलईडी ड्राइवरों में व्यापक रूप से उपयोग किया जाता है, एडाप्टर, औद्योगिक स्विचिंग पावर सप्लाई और इन्वर्टर।

 

सहायता एवं सेवाएं:

उच्च वोल्टेज MOSFET तकनीकी सहायता और सेवाएं

हम अपने उच्च वोल्टेज MOSFET उत्पाद के लिए विशेषज्ञ तकनीकी सहायता और सेवाएं प्रदान करते हैं। इंजीनियरों की हमारी अनुभवी टीम आपके किसी भी प्रश्न या समस्या के साथ आपकी सहायता करने के लिए उपलब्ध है।

हम सेवाओं की एक विस्तृत श्रृंखला प्रदान करते हैं, जिनमें शामिल हैंः

  • समस्या निवारण और निदान
  • डिजाइन परामर्श
  • साइट पर तकनीकी सहायता
  • सॉफ्टवेयर अद्यतन
  • कस्टम समाधान

यदि आपके कोई प्रश्न हैं या उच्च वोल्टेज MOSFET के लिए हमारे तकनीकी समर्थन और सेवाओं के बारे में अधिक जानना चाहते हैं, तो कृपया हमसे संपर्क करने में संकोच न करें।

 

पैकिंग और शिपिंगः

उच्च वोल्टेज MOSFET को एक स्थिर-विसारक शिपिंग बैग में पैक और शिप किया जाता है। इस बैग का उपयोग उत्पाद को इलेक्ट्रोस्टैटिक डिस्चार्ज (ESD) से बचाने के लिए किया जाता है।प्राप्ति के तुरंत बाद उत्पाद का निरीक्षण किया जाना चाहिए और किसी भी क्षति की सूचना शिपिंग कंपनी को दी जानी चाहिए।.

बैग को सावधानी से खोलना चाहिए और जब तक सभी सुरक्षा उपाय नहीं किए जाते तब तक उत्पाद को बाहर नहीं निकाला जाना चाहिए।उत्पाद को शिपिंग या हैंडलिंग के दौरान अपने रेटिंग से अधिक किसी भी वोल्टेज के संपर्क में नहीं आना चाहिएउत्पाद को एक अस्थिर-सुरक्षित वातावरण में संग्रहीत किया जाना चाहिए जैसे कि एक एंटी-स्टेटिक बैग।

उत्पाद को सावधानी से संभाला जाना चाहिए और स्थापना से पहले किसी भी क्षति के संकेत के लिए निरीक्षण किया जाना चाहिए। यदि कोई क्षति के संकेत मौजूद हैं तो उत्पाद को स्थापित नहीं किया जाना चाहिए।उत्पाद को निर्माता के निर्देशों के अनुसार स्थापित किया जाना चाहिए.

 

अक्सर पूछे जाने वाले प्रश्न:

प्रश्न: इस उच्च वोल्टेज मोस्फेट का ब्रांड नाम क्या है?
उत्तर: इस उच्च वोल्टेज MOSFET का ब्रांड नाम REASUNOS है।
प्रश्न: इस उच्च वोल्टेज एमओएसएफईटी का मूल स्थान कहाँ है?
उत्तर: यह उच्च वोल्टेज MOSFET गुआंग्डोंग, CN से है।
प्रश्न: इस उच्च वोल्टेज मोस्फेट की कीमत क्या है?
एः इस उच्च वोल्टेज MOSFET की कीमत उत्पाद पर आधारित है। अधिक जानकारी के लिए कृपया हमसे संपर्क करें।
प्रश्न: इस उच्च वोल्टेज मोस्फेट को कैसे पैक किया जाता है?
A: यह उच्च वोल्टेज MOSFET धूलरोधी, जलरोधी, और विरोधी स्थैतिक ट्यूबलर पैकेजिंग के साथ पैक किया जाता है, जो एक कार्डबोर्ड बॉक्स के अंदर कार्टन में रखा जाता है।
प्रश्न: इस उच्च वोल्टेज मोस्फेट के लिए डिलीवरी का समय क्या है?
उत्तर: इस उच्च वोल्टेज एमओएसएफईटी के लिए वितरण का समय कुल मात्रा के आधार पर 2-30 दिन है।
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