MOSFET 임베디드 FRD HV 고전압 FET 등용

원래 장소 광동, CN
브랜드 이름 REASUNOS
가격 Confirm price based on product
포장 세부 사항 방진, 방수, 정전기 방지 관형 포장으로 판지 상자 안에 포장되어 있습니다.
배달 시간 2-30일 (총 수량에 따라 다름)
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공급 능력 5KK/월

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제품 상세 정보
제품 이름 고전압 MOSFET Ultra-HV MOSFET 애플리케이션 스마트 미터, 캐비닛 전원 공급 장치, 산업용 스위칭 전원 공급 장치, 전력 시스템 등
방열 뛰어난 열 방출 HV MOSFET 애플리케이션 LED 드라이버, 어댑터, 산업용 스위칭 전원 공급 장치, 인버터 등
누출 낮은 누설은 1 µ A 미만에 도달할 수 있습니다. 저항 낮은 온 저항
장점 새로운 측면 가변 도핑 기술, 특수 Power MOS 구조, 고온 특성이 우수합니다. 기술 MOSFET
강조하다

HV 임베디드 FRD MOSFET

,

고전압 내장 FRD MOSFET

,

응용 프로그램 내장 FRD MOSFET

필요한 제품을 선택하고 게시판에서 당사와 소통 할 수 있습니다.
No. Part No. Type ID(A) VDSS(V) RDS(ON) Typ(mΩ) RDS(ON) Max(mΩ) Package MOQ(pcs) Diode Trr(nS)
1 RSF38N30F N 38 300 0.09 0.11 TO-220F 1000 80
2 RSF45N50W N 45 500 0.1 0.125 TO-247 600 95
3 RSF5N50D N 5 500 1.5 1.85 TO-252 2500 61
4 RSF7N50D N 7 500 1.1 1.5 TO-252 2500 100
5 RSF3N60D N 3 600 2.8 3.4 TO-252 2500 55
6 RSF4N60D N 4 600 2 2.4 TO-252 2500 60
7 RSF4N60F N 4 600 2 2.4 TO-220F 1000 60
8 RS2N65D N 2 650 3.8 4.5 TO-252 2500 --
9 RS2N65F N 2 650 3.8 4.5 TO-220F 1000 --
10 RS4N65D N 4 650 2 2.4 TO-252 2500 --
11 RS4N65MD N 4 650 2 2.4 TO-251 4000 --
12 RS4N65F N 4 650 2 2.4 TO-220F 1000 --
13 RS5N65D N 5 650 1.8 2.1 TO-252 2500 --
14 RS5N65F N 5 650 1.8 2.1 TO-220F 1000 --
15 RS6N65D N 6 650 1.65 1.9 TO-252 2500 --
16 RS6N60F N 6 600 1 1.15 TO-220F 1000 --
17 RS6N65F N 6 650 1.65 1.9 TO-220F 1000 --
18 RS7N65D N 7 650 1.1 1.4 TO-252 2500 --
19 RS7N65MD N 7 650 1.1 1.4 TO-251 4000 --
20 RS7N65F N 7 650 1.1 1.4 TO-220F 1000 --
21 RS8N60F N 8 600 0.75 0.9 TO-220F 1000 --
22 RS8N65F N 8 650 0.95 1.15 TO-220F 1000 --
23 RS10N65D N 10 650 0.93 1.05 TO-252 2500 --
24 RS10N65F N 10 650 0.65 0.8 TO-220F 1000 --
25 RS10N60F N 10 600 0.6 0.72 TO-220F 1000 --
26 RS12N65F N 12 650 0.6 0.72 TO-220F 1000 --
27 RS12N60F N 12 600 0.5 0.62 TO-220F 1000 --
28 RS13N65F N 13 650 0.52 0.65 TO-220F 1000 --
29 RS16N65F N 16 650 0.45 0.55 TO-220F 1000 --
30 RS20N65F N 20 650 0.35 0.45 TO-220F 1000 --
31 RS5N50D N 5 500 1.25 1.45 TO-252 2500 --
32 RS6N50D N 6 500 1.2 1.5 TO-252 2500 --
33 RS9N50D N 9 500 0.65 0.8 TO-252 2500 --
34 RS9N50F N 9 500 0.65 0.8 TO-220F 1000 --
35 RS10N50F N 10 500 0.66 0.8 TO-220F 1000 --
36 RS11N50F N 11 500 0.48 0.6 TO-220F 1000 --
37 RS13N50F N 13 500 0.39 0.46 TO-220F 1000 --
38 RS15N50F N 15 500 0.35 0.42 TO-220F 1000 --
39 RS18N50F N 18 500 0.28 0.34 TO-220F 1000 --
40 RS20N50F N 20 500 0.21 0.27 TO-220F 1000 --
41 RS20N50W N 20 500 0.21 0.27 TO-247-3 600 --
42 RS25N50F N 25 500 0.18 0.24 TO-220F 1000 --
43 RS25N50W N 25 500 0.18 0.24 TO-247-3 600 --
44 RS28N50W N 28 500 0.14 0.18 TO-247-3 600 --
45 RS30N50W N 30 500 0.085 0.12 TO-247-3 600 --
46 RS4N80F N 4 800 3.2 3.8 TO-220F 1000 --
47 RS8N80F N 8 800 1.35 1.6 TO-220F 1000 --
48 RS10N80F N 10 800 1 1.2 TO-220F 1000 --
49 RS3N90MD N 3 900 4 4.8 TO-251 4000 --
50 RS4N90D N 4 900 3 3.5 TO-252 2500 --
51 RS4N90F N 4 900 3 3.5 TO-220F 1000 --
52 RS6N90F N 6 900 1.7 2.05 TO-220F 1000 --
53 RS9N90F N 9 900 1.2 1.55 TO-220F 1000 --
54 RS9N90PF N 9 900 1.2 1.55 TO-3PF 300 --
55 RS2N100D N 2 1000 6 7.2 TO-252 2500 --
56 RSE3N100F N 3 1000 4.6 5.5 TO-220F 1000 --
57 RS6N100F N 6 1000 1.2 1.5 TO-220F 1000 --
58 RS2N120D N 2 1200 10.5 12.5 TO-252 2500 --
59 RS3N120D N 3 1200 7.3 8.5 TO-252 2500 --
60 RS6N120T N 6 1200 2.1 2.5 TO-220 1000 --
61 RS3N150F N 3 1500 5.5 6.5 TO-220F 1000 --
62 RS3N150PF N 3 1500 5.5 6.5 TO-3PF 300 --
63 RS3N150W N 3 1500 5.5 6.5 TO247-3 600 --
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No. Part No. Type ID(A) VDSS(V) RDS(ON) Typ(mΩ) RDS(ON) Max(mΩ) Package MOQ(pcs) Diode Trr(nS)
제품 설명

제품 설명:

고전압 MOSFET는 새로운 세대의 초고전압 MOSFET 기술로 새로운 변동성 변동 도핑 기술의 장점을 가지고 있습니다.특수 전력 MOS 구조와 높은 온도에서 우수한 특성그것은 광범위하게 모터 시리즈, 인버터, 반 브리지 / 풀 브리지 회로 응용 프로그램, LED 드라이버, 어댑터, 산업 스위칭 전원 공급 및 인버터 등에 적용됩니다.유출량은 매우 낮습니다.1μA 이하로 도달할 수 있습니다.

 

기술 매개 변수:

매개 변수 가치
저항력 낮은 전원 저항
누출 낮은 누출은 1μA 이하로 도달 할 수 있습니다.
초고압 MOSFET 적용 스마트 미터, 캐비닛 전원 공급, 산업 스위칭 전력 공급, 전기 전력 시스템, 등
장점 새로운 변동성 도핑 기술, 특수 전력 MOS 구조, 높은 온도에서 우수한 특성.
종류 N
임베디드 FRD HV MOSFET 애플리케이션 모터 시리즈, 인버터, 하프 브리지 / 풀 브리지 회로 응용 프로그램, 등
HV 모스페트 적용 LED 드라이버, 어댑터, 산업용 스위치 전원 공급 장치, 인버터 등
열 분산 큰 열 분산
기술 MOSFET
전압 등급 고전압/극대고전압
 

응용 프로그램:

중국 광둥의 브랜드인 Reasunos는 다양한 애플리케이션을 위해 고전압 MOSFET, 초고전압 MOSFET 및 임베디드 FRD HV MOSFET을 제공합니다.Reasunos의 HV MOSFET는 낮은 누출으로 잘 알려져 있습니다., 낮은 저항, 고전압 / 초고전압 등급 제품 가격은 전체 양에 달려 있으며 포장지는 먼지, 방수 및 반 정적 튜브형 포장지입니다.,카튼 상자 안에 포장되어 있습니다. 배송 시간은 총 양에 따라 2-30일이며 지불 조건은 100% T/T 사전 (EXW) 입니다. 공급 능력은 5KK / 월입니다.HV MOSFET는 LED 드라이버에 널리 사용됩니다., 어댑터, 산업용 스위치 전원 공급 장치 및 인버터.

 

지원 및 서비스:

고전압 MOSFET 기술 지원 및 서비스

우리는 우리의 고전압 MOSFET 제품에 대한 전문 기술 지원 및 서비스를 제공합니다. 엔지니어의 우리의 경험이 풍부한 팀은 당신이 가질 수있는 모든 질문이나 문제에 도움을 제공 합니다.

우리는 다양한 서비스를 제공합니다.

  • 문제 해결 및 진단
  • 디자인 컨설팅
  • 현장 기술 지원
  • 소프트웨어 업데이트
  • 맞춤형 솔루션

만약 당신이 어떤 질문이나 우리의 기술 지원과 서비스에 대해 더 많은 것을 알고 싶으면, 고전압 MOSFET, 저희에게 연락하는 것을 주저하지 마십시오.

 

포장 및 운송:

고전압 MOSFET는 정적 분산 운송 가방에 포장되어 배송됩니다. 이 가방은 정전 전류 충전 (ESD) 에 대한 제품을 보호하기 위해 사용됩니다.제품 인수 직후 손상을 검사하고 모든 손상을 선박 회사에 신고해야합니다..

가방은 조심스럽게 열고 모든 안전 조치를 취하기 전에 제품을 제거해서는 안됩니다.제품은 운송 또는 취급 중 등급 전압보다 높은 전압에 노출되어서는 안 됩니다.이 제품은 항 정적 가방과 같은 정적 안전 환경에서 보관해야합니다.

이 제품은 설치 전에 조심스럽게 다루고 손상의 흔적을 검사해야합니다. 손상의 흔적이 나타나면 제품을 설치하지 마십시오.이 제품은 제조업체의 지침에 따라 설치되어야 합니다..

 

FAQ:

Q: 이 고전압 MOSFET의 브랜드 이름은 무엇입니까?
A: 이 고전압 MOSFET의 브랜드 이름은 REASUNOS입니다.
Q: 이 고전압 MOSFET의 원산지는 어디인가요?
A: 이 고전압 MOSFET는 CN 광둥에서 왔습니다.
Q: 이 고전압 MOSFET의 가격은 얼마인가요?
A: 이 고전압 MOSFET의 가격은 제품에 따라 달라집니다. 더 많은 정보를 위해 저희에게 문의하십시오.
Q: 이 고전압 MOSFET는 어떻게 포장되었나요?
A: 이 고전압 MOSFET는 먼지, 방수, 반 정적 튜버형 포장으로 포장되어 있으며, 카튼 상자 안에 배치되어 있습니다.
Q: 이 고전압 MOSFET의 배송 시간은 얼마일까요?
A: 이 고전압 MOSFET의 배송 시간은 전체 양에 따라 2~30일입니다.