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Ultra-HV-MOSFET für die Anwendung von LED-Treiber für Elektroenergiesysteme
| Herkunftsort | Guangdong, KN |
|---|---|
| Markenname | REASUNOS |
| Preis | Confirm price based on product |
| Verpackung Informationen | Staub-, Wasser- und antistatische Rohrverpackungen, in Kartons |
| Lieferzeit | 2-30 Tage (abhängig von der Gesamtmenge) |
| Zahlungsbedingungen | 100% T/T im Voraus (EXW) |
| Versorgungsmaterial-Fähigkeit | 5KK/Monat |
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xProduktdetails
| Eingebettete FRD Hochspg MOSFET-Anwendung | Bewegungs-Reihe, Inverter, Halbbrücke-/Vollbrückenschaltung Anwendungen, etc. | Technologie | MOSFET |
|---|---|---|---|
| Leckage | Niedriges Durchsickern kann weniger als 1 µ A erreichen | Wärmeableitung | Große Wärmeableitung |
| Vorteile | Neue seitliche variable lackierende Technologie, spezielle Energie MOS Structure, ausgezeichnete Eig | Widerstand | Niedriger Auf-Widerstand |
| Produktbezeichnung | Hochspannungs-MOSFET | Hochspg Mosfet-Anwendung | LED-Fahrer, Adapter, industrielles Schaltnetzteil, Inverter usw. |
| Hervorheben | MOSFET für elektrische Stromversorgung,MOSFET für LED-Treiberanwendungen |
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| No. | Part No. | Type | ID(A) | VDSS(V) | RDS(ON) Typ(mΩ) | RDS(ON) Max(mΩ) | Package | MOQ(pcs) | Diode Trr(nS) | |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| 1 | RSF38N30F | N | 38 | 300 | 0.09 | 0.11 | TO-220F | 1000 | 80 | |
| 2 | RSF45N50W | N | 45 | 500 | 0.1 | 0.125 | TO-247 | 600 | 95 | |
| 3 | RSF5N50D | N | 5 | 500 | 1.5 | 1.85 | TO-252 | 2500 | 61 | |
| 4 | RSF7N50D | N | 7 | 500 | 1.1 | 1.5 | TO-252 | 2500 | 100 | |
| 5 | RSF3N60D | N | 3 | 600 | 2.8 | 3.4 | TO-252 | 2500 | 55 | |
| 6 | RSF4N60D | N | 4 | 600 | 2 | 2.4 | TO-252 | 2500 | 60 | |
| 7 | RSF4N60F | N | 4 | 600 | 2 | 2.4 | TO-220F | 1000 | 60 | |
| 8 | RS2N65D | N | 2 | 650 | 3.8 | 4.5 | TO-252 | 2500 | -- | |
| 9 | RS2N65F | N | 2 | 650 | 3.8 | 4.5 | TO-220F | 1000 | -- | |
| 10 | RS4N65D | N | 4 | 650 | 2 | 2.4 | TO-252 | 2500 | -- | |
| 11 | RS4N65MD | N | 4 | 650 | 2 | 2.4 | TO-251 | 4000 | -- | |
| 12 | RS4N65F | N | 4 | 650 | 2 | 2.4 | TO-220F | 1000 | -- | |
| 13 | RS5N65D | N | 5 | 650 | 1.8 | 2.1 | TO-252 | 2500 | -- | |
| 14 | RS5N65F | N | 5 | 650 | 1.8 | 2.1 | TO-220F | 1000 | -- | |
| 15 | RS6N65D | N | 6 | 650 | 1.65 | 1.9 | TO-252 | 2500 | -- | |
| 16 | RS6N60F | N | 6 | 600 | 1 | 1.15 | TO-220F | 1000 | -- | |
| 17 | RS6N65F | N | 6 | 650 | 1.65 | 1.9 | TO-220F | 1000 | -- | |
| 18 | RS7N65D | N | 7 | 650 | 1.1 | 1.4 | TO-252 | 2500 | -- | |
| 19 | RS7N65MD | N | 7 | 650 | 1.1 | 1.4 | TO-251 | 4000 | -- | |
| 20 | RS7N65F | N | 7 | 650 | 1.1 | 1.4 | TO-220F | 1000 | -- | |
| 21 | RS8N60F | N | 8 | 600 | 0.75 | 0.9 | TO-220F | 1000 | -- | |
| 22 | RS8N65F | N | 8 | 650 | 0.95 | 1.15 | TO-220F | 1000 | -- | |
| 23 | RS10N65D | N | 10 | 650 | 0.93 | 1.05 | TO-252 | 2500 | -- | |
| 24 | RS10N65F | N | 10 | 650 | 0.65 | 0.8 | TO-220F | 1000 | -- | |
| 25 | RS10N60F | N | 10 | 600 | 0.6 | 0.72 | TO-220F | 1000 | -- | |
| 26 | RS12N65F | N | 12 | 650 | 0.6 | 0.72 | TO-220F | 1000 | -- | |
| 27 | RS12N60F | N | 12 | 600 | 0.5 | 0.62 | TO-220F | 1000 | -- | |
| 28 | RS13N65F | N | 13 | 650 | 0.52 | 0.65 | TO-220F | 1000 | -- | |
| 29 | RS16N65F | N | 16 | 650 | 0.45 | 0.55 | TO-220F | 1000 | -- | |
| 30 | RS20N65F | N | 20 | 650 | 0.35 | 0.45 | TO-220F | 1000 | -- | |
| 31 | RS5N50D | N | 5 | 500 | 1.25 | 1.45 | TO-252 | 2500 | -- | |
| 32 | RS6N50D | N | 6 | 500 | 1.2 | 1.5 | TO-252 | 2500 | -- | |
| 33 | RS9N50D | N | 9 | 500 | 0.65 | 0.8 | TO-252 | 2500 | -- | |
| 34 | RS9N50F | N | 9 | 500 | 0.65 | 0.8 | TO-220F | 1000 | -- | |
| 35 | RS10N50F | N | 10 | 500 | 0.66 | 0.8 | TO-220F | 1000 | -- | |
| 36 | RS11N50F | N | 11 | 500 | 0.48 | 0.6 | TO-220F | 1000 | -- | |
| 37 | RS13N50F | N | 13 | 500 | 0.39 | 0.46 | TO-220F | 1000 | -- | |
| 38 | RS15N50F | N | 15 | 500 | 0.35 | 0.42 | TO-220F | 1000 | -- | |
| 39 | RS18N50F | N | 18 | 500 | 0.28 | 0.34 | TO-220F | 1000 | -- | |
| 40 | RS20N50F | N | 20 | 500 | 0.21 | 0.27 | TO-220F | 1000 | -- | |
| 41 | RS20N50W | N | 20 | 500 | 0.21 | 0.27 | TO-247-3 | 600 | -- | |
| 42 | RS25N50F | N | 25 | 500 | 0.18 | 0.24 | TO-220F | 1000 | -- | |
| 43 | RS25N50W | N | 25 | 500 | 0.18 | 0.24 | TO-247-3 | 600 | -- | |
| 44 | RS28N50W | N | 28 | 500 | 0.14 | 0.18 | TO-247-3 | 600 | -- | |
| 45 | RS30N50W | N | 30 | 500 | 0.085 | 0.12 | TO-247-3 | 600 | -- | |
| 46 | RS4N80F | N | 4 | 800 | 3.2 | 3.8 | TO-220F | 1000 | -- | |
| 47 | RS8N80F | N | 8 | 800 | 1.35 | 1.6 | TO-220F | 1000 | -- | |
| 48 | RS10N80F | N | 10 | 800 | 1 | 1.2 | TO-220F | 1000 | -- | |
| 49 | RS3N90MD | N | 3 | 900 | 4 | 4.8 | TO-251 | 4000 | -- | |
| 50 | RS4N90D | N | 4 | 900 | 3 | 3.5 | TO-252 | 2500 | -- | |
| 51 | RS4N90F | N | 4 | 900 | 3 | 3.5 | TO-220F | 1000 | -- | |
| 52 | RS6N90F | N | 6 | 900 | 1.7 | 2.05 | TO-220F | 1000 | -- | |
| 53 | RS9N90F | N | 9 | 900 | 1.2 | 1.55 | TO-220F | 1000 | -- | |
| 54 | RS9N90PF | N | 9 | 900 | 1.2 | 1.55 | TO-3PF | 300 | -- | |
| 55 | RS2N100D | N | 2 | 1000 | 6 | 7.2 | TO-252 | 2500 | -- | |
| 56 | RSE3N100F | N | 3 | 1000 | 4.6 | 5.5 | TO-220F | 1000 | -- | |
| 57 | RS6N100F | N | 6 | 1000 | 1.2 | 1.5 | TO-220F | 1000 | -- | |
| 58 | RS2N120D | N | 2 | 1200 | 10.5 | 12.5 | TO-252 | 2500 | -- | |
| 59 | RS3N120D | N | 3 | 1200 | 7.3 | 8.5 | TO-252 | 2500 | -- | |
| 60 | RS6N120T | N | 6 | 1200 | 2.1 | 2.5 | TO-220 | 1000 | -- | |
| 61 | RS3N150F | N | 3 | 1500 | 5.5 | 6.5 | TO-220F | 1000 | -- | |
| 62 | RS3N150PF | N | 3 | 1500 | 5.5 | 6.5 | TO-3PF | 300 | -- | |
| 63 | RS3N150W | N | 3 | 1500 | 5.5 | 6.5 | TO247-3 | 600 | -- |
Produkt-Beschreibung
Beschreibung des Produkts:
Das Hochspannungs-MOSFET ist eine neue Art von Leistungshalbleitergerät, das Vorteile von ultrahoher Spannung, hoher Effizienz und geringem Widerstand bietet.Dieses MOSFET ist mit FRD (Feld-Relaxing Diode) eingebettet, die eine Ultraschallschutzfähigkeit bietet und die Notwendigkeit einer externen Diode zur Verbesserung der Systemsicherheit beseitigt.eine spezielle Leistungs-MOS-Struktur und ausgezeichnete Eigenschaften bei hohen TemperaturenEs wird weit verbreitet in Smart Meter, Kabinett Stromversorgung, industrielle Schaltstromversorgung, LED-Treiber, Adapter, Wechselrichter und andere elektrische Stromversorgungssystem.
Technische Parameter:
| Produktbezeichnung | Hochspannungs-MOSFET |
|---|---|
| Eingebettete FRD HV MOSFET-Anwendung | Motorreihe, Wechselrichter, Halbbrücken-/Vollbrücken-Schaltkreis-Anwendungen usw. |
| Nennspannung | Hochspannung/Ultrahochspannung |
| Anwendung von Ultra-HV-MOSFET | Smart Meter, Kabinettstromversorgung, industrielle Schaltanlage, elektrische Stromversorgung usw. |
| Anwendung von HV Mosfet | LED-Treiber, Adapter, industrielle Schaltanlage, Wechselrichter usw. |
| Widerstand | Niedriger Einsatzwiderstand |
| Technologie | MOSFET |
| Wärmeabbau | Große Wärmeverteilung |
| Vorteile | Neue Technologie für das doppende Abwechslungsmittel, spezielle MOS-Struktur, ausgezeichnete Eigenschaften bei hohen Temperaturen. |
| Typ | N |
Anwendungen:
REASUNOS Hochspannungs-MOSFET ist eine großartige Wahl für Anwendungen in eingebetteten FRD HV MOSFET, Ultra-hv MOSFET und Ultra-hohe Spannung MOSFET.China und kommt mit staubdicht, wasserdichte und antistatische Rohrverpackung, die in einer Kartonbox in Kartons gelegt wird.Es verfügt auch über eine neue seitliche variable Doping-Technologie und eine ausgezeichnete Eigenschaften bei hohen TemperaturenDie Lieferzeit beträgt 2-30 Tage, abhängig von der Gesamtmenge.Die Zahlungsfrist beträgt 100% T/T im Voraus und die Versorgungsfähigkeit beträgt 5KK/Monat.
Unterstützung und Dienstleistungen:
Technische Unterstützung und Service von Hochspannungs-MOSFET
Bei uns bieten wir fachkundige technische Unterstützung und Service für Hochspannungs-MOSFETs.Unser Team von erfahrenen Ingenieuren kann Ihnen helfen, Probleme mit Ihren MOSFETs zu beheben, und bieten Lösungen, um sicherzustellen, dass Ihre Produkte so effizient und reibungslos wie möglich funktionieren.
Wir bieten eine Vielzahl von Dienstleistungen an, darunter:
- Konstruktionsberatung und Optimierung
- Fehleranalyse und Fehlerbehebung
- Leistungsoptimierung und -prüfung
- Softwareunterstützung und Upgrades
- Fehlerbehebung von Hardware und Software
Wir sind stolz auf unser Engagement, unseren Kunden höchste Qualität an technischer Unterstützung und Service zu bieten.
Verpackung und Versand:
Verpackung und Versand von Hochspannungs-MOSFET
Hochspannungs-MOSFET sollte immer in einem statisch gesicherten Beutel verpackt und in eine Schachtel mit Schaumstoff eingelegt werden.Der Versand sollte immer pünktlich erfolgenDas Paket sollte gegebenenfalls mit den entsprechenden Gefahrstoffsymbolen gekennzeichnet sein.
Häufige Fragen:
Fragen und Antworten zu Hochspannungs-MOSFET
- F: Wie heißt das Hochspannungs-MOSFET?
A: Der Markenname für das Hochspannungs-MOSFET ist REASUNOS. - F: Was ist der Ursprungsort des Hochspannungs-MOSFET?
A: Der Ursprungsort des Hochspannungs-MOSFET ist Guangdong, China. - F: Wie viel kostet das Hochspannungs-MOSFET?
A: Der Preis des Hochspannungs-MOSFET ist auf Basis des Produkts zu bestätigen. - F: Wie ist die Verpackung für das Hochspannungs-MOSFET?
A: Das Hochspannungs-MOSFET wird in staub-, wasser- und antistatischen Rohrverpackungen verpackt und in Kartons in einem Karton verpackt. - F: Wie lange dauert die Lieferung des Hochspannungs-MOSFET?
A: Die Lieferzeit für das Hochspannungs-MOSFET beträgt 2-30 Tage, abhängig von der Gesamtmenge.
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