MOSFET Ultra-HV สําหรับการใช้งาน LED Driver ระบบพลังงานไฟฟ้า
| สถานที่กำเนิด | กวางตุ้ง CN |
|---|---|
| ชื่อแบรนด์ | REASUNOS |
| ราคา | Confirm price based on product |
| รายละเอียดการบรรจุ | บรรจุภัณฑ์แบบท่อกันฝุ่น กันน้ำ และป้องกันไฟฟ้าสถิต วางอยู่ภายในกล่องกระดาษแข็งในกล่องกระดาษแข็ง |
| เวลาการส่งมอบ | 2-30 วัน (ขึ้นอยู่กับปริมาณรวม) |
| เงื่อนไขการชำระเงิน | 100% T/T ล่วงหน้า (EXW) |
| สามารถในการผลิต | 5KK/เดือน |
ติดต่อฉันเพื่อรับตัวอย่างและคูปองฟรี
วอทส์แอพพ์:0086 18588475571
วีแชท: 0086 18588475571
สไกป์: sales10@aixton.com
หากคุณมีข้อสงสัย เราพร้อมให้ความช่วยเหลือทางออนไลน์ตลอด 24 ชั่วโมง
x| แอปพลิเคชัน FRD HV MOSFET แบบฝัง | ซีรีย์มอเตอร์, อินเวอร์เตอร์, การใช้งานวงจรฮาล์ฟบริดจ์/ฟูลบริดจ์ ฯลฯ | เทคโนโลยี | มอสเฟต |
|---|---|---|---|
| การรั่วไหล | การรั่วไหลต่ำสามารถเข้าถึงน้อยกว่า 1 µ A | การกระจายความร้อน | กระจายความร้อนได้ดี |
| ข้อดี | เทคโนโลยีการเติมสารแปรผันด้านข้างแบบใหม่ โครงสร้าง MOS กำลังพิเศษ ลักษณะเฉพาะที่ยอดเยี่ยมในอุณหภูมิส | ความต้านทาน | ความต้านทานต่ำ |
| ชื่อสินค้า | มอสเฟตแรงดันสูง | การประยุกต์ใช้งาน HV Mosfet | ไดร์เวอร์ LED, อะแดปเตอร์, พาวเวอร์ซัพพลายสวิตชิ่งอุตสาหกรรม, อินเวอร์เตอร์ ฯลฯ |
| เน้น | ระบบพลังงานไฟฟ้า MOSFET,MOSFET การใช้งาน LED Driver |
||
| No. | Part No. | Type | ID(A) | VDSS(V) | RDS(ON) Typ(mΩ) | RDS(ON) Max(mΩ) | Package | MOQ(pcs) | Diode Trr(nS) | |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| 1 | RSF38N30F | N | 38 | 300 | 0.09 | 0.11 | TO-220F | 1000 | 80 | |
| 2 | RSF45N50W | N | 45 | 500 | 0.1 | 0.125 | TO-247 | 600 | 95 | |
| 3 | RSF5N50D | N | 5 | 500 | 1.5 | 1.85 | TO-252 | 2500 | 61 | |
| 4 | RSF7N50D | N | 7 | 500 | 1.1 | 1.5 | TO-252 | 2500 | 100 | |
| 5 | RSF3N60D | N | 3 | 600 | 2.8 | 3.4 | TO-252 | 2500 | 55 | |
| 6 | RSF4N60D | N | 4 | 600 | 2 | 2.4 | TO-252 | 2500 | 60 | |
| 7 | RSF4N60F | N | 4 | 600 | 2 | 2.4 | TO-220F | 1000 | 60 | |
| 8 | RS2N65D | N | 2 | 650 | 3.8 | 4.5 | TO-252 | 2500 | -- | |
| 9 | RS2N65F | N | 2 | 650 | 3.8 | 4.5 | TO-220F | 1000 | -- | |
| 10 | RS4N65D | N | 4 | 650 | 2 | 2.4 | TO-252 | 2500 | -- | |
| 11 | RS4N65MD | N | 4 | 650 | 2 | 2.4 | TO-251 | 4000 | -- | |
| 12 | RS4N65F | N | 4 | 650 | 2 | 2.4 | TO-220F | 1000 | -- | |
| 13 | RS5N65D | N | 5 | 650 | 1.8 | 2.1 | TO-252 | 2500 | -- | |
| 14 | RS5N65F | N | 5 | 650 | 1.8 | 2.1 | TO-220F | 1000 | -- | |
| 15 | RS6N65D | N | 6 | 650 | 1.65 | 1.9 | TO-252 | 2500 | -- | |
| 16 | RS6N60F | N | 6 | 600 | 1 | 1.15 | TO-220F | 1000 | -- | |
| 17 | RS6N65F | N | 6 | 650 | 1.65 | 1.9 | TO-220F | 1000 | -- | |
| 18 | RS7N65D | N | 7 | 650 | 1.1 | 1.4 | TO-252 | 2500 | -- | |
| 19 | RS7N65MD | N | 7 | 650 | 1.1 | 1.4 | TO-251 | 4000 | -- | |
| 20 | RS7N65F | N | 7 | 650 | 1.1 | 1.4 | TO-220F | 1000 | -- | |
| 21 | RS8N60F | N | 8 | 600 | 0.75 | 0.9 | TO-220F | 1000 | -- | |
| 22 | RS8N65F | N | 8 | 650 | 0.95 | 1.15 | TO-220F | 1000 | -- | |
| 23 | RS10N65D | N | 10 | 650 | 0.93 | 1.05 | TO-252 | 2500 | -- | |
| 24 | RS10N65F | N | 10 | 650 | 0.65 | 0.8 | TO-220F | 1000 | -- | |
| 25 | RS10N60F | N | 10 | 600 | 0.6 | 0.72 | TO-220F | 1000 | -- | |
| 26 | RS12N65F | N | 12 | 650 | 0.6 | 0.72 | TO-220F | 1000 | -- | |
| 27 | RS12N60F | N | 12 | 600 | 0.5 | 0.62 | TO-220F | 1000 | -- | |
| 28 | RS13N65F | N | 13 | 650 | 0.52 | 0.65 | TO-220F | 1000 | -- | |
| 29 | RS16N65F | N | 16 | 650 | 0.45 | 0.55 | TO-220F | 1000 | -- | |
| 30 | RS20N65F | N | 20 | 650 | 0.35 | 0.45 | TO-220F | 1000 | -- | |
| 31 | RS5N50D | N | 5 | 500 | 1.25 | 1.45 | TO-252 | 2500 | -- | |
| 32 | RS6N50D | N | 6 | 500 | 1.2 | 1.5 | TO-252 | 2500 | -- | |
| 33 | RS9N50D | N | 9 | 500 | 0.65 | 0.8 | TO-252 | 2500 | -- | |
| 34 | RS9N50F | N | 9 | 500 | 0.65 | 0.8 | TO-220F | 1000 | -- | |
| 35 | RS10N50F | N | 10 | 500 | 0.66 | 0.8 | TO-220F | 1000 | -- | |
| 36 | RS11N50F | N | 11 | 500 | 0.48 | 0.6 | TO-220F | 1000 | -- | |
| 37 | RS13N50F | N | 13 | 500 | 0.39 | 0.46 | TO-220F | 1000 | -- | |
| 38 | RS15N50F | N | 15 | 500 | 0.35 | 0.42 | TO-220F | 1000 | -- | |
| 39 | RS18N50F | N | 18 | 500 | 0.28 | 0.34 | TO-220F | 1000 | -- | |
| 40 | RS20N50F | N | 20 | 500 | 0.21 | 0.27 | TO-220F | 1000 | -- | |
| 41 | RS20N50W | N | 20 | 500 | 0.21 | 0.27 | TO-247-3 | 600 | -- | |
| 42 | RS25N50F | N | 25 | 500 | 0.18 | 0.24 | TO-220F | 1000 | -- | |
| 43 | RS25N50W | N | 25 | 500 | 0.18 | 0.24 | TO-247-3 | 600 | -- | |
| 44 | RS28N50W | N | 28 | 500 | 0.14 | 0.18 | TO-247-3 | 600 | -- | |
| 45 | RS30N50W | N | 30 | 500 | 0.085 | 0.12 | TO-247-3 | 600 | -- | |
| 46 | RS4N80F | N | 4 | 800 | 3.2 | 3.8 | TO-220F | 1000 | -- | |
| 47 | RS8N80F | N | 8 | 800 | 1.35 | 1.6 | TO-220F | 1000 | -- | |
| 48 | RS10N80F | N | 10 | 800 | 1 | 1.2 | TO-220F | 1000 | -- | |
| 49 | RS3N90MD | N | 3 | 900 | 4 | 4.8 | TO-251 | 4000 | -- | |
| 50 | RS4N90D | N | 4 | 900 | 3 | 3.5 | TO-252 | 2500 | -- | |
| 51 | RS4N90F | N | 4 | 900 | 3 | 3.5 | TO-220F | 1000 | -- | |
| 52 | RS6N90F | N | 6 | 900 | 1.7 | 2.05 | TO-220F | 1000 | -- | |
| 53 | RS9N90F | N | 9 | 900 | 1.2 | 1.55 | TO-220F | 1000 | -- | |
| 54 | RS9N90PF | N | 9 | 900 | 1.2 | 1.55 | TO-3PF | 300 | -- | |
| 55 | RS2N100D | N | 2 | 1000 | 6 | 7.2 | TO-252 | 2500 | -- | |
| 56 | RSE3N100F | N | 3 | 1000 | 4.6 | 5.5 | TO-220F | 1000 | -- | |
| 57 | RS6N100F | N | 6 | 1000 | 1.2 | 1.5 | TO-220F | 1000 | -- | |
| 58 | RS2N120D | N | 2 | 1200 | 10.5 | 12.5 | TO-252 | 2500 | -- | |
| 59 | RS3N120D | N | 3 | 1200 | 7.3 | 8.5 | TO-252 | 2500 | -- | |
| 60 | RS6N120T | N | 6 | 1200 | 2.1 | 2.5 | TO-220 | 1000 | -- | |
| 61 | RS3N150F | N | 3 | 1500 | 5.5 | 6.5 | TO-220F | 1000 | -- | |
| 62 | RS3N150PF | N | 3 | 1500 | 5.5 | 6.5 | TO-3PF | 300 | -- | |
| 63 | RS3N150W | N | 3 | 1500 | 5.5 | 6.5 | TO247-3 | 600 | -- |
คําอธิบายสินค้า:
มอสเฟตความดันสูง (High Voltage MOSFET) เป็นอุปกรณ์ครึ่งประจุพลังงานประเภทใหม่ ซึ่งมีข้อดีของความดันสูงสุด ประสิทธิภาพสูง และความต้านทานต่ําMOSFET นี้มี FRD (Field-Relaxing Diode) ลงในตัว, ซึ่งมีความสามารถในการป้องกันความดันสูงสุด และกําจัดความจําเป็นของไดโอ้ดภายนอกเพื่อเพิ่มความน่าเชื่อถือของระบบโครงสร้าง MOS พลังงานพิเศษและคุณสมบัติที่ดีเยี่ยมในอุณหภูมิสูง. มันถูกใช้อย่างแพร่หลายในเครื่องวัดสมาร์ท การจัดหาพลังงานกระบวนการอุตสาหกรรม การเปลี่ยนพลังงาน การขับรถ LED เครื่องปรับเปลี่ยนไฟฟ้า และระบบพลังงานไฟฟ้าอื่น ๆ
ปริมาตรเทคนิค:
| ชื่อสินค้า | MOSFET ความดันสูง |
|---|---|
| การใช้งาน FRD HV MOSFET ที่ติดตั้ง | เครื่องยนต์ซีรีส์ อินเวอร์เตอร์ การใช้งานวงจรครึ่งสะพาน / สะพานเต็ม เป็นต้น |
| ระดับความกระชับกําลัง | ความดันสูง/ความดันสูงสุด |
| การใช้งาน MOSFET Ultra-HV | เครื่องวัดอัจฉริยะ เครื่องไฟฟ้ากระบวนการ เครื่องไฟฟ้าเปลี่ยนอุตสาหกรรม เครื่องไฟฟ้าระบบไฟฟ้า เป็นต้น |
| HV Mosfet การใช้งาน | ไดรฟ์ LED, อดอปเตอร์, พลังงานไฟฟ้าสลับอุตสาหกรรม, อินเวอร์เตอร์ เป็นต้น |
| ความต้านทาน | ความต้านทานต่ํา |
| เทคโนโลย | MOSFET |
| การระบายความร้อน | การ แปลง ความ ร้อน อย่าง ใหญ่ |
| ข้อดี | เทคโนโลยีการด๊อปปิ่งแบบแปรปรวนด้านใหม่ โครงสร้าง MOS พลังพิเศษ คุณสมบัติที่ดีเยี่ยมในอุณหภูมิสูง |
| ประเภท | N |
การใช้งาน:
REASUNOS MOSFET ความดันสูงเป็นตัวเลือกที่ดีสําหรับการใช้งานใน FRD HV MOSFET, Ultra-hv MOSFET และ MOSFET ความดันสูงสุดจีนและมาพร้อมกับฝุ่นกัน, ป้องกันน้ํา, และการบรรจุท่อต่อต้านสแตตติก, วางในกล่องกระดาษกล่องในกล่องกล่อง. มันมีการ dissipate ความร้อนที่ดีกับความต้านทานที่ต่ําและการรั่วไหลต่ําที่สามารถถึงต่ํากว่า 1μA.มันยังมีเทคโนโลยีการด๊อปปิ่งแบบแปรข้างใหม่ และมีลักษณะที่ดีเยี่ยมในอุณหภูมิสูงราคาของสินค้านี้จะยืนยันขึ้นอยู่กับสินค้า เวลาในการจัดส่งใช้เวลา 2-30 วันขึ้นอยู่กับปริมาณทั้งหมดระยะเวลาการชําระเงินคือ 100% T/T ก่อน และความสามารถในการจัดส่งคือ 5KK / เดือน.
การสนับสนุนและบริการ:
ในบริษัทของเรา เราให้การสนับสนุนทางเทคนิคและบริการที่เชี่ยวชาญสําหรับ MOSFETs ความดันสูงทีมวิศวกรที่มีประสบการณ์ของเราสามารถช่วยคุณแก้ปัญหาใด ๆ ที่คุณอาจมีประสบการณ์กับ MOSFETs ของคุณ, และให้คําตอบเพื่อให้แน่ใจว่าผลิตภัณฑ์ของคุณจะทํางานอย่างมีประสิทธิภาพและเรียบร้อยที่สุด
เราให้บริการหลากหลาย เช่น
- การปรึกษาและปรับปรุงการออกแบบ
- การวิเคราะห์ความผิดพลาดและการแก้ไขความผิดพลาด
- การปรับปรุงผลงานและการทดสอบ
- การสนับสนุนและปรับปรุงโปรแกรม
- การแก้ไขปัญหาของฮาร์ดแวร์และซอฟต์แวร์
เราภูมิใจในความมุ่งมั่นในการให้ลูกค้าของเรา มีคุณภาพสูงสุด การสนับสนุนทางเทคนิคและบริการ หากคุณมีคําถามหรือความกังวลใด ๆ กรุณาไม่ลังเลที่จะติดต่อเรา
การบรรจุและการขนส่ง
การบรรจุและการจัดส่ง MOSFET ความดันสูง
MOSFET ความดันสูงควรถูกบรรจุไว้ในถุงที่ปลอดภัยจากสแตตติก และวางอยู่ในกล่องที่มีเครื่องใส่ฟองกล่องควรติดป้ายด้วยชื่อผู้ผลิต, เลขชิ้นส่วน และวันจัดส่งการขนส่งเรือควรเกิดขึ้นในเวลาที่ถูกต้อง, โดยใช้ตัวส่งที่เชื่อถือได้ เช่น UPS หรือ FedEx สิทธิต้องมีเครื่องหมายของสารอันตรายที่เหมาะสม
FAQ:
- คําถาม: ชื่อแบรนด์ของ MOSFET ความดันสูงคืออะไร?
A: ชื่อแบรนด์ของ MOSFET ความดันสูงคือ REASUNOS - Q: สถานที่กําเนิดของ MOSFET ความดันสูงคืออะไร?
ตอบ: สถานที่กําเนิดของ MOSFET ความดันสูงคือ กวางดง ประเทศจีน - คําถาม: MOSFET ความดันสูง ราคาเท่าไหร่?
A: ราคาของ MOSFET ความดันสูงต้องยืนยันขึ้นอยู่กับผลิตภัณฑ์ - Q: การบรรจุของ MOSFET ความดันสูงคืออะไร?
ตอบ: MOSFET ความดันสูงถูกบรรจุไว้ในบรรจุท่อกันฝุ่น กันน้ํา และกันสแตติก ใส่ในกล่องกระดาษกล่อง - ถาม: ใช้เวลาเท่าไหร่ในการจัดส่ง MOSFET ความดันสูง?
A: ระยะเวลาในการจัดส่งสําหรับ MOSFET ความดันสูงคือ 2-30 วัน ขึ้นอยู่กับปริมาณทั้งหมด

