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MOSFET Ultra-HV para la aplicación de controladores LED del sistema de energía eléctrica
| Lugar de origen | Guangdong, NC |
|---|---|
| Nombre de la marca | REASUNOS |
| Precio | Confirm price based on product |
| Detalles de empaquetado | Envases tubulares a prueba de polvo, agua y antistáticos, colocados en una caja de cartón en cartone |
| Tiempo de entrega | 2-30 días (depende de la cantidad total) |
| Condiciones de pago | 100% T/T por adelantado (EXW) |
| Capacidad de la fuente | 5KK/mes |
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xDatos del producto
| Uso integrado del MOSFET del alto voltaje de FRD | Serie del motor, inversor, medio puente/usos de circuito completos de puente, etc. | Tecnología | MOSFET |
|---|---|---|---|
| Fuga | La salida baja puede alcanzar menos de 1 µ A | disipación de calor | Gran disipación de calor |
| Ventajas | Nueva tecnología de doping variable lateral, poder especial MOS Structure, características excelente | Resistencia | En-resistencia baja |
| Nombre del producto | MOSFET de alto voltaje | Uso del Mosfet del alto voltaje | Conductor del LED, adaptadores, fuente de alimentación que cambia industrial, inversores etc |
| Resaltar | MOSFET del sistema de energía eléctrica,MOSFET de aplicación de conductores LED |
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| No. | Part No. | Type | ID(A) | VDSS(V) | RDS(ON) Typ(mΩ) | RDS(ON) Max(mΩ) | Package | MOQ(pcs) | Diode Trr(nS) | |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| 1 | RSF38N30F | N | 38 | 300 | 0.09 | 0.11 | TO-220F | 1000 | 80 | |
| 2 | RSF45N50W | N | 45 | 500 | 0.1 | 0.125 | TO-247 | 600 | 95 | |
| 3 | RSF5N50D | N | 5 | 500 | 1.5 | 1.85 | TO-252 | 2500 | 61 | |
| 4 | RSF7N50D | N | 7 | 500 | 1.1 | 1.5 | TO-252 | 2500 | 100 | |
| 5 | RSF3N60D | N | 3 | 600 | 2.8 | 3.4 | TO-252 | 2500 | 55 | |
| 6 | RSF4N60D | N | 4 | 600 | 2 | 2.4 | TO-252 | 2500 | 60 | |
| 7 | RSF4N60F | N | 4 | 600 | 2 | 2.4 | TO-220F | 1000 | 60 | |
| 8 | RS2N65D | N | 2 | 650 | 3.8 | 4.5 | TO-252 | 2500 | -- | |
| 9 | RS2N65F | N | 2 | 650 | 3.8 | 4.5 | TO-220F | 1000 | -- | |
| 10 | RS4N65D | N | 4 | 650 | 2 | 2.4 | TO-252 | 2500 | -- | |
| 11 | RS4N65MD | N | 4 | 650 | 2 | 2.4 | TO-251 | 4000 | -- | |
| 12 | RS4N65F | N | 4 | 650 | 2 | 2.4 | TO-220F | 1000 | -- | |
| 13 | RS5N65D | N | 5 | 650 | 1.8 | 2.1 | TO-252 | 2500 | -- | |
| 14 | RS5N65F | N | 5 | 650 | 1.8 | 2.1 | TO-220F | 1000 | -- | |
| 15 | RS6N65D | N | 6 | 650 | 1.65 | 1.9 | TO-252 | 2500 | -- | |
| 16 | RS6N60F | N | 6 | 600 | 1 | 1.15 | TO-220F | 1000 | -- | |
| 17 | RS6N65F | N | 6 | 650 | 1.65 | 1.9 | TO-220F | 1000 | -- | |
| 18 | RS7N65D | N | 7 | 650 | 1.1 | 1.4 | TO-252 | 2500 | -- | |
| 19 | RS7N65MD | N | 7 | 650 | 1.1 | 1.4 | TO-251 | 4000 | -- | |
| 20 | RS7N65F | N | 7 | 650 | 1.1 | 1.4 | TO-220F | 1000 | -- | |
| 21 | RS8N60F | N | 8 | 600 | 0.75 | 0.9 | TO-220F | 1000 | -- | |
| 22 | RS8N65F | N | 8 | 650 | 0.95 | 1.15 | TO-220F | 1000 | -- | |
| 23 | RS10N65D | N | 10 | 650 | 0.93 | 1.05 | TO-252 | 2500 | -- | |
| 24 | RS10N65F | N | 10 | 650 | 0.65 | 0.8 | TO-220F | 1000 | -- | |
| 25 | RS10N60F | N | 10 | 600 | 0.6 | 0.72 | TO-220F | 1000 | -- | |
| 26 | RS12N65F | N | 12 | 650 | 0.6 | 0.72 | TO-220F | 1000 | -- | |
| 27 | RS12N60F | N | 12 | 600 | 0.5 | 0.62 | TO-220F | 1000 | -- | |
| 28 | RS13N65F | N | 13 | 650 | 0.52 | 0.65 | TO-220F | 1000 | -- | |
| 29 | RS16N65F | N | 16 | 650 | 0.45 | 0.55 | TO-220F | 1000 | -- | |
| 30 | RS20N65F | N | 20 | 650 | 0.35 | 0.45 | TO-220F | 1000 | -- | |
| 31 | RS5N50D | N | 5 | 500 | 1.25 | 1.45 | TO-252 | 2500 | -- | |
| 32 | RS6N50D | N | 6 | 500 | 1.2 | 1.5 | TO-252 | 2500 | -- | |
| 33 | RS9N50D | N | 9 | 500 | 0.65 | 0.8 | TO-252 | 2500 | -- | |
| 34 | RS9N50F | N | 9 | 500 | 0.65 | 0.8 | TO-220F | 1000 | -- | |
| 35 | RS10N50F | N | 10 | 500 | 0.66 | 0.8 | TO-220F | 1000 | -- | |
| 36 | RS11N50F | N | 11 | 500 | 0.48 | 0.6 | TO-220F | 1000 | -- | |
| 37 | RS13N50F | N | 13 | 500 | 0.39 | 0.46 | TO-220F | 1000 | -- | |
| 38 | RS15N50F | N | 15 | 500 | 0.35 | 0.42 | TO-220F | 1000 | -- | |
| 39 | RS18N50F | N | 18 | 500 | 0.28 | 0.34 | TO-220F | 1000 | -- | |
| 40 | RS20N50F | N | 20 | 500 | 0.21 | 0.27 | TO-220F | 1000 | -- | |
| 41 | RS20N50W | N | 20 | 500 | 0.21 | 0.27 | TO-247-3 | 600 | -- | |
| 42 | RS25N50F | N | 25 | 500 | 0.18 | 0.24 | TO-220F | 1000 | -- | |
| 43 | RS25N50W | N | 25 | 500 | 0.18 | 0.24 | TO-247-3 | 600 | -- | |
| 44 | RS28N50W | N | 28 | 500 | 0.14 | 0.18 | TO-247-3 | 600 | -- | |
| 45 | RS30N50W | N | 30 | 500 | 0.085 | 0.12 | TO-247-3 | 600 | -- | |
| 46 | RS4N80F | N | 4 | 800 | 3.2 | 3.8 | TO-220F | 1000 | -- | |
| 47 | RS8N80F | N | 8 | 800 | 1.35 | 1.6 | TO-220F | 1000 | -- | |
| 48 | RS10N80F | N | 10 | 800 | 1 | 1.2 | TO-220F | 1000 | -- | |
| 49 | RS3N90MD | N | 3 | 900 | 4 | 4.8 | TO-251 | 4000 | -- | |
| 50 | RS4N90D | N | 4 | 900 | 3 | 3.5 | TO-252 | 2500 | -- | |
| 51 | RS4N90F | N | 4 | 900 | 3 | 3.5 | TO-220F | 1000 | -- | |
| 52 | RS6N90F | N | 6 | 900 | 1.7 | 2.05 | TO-220F | 1000 | -- | |
| 53 | RS9N90F | N | 9 | 900 | 1.2 | 1.55 | TO-220F | 1000 | -- | |
| 54 | RS9N90PF | N | 9 | 900 | 1.2 | 1.55 | TO-3PF | 300 | -- | |
| 55 | RS2N100D | N | 2 | 1000 | 6 | 7.2 | TO-252 | 2500 | -- | |
| 56 | RSE3N100F | N | 3 | 1000 | 4.6 | 5.5 | TO-220F | 1000 | -- | |
| 57 | RS6N100F | N | 6 | 1000 | 1.2 | 1.5 | TO-220F | 1000 | -- | |
| 58 | RS2N120D | N | 2 | 1200 | 10.5 | 12.5 | TO-252 | 2500 | -- | |
| 59 | RS3N120D | N | 3 | 1200 | 7.3 | 8.5 | TO-252 | 2500 | -- | |
| 60 | RS6N120T | N | 6 | 1200 | 2.1 | 2.5 | TO-220 | 1000 | -- | |
| 61 | RS3N150F | N | 3 | 1500 | 5.5 | 6.5 | TO-220F | 1000 | -- | |
| 62 | RS3N150PF | N | 3 | 1500 | 5.5 | 6.5 | TO-3PF | 300 | -- | |
| 63 | RS3N150W | N | 3 | 1500 | 5.5 | 6.5 | TO247-3 | 600 | -- |
Descripción de producto
Descripción del producto:
El MOSFET de alto voltaje es un nuevo tipo de dispositivo semiconductor de potencia.Este MOSFET está integrado con FRD (Diodo de Relajación de Campo)Este dispositivo ofrece una nueva tecnología de dopaje lateral variable, que permite una protección de ultraalta tensión y elimina la necesidad de un diodo externo para mejorar la fiabilidad del sistema.una estructura MOS de potencia especial y excelentes características a altas temperaturasEs ampliamente utilizado en medidores inteligentes, suministro de energía de gabinete, suministro de energía de conmutación industrial, controlador LED, adaptadores, inversores y otros sistemas de energía eléctrica.
Parámetros técnicos:
| Nombre del producto | MOSFET de alto voltaje |
|---|---|
| Aplicación de FRD HV MOSFET integrado | Serie de motores, inversores, aplicaciones de circuito de puente medio / puente completo, etc. |
| Nivel de tensión | Válvulas de alta tensión y ultraalta tensión |
| Aplicación del MOSFET de Ultra-HV | Métricos inteligentes, suministro de energía para gabinetes, suministro de energía para conmutación industrial, sistema de energía eléctrica, etc. |
| Aplicación de HV Mosfet | Conducción de LED, adaptadores, fuente de alimentación de conmutación industrial, inversores, etc. |
| Resistencia | Baja resistencia de encendido |
| Tecnología | MOSFET |
| Disposición de calor | Gran disipación de calor |
| Ventajas | Nueva tecnología de dopaje lateral variable, estructura MOS de potencia especial, excelentes características a altas temperaturas. |
| El tipo | No |
Aplicaciones:
REASUNOS MOSFET de alto voltaje es una excelente opción para aplicaciones en MOSFET FRD HV, MOSFET Ultra-hv y MOSFET Ultra-alto voltaje embebidos.China y viene con a prueba de polvo, embalaje tubular impermeable y antiestático, colocado dentro de una caja de cartón en cartones. Tiene una gran disipación de calor con baja resistencia y baja fuga que puede alcanzar menos de 1 μA.También viene con una nueva tecnología de dopaje lateral variable y unas excelentes características en altas temperaturas.El precio de este producto se confirmará en función del producto. El tiempo de entrega toma 2-30 días dependiendo de la cantidad total.El plazo de pago es del 100% T/T por adelantado y la capacidad de suministro es de 5KK/mes.
Apoyo y servicios:
Soporte técnico y servicio de MOSFET de alto voltaje
En nuestra empresa, proporcionamos soporte técnico experto y servicio para MOSFETs de alto voltaje.Nuestro equipo de ingenieros experimentados puede ayudarle a solucionar cualquier problema que pueda estar experimentando con sus MOSFETs, y proporcionar soluciones para garantizar que sus productos funcionen de la manera más eficiente y fluida posible.
Ofrecemos una variedad de servicios, incluyendo:
- Consulta y optimización del diseño
- Análisis y depuración de fallos
- Optimización y pruebas de rendimiento
- Soporte y actualizaciones de software
- Solución de problemas de hardware y software
Nos enorgullecemos de nuestro compromiso de proporcionar a nuestros clientes el soporte técnico y servicio de la más alta calidad. Si tiene alguna pregunta o inquietud, no dude en contactarnos.
Embalaje y envío:
Embalaje y envío de MOSFET de alto voltaje
El MOSFET de alto voltaje debe envasarse siempre en una bolsa de seguridad estática, colocada en una caja con un inserto de espuma. La caja debe estar etiquetada con el nombre del fabricante, número de pieza y fecha de envío.El envío debe realizarse siempre a tiempo.El paquete debe estar marcado con los símbolos de materiales peligrosos apropiados, si corresponde.
Preguntas frecuentes:
Preguntas y respuestas para el MOSFET de alto voltaje
- P: ¿Cuál es el nombre comercial del MOSFET de alto voltaje?
R: El nombre comercial del MOSFET de alto voltaje es REASUNOS. - P: ¿Cuál es el lugar de origen del MOSFET de alto voltaje?
R: El lugar de origen del MOSFET de alto voltaje es Guangdong, China. - P: ¿Cuánto cuesta el MOSFET de alto voltaje?
R: El precio del MOSFET de alto voltaje debe confirmarse en función del producto. - P: ¿Cuál es el embalaje para el MOSFET de alto voltaje?
R: El MOSFET de alto voltaje está envasado en un embalaje tubular a prueba de polvo, a prueba de agua y antistatico, colocado dentro de una caja de cartón en cartones. - P: ¿Cuánto tiempo se tarda en entregar el MOSFET de alto voltaje?
R: El tiempo de entrega para el MOSFET de alto voltaje es de 2 a 30 días, dependiendo de la cantidad total.
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