विद्युत ऊर्जा प्रणाली एलईडी ड्राइवर अनुप्रयोग के लिए अल्ट्रा-एचवी एमओएसएफईटी

उत्पत्ति के प्लेस गुआंग्डोंग, सीएन
ब्रांड नाम REASUNOS
मूल्य Confirm price based on product
पैकेजिंग विवरण डस्टप्रूफ, वॉटरप्रूफ और एंटी-स्टैटिक ट्यूबलर पैकेजिंग, डिब्बों में कार्डबोर्ड बॉक्स के अंदर रखी गई ह
प्रसव के समय 2-30 दिन (कुल मात्रा पर निर्भर करता है)
भुगतान शर्तें अग्रिम में 100% टी/टी (EXW)
आपूर्ति की क्षमता 5KK/माह

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उत्पाद विवरण
एंबेडेड एफआरडी एचवी एमओएसएफईटी एप्लीकेशन मोटर सीरीज, इन्वर्टर, हाफ ब्रिज/फुल ब्रिज सर्किट अनुप्रयोग, आदि। तकनीकी MOSFET
रिसाव के कम रिसाव 1 μA से कम तक पहुंच सकता है ताप लोपन महान ताप अपव्यय
लाभ नई लेटरल वेरिएबल डोपिंग तकनीक, विशेष पावर एमओएस संरचना, उच्च तापमान में उत्कृष्ट विशेषताएं। प्रतिरोध कम प्रतिरोध
उत्पाद का नाम उच्च वोल्टेज MOSFET एचवी मॉसफेट एप्लीकेशन एलईडी ड्राइवर, एडेप्टर, औद्योगिक स्विचिंग बिजली आपूर्ति, इनवर्टर आदि
आप अपनी ज़रूरत के उत्पादों को टिक कर सकते हैं और हमारे साथ संदेश बोर्ड में संचार कर सकते हैं।
No. Part No. Type ID(A) VDSS(V) RDS(ON) Typ(mΩ) RDS(ON) Max(mΩ) Package MOQ(pcs) Diode Trr(nS)
1 RSF38N30F N 38 300 0.09 0.11 TO-220F 1000 80
2 RSF45N50W N 45 500 0.1 0.125 TO-247 600 95
3 RSF5N50D N 5 500 1.5 1.85 TO-252 2500 61
4 RSF7N50D N 7 500 1.1 1.5 TO-252 2500 100
5 RSF3N60D N 3 600 2.8 3.4 TO-252 2500 55
6 RSF4N60D N 4 600 2 2.4 TO-252 2500 60
7 RSF4N60F N 4 600 2 2.4 TO-220F 1000 60
8 RS2N65D N 2 650 3.8 4.5 TO-252 2500 --
9 RS2N65F N 2 650 3.8 4.5 TO-220F 1000 --
10 RS4N65D N 4 650 2 2.4 TO-252 2500 --
11 RS4N65MD N 4 650 2 2.4 TO-251 4000 --
12 RS4N65F N 4 650 2 2.4 TO-220F 1000 --
13 RS5N65D N 5 650 1.8 2.1 TO-252 2500 --
14 RS5N65F N 5 650 1.8 2.1 TO-220F 1000 --
15 RS6N65D N 6 650 1.65 1.9 TO-252 2500 --
16 RS6N60F N 6 600 1 1.15 TO-220F 1000 --
17 RS6N65F N 6 650 1.65 1.9 TO-220F 1000 --
18 RS7N65D N 7 650 1.1 1.4 TO-252 2500 --
19 RS7N65MD N 7 650 1.1 1.4 TO-251 4000 --
20 RS7N65F N 7 650 1.1 1.4 TO-220F 1000 --
21 RS8N60F N 8 600 0.75 0.9 TO-220F 1000 --
22 RS8N65F N 8 650 0.95 1.15 TO-220F 1000 --
23 RS10N65D N 10 650 0.93 1.05 TO-252 2500 --
24 RS10N65F N 10 650 0.65 0.8 TO-220F 1000 --
25 RS10N60F N 10 600 0.6 0.72 TO-220F 1000 --
26 RS12N65F N 12 650 0.6 0.72 TO-220F 1000 --
27 RS12N60F N 12 600 0.5 0.62 TO-220F 1000 --
28 RS13N65F N 13 650 0.52 0.65 TO-220F 1000 --
29 RS16N65F N 16 650 0.45 0.55 TO-220F 1000 --
30 RS20N65F N 20 650 0.35 0.45 TO-220F 1000 --
31 RS5N50D N 5 500 1.25 1.45 TO-252 2500 --
32 RS6N50D N 6 500 1.2 1.5 TO-252 2500 --
33 RS9N50D N 9 500 0.65 0.8 TO-252 2500 --
34 RS9N50F N 9 500 0.65 0.8 TO-220F 1000 --
35 RS10N50F N 10 500 0.66 0.8 TO-220F 1000 --
36 RS11N50F N 11 500 0.48 0.6 TO-220F 1000 --
37 RS13N50F N 13 500 0.39 0.46 TO-220F 1000 --
38 RS15N50F N 15 500 0.35 0.42 TO-220F 1000 --
39 RS18N50F N 18 500 0.28 0.34 TO-220F 1000 --
40 RS20N50F N 20 500 0.21 0.27 TO-220F 1000 --
41 RS20N50W N 20 500 0.21 0.27 TO-247-3 600 --
42 RS25N50F N 25 500 0.18 0.24 TO-220F 1000 --
43 RS25N50W N 25 500 0.18 0.24 TO-247-3 600 --
44 RS28N50W N 28 500 0.14 0.18 TO-247-3 600 --
45 RS30N50W N 30 500 0.085 0.12 TO-247-3 600 --
46 RS4N80F N 4 800 3.2 3.8 TO-220F 1000 --
47 RS8N80F N 8 800 1.35 1.6 TO-220F 1000 --
48 RS10N80F N 10 800 1 1.2 TO-220F 1000 --
49 RS3N90MD N 3 900 4 4.8 TO-251 4000 --
50 RS4N90D N 4 900 3 3.5 TO-252 2500 --
51 RS4N90F N 4 900 3 3.5 TO-220F 1000 --
52 RS6N90F N 6 900 1.7 2.05 TO-220F 1000 --
53 RS9N90F N 9 900 1.2 1.55 TO-220F 1000 --
54 RS9N90PF N 9 900 1.2 1.55 TO-3PF 300 --
55 RS2N100D N 2 1000 6 7.2 TO-252 2500 --
56 RSE3N100F N 3 1000 4.6 5.5 TO-220F 1000 --
57 RS6N100F N 6 1000 1.2 1.5 TO-220F 1000 --
58 RS2N120D N 2 1200 10.5 12.5 TO-252 2500 --
59 RS3N120D N 3 1200 7.3 8.5 TO-252 2500 --
60 RS6N120T N 6 1200 2.1 2.5 TO-220 1000 --
61 RS3N150F N 3 1500 5.5 6.5 TO-220F 1000 --
62 RS3N150PF N 3 1500 5.5 6.5 TO-3PF 300 --
63 RS3N150W N 3 1500 5.5 6.5 TO247-3 600 --
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No. Part No. Type ID(A) VDSS(V) RDS(ON) Typ(mΩ) RDS(ON) Max(mΩ) Package MOQ(pcs) Diode Trr(nS)
उत्पाद विवरण

उत्पाद का वर्णन:

उच्च वोल्टेज एमओएसएफईटी एक नया प्रकार का पावर सेमीकंडक्टर उपकरण है। यह अल्ट्रा-उच्च वोल्टेज, उच्च दक्षता और कम प्रतिरोध के फायदे प्रदान करता है।यह MOSFET FRD (फील्ड-रिलेक्सिंग डायोड) के साथ एम्बेडेड है, जो अल्ट्रा-हाई वोल्टेज सुरक्षा क्षमता प्रदान करता है और सिस्टम विश्वसनीयता में सुधार के लिए बाहरी डायोड की आवश्यकता को समाप्त करता है। यह उपकरण एक नई पार्श्व चर डोपिंग तकनीक प्रदान करता है,एक विशेष शक्ति एमओएस संरचना और उच्च तापमान में उत्कृष्ट विशेषताओंइसका व्यापक रूप से स्मार्ट मीटर, कैबिनेट पावर सप्लाई, औद्योगिक स्विचिंग पावर सप्लाई, एलईडी ड्राइवर, एडाप्टर, इन्वर्टर और अन्य विद्युत शक्ति प्रणाली में उपयोग किया जाता है।

 

तकनीकी मापदंडः

उत्पाद का नाम उच्च वोल्टेज MOSFET
एम्बेडेड FRD HV MOSFET अनुप्रयोग मोटर श्रृंखला, इन्वर्टर, हाफ ब्रिज/फुल ब्रिज सर्किट एप्लिकेशन, आदि।
वोल्टेज रेटिंग उच्च वोल्टेज/अति उच्च वोल्टेज
अल्ट्रा-एचवी एमओएसएफईटी अनुप्रयोग स्मार्ट मीटर, कैबिनेट पावर सप्लाई, इंडस्ट्रियल स्विचिंग पावर सप्लाई, इलेक्ट्रिकल पावर सिस्टम आदि।
एचवी मोस्फेट आवेदन एलईडी ड्राइवर, एडाप्टर, औद्योगिक स्विचिंग पावर सप्लाई, इन्वर्टर आदि
प्रतिरोध कम प्रतिरोध
प्रौद्योगिकी एमओएसएफईटी
ताप विसर्जन बड़ी गर्मी विसर्जन
लाभ नई पार्श्व परिवर्तनीय डोपिंग तकनीक, विशेष शक्ति एमओएस संरचना, उच्च तापमान में उत्कृष्ट विशेषताएं।
प्रकार एन
 

अनुप्रयोग:

REASUNOS उच्च वोल्टेज MOSFET एम्बेडेड FRD HV MOSFET, अल्ट्रा-hv MOSFET और अल्ट्रा-उच्च वोल्टेज MOSFET में अनुप्रयोगों के लिए एक महान विकल्प है। यह उत्पाद गुआंग्डोंग से उत्पन्न होता है,चीन और धूल के साथ आता है, पनरोक, और विरोधी स्थैतिक ट्यूबलर पैकेजिंग, एक कार्डबोर्ड बॉक्स के अंदर रखा गया है। यह कम प्रतिरोध और कम रिसाव के साथ एक महान गर्मी अपव्यय है जो 1μA से कम तक पहुंच सकता है।यह भी नई पार्श्व चर डोपिंग प्रौद्योगिकी और उच्च तापमान में एक उत्कृष्ट विशेषताओं के साथ आता हैइस उत्पाद की कीमत उत्पाद के आधार पर पुष्टि की जाएगी। कुल मात्रा के आधार पर डिलीवरी का समय 2-30 दिन लगता है।भुगतान की अवधि 100% टी/टी अग्रिम है और आपूर्ति क्षमता 5KK/माह है।.

 

सहायता एवं सेवाएं:

उच्च वोल्टेज MOSFET तकनीकी सहायता और सेवा

हमारी कंपनी में, हम उच्च वोल्टेज MOSFETs के लिए विशेषज्ञ तकनीकी सहायता और सेवा प्रदान करते हैं।अनुभवी इंजीनियरों की हमारी टीम आप अपने MOSFETs के साथ अनुभव हो सकता है किसी भी समस्या का समाधान करने में मदद कर सकते हैं, और यह सुनिश्चित करने के लिए समाधान प्रदान करें कि आपके उत्पाद यथासंभव कुशल और सुचारू रूप से काम करें।

हम विभिन्न प्रकार की सेवाएं प्रदान करते हैं, जिनमें शामिल हैंः

  • डिजाइन परामर्श और अनुकूलन
  • विफलता विश्लेषण और डिबगिंग
  • प्रदर्शन अनुकूलन और परीक्षण
  • सॉफ्टवेयर समर्थन और उन्नयन
  • हार्डवेयर और सॉफ्टवेयर समस्या निवारण

हम अपने ग्राहकों को उच्चतम गुणवत्ता वाली तकनीकी सहायता और सेवा प्रदान करने के लिए अपनी प्रतिबद्धता पर गर्व करते हैं। यदि आपके कोई प्रश्न या चिंताएं हैं, तो कृपया हमसे संपर्क करने में संकोच न करें।

 

पैकिंग और शिपिंगः

उच्च वोल्टेज MOSFET के लिए पैकेजिंग और शिपिंग

उच्च वोल्टेज MOSFET को हमेशा एक स्थिर-सुरक्षित बैग में पैक किया जाना चाहिए, जिसे फोम के साथ एक बॉक्स में रखा जाना चाहिए। बॉक्स को निर्माता का नाम, भाग संख्या और शिपमेंट की तारीख के साथ लेबल किया जाना चाहिए।शिपिंग हमेशा समय पर होनी चाहिए।पैकेज को उपयुक्त खतरनाक सामग्री प्रतीकों के साथ चिह्नित किया जाना चाहिए, यदि लागू हो।

 

अक्सर पूछे जाने वाले प्रश्न:

उच्च वोल्टेज एमओएसएफईटी के लिए प्रश्न और उत्तर
  • प्रश्न: उच्च वोल्टेज मोस्फेट का ब्रांड नाम क्या है?
    उत्तर: उच्च वोल्टेज मोस्फेट का ब्रांड नाम REASUNOS है।
  • प्रश्न: उच्च वोल्टेज MOSFET का मूल स्थान क्या है?
    उत्तर: उच्च वोल्टेज एमओएसएफईटी का मूल स्थान गुआंग्डोंग, चीन है।
  • प्रश्न: उच्च वोल्टेज एमओएसएफईटी की लागत कितनी है?
    उत्तर: उच्च वोल्टेज एमओएसएफईटी की कीमत उत्पाद के आधार पर पुष्टि की जानी है।
  • प्रश्न: उच्च वोल्टेज मोस्फेट के लिए पैकेजिंग क्या है?
    A: उच्च वोल्टेज MOSFET को धूल, जल, और विरोधी स्थैतिक ट्यूबलर पैकेजिंग में पैक किया जाता है, जो एक कार्डबोर्ड बॉक्स के अंदर कार्टन में रखा जाता है।
  • प्रश्न: उच्च वोल्टेज मोस्फेट को वितरित करने में कितना समय लगता है?
    उत्तर: उच्च वोल्टेज एमओएसएफईटी के लिए डिलीवरी का समय कुल मात्रा के आधार पर 2-30 दिन है।
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