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Anti-Surge Hochspannungs-MOSFET
| Herkunftsort | Guangdong, KN |
|---|---|
| Markenname | REASUNOS |
| Preis | Confirm price based on product |
| Verpackung Informationen | Staub-, Wasser- und antistatische Rohrverpackungen, in Kartons |
| Lieferzeit | 2-30 Tage (abhängig von der Gesamtmenge) |
| Zahlungsbedingungen | 100% T/T im Voraus (EXW) |
| Versorgungsmaterial-Fähigkeit | 5KK/Monat |
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xProduktdetails
| Nennspannung | Hochspannungs-/Ultrahochspannung | Wärmeableitung | Große Wärmeableitung |
|---|---|---|---|
| Widerstand | Niedriger Auf-Widerstand | Eingebettete FRD Hochspg MOSFET-Anwendung | Bewegungs-Reihe, Inverter, Halbbrücke-/Vollbrückenschaltung Anwendungen, etc. |
| Leckage | Niedriges Durchsickern kann weniger als 1 µ A erreichen | Vorteile | Neue seitliche variable lackierende Technologie, spezielle Energie MOS Structure, ausgezeichnete Eig |
| Produktbezeichnung | Hochspannungs-MOSFET | Typ | N |
| Hervorheben | MOSFET für Hochspannung gegen Überspannung,Hochspannungs-MOSFET,Dauerhafte Mosfet-Hochspannung |
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| No. | Part No. | Type | ID(A) | VDSS(V) | RDS(ON) Typ(mΩ) | RDS(ON) Max(mΩ) | Package | MOQ(pcs) | Diode Trr(nS) | |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| 1 | RSF38N30F | N | 38 | 300 | 0.09 | 0.11 | TO-220F | 1000 | 80 | |
| 2 | RSF45N50W | N | 45 | 500 | 0.1 | 0.125 | TO-247 | 600 | 95 | |
| 3 | RSF5N50D | N | 5 | 500 | 1.5 | 1.85 | TO-252 | 2500 | 61 | |
| 4 | RSF7N50D | N | 7 | 500 | 1.1 | 1.5 | TO-252 | 2500 | 100 | |
| 5 | RSF3N60D | N | 3 | 600 | 2.8 | 3.4 | TO-252 | 2500 | 55 | |
| 6 | RSF4N60D | N | 4 | 600 | 2 | 2.4 | TO-252 | 2500 | 60 | |
| 7 | RSF4N60F | N | 4 | 600 | 2 | 2.4 | TO-220F | 1000 | 60 | |
| 8 | RS2N65D | N | 2 | 650 | 3.8 | 4.5 | TO-252 | 2500 | -- | |
| 9 | RS2N65F | N | 2 | 650 | 3.8 | 4.5 | TO-220F | 1000 | -- | |
| 10 | RS4N65D | N | 4 | 650 | 2 | 2.4 | TO-252 | 2500 | -- | |
| 11 | RS4N65MD | N | 4 | 650 | 2 | 2.4 | TO-251 | 4000 | -- | |
| 12 | RS4N65F | N | 4 | 650 | 2 | 2.4 | TO-220F | 1000 | -- | |
| 13 | RS5N65D | N | 5 | 650 | 1.8 | 2.1 | TO-252 | 2500 | -- | |
| 14 | RS5N65F | N | 5 | 650 | 1.8 | 2.1 | TO-220F | 1000 | -- | |
| 15 | RS6N65D | N | 6 | 650 | 1.65 | 1.9 | TO-252 | 2500 | -- | |
| 16 | RS6N60F | N | 6 | 600 | 1 | 1.15 | TO-220F | 1000 | -- | |
| 17 | RS6N65F | N | 6 | 650 | 1.65 | 1.9 | TO-220F | 1000 | -- | |
| 18 | RS7N65D | N | 7 | 650 | 1.1 | 1.4 | TO-252 | 2500 | -- | |
| 19 | RS7N65MD | N | 7 | 650 | 1.1 | 1.4 | TO-251 | 4000 | -- | |
| 20 | RS7N65F | N | 7 | 650 | 1.1 | 1.4 | TO-220F | 1000 | -- | |
| 21 | RS8N60F | N | 8 | 600 | 0.75 | 0.9 | TO-220F | 1000 | -- | |
| 22 | RS8N65F | N | 8 | 650 | 0.95 | 1.15 | TO-220F | 1000 | -- | |
| 23 | RS10N65D | N | 10 | 650 | 0.93 | 1.05 | TO-252 | 2500 | -- | |
| 24 | RS10N65F | N | 10 | 650 | 0.65 | 0.8 | TO-220F | 1000 | -- | |
| 25 | RS10N60F | N | 10 | 600 | 0.6 | 0.72 | TO-220F | 1000 | -- | |
| 26 | RS12N65F | N | 12 | 650 | 0.6 | 0.72 | TO-220F | 1000 | -- | |
| 27 | RS12N60F | N | 12 | 600 | 0.5 | 0.62 | TO-220F | 1000 | -- | |
| 28 | RS13N65F | N | 13 | 650 | 0.52 | 0.65 | TO-220F | 1000 | -- | |
| 29 | RS16N65F | N | 16 | 650 | 0.45 | 0.55 | TO-220F | 1000 | -- | |
| 30 | RS20N65F | N | 20 | 650 | 0.35 | 0.45 | TO-220F | 1000 | -- | |
| 31 | RS5N50D | N | 5 | 500 | 1.25 | 1.45 | TO-252 | 2500 | -- | |
| 32 | RS6N50D | N | 6 | 500 | 1.2 | 1.5 | TO-252 | 2500 | -- | |
| 33 | RS9N50D | N | 9 | 500 | 0.65 | 0.8 | TO-252 | 2500 | -- | |
| 34 | RS9N50F | N | 9 | 500 | 0.65 | 0.8 | TO-220F | 1000 | -- | |
| 35 | RS10N50F | N | 10 | 500 | 0.66 | 0.8 | TO-220F | 1000 | -- | |
| 36 | RS11N50F | N | 11 | 500 | 0.48 | 0.6 | TO-220F | 1000 | -- | |
| 37 | RS13N50F | N | 13 | 500 | 0.39 | 0.46 | TO-220F | 1000 | -- | |
| 38 | RS15N50F | N | 15 | 500 | 0.35 | 0.42 | TO-220F | 1000 | -- | |
| 39 | RS18N50F | N | 18 | 500 | 0.28 | 0.34 | TO-220F | 1000 | -- | |
| 40 | RS20N50F | N | 20 | 500 | 0.21 | 0.27 | TO-220F | 1000 | -- | |
| 41 | RS20N50W | N | 20 | 500 | 0.21 | 0.27 | TO-247-3 | 600 | -- | |
| 42 | RS25N50F | N | 25 | 500 | 0.18 | 0.24 | TO-220F | 1000 | -- | |
| 43 | RS25N50W | N | 25 | 500 | 0.18 | 0.24 | TO-247-3 | 600 | -- | |
| 44 | RS28N50W | N | 28 | 500 | 0.14 | 0.18 | TO-247-3 | 600 | -- | |
| 45 | RS30N50W | N | 30 | 500 | 0.085 | 0.12 | TO-247-3 | 600 | -- | |
| 46 | RS4N80F | N | 4 | 800 | 3.2 | 3.8 | TO-220F | 1000 | -- | |
| 47 | RS8N80F | N | 8 | 800 | 1.35 | 1.6 | TO-220F | 1000 | -- | |
| 48 | RS10N80F | N | 10 | 800 | 1 | 1.2 | TO-220F | 1000 | -- | |
| 49 | RS3N90MD | N | 3 | 900 | 4 | 4.8 | TO-251 | 4000 | -- | |
| 50 | RS4N90D | N | 4 | 900 | 3 | 3.5 | TO-252 | 2500 | -- | |
| 51 | RS4N90F | N | 4 | 900 | 3 | 3.5 | TO-220F | 1000 | -- | |
| 52 | RS6N90F | N | 6 | 900 | 1.7 | 2.05 | TO-220F | 1000 | -- | |
| 53 | RS9N90F | N | 9 | 900 | 1.2 | 1.55 | TO-220F | 1000 | -- | |
| 54 | RS9N90PF | N | 9 | 900 | 1.2 | 1.55 | TO-3PF | 300 | -- | |
| 55 | RS2N100D | N | 2 | 1000 | 6 | 7.2 | TO-252 | 2500 | -- | |
| 56 | RSE3N100F | N | 3 | 1000 | 4.6 | 5.5 | TO-220F | 1000 | -- | |
| 57 | RS6N100F | N | 6 | 1000 | 1.2 | 1.5 | TO-220F | 1000 | -- | |
| 58 | RS2N120D | N | 2 | 1200 | 10.5 | 12.5 | TO-252 | 2500 | -- | |
| 59 | RS3N120D | N | 3 | 1200 | 7.3 | 8.5 | TO-252 | 2500 | -- | |
| 60 | RS6N120T | N | 6 | 1200 | 2.1 | 2.5 | TO-220 | 1000 | -- | |
| 61 | RS3N150F | N | 3 | 1500 | 5.5 | 6.5 | TO-220F | 1000 | -- | |
| 62 | RS3N150PF | N | 3 | 1500 | 5.5 | 6.5 | TO-3PF | 300 | -- | |
| 63 | RS3N150W | N | 3 | 1500 | 5.5 | 6.5 | TO247-3 | 600 | -- |
Produkt-Beschreibung
Hochspannungs-MOSFET-Technologie für Ultra-Hochspannungsanwendungen
Beschreibung des Produkts:
Ein Hochspannungs-MOSFET ist eine Art Leistungs-MOSFET-Transistor, der bei hoher Spannung arbeiten kann und eine überlegene Leistung in Bezug auf Leckstrom, niedrigen Widerstand,und ausgezeichnete Eigenschaften bei hohen TemperaturenEin eingebettetes FRD-Hochspannungs-MOSFET ist eine spezielle Leistungs-MOS-Struktur, die auf einer neuen seitlichen variablen Doping-Technologie basiert, die es für Anwendungen wie LED-Treiber, Adapter,mit einer Leistung von mehr als 100 WN-Kanal-Hochspannungs-MOSFET mit einem geringen Leckstrom von weniger als 1 μA zeichnet sich durch seine bemerkenswerten Eigenschaften von seinen Konkurrenten ab.
Technische Parameter:
| Parameter | Spezifikation |
|---|---|
| Produktbezeichnung | Hochspannungs-MOSFET |
| Typ | N |
| Leckage | Niedrige Leckage kann weniger als 1 μ A erreichen |
| Widerstand | Niedriger Einsatzwiderstand |
| Technologie | MOSFET |
| Vorteile | Neue Technologie für das doppende Abwechslungsmittel, spezielle MOS-Struktur, ausgezeichnete Eigenschaften bei hohen Temperaturen. |
| Nennspannung | Hochspannung/Ultrahochspannung |
| Anwendung von HV Mosfet | LED-Treiber, Adapter, industrielle Schaltanlage, Wechselrichter usw. |
| Anwendung von Ultra-HV-MOSFET | Intelligente Zähler, Kabinettstromversorgung, industrielle Schaltstromversorgung, elektrische Stromversorgung usw. |
| Eingebettete FRD HV MOSFET-Anwendung | Motorreihe, Wechselrichter, Halbbrücken-/Vollbrücken-Schaltkreis-Anwendungen usw. |
Anwendungen:
Die Hochspannungs-MOSFET-Transistoren von REASUNOS sind Leistungstransistoren, die für Hochspannungs- und Ultra-Hochspannungs-Anwendungen entwickelt wurden.Spezielle Leistung MOS-Struktur und ausgezeichnete Eigenschaften bei hohen TemperaturenSie sind eine zuverlässige Wahl für Ihre Hochspannungsbedürfnisse.Der geringe Widerstand sorgt dafür, daß sie in der Lage sind, eine große Menge anDie REASUNOS Hochspannungs-MOSFET-Transistoren sind staubdicht verpackt.Wasserdichte und antistatische RohrverpackungenDie Lieferzeit beträgt 2-30 Tage, abhängig von der Gesamtmenge.Die Zahlungsbedingungen sind 100% T/T im Voraus (EXW)Mit einer Versorgungsfähigkeit von 5KK/Monat sind sie eine zuverlässige und kostengünstige Lösung für Ihre Hochspannungsbedürfnisse.
Unterstützung und Dienstleistungen:
Technische Unterstützung und Service von Hochspannungs-MOSFET
Wir bieten umfassende technische Unterstützung und Service für unsere Hochspannungs-MOSFET-Produkte.und kann Anleitungen zur Optimierung der Leistung gebenWir stellen auch detaillierte Produktdokumentation zur Verfügung, einschließlich Installationsanweisungen, Datenblättern und Anwendungsnotizen, um Ihnen zu helfen, das Beste aus Ihrem Hochspannungs-MOSFET-Produkt zu machen.
Für alle technischen Probleme haben wir ein erfahrenes Team von Ingenieuren zur Verfügung, um Ihnen bei der Fehlerbehebung zu helfen.Unser Expertenteam ist bereit, Ihnen bei der Auswahl der besten Lösungen für Ihre Anwendung zu helfen..
Wenn Sie zusätzlichen technischen Support benötigen, kontaktieren Sie uns bitte unter [Kontaktdaten einfügen].
Verpackung und Versand:
Verpackung und Versand von Hochspannungs-MOSFET
Hochspannungs-MOSFETs sind empfindlich und bedürfen bei Verpackung und Versand besonderer Sorgfalt.die richtigen Verpackungstechniken anwenden, und wählen Sie den richtigen Träger.
Verpackung:
Hochspannungs-MOSFETs sollten einzeln in ein elektrostatisch-dissipatives (ESD) Material verpackt werden, um sie vor statischem Strom zu schützen.Das ESD-Material sollte in einen versiegelten Behälter gelegt werden, der zum Schutz vor Schocks ausgelegt ist.Der Behälter sollte auch mit der Bauteilnummer und anderen relevanten Informationen versehen sein.
Versand:
Die Hochspannungs-MOSFETs sollten mit einem zuverlässigen Spediteur versandt werden, der Tracking und Versicherung anbietet.Es ist auch am besten, einen Spediteur auszuwählen, der sich auf den Versand sensibler elektronischer Komponenten spezialisiert hat.
Häufige Fragen:
Häufig gestellte Fragen zum Hochspannungs-MOSFET
F: Welcher Markenname trägt das Hochspannungs-MOSFET?
A:Der Markenname des Hochspannungs-MOSFET ist REASUNOS.
F: Wo ist der Ursprungsort des Hochspannungs-MOSFET?
A:Der Ursprungsort des Hochspannungs-MOSFET ist Guangdong, China.
F: Wie hoch ist der Preis für das Hochspannungs-MOSFET?
A:Der Preis für das Hochspannungs-MOSFET ist Preis, der auf dem Produkt basiert.
F: Welche Verpackungsdetails gibt es für das Hochspannungs-MOSFET?
A:Die Verpackungsdetails für das Hochspannungs-MOSFET sind staubdichte, wasserdichte und antistatische Rohrverpackungen, die in einer Kartonbox in Kartons aufbewahrt werden.
F: Wie lange dauert die Lieferzeit für das Hochspannungs-MOSFET?
A:Die Lieferzeit für das Hochspannungs-MOSFET beträgt 2-30 Tage, was von der Gesamtmenge abhängt.
F: Welche Zahlungsbedingungen gelten für das Hochspannungs-MOSFET?
A:Die Zahlungsbedingungen für das Hochspannungs-MOSFET sind 100% T/T im Voraus ((EXW).
F: Was ist die Versorgungsfähigkeit des Hochspannungs-MOSFET?
A:Die Versorgungsfähigkeit für das Hochspannungs-MOSFET beträgt 5KK/Monat.
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