ผลิตภัณฑ์ทั้งหมด
Anti Surge โมสเฟตความดันสูง การสลายความร้อนที่ดีทนทาน
| สถานที่กำเนิด | กวางตุ้ง CN |
|---|---|
| ชื่อแบรนด์ | REASUNOS |
| ราคา | Confirm price based on product |
| รายละเอียดการบรรจุ | บรรจุภัณฑ์แบบท่อกันฝุ่น กันน้ำ และป้องกันไฟฟ้าสถิต วางอยู่ภายในกล่องกระดาษแข็งในกล่องกระดาษแข็ง |
| เวลาการส่งมอบ | 2-30 วัน (ขึ้นอยู่กับปริมาณรวม) |
| เงื่อนไขการชำระเงิน | 100% T/T ล่วงหน้า (EXW) |
| สามารถในการผลิต | 5KK/เดือน |
ติดต่อฉันเพื่อรับตัวอย่างและคูปองฟรี
วอทส์แอพพ์:0086 18588475571
วีแชท: 0086 18588475571
สไกป์: sales10@aixton.com
หากคุณมีข้อสงสัย เราพร้อมให้ความช่วยเหลือทางออนไลน์ตลอด 24 ชั่วโมง
xรายละเอียดสินค้า
| คะแนนแรงดันไฟฟ้า | ไฟฟ้าแรงสูง/ไฟฟ้าแรงสูงพิเศษ | การกระจายความร้อน | กระจายความร้อนได้ดี |
|---|---|---|---|
| ความต้านทาน | ความต้านทานต่ำ | แอปพลิเคชัน FRD HV MOSFET แบบฝัง | ซีรีย์มอเตอร์, อินเวอร์เตอร์, การใช้งานวงจรฮาล์ฟบริดจ์/ฟูลบริดจ์ ฯลฯ |
| การรั่วไหล | การรั่วไหลต่ำสามารถเข้าถึงน้อยกว่า 1 µ A | ข้อดี | เทคโนโลยีการเติมสารแปรผันด้านข้างแบบใหม่ โครงสร้าง MOS กำลังพิเศษ ลักษณะเฉพาะที่ยอดเยี่ยมในอุณหภูมิส |
| ชื่อสินค้า | มอสเฟตแรงดันสูง | ประเภท | เอ็น |
| เน้น | MOSFET ความดันสูง,MOSFET ความดันสูง การระบายความร้อนที่ดี,โมสเฟตความดันสูงที่ทนทาน |
||
คุณสามารถเลือกผลิตภัณฑ์ที่คุณต้องการและสื่อสารกับเราได้ในกระดานข้อความ
| No. | Part No. | Type | ID(A) | VDSS(V) | RDS(ON) Typ(mΩ) | RDS(ON) Max(mΩ) | Package | MOQ(pcs) | Diode Trr(nS) | |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| 1 | RSF38N30F | N | 38 | 300 | 0.09 | 0.11 | TO-220F | 1000 | 80 | |
| 2 | RSF45N50W | N | 45 | 500 | 0.1 | 0.125 | TO-247 | 600 | 95 | |
| 3 | RSF5N50D | N | 5 | 500 | 1.5 | 1.85 | TO-252 | 2500 | 61 | |
| 4 | RSF7N50D | N | 7 | 500 | 1.1 | 1.5 | TO-252 | 2500 | 100 | |
| 5 | RSF3N60D | N | 3 | 600 | 2.8 | 3.4 | TO-252 | 2500 | 55 | |
| 6 | RSF4N60D | N | 4 | 600 | 2 | 2.4 | TO-252 | 2500 | 60 | |
| 7 | RSF4N60F | N | 4 | 600 | 2 | 2.4 | TO-220F | 1000 | 60 | |
| 8 | RS2N65D | N | 2 | 650 | 3.8 | 4.5 | TO-252 | 2500 | -- | |
| 9 | RS2N65F | N | 2 | 650 | 3.8 | 4.5 | TO-220F | 1000 | -- | |
| 10 | RS4N65D | N | 4 | 650 | 2 | 2.4 | TO-252 | 2500 | -- | |
| 11 | RS4N65MD | N | 4 | 650 | 2 | 2.4 | TO-251 | 4000 | -- | |
| 12 | RS4N65F | N | 4 | 650 | 2 | 2.4 | TO-220F | 1000 | -- | |
| 13 | RS5N65D | N | 5 | 650 | 1.8 | 2.1 | TO-252 | 2500 | -- | |
| 14 | RS5N65F | N | 5 | 650 | 1.8 | 2.1 | TO-220F | 1000 | -- | |
| 15 | RS6N65D | N | 6 | 650 | 1.65 | 1.9 | TO-252 | 2500 | -- | |
| 16 | RS6N60F | N | 6 | 600 | 1 | 1.15 | TO-220F | 1000 | -- | |
| 17 | RS6N65F | N | 6 | 650 | 1.65 | 1.9 | TO-220F | 1000 | -- | |
| 18 | RS7N65D | N | 7 | 650 | 1.1 | 1.4 | TO-252 | 2500 | -- | |
| 19 | RS7N65MD | N | 7 | 650 | 1.1 | 1.4 | TO-251 | 4000 | -- | |
| 20 | RS7N65F | N | 7 | 650 | 1.1 | 1.4 | TO-220F | 1000 | -- | |
| 21 | RS8N60F | N | 8 | 600 | 0.75 | 0.9 | TO-220F | 1000 | -- | |
| 22 | RS8N65F | N | 8 | 650 | 0.95 | 1.15 | TO-220F | 1000 | -- | |
| 23 | RS10N65D | N | 10 | 650 | 0.93 | 1.05 | TO-252 | 2500 | -- | |
| 24 | RS10N65F | N | 10 | 650 | 0.65 | 0.8 | TO-220F | 1000 | -- | |
| 25 | RS10N60F | N | 10 | 600 | 0.6 | 0.72 | TO-220F | 1000 | -- | |
| 26 | RS12N65F | N | 12 | 650 | 0.6 | 0.72 | TO-220F | 1000 | -- | |
| 27 | RS12N60F | N | 12 | 600 | 0.5 | 0.62 | TO-220F | 1000 | -- | |
| 28 | RS13N65F | N | 13 | 650 | 0.52 | 0.65 | TO-220F | 1000 | -- | |
| 29 | RS16N65F | N | 16 | 650 | 0.45 | 0.55 | TO-220F | 1000 | -- | |
| 30 | RS20N65F | N | 20 | 650 | 0.35 | 0.45 | TO-220F | 1000 | -- | |
| 31 | RS5N50D | N | 5 | 500 | 1.25 | 1.45 | TO-252 | 2500 | -- | |
| 32 | RS6N50D | N | 6 | 500 | 1.2 | 1.5 | TO-252 | 2500 | -- | |
| 33 | RS9N50D | N | 9 | 500 | 0.65 | 0.8 | TO-252 | 2500 | -- | |
| 34 | RS9N50F | N | 9 | 500 | 0.65 | 0.8 | TO-220F | 1000 | -- | |
| 35 | RS10N50F | N | 10 | 500 | 0.66 | 0.8 | TO-220F | 1000 | -- | |
| 36 | RS11N50F | N | 11 | 500 | 0.48 | 0.6 | TO-220F | 1000 | -- | |
| 37 | RS13N50F | N | 13 | 500 | 0.39 | 0.46 | TO-220F | 1000 | -- | |
| 38 | RS15N50F | N | 15 | 500 | 0.35 | 0.42 | TO-220F | 1000 | -- | |
| 39 | RS18N50F | N | 18 | 500 | 0.28 | 0.34 | TO-220F | 1000 | -- | |
| 40 | RS20N50F | N | 20 | 500 | 0.21 | 0.27 | TO-220F | 1000 | -- | |
| 41 | RS20N50W | N | 20 | 500 | 0.21 | 0.27 | TO-247-3 | 600 | -- | |
| 42 | RS25N50F | N | 25 | 500 | 0.18 | 0.24 | TO-220F | 1000 | -- | |
| 43 | RS25N50W | N | 25 | 500 | 0.18 | 0.24 | TO-247-3 | 600 | -- | |
| 44 | RS28N50W | N | 28 | 500 | 0.14 | 0.18 | TO-247-3 | 600 | -- | |
| 45 | RS30N50W | N | 30 | 500 | 0.085 | 0.12 | TO-247-3 | 600 | -- | |
| 46 | RS4N80F | N | 4 | 800 | 3.2 | 3.8 | TO-220F | 1000 | -- | |
| 47 | RS8N80F | N | 8 | 800 | 1.35 | 1.6 | TO-220F | 1000 | -- | |
| 48 | RS10N80F | N | 10 | 800 | 1 | 1.2 | TO-220F | 1000 | -- | |
| 49 | RS3N90MD | N | 3 | 900 | 4 | 4.8 | TO-251 | 4000 | -- | |
| 50 | RS4N90D | N | 4 | 900 | 3 | 3.5 | TO-252 | 2500 | -- | |
| 51 | RS4N90F | N | 4 | 900 | 3 | 3.5 | TO-220F | 1000 | -- | |
| 52 | RS6N90F | N | 6 | 900 | 1.7 | 2.05 | TO-220F | 1000 | -- | |
| 53 | RS9N90F | N | 9 | 900 | 1.2 | 1.55 | TO-220F | 1000 | -- | |
| 54 | RS9N90PF | N | 9 | 900 | 1.2 | 1.55 | TO-3PF | 300 | -- | |
| 55 | RS2N100D | N | 2 | 1000 | 6 | 7.2 | TO-252 | 2500 | -- | |
| 56 | RSE3N100F | N | 3 | 1000 | 4.6 | 5.5 | TO-220F | 1000 | -- | |
| 57 | RS6N100F | N | 6 | 1000 | 1.2 | 1.5 | TO-220F | 1000 | -- | |
| 58 | RS2N120D | N | 2 | 1200 | 10.5 | 12.5 | TO-252 | 2500 | -- | |
| 59 | RS3N120D | N | 3 | 1200 | 7.3 | 8.5 | TO-252 | 2500 | -- | |
| 60 | RS6N120T | N | 6 | 1200 | 2.1 | 2.5 | TO-220 | 1000 | -- | |
| 61 | RS3N150F | N | 3 | 1500 | 5.5 | 6.5 | TO-220F | 1000 | -- | |
| 62 | RS3N150PF | N | 3 | 1500 | 5.5 | 6.5 | TO-3PF | 300 | -- | |
| 63 | RS3N150W | N | 3 | 1500 | 5.5 | 6.5 | TO247-3 | 600 | -- |
รายละเอียดสินค้า
เทคโนโลยี MOSFET ความดันสูงสําหรับการใช้งานความดันสูงสุด
คําอธิบายสินค้า:
MOSFET ความดันสูง เป็นชนิดของทรานซิสเตอร์ MOSFET ประสิทธิภาพที่สามารถทํางานในความดันสูงและให้ผลงานที่ดีกว่าในแง่ของกระแสรั่วไหล, ความต้านทานต่ํา,และคุณสมบัติที่ดีเยี่ยมในอุณหภูมิสูงMOSFET ความดันสูง FRD ที่ติดตั้งเป็นโครงสร้าง MOS พลังงานพิเศษที่ใช้เทคโนโลยีการปรับปรุงปรับปรุงทางด้านใหม่ที่ทําให้มันเหมาะสําหรับการใช้งาน เช่นเครื่องไฟฟ้าสลับอุตสาหกรรมN-Channel High Voltage MOSFET ด้วยกระแสระรั่วที่ต่ําต่ํากว่า 1μA ยืนยันว่าเป็นตัวประกอบที่โดดเด่น
ปริมาตรเทคนิค:
| ปริมาตร | รายละเอียด |
|---|---|
| ชื่อสินค้า | MOSFET ความดันสูง |
| ประเภท | N |
| การรั่วไหล | การรั่วไหลต่ําสามารถถึงน้อยกว่า 1 μ A |
| ความต้านทาน | ความต้านทานต่ํา |
| เทคโนโลย | MOSFET |
| ข้อดี | เทคโนโลยีการด๊อปปิ่งแบบแปรปรวนด้านใหม่ โครงสร้าง MOS พลังพิเศษ คุณสมบัติที่ดีเยี่ยมในอุณหภูมิสูง |
| ระดับความกระชับกําลัง | ความดันสูง/ความดันสูงสุด |
| HV Mosfet การใช้งาน | ไดรฟ์ LED, อดอปเตอร์, พลังงานไฟฟ้าสลับอุตสาหกรรม, อินเวอร์เตอร์ เป็นต้น |
| การใช้งาน MOSFET Ultra-HV | เครื่องวัดอัจฉริยะ เครื่องประปากระเป๋าสตางค์ เครื่องประปาเครื่องเปลี่ยนอุตสาหกรรม เครื่องประปาระบบไฟฟ้า เป็นต้น |
| การใช้งาน FRD HV MOSFET ที่ติดตั้ง | เครื่องยนต์ซีรีส์ อินเวอร์เตอร์ การใช้งานวงจรครึ่งสะพาน / สะพานเต็ม เป็นต้น |
การใช้งาน:
ทรานซิสเตอร์ MOSFET ความดันสูงจาก REASUNOS เป็นทรานซิสเตอร์พลังงานที่ออกแบบสําหรับความดันสูงและความดันสูงสุดโครงสร้าง MOS พลังงานพิเศษและคุณสมบัติที่ดีเยี่ยมในอุณหภูมิสูง, พวกเขาเป็นทางเลือกที่น่าเชื่อถือสําหรับความดันสูงของคุณ ความต้องการ ด้วยการ dissipation ความร้อนที่ดี, พวกเขาสามารถทํางานเป็นเวลานานโดยการรักษาอุปกรณ์เย็นความต้านทานที่ต่ําทําให้พวกเขาสามารถจัดการกับปริมาณจํานวนมากของปัจจุบัน, ขณะที่ความดันสูงทําให้มันเหมาะสมสําหรับการใช้งานที่ต้องการความดันสูงและความดันสูงสุดบรรจุท่อกันน้ําและกันสแตติกราคาสามารถยืนยันขึ้นอยู่กับผลิตภัณฑ์ ระยะเวลาการจัดส่ง 2-30 วัน ขึ้นอยู่กับปริมาณทั้งหมดหลักการการชําระเงินคือ 100% T/T ก่อน (EXW)ด้วยความสามารถในการจําหน่าย 5KK / เดือน, พวกเขาเป็นทางออกที่น่าเชื่อถือและมีประหยัดสําหรับความต้องการความดันสูงของคุณ
การสนับสนุนและบริการ:
การสนับสนุนและบริการทางเทคนิค MOSFET ความดันสูง
เราให้การสนับสนุนทางเทคนิคที่ครบวงจรและบริการสําหรับผลิตภัณฑ์ MOSFET ความดันสูงของเรา ทีมงานสนับสนุนทางเทคนิคของเราพร้อมที่จะตอบคําถามใด ๆ ที่คุณอาจมีเกี่ยวกับผลิตภัณฑ์ของเราและสามารถให้คําแนะนําเกี่ยวกับวิธีการปรับปรุงการทํางานเรายังให้เอกสารสินค้ารายละเอียด รวมถึงคําแนะนําการติดตั้ง, แผ่นข้อมูล, และบันทึกการใช้งาน เพื่อช่วยให้คุณได้รับผลประโยชน์สูงที่สุดจากสินค้า MOSFET ความดันสูงของคุณ
สําหรับปัญหาทางเทคนิคใด ๆ เรามีทีมวิศวกรที่มีประสบการณ์ที่พร้อมที่จะให้ความช่วยเหลือในการแก้ไขปัญหา เรายังสามารถให้บริการการออกแบบตามความต้องการของคุณได้ทีมงานผู้เชี่ยวชาญของเราพร้อมที่จะช่วยคุณค้นหาคําตอบที่ดีที่สุดสําหรับการใช้งานของคุณ.
หากคุณต้องการการสนับสนุนทางเทคนิคเพิ่มเติม, กรุณาติดต่อเราที่ [ใส่ข้อมูลติดต่อ] เราหวังที่จะช่วยให้คุณประสบความสําเร็จกับผลิตภัณฑ์ MOSFET ความดันสูงของเรา
การบรรจุและการขนส่ง
การบรรจุและการจัดส่ง MOSFET ความดันสูง
MOSFET ความดันสูงมีความรู้สึกและต้องการความรอบคอบพิเศษในการบรรจุและการจัดส่งใช้เทคนิคการบรรจุที่ถูกต้องและเลือกตัวนําที่เหมาะสม
การบรรจุ:
MOSFET ความดันสูงควรถูกห่อในแต่ละตัวด้วยวัสดุที่ระบายไฟฟ้าสแตตติก (ESD) เพื่อปกป้องมันจากไฟฟ้าสแตตติกวัสดุ ESD ควรวางในถังที่ปิดปิดที่ออกแบบเพื่อป้องกันจากการกระแทกภาชนะยังควรติดป้ายด้วยหมายเลขชิ้นส่วนและข้อมูลที่เกี่ยวข้องอื่น ๆ
การขนส่ง
MOSFET ความดันสูงควรถูกส่งโดยใช้ผู้ขนส่งที่น่าเชื่อถือที่ให้บริการการติดตามและประกันภัย. มันยังสําคัญที่จะบรรจุ MOSFET อย่างถูกต้องและระบุที่อยู่อย่างชัดเจน.มันยังดีที่สุดที่จะเลือกผู้ขนส่งที่เชี่ยวชาญในการส่งส่วนประกอบอิเล็กทรอนิกส์ที่มีความรู้สึก.
FAQ:
MOSFET โวลเตชั่นสูง คําถามที่ ถามบ่อย
คําถาม: ชื่อแบรนด์ของ MOSFET ความดันสูงคืออะไร?
A:ชื่อแบรนด์ของ MOSFET ความดันสูงคือ REASUNOS
คําถาม: สถานที่กําเนิดของ MOSFET ความดันสูงอยู่ที่ไหน?
A:สถานที่กําเนิดของ MOSFET ความดันสูงคือ กวางดง ประเทศจีน
Q: ราคาของ MOSFET ความดันสูงคืออะไร?
A:ราคาของ MOSFET ความดันสูงคือ ราคายืนยันขึ้นอยู่กับสินค้า
Q: รายละเอียดการบรรจุของ MOSFET ความดันสูงคืออะไร?
A:รายละเอียดการบรรจุของ MOSFET ความดันสูง เป็นบรรจุท่อกันฝุ่น กันน้ํา และกันสแตติก ตั้งอยู่ในกล่องกระดาษกล่อง
คําถาม: ระยะเวลาในการจัดส่งของ MOSFET ความดันสูงคืออะไร?
A:ระยะเวลาการจัดส่งสําหรับ MOSFET ความดันสูงคือ 2-30 วัน ซึ่งขึ้นอยู่กับปริมาณทั้งหมด
คําถาม: เงื่อนไขการชําระเงินสําหรับ MOSFET ความดันสูงคืออะไร?
A:เงื่อนไขการชําระเงินสําหรับ MOSFET ความดันสูงคือ 100% T / T ในล่วงหน้า ((EXW)
Q: ความสามารถในการจําหน่ายของ MOSFET ความดันสูงคืออะไร?
A:ความสามารถในการจําหน่ายสําหรับ MOSFET ความดันสูงคือ 5KK / เดือน
แนะนำผลิตภัณฑ์
