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高圧MOSFET 耐久性

  • Anti Surge High Voltage MOSFET Great Heat Dissipation Durable
起源の場所 広東省、CN
ブランド名 REASUNOS
価格 Confirm price based on product
パッケージの詳細 防塵,防水,防静的管状の包装,紙箱の中に詰め込まれる
受渡し時間 2~30日 (総量によって異なります)
支払条件 100%T/T 前払い (EXW)
供給の能力 5KK/月

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商品の詳細
電圧評価 高圧/超高度の電圧 熱放散 大きい熱放散
抵抗 低いオン抵抗 埋め込まれたFRD HV MOSFETの塗布 モーター シリーズ、インバーター、半分橋/完全なブリッジ・サーキットの塗布、等。
漏れ 低い漏出は1つ以下のµ Aに達することができる 利点 新しい側面可変的な添加の技術、特別な力MOSの構造、高温の優秀な特徴。
製品名 高圧MOSFET タイプ N
ハイライト

高圧MOSFET

,

高電圧MOSFET 大熱分散

,

耐久性のあるモスフェット 高電圧
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No. Part No. Type ID(A) VDSS(V) RDS(ON) Typ(mΩ) RDS(ON) Max(mΩ) Package MOQ(pcs) Diode Trr(nS)
1 RSF38N30F N 38 300 0.09 0.11 TO-220F 1000 80
2 RSF45N50W N 45 500 0.1 0.125 TO-247 600 95
3 RSF5N50D N 5 500 1.5 1.85 TO-252 2500 61
4 RSF7N50D N 7 500 1.1 1.5 TO-252 2500 100
5 RSF3N60D N 3 600 2.8 3.4 TO-252 2500 55
6 RSF4N60D N 4 600 2 2.4 TO-252 2500 60
7 RSF4N60F N 4 600 2 2.4 TO-220F 1000 60
8 RS2N65D N 2 650 3.8 4.5 TO-252 2500 --
9 RS2N65F N 2 650 3.8 4.5 TO-220F 1000 --
10 RS4N65D N 4 650 2 2.4 TO-252 2500 --
11 RS4N65MD N 4 650 2 2.4 TO-251 4000 --
12 RS4N65F N 4 650 2 2.4 TO-220F 1000 --
13 RS5N65D N 5 650 1.8 2.1 TO-252 2500 --
14 RS5N65F N 5 650 1.8 2.1 TO-220F 1000 --
15 RS6N65D N 6 650 1.65 1.9 TO-252 2500 --
16 RS6N60F N 6 600 1 1.15 TO-220F 1000 --
17 RS6N65F N 6 650 1.65 1.9 TO-220F 1000 --
18 RS7N65D N 7 650 1.1 1.4 TO-252 2500 --
19 RS7N65MD N 7 650 1.1 1.4 TO-251 4000 --
20 RS7N65F N 7 650 1.1 1.4 TO-220F 1000 --
21 RS8N60F N 8 600 0.75 0.9 TO-220F 1000 --
22 RS8N65F N 8 650 0.95 1.15 TO-220F 1000 --
23 RS10N65D N 10 650 0.93 1.05 TO-252 2500 --
24 RS10N65F N 10 650 0.65 0.8 TO-220F 1000 --
25 RS10N60F N 10 600 0.6 0.72 TO-220F 1000 --
26 RS12N65F N 12 650 0.6 0.72 TO-220F 1000 --
27 RS12N60F N 12 600 0.5 0.62 TO-220F 1000 --
28 RS13N65F N 13 650 0.52 0.65 TO-220F 1000 --
29 RS16N65F N 16 650 0.45 0.55 TO-220F 1000 --
30 RS20N65F N 20 650 0.35 0.45 TO-220F 1000 --
31 RS5N50D N 5 500 1.25 1.45 TO-252 2500 --
32 RS6N50D N 6 500 1.2 1.5 TO-252 2500 --
33 RS9N50D N 9 500 0.65 0.8 TO-252 2500 --
34 RS9N50F N 9 500 0.65 0.8 TO-220F 1000 --
35 RS10N50F N 10 500 0.66 0.8 TO-220F 1000 --
36 RS11N50F N 11 500 0.48 0.6 TO-220F 1000 --
37 RS13N50F N 13 500 0.39 0.46 TO-220F 1000 --
38 RS15N50F N 15 500 0.35 0.42 TO-220F 1000 --
39 RS18N50F N 18 500 0.28 0.34 TO-220F 1000 --
40 RS20N50F N 20 500 0.21 0.27 TO-220F 1000 --
41 RS20N50W N 20 500 0.21 0.27 TO-247-3 600 --
42 RS25N50F N 25 500 0.18 0.24 TO-220F 1000 --
43 RS25N50W N 25 500 0.18 0.24 TO-247-3 600 --
44 RS28N50W N 28 500 0.14 0.18 TO-247-3 600 --
45 RS30N50W N 30 500 0.085 0.12 TO-247-3 600 --
46 RS4N80F N 4 800 3.2 3.8 TO-220F 1000 --
47 RS8N80F N 8 800 1.35 1.6 TO-220F 1000 --
48 RS10N80F N 10 800 1 1.2 TO-220F 1000 --
49 RS3N90MD N 3 900 4 4.8 TO-251 4000 --
50 RS4N90D N 4 900 3 3.5 TO-252 2500 --
51 RS4N90F N 4 900 3 3.5 TO-220F 1000 --
52 RS6N90F N 6 900 1.7 2.05 TO-220F 1000 --
53 RS9N90F N 9 900 1.2 1.55 TO-220F 1000 --
54 RS9N90PF N 9 900 1.2 1.55 TO-3PF 300 --
55 RS2N100D N 2 1000 6 7.2 TO-252 2500 --
56 RSE3N100F N 3 1000 4.6 5.5 TO-220F 1000 --
57 RS6N100F N 6 1000 1.2 1.5 TO-220F 1000 --
58 RS2N120D N 2 1200 10.5 12.5 TO-252 2500 --
59 RS3N120D N 3 1200 7.3 8.5 TO-252 2500 --
60 RS6N120T N 6 1200 2.1 2.5 TO-220 1000 --
61 RS3N150F N 3 1500 5.5 6.5 TO-220F 1000 --
62 RS3N150PF N 3 1500 5.5 6.5 TO-3PF 300 --
63 RS3N150W N 3 1500 5.5 6.5 TO247-3 600 --
メッセージ
No. Part No. Type ID(A) VDSS(V) RDS(ON) Typ(mΩ) RDS(ON) Max(mΩ) Package MOQ(pcs) Diode Trr(nS)
製品の説明

超高電圧アプリケーションのための高電圧MOSFET技術

製品説明:

高電圧MOSFETは,高電圧で動作し,流出電流,低電阻の点で優れた性能を提供する電源MOSFETトランジスタの一種である.高温での優れた特性組み込み FRD 高電圧 MOSFETは,LEDドライバ,アダプタ,産業用スイッチ電源Nチャネル高電圧MOSFETは,低流出電流が1μA未満で,優れた特性で同級者の中で顕著です.

 

技術パラメータ:

パラメータ 仕様
製品名 高電圧MOSFET
タイプ N
漏れ 低漏れは1μA未満に達する
抵抗力 低オン抵抗
テクノロジー MOSFET
利点 新しい横変形ドーピング技術 特殊パワーMOS構造 高温での優れた特性
定位電圧 高電圧/超高電圧
HV モスフェット 適用 LEDドライバー,アダプター,産業用スイッチング電源,インバーターなど
ウルトラHV MOSFET 適用 スマートメーター,キャビネット電源,産業用スイッチング電源,電気電力システムなど
組み込み FRD HV MOSFET アプリケーション モーターシリーズ,インバーター,ハーフブリッジ/フルブリッジ回路のアプリケーションなど
 

応用:

REASUNOSの高電圧MOSFETトランジスタは 高電圧および超高電圧アプリケーションのために設計された電源トランジスタです.特殊パワーMOS構造と高温での優れた特性高電圧の需要に対して信頼性の高い選択です. 熱を散らす能力が高いため,装置を冷やしながら長時間動作できます.低電圧抵抗は,電流の大量の処理を可能にします.REASUNOS 高電圧 MOSFET トランジスタは防塵でパッケージされています.防水・反静的管状の包装価格は製品によって確認されます. 配送時間は2-30日です. 総量によって異なります.支払条件は100%T/T (EXW)5KK/月の供給能力で,彼らはあなたの高電圧ニーズに信頼性とコスト効率の良いソリューションです.

 

サポートとサービス

高電圧MOSFETの技術サポートとサービス

高電圧MOSFET製品に包括的な技術サポートとサービスを提供します. 専門サポートチームは,私たちの製品についてあなたが持つ可能性のある質問に答えるために利用可能です.効率を向上させる方法について 指導することができます高電圧MOSFET製品から最大限に活用できるように,インストール説明書,データシート,およびアプリケーションノートを含む詳細な製品ドキュメントも提供します.

技術的な問題については,トラブルシューティングの支援をするために,経験豊富なエンジニアのチームがあります.また,お客様の特定のニーズを満たすためにカスタムデザインサービスを提供することができます.私たちの専門家チームは,あなたのアプリケーションのための最良のソリューションを識別するのにあなたを助ける準備ができています.

追加的な技術サポートが必要な場合は, [連絡先を入力してください] に連絡してください. 私たちは,私たちの高電圧MOSFET製品で成功を収めるのを楽しみにしています.

 

梱包と輸送:

高電圧MOSFETの梱包と輸送

 

高電圧MOSFETは敏感で,包装と輸送時に特別な注意が必要です.安全な配送を確保するために,適切な包装材料を選択することが重要です.適切な梱包方法を使うこと適切なキャリアを選んでください

パッケージ:
高電圧MOSFETは静電から保護するために,個別に静電分散材料 (ESD) で包まれなければならない.ESD材料は,衝撃から保護するように設計された密閉容器に置く必要があります.容器には,部品番号やその他の関連情報も記載されるべきです.

輸送:
高電圧MOSFETは,追跡と保険を提供する信頼できるキャリアを使用して出荷する必要があります.また,MOSFETを適切に梱包し,住所を明確にラベルすることが重要です.敏感 な 電子 部品 を 輸送 する 専門 家 を 選ぶ こと も 最善 です.

 

FAQ:

高電圧 MOSFET よく聞かれる質問

Q: 高電圧MOSFETのブランド名は何ですか?

A: その通り高電圧MOSFETのブランド名は REASUNOSです

Q: 高電圧MOSFETの原産地は?

A: その通り高電圧MOSFETの起源地は中国広東である.

Q: 高電圧MOSFETの価格はいくらですか?

A: その通り高電圧MOSFETの価格は 製品によって確認されます

Q: 高電圧MOSFETのパッケージの詳細は?

A: その通り高電圧MOSFETのパッケージは,防塵,防水,反静的管状のパッケージで,紙箱に詰め込まれています.

Q: 高電圧MOSFETの配達時間は?

A: その通り高電圧MOSFETの配達時間は2~30日で,総量によって異なります.

Q: 高電圧MOSFETの支払い条件は?

A: その通り高電圧MOSFETの支払い条件は100%T/T先払いです (EXW).

Q: 高電圧MOSFETの供給能力は?

A: その通り高電圧MOSFETの供給能力は 5KK/月です

札:

安定した高電圧電源モスフェット

耐熱 高電圧 シック モスフェット

工業用超高電圧トランジスタ