Anti-surge MOSFET à haute tension

Lieu d'origine Guangdong, NC
Nom de marque REASUNOS
Prix Confirm price based on product
Détails d'emballage Emballages tubulaires à l'épreuve de la poussière, de l'eau et antistatiques, placés dans une boîte
Délai de livraison 2 à 30 jours (selon la quantité totale)
Conditions de paiement 100% T/T à l'avance
Capacité d'approvisionnement 5KK/mois

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Détails sur le produit
Estimation de tension Tension à haute tension/ultra-haute dissipation thermique Grande dissipation thermique
Résistance Basse Sur-résistance Application incluse de transistor MOSFET de HT de FRD Série de moteur, inverseur, demi pont/pleines applications de montage en pont, etc.
Fuite La basse fuite peut atteindre moins de 1 µ A Avantages Nouvelle technologie de dopage variable latérale, puissance spéciale MOS Structure, excellentes cara
Nom du produit Transistor MOSFET à haute tension Le type N
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MOSFET à haute tension anti-poussée

,

MOSFET à haute tension

,

Durabilité de la haute tension du Mosfet

Vous pouvez cocher les produits dont vous avez besoin et communiquer avec nous dans le babillard électronique.
No. Part No. Type ID(A) VDSS(V) RDS(ON) Typ(mΩ) RDS(ON) Max(mΩ) Package MOQ(pcs) Diode Trr(nS)
1 RSF38N30F N 38 300 0.09 0.11 TO-220F 1000 80
2 RSF45N50W N 45 500 0.1 0.125 TO-247 600 95
3 RSF5N50D N 5 500 1.5 1.85 TO-252 2500 61
4 RSF7N50D N 7 500 1.1 1.5 TO-252 2500 100
5 RSF3N60D N 3 600 2.8 3.4 TO-252 2500 55
6 RSF4N60D N 4 600 2 2.4 TO-252 2500 60
7 RSF4N60F N 4 600 2 2.4 TO-220F 1000 60
8 RS2N65D N 2 650 3.8 4.5 TO-252 2500 --
9 RS2N65F N 2 650 3.8 4.5 TO-220F 1000 --
10 RS4N65D N 4 650 2 2.4 TO-252 2500 --
11 RS4N65MD N 4 650 2 2.4 TO-251 4000 --
12 RS4N65F N 4 650 2 2.4 TO-220F 1000 --
13 RS5N65D N 5 650 1.8 2.1 TO-252 2500 --
14 RS5N65F N 5 650 1.8 2.1 TO-220F 1000 --
15 RS6N65D N 6 650 1.65 1.9 TO-252 2500 --
16 RS6N60F N 6 600 1 1.15 TO-220F 1000 --
17 RS6N65F N 6 650 1.65 1.9 TO-220F 1000 --
18 RS7N65D N 7 650 1.1 1.4 TO-252 2500 --
19 RS7N65MD N 7 650 1.1 1.4 TO-251 4000 --
20 RS7N65F N 7 650 1.1 1.4 TO-220F 1000 --
21 RS8N60F N 8 600 0.75 0.9 TO-220F 1000 --
22 RS8N65F N 8 650 0.95 1.15 TO-220F 1000 --
23 RS10N65D N 10 650 0.93 1.05 TO-252 2500 --
24 RS10N65F N 10 650 0.65 0.8 TO-220F 1000 --
25 RS10N60F N 10 600 0.6 0.72 TO-220F 1000 --
26 RS12N65F N 12 650 0.6 0.72 TO-220F 1000 --
27 RS12N60F N 12 600 0.5 0.62 TO-220F 1000 --
28 RS13N65F N 13 650 0.52 0.65 TO-220F 1000 --
29 RS16N65F N 16 650 0.45 0.55 TO-220F 1000 --
30 RS20N65F N 20 650 0.35 0.45 TO-220F 1000 --
31 RS5N50D N 5 500 1.25 1.45 TO-252 2500 --
32 RS6N50D N 6 500 1.2 1.5 TO-252 2500 --
33 RS9N50D N 9 500 0.65 0.8 TO-252 2500 --
34 RS9N50F N 9 500 0.65 0.8 TO-220F 1000 --
35 RS10N50F N 10 500 0.66 0.8 TO-220F 1000 --
36 RS11N50F N 11 500 0.48 0.6 TO-220F 1000 --
37 RS13N50F N 13 500 0.39 0.46 TO-220F 1000 --
38 RS15N50F N 15 500 0.35 0.42 TO-220F 1000 --
39 RS18N50F N 18 500 0.28 0.34 TO-220F 1000 --
40 RS20N50F N 20 500 0.21 0.27 TO-220F 1000 --
41 RS20N50W N 20 500 0.21 0.27 TO-247-3 600 --
42 RS25N50F N 25 500 0.18 0.24 TO-220F 1000 --
43 RS25N50W N 25 500 0.18 0.24 TO-247-3 600 --
44 RS28N50W N 28 500 0.14 0.18 TO-247-3 600 --
45 RS30N50W N 30 500 0.085 0.12 TO-247-3 600 --
46 RS4N80F N 4 800 3.2 3.8 TO-220F 1000 --
47 RS8N80F N 8 800 1.35 1.6 TO-220F 1000 --
48 RS10N80F N 10 800 1 1.2 TO-220F 1000 --
49 RS3N90MD N 3 900 4 4.8 TO-251 4000 --
50 RS4N90D N 4 900 3 3.5 TO-252 2500 --
51 RS4N90F N 4 900 3 3.5 TO-220F 1000 --
52 RS6N90F N 6 900 1.7 2.05 TO-220F 1000 --
53 RS9N90F N 9 900 1.2 1.55 TO-220F 1000 --
54 RS9N90PF N 9 900 1.2 1.55 TO-3PF 300 --
55 RS2N100D N 2 1000 6 7.2 TO-252 2500 --
56 RSE3N100F N 3 1000 4.6 5.5 TO-220F 1000 --
57 RS6N100F N 6 1000 1.2 1.5 TO-220F 1000 --
58 RS2N120D N 2 1200 10.5 12.5 TO-252 2500 --
59 RS3N120D N 3 1200 7.3 8.5 TO-252 2500 --
60 RS6N120T N 6 1200 2.1 2.5 TO-220 1000 --
61 RS3N150F N 3 1500 5.5 6.5 TO-220F 1000 --
62 RS3N150PF N 3 1500 5.5 6.5 TO-3PF 300 --
63 RS3N150W N 3 1500 5.5 6.5 TO247-3 600 --
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No. Part No. Type ID(A) VDSS(V) RDS(ON) Typ(mΩ) RDS(ON) Max(mΩ) Package MOQ(pcs) Diode Trr(nS)
Description de produit

Technologie MOSFET haute tension pour les applications à ultra-haute tension

Description du produit:

Le MOSFET à haute tension est un type de transistor MOSFET de puissance capable de fonctionner à haute tension et offrant des performances supérieures en termes de courant de fuite, de faible résistance,et excellentes caractéristiques à haute températureLe MOSFET FRD à haute tension embarqué est une structure MOS de puissance spéciale basée sur une nouvelle technologie de dopage variable latérale qui le rend adapté à des applications telles que les conducteurs LED, les adaptateurs,appareils électriques à commutation industrielleLe MOSFET à haute tension N-Channel, dont le courant de fuite est inférieur à 1 μA, se distingue de ses homologues par ses caractéristiques remarquables.

 

Paramètres techniques:

Paramètre Spécification
Nom du produit MOSFET haute tension
Le type N
Faillite Une faible fuite peut atteindre moins de 1 μA
Résistance Faible résistance à l'alimentation
Technologie MOSFET
Les avantages Nouvelle technologie de dopage variable latérale, structure MOS de puissance spéciale, excellentes caractéristiques à haute température.
Rating de la tension Voltage élevé/ultra-haute
Application du produit HV Mosfet Conducteur LED, adaptateurs, alimentation par commutation industrielle, onduleurs, etc.
Application du MOSFET à ultrasons Compteur intelligent, alimentation électrique de cabinet, alimentation électrique de commutation industrielle, système électrique, etc.
Application FRD HV MOSFET intégrée Série de moteurs, onduleur, demi-pontes/circuits de pont complet, etc.
 

Applications:

Les transistors MOSFET haute tension de REASUNOS sont des transistors de puissance conçus pour les applications haute tension et ultra-haute tension.structure MOS de puissance spéciale et excellentes caractéristiques à haute températureAvec une bonne dissipation de chaleur, ils sont capables de fonctionner pendant une longue période tout en gardant le dispositif frais.La faible résistance assure qu'ils sont capables de gérer une grande quantité de courantLes transistors MOSFET à haute tension REASUNOS sont emballés dans un emballage à l'épreuve de la poussière.emballage tubulaire étanche à l'eau et antistatiqueLe prix est confirmable en fonction du produit. Le délai de livraison est de 2 à 30 jours, selon la quantité totale.Les conditions de paiement sont 100% T/T à l'avance (EXW)Avec une capacité d'approvisionnement de 5K/mois, ils sont une solution fiable et rentable pour vos besoins en haute tension.

 

Assistance et services:

Assistance technique et service des MOSFET haute tension

Nous fournissons un support technique complet et un service pour nos produits MOSFET haute tension.et peut fournir des conseils sur l'optimisation des performancesNous fournissons également une documentation détaillée du produit, y compris des instructions d'installation, des fiches de données et des notes d'application, pour vous aider à tirer le meilleur parti de votre produit MOSFET haute tension.

Pour tout problème technique, nous avons une équipe d'ingénieurs expérimentés disponibles pour vous aider à résoudre les problèmes.Notre équipe d'experts est prête à vous aider à identifier les meilleures solutions pour votre application.

Si vous avez besoin d'un soutien technique supplémentaire, veuillez nous contacter à [insérer les coordonnées].

 

Emballage et expédition

Emballage et expédition du MOSFET haute tension

 

Les MOSFET haute tension sont sensibles et nécessitent des soins particuliers lors de leur emballage et de leur expédition.utiliser les bonnes techniques d'emballage, et choisir le bon transporteur.

Emballage:
Les MOSFET haute tension doivent être enveloppés individuellement dans un matériau dissipatif électrostatique (ESD) pour les protéger de l'électricité statique.Le matériau ESD doit être placé dans un récipient scellé conçu pour protéger contre les chocsLe conteneur doit également être étiqueté avec le numéro de pièce et d'autres informations pertinentes.

Pour la navigation:
Les MOSFET haute tension doivent être expédiés par un transporteur fiable qui offre un suivi et une assurance.Il est également préférable de choisir un transporteur spécialisé dans le transport de composants électroniques sensibles.

 

FAQ:

MOSFET haute tension Questions fréquemment posées

Q: Quel est le nom de marque du MOSFET haute tension?

A: Je suis désolé.Le nom de marque du MOSFET haute tension est REASUNOS.

Q: Où est le lieu d'origine du MOSFET haute tension?

A: Je suis désolé.Le lieu d'origine du MOSFET haute tension est le Guangdong, en Chine.

Q: Quel est le prix du MOSFET haute tension?

A: Je suis désolé.Le prix du MOSFET haute tension est confirmé prix basé sur le produit.

Q: Quels sont les détails de l'emballage du MOSFET haute tension?

A: Je suis désolé.Les détails de l'emballage du MOSFET haute tension est un emballage tubulaire anti-poussière, imperméable à l'eau et antistatique, placé dans une boîte en carton dans des cartons.

Q: Quel est le délai de livraison pour le MOSFET haute tension?

A: Je suis désolé.Le délai de livraison du MOSFET haute tension est de 2 à 30 jours, ce qui dépend de la quantité totale.

Q: Quelles sont les conditions de paiement pour le MOSFET haute tension?

A: Je suis désolé.Les conditions de paiement pour le MOSFET haute tension sont de 100% T/T à l'avance ((EXW).

Q: Quelle est la capacité d'alimentation du MOSFET haute tension?

A: Je suis désolé.La capacité d'approvisionnement du MOSFET haute tension est de 5KK/mois.