항 급증 고전압 MOSFET

원래 장소 광동, CN
브랜드 이름 REASUNOS
가격 Confirm price based on product
포장 세부 사항 방진, 방수, 정전기 방지 관형 포장으로 판지 상자 안에 포장되어 있습니다.
배달 시간 2-30일 (총 수량에 따라 다름)
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공급 능력 5KK/월

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제품 상세 정보
전압 정격 고전압/초고압 방열 뛰어난 열 방출
저항 낮은 온 저항 임베디드 FRD HV MOSFET 애플리케이션 모터 시리즈, 인버터, 하프 브리지/풀 브리지 회로 애플리케이션 등
누출 낮은 누설은 1 µ A 미만에 도달할 수 있습니다. 장점 새로운 측면 가변 도핑 기술, 특수 Power MOS 구조, 고온 특성이 우수합니다.
제품 이름 고전압 MOSFET 종류
강조하다

항 급증 고전압 MOSFET

,

고전압 MOSFET 큰 열 분산

,

내구성 있는 모스페트 고전압

필요한 제품을 선택하고 게시판에서 당사와 소통 할 수 있습니다.
No. Part No. Type ID(A) VDSS(V) RDS(ON) Typ(mΩ) RDS(ON) Max(mΩ) Package MOQ(pcs) Diode Trr(nS)
1 RSF38N30F N 38 300 0.09 0.11 TO-220F 1000 80
2 RSF45N50W N 45 500 0.1 0.125 TO-247 600 95
3 RSF5N50D N 5 500 1.5 1.85 TO-252 2500 61
4 RSF7N50D N 7 500 1.1 1.5 TO-252 2500 100
5 RSF3N60D N 3 600 2.8 3.4 TO-252 2500 55
6 RSF4N60D N 4 600 2 2.4 TO-252 2500 60
7 RSF4N60F N 4 600 2 2.4 TO-220F 1000 60
8 RS2N65D N 2 650 3.8 4.5 TO-252 2500 --
9 RS2N65F N 2 650 3.8 4.5 TO-220F 1000 --
10 RS4N65D N 4 650 2 2.4 TO-252 2500 --
11 RS4N65MD N 4 650 2 2.4 TO-251 4000 --
12 RS4N65F N 4 650 2 2.4 TO-220F 1000 --
13 RS5N65D N 5 650 1.8 2.1 TO-252 2500 --
14 RS5N65F N 5 650 1.8 2.1 TO-220F 1000 --
15 RS6N65D N 6 650 1.65 1.9 TO-252 2500 --
16 RS6N60F N 6 600 1 1.15 TO-220F 1000 --
17 RS6N65F N 6 650 1.65 1.9 TO-220F 1000 --
18 RS7N65D N 7 650 1.1 1.4 TO-252 2500 --
19 RS7N65MD N 7 650 1.1 1.4 TO-251 4000 --
20 RS7N65F N 7 650 1.1 1.4 TO-220F 1000 --
21 RS8N60F N 8 600 0.75 0.9 TO-220F 1000 --
22 RS8N65F N 8 650 0.95 1.15 TO-220F 1000 --
23 RS10N65D N 10 650 0.93 1.05 TO-252 2500 --
24 RS10N65F N 10 650 0.65 0.8 TO-220F 1000 --
25 RS10N60F N 10 600 0.6 0.72 TO-220F 1000 --
26 RS12N65F N 12 650 0.6 0.72 TO-220F 1000 --
27 RS12N60F N 12 600 0.5 0.62 TO-220F 1000 --
28 RS13N65F N 13 650 0.52 0.65 TO-220F 1000 --
29 RS16N65F N 16 650 0.45 0.55 TO-220F 1000 --
30 RS20N65F N 20 650 0.35 0.45 TO-220F 1000 --
31 RS5N50D N 5 500 1.25 1.45 TO-252 2500 --
32 RS6N50D N 6 500 1.2 1.5 TO-252 2500 --
33 RS9N50D N 9 500 0.65 0.8 TO-252 2500 --
34 RS9N50F N 9 500 0.65 0.8 TO-220F 1000 --
35 RS10N50F N 10 500 0.66 0.8 TO-220F 1000 --
36 RS11N50F N 11 500 0.48 0.6 TO-220F 1000 --
37 RS13N50F N 13 500 0.39 0.46 TO-220F 1000 --
38 RS15N50F N 15 500 0.35 0.42 TO-220F 1000 --
39 RS18N50F N 18 500 0.28 0.34 TO-220F 1000 --
40 RS20N50F N 20 500 0.21 0.27 TO-220F 1000 --
41 RS20N50W N 20 500 0.21 0.27 TO-247-3 600 --
42 RS25N50F N 25 500 0.18 0.24 TO-220F 1000 --
43 RS25N50W N 25 500 0.18 0.24 TO-247-3 600 --
44 RS28N50W N 28 500 0.14 0.18 TO-247-3 600 --
45 RS30N50W N 30 500 0.085 0.12 TO-247-3 600 --
46 RS4N80F N 4 800 3.2 3.8 TO-220F 1000 --
47 RS8N80F N 8 800 1.35 1.6 TO-220F 1000 --
48 RS10N80F N 10 800 1 1.2 TO-220F 1000 --
49 RS3N90MD N 3 900 4 4.8 TO-251 4000 --
50 RS4N90D N 4 900 3 3.5 TO-252 2500 --
51 RS4N90F N 4 900 3 3.5 TO-220F 1000 --
52 RS6N90F N 6 900 1.7 2.05 TO-220F 1000 --
53 RS9N90F N 9 900 1.2 1.55 TO-220F 1000 --
54 RS9N90PF N 9 900 1.2 1.55 TO-3PF 300 --
55 RS2N100D N 2 1000 6 7.2 TO-252 2500 --
56 RSE3N100F N 3 1000 4.6 5.5 TO-220F 1000 --
57 RS6N100F N 6 1000 1.2 1.5 TO-220F 1000 --
58 RS2N120D N 2 1200 10.5 12.5 TO-252 2500 --
59 RS3N120D N 3 1200 7.3 8.5 TO-252 2500 --
60 RS6N120T N 6 1200 2.1 2.5 TO-220 1000 --
61 RS3N150F N 3 1500 5.5 6.5 TO-220F 1000 --
62 RS3N150PF N 3 1500 5.5 6.5 TO-3PF 300 --
63 RS3N150W N 3 1500 5.5 6.5 TO247-3 600 --
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No. Part No. Type ID(A) VDSS(V) RDS(ON) Typ(mΩ) RDS(ON) Max(mΩ) Package MOQ(pcs) Diode Trr(nS)
제품 설명

초고압 애플리케이션을 위한 고전압 MOSFET 기술

제품 설명:

고전압 MOSFET는 전력 MOSFET 트랜지스터의 일종으로 고전압에서 작동할 수 있으며 누출 전류, 낮은 전원 저항,고온에서 우수한 성질임베디드 FRD 고전압 MOSFET는 새로운 측면 변수 도핑 기술을 기반으로 한 특수 전력 MOS 구조로 LED 드라이버, 어댑터,산업용 스위치 전원 공급 장치N 채널 고전압 MOSFET, 1μA 이하의 낮은 누출 전류로, 그 동료들 사이에서 주목할만한 특징으로 돋보인다.

 

기술 매개 변수:

매개 변수 사양
제품 이름 고전압 MOSFET
종류 N
누출 낮은 누출은 1μA 이하로 도달 할 수 있습니다.
저항력 낮은 전원 저항
기술 MOSFET
장점 새로운 변동성 도핑 기술, 특수 전력 MOS 구조, 높은 온도에서 우수한 특성.
전압 등급 고전압/극대고전압
HV 모스페트 적용 LED 드라이버, 어댑터, 산업용 스위치 전원 공급 장치, 인버터 등
초고압 MOSFET 적용 스마트 미터, 캐비닛 전원 공급 장치, 산업 스위치 전원 공급 장치, 전기 전력 시스템 등
임베디드 FRD HV MOSFET 애플리케이션 모터 시리즈, 인버터, 하프 브리지 / 풀 브리지 회로 응용 프로그램, 등
 

응용 프로그램:

REASUNOS의 고전압 MOSFET 트랜지스터는 고전압 및 초고전압 애플리케이션을 위해 설계된 전력 트랜지스터입니다.특수 전력 MOS 구조와 높은 온도에서 우수한 특성, 그들은 높은 전압 필요에 대한 신뢰할 수있는 선택입니다. 큰 열 분산과 함께, 그들은 기기를 시원하게 유지하면서 오랫동안 작동 할 수 있습니다.낮은 전압 저항은 그들이 현재의 큰 양을 처리 할 수 있도록 보장, 높은 전압 등급은 높은 전압과 초고 전압을 필요로 하는 응용 프로그램에 이상적입니다. REASUNOS 고전압 MOSFET 트랜지스터는 먼지 방지 포장,방수 및 반정형 튜브형 포장재, 카드 상자 안에 박스. 가격은 제품에 따라 확인됩니다. 배송 시간은 2 ~ 30 일입니다. 총 양에 따라 다릅니다.지불 조건은 100% T/T 사전 (EXW)월 5KK의 공급 능력으로, 그들은 높은 전압 요구에 대한 신뢰할 수 있고 비용 효율적인 솔루션입니다.

 

지원 및 서비스:

고전압 MOSFET 기술 지원 및 서비스

우리는 우리의 고전압 MOSFET 제품에 대한 포괄적인 기술 지원과 서비스를 제공합니다. 우리의 기술 지원 팀은 우리의 제품에 대해 당신이 가질 수 있는 모든 질문에 대답 할 수 있습니다.그리고 성능을 최적화하는 방법에 대한 지침을 제공할 수 있습니다.우리는 또한 설치 지침, 데이터 시트 및 응용 프로그램 메모를 포함한 상세한 제품 문서를 제공하여 고전압 MOSFET 제품을 최대한 활용할 수 있습니다.

모든 기술적 문제에 대해, 우리는 문제 해결 지원을 제공 할 수있는 경험이 풍부한 엔지니어 팀을 보유하고 있습니다. 우리는 또한 귀하의 특정 요구 사항을 충족시키기 위해 사용자 정의 설계 서비스를 제공할 수 있습니다.우리의 전문가 팀은 귀하의 응용 프로그램에 대한 최선의 솔루션을 식별하는 데 도움이 될 준비가되어 있습니다..

추가 기술 지원이 필요한 경우, [ 연락처 정보를 입력 ]에서 저희에게 연락하십시오. 우리는 우리의 고전압 MOSFET 제품과 함께 성공을 달성하는 데 도움이 기대합니다.

 

포장 및 운송:

고전압 MOSFET 포장 및 운송

 

고전압 MOSFET는 민감하고 포장 및 운송 시 특별한 주의가 필요합니다. 안전한 배달을 보장하기 위해 올바른 포장 재료를 선택하는 것이 중요합니다.올바른 포장 기술을 사용하십시오., 그리고 올바른 운반자를 선택합니다.

포장:
고전압 MOSFET는 정전 전기로부터 보호하기 위해 개별적으로 정전-분산 (ESD) 재료로 포장되어야합니다.ESD 물질은 충격으로부터 보호하도록 설계된 밀폐 된 용기에 배치되어야 합니다.용기에는 부품 번호와 다른 관련 정보가 표시되어야 합니다.

운송:
고전압 MOSFET는 추적 및 보험을 제공하는 신뢰할 수있는 운반자를 사용하여 배송해야합니다. 또한 MOSFET를 올바르게 포장하고 주소를 명확하게 표시하는 것이 중요합니다.또한 민감 한 전자 부품 을 운송 하는 데 특화 된 운송 업체 를 선택 하는 것 이 최선 이다.

 

FAQ:

고전압 MOSFET 자주 묻는 질문

Q: 고전압 MOSFET의 브랜드 이름은 무엇입니까?

A:고전압 MOSFET의 브랜드 이름은 REASUNOS입니다.

질문: 고전압 MOSFET의 원산지는 어디입니까?

A:고전압 MOSFET의 원산지는 중국 광둥이다.

질문: 고전압 MOSFET의 가격은 얼마입니까?

A:고전압 MOSFET의 가격은 제품에 따라 확인됩니다.

Q: 고전압 MOSFET에 대한 패키지 세부 사항은 무엇입니까?

A:고전압 MOSFET의 포장 세부 사항은 튼튼하고 방수적이며 반 정적 인 튜브형 포장지이며, 카튼 상자 안에 배치됩니다.

Q: 고전압 MOSFET의 배달 시간은 얼마입니까?

A:고전압 MOSFET의 배송 시간은 2~30일이며 전체 양에 따라 달라집니다.

Q: 고전압 MOSFET에 대한 지불 조건은 무엇입니까?

A:고전압 MOSFET의 지불 조건은 100% T/T Advance (EXW) 입니다.

Q: 고전압 MOSFET의 공급 능력은 무엇입니까?

A:고전압 MOSFET의 공급 능력은 5KK/개월입니다.