1μA Wechselrichter Hochspannungs-MOS, Industrieller Hochspannungs-Bipolartransistor

Herkunftsort Guangdong, KN
Markenname REASUNOS
Preis Confirm price based on product
Verpackung Informationen Staub-, Wasser- und antistatische Rohrverpackungen, in Kartons
Lieferzeit 2-30 Tage (abhängig von der Gesamtmenge)
Zahlungsbedingungen 100% T/T im Voraus (EXW)
Versorgungsmaterial-Fähigkeit 5KK/Monat

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Produktdetails
Vorteile Neue seitliche variable lackierende Technologie, spezielle Energie MOS Structure, ausgezeichnete Eig Hochspg Mosfet-Anwendung LED-Fahrer, Adapter, industrielles Schaltnetzteil, Inverter usw.
Nennspannung Hochspannungs-/Ultrahochspannung Technologie MOSFET
Leckage Niedriges Durchsickern kann weniger als 1 µ A erreichen Eingebettete FRD Hochspg MOSFET-Anwendung Bewegungs-Reihe, Inverter, Halbbrücke-/Vollbrückenschaltung Anwendungen, etc.
Anwendung MOSFET-Ultra-Hochspg Intelligentes Meter, Kabinett-Stromversorgung, industrielles Schaltnetzteil, System der elektrischen Typ N
Hervorheben

1 μA Hochspannungs-MOS

,

Inverter Hochspannungs-MOS

,

Industrielle Hochspannungs-Bipolartransistoren

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No. Part No. Type ID(A) VDSS(V) RDS(ON) Typ(mΩ) RDS(ON) Max(mΩ) Package MOQ(pcs) Diode Trr(nS)
1 RSF38N30F N 38 300 0.09 0.11 TO-220F 1000 80
2 RSF45N50W N 45 500 0.1 0.125 TO-247 600 95
3 RSF5N50D N 5 500 1.5 1.85 TO-252 2500 61
4 RSF7N50D N 7 500 1.1 1.5 TO-252 2500 100
5 RSF3N60D N 3 600 2.8 3.4 TO-252 2500 55
6 RSF4N60D N 4 600 2 2.4 TO-252 2500 60
7 RSF4N60F N 4 600 2 2.4 TO-220F 1000 60
8 RS2N65D N 2 650 3.8 4.5 TO-252 2500 --
9 RS2N65F N 2 650 3.8 4.5 TO-220F 1000 --
10 RS4N65D N 4 650 2 2.4 TO-252 2500 --
11 RS4N65MD N 4 650 2 2.4 TO-251 4000 --
12 RS4N65F N 4 650 2 2.4 TO-220F 1000 --
13 RS5N65D N 5 650 1.8 2.1 TO-252 2500 --
14 RS5N65F N 5 650 1.8 2.1 TO-220F 1000 --
15 RS6N65D N 6 650 1.65 1.9 TO-252 2500 --
16 RS6N60F N 6 600 1 1.15 TO-220F 1000 --
17 RS6N65F N 6 650 1.65 1.9 TO-220F 1000 --
18 RS7N65D N 7 650 1.1 1.4 TO-252 2500 --
19 RS7N65MD N 7 650 1.1 1.4 TO-251 4000 --
20 RS7N65F N 7 650 1.1 1.4 TO-220F 1000 --
21 RS8N60F N 8 600 0.75 0.9 TO-220F 1000 --
22 RS8N65F N 8 650 0.95 1.15 TO-220F 1000 --
23 RS10N65D N 10 650 0.93 1.05 TO-252 2500 --
24 RS10N65F N 10 650 0.65 0.8 TO-220F 1000 --
25 RS10N60F N 10 600 0.6 0.72 TO-220F 1000 --
26 RS12N65F N 12 650 0.6 0.72 TO-220F 1000 --
27 RS12N60F N 12 600 0.5 0.62 TO-220F 1000 --
28 RS13N65F N 13 650 0.52 0.65 TO-220F 1000 --
29 RS16N65F N 16 650 0.45 0.55 TO-220F 1000 --
30 RS20N65F N 20 650 0.35 0.45 TO-220F 1000 --
31 RS5N50D N 5 500 1.25 1.45 TO-252 2500 --
32 RS6N50D N 6 500 1.2 1.5 TO-252 2500 --
33 RS9N50D N 9 500 0.65 0.8 TO-252 2500 --
34 RS9N50F N 9 500 0.65 0.8 TO-220F 1000 --
35 RS10N50F N 10 500 0.66 0.8 TO-220F 1000 --
36 RS11N50F N 11 500 0.48 0.6 TO-220F 1000 --
37 RS13N50F N 13 500 0.39 0.46 TO-220F 1000 --
38 RS15N50F N 15 500 0.35 0.42 TO-220F 1000 --
39 RS18N50F N 18 500 0.28 0.34 TO-220F 1000 --
40 RS20N50F N 20 500 0.21 0.27 TO-220F 1000 --
41 RS20N50W N 20 500 0.21 0.27 TO-247-3 600 --
42 RS25N50F N 25 500 0.18 0.24 TO-220F 1000 --
43 RS25N50W N 25 500 0.18 0.24 TO-247-3 600 --
44 RS28N50W N 28 500 0.14 0.18 TO-247-3 600 --
45 RS30N50W N 30 500 0.085 0.12 TO-247-3 600 --
46 RS4N80F N 4 800 3.2 3.8 TO-220F 1000 --
47 RS8N80F N 8 800 1.35 1.6 TO-220F 1000 --
48 RS10N80F N 10 800 1 1.2 TO-220F 1000 --
49 RS3N90MD N 3 900 4 4.8 TO-251 4000 --
50 RS4N90D N 4 900 3 3.5 TO-252 2500 --
51 RS4N90F N 4 900 3 3.5 TO-220F 1000 --
52 RS6N90F N 6 900 1.7 2.05 TO-220F 1000 --
53 RS9N90F N 9 900 1.2 1.55 TO-220F 1000 --
54 RS9N90PF N 9 900 1.2 1.55 TO-3PF 300 --
55 RS2N100D N 2 1000 6 7.2 TO-252 2500 --
56 RSE3N100F N 3 1000 4.6 5.5 TO-220F 1000 --
57 RS6N100F N 6 1000 1.2 1.5 TO-220F 1000 --
58 RS2N120D N 2 1200 10.5 12.5 TO-252 2500 --
59 RS3N120D N 3 1200 7.3 8.5 TO-252 2500 --
60 RS6N120T N 6 1200 2.1 2.5 TO-220 1000 --
61 RS3N150F N 3 1500 5.5 6.5 TO-220F 1000 --
62 RS3N150PF N 3 1500 5.5 6.5 TO-3PF 300 --
63 RS3N150W N 3 1500 5.5 6.5 TO247-3 600 --
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No. Part No. Type ID(A) VDSS(V) RDS(ON) Typ(mΩ) RDS(ON) Max(mΩ) Package MOQ(pcs) Diode Trr(nS)
Produkt-Beschreibung

Beschreibung des Produkts:

Die Einführung des Hochspannungs-MOSFET, eines MOS-Gate-Transistors, der speziell für Ultra-Hochspannungsanwendungen entwickelt wurde.Industrielle SchaltanlageDas Gerät ist perfekt für jede Art von Hochspannungsanwendungen.

 

Technische Parameter:

Produktbezeichnung Hochspannungs-MOSFET
Wärmeabbau Große Wärmeverteilung
Leckage Niedrige Leckage kann weniger als 1 μ A erreichen
Vorteile Neue Technologie für das doppende Abwechslungsmittel, spezielle MOS-Struktur, ausgezeichnete Eigenschaften bei hohen Temperaturen.
Nennspannung Hochspannung/Ultrahochspannung
Hochspannungs-MOSFET-Anwendungen Smart Meter, Kabinettstromversorgung, industrielle Schaltanlage, elektrische Stromversorgung usw.
Technologie MOSFET
Anwendung von FRD HV MOSFET Motorreihe, Wechselrichter, Halbbrücken-/Vollbrücken-Schaltkreis-Anwendungen usw.
Typ N
Widerstand Niedriger Einsatzwiderstand
 

Anwendungen:

Das von REASUNOS in Guangdong, China, hergestellte Hochspannungs-MOSFET hat viele Vorteile. Sein Preis wird je nach Produkt bestätigt. Es ist in staub-, wasser- und antistatischen Rohrverpackungen verpackt,und in einem Karton in Kartons gelegt. Die Lieferzeit beträgt 2-30 Tage, abhängig von der Gesamtmenge; und die Zahlungsbedingungen sind 100% T/T im Voraus (EXW).Die Leckage des Produkts ist sehr gering.Es ist auch mit der neuen seitlichen variablen Dopingtechnologie und der speziellen Leistungsstruktur MOS ausgestattet, die es bei hohen Temperaturen hervorragend macht.es hat eine große WärmeabgabeDieses Hochspannungs-MOSFET kann für Motorreihe, Wechselrichter, Half-Bridge/Full-Bridge-Schaltungsanwendungen usw. verwendet werden. Es ist mit hoher Spannung und ultrahoher Spannung ausgestattet.

 

Unterstützung und Dienstleistungen:

Technische Unterstützung und Dienstleistungen für Hochspannungs-MOSFET

Wir bieten umfassende technische Unterstützung und Dienstleistungen für Hochspannungs-MOSFET-Produkte.Unser Team von erfahrenen Ingenieuren und Technikern steht Ihnen zur Verfügung, um Ihre Fragen zu beantworten und Ihnen bei der Produktauswahl Anleitung zu gebenWir bieten Ihnen auch maßgeschneiderte Lösungen und Design-Unterstützung, um Ihre spezifischen Anforderungen zu erfüllen.

Unsere technischen Supportleistungen umfassen:

  • Produktauswahl und -bewertung
  • Anwendungsoptimierung
  • Unterstützung bei der Konstruktion
  • Fehlerbehebung
  • Individuelle Lösungen

Wir verpflichten uns, die beste technische Unterstützung und Dienstleistungen für Hochspannungs-MOSFET-Produkte zu bieten.

 

Verpackung und Versand:

Verpackung und Versand
  • Hochspannungs-MOSFET-Produkte müssen in ein antistatisches Material verpackt werden, um sie vor statischer Elektrizität zu schützen.
  • Alle Schiffe müssen mit angemessener Polsterung und Schutz versehen sein.
  • Markieren Sie alle Verpackungen deutlich mit dem Produktnamen, der Teilnummer und dem Bestimmungsort.
  • Alle Pakete müssen mit Nachverfolgungsinformationen versendet werden.
 

Häufige Fragen:

F: Wie heißt der Hochspannungs-MOSFET?
A: Der Markenname ist REASUNOS.
F: Woher kommt das Hochspannungs-MOSFET?
A: Das Hochspannungs-MOSFET wird in Guangdong, China, hergestellt.
F: Wie hoch ist der Preis für das Hochspannungs-MOSFET?
A: Der Preis des Hochspannungs-MOSFET variiert je nach Produkt. Bitte kontaktieren Sie uns für ein Angebot.
F: Wie ist das Hochspannungs-MOSFET verpackt?
A: Das Hochspannungs-MOSFET wird in staub-, wasser- und antistatischen Rohrverpackungen verpackt und in Kartons in einem Karton verpackt.
F: Wie lange dauert es, um das Hochspannungs-MOSFET zu bekommen?
A: Die Lieferung dauert 2-30 Tage, je nach Gesamtmenge der Bestellung.