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1μA インバーター 高電圧MOS,工業高電圧双極トランジスタ

  • 1μA Inverters High Voltage MOS , Industrial High Voltage Bipolar Transistor
起源の場所 広東省、CN
ブランド名 REASUNOS
価格 Confirm price based on product
パッケージの詳細 防塵,防水,防静的管状の包装,紙箱の中に詰め込まれる
受渡し時間 2~30日 (総量によって異なります)
支払条件 100%T/T 前払い (EXW)
供給の能力 5KK/月

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商品の詳細
利点 新しい側面可変的な添加の技術、特別な力MOSの構造、高温の優秀な特徴。 HV Mosfetの塗布 LEDの運転者、アダプター、産業転換の電源、インバーター等
電圧評価 高圧/超高度の電圧 テクノロジー MOSFET
漏れ 低い漏出は1つ以下のµ Aに達することができる 埋め込まれたFRD HV MOSFETの塗布 モーター シリーズ、インバーター、半分橋/完全なブリッジ・サーキットの塗布、等。
超HV MOSFETの塗布 スマートなメートル、キャビネットの電源、産業転換の電源、電力システム、等。 タイプ N
ハイライト

1μA 高電圧MOS

,

インバーター 高電圧MOS

,

工業用高電圧双極トランジスタ
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No. Part No. Type ID(A) VDSS(V) RDS(ON) Typ(mΩ) RDS(ON) Max(mΩ) Package MOQ(pcs) Diode Trr(nS)
1 RSF38N30F N 38 300 0.09 0.11 TO-220F 1000 80
2 RSF45N50W N 45 500 0.1 0.125 TO-247 600 95
3 RSF5N50D N 5 500 1.5 1.85 TO-252 2500 61
4 RSF7N50D N 7 500 1.1 1.5 TO-252 2500 100
5 RSF3N60D N 3 600 2.8 3.4 TO-252 2500 55
6 RSF4N60D N 4 600 2 2.4 TO-252 2500 60
7 RSF4N60F N 4 600 2 2.4 TO-220F 1000 60
8 RS2N65D N 2 650 3.8 4.5 TO-252 2500 --
9 RS2N65F N 2 650 3.8 4.5 TO-220F 1000 --
10 RS4N65D N 4 650 2 2.4 TO-252 2500 --
11 RS4N65MD N 4 650 2 2.4 TO-251 4000 --
12 RS4N65F N 4 650 2 2.4 TO-220F 1000 --
13 RS5N65D N 5 650 1.8 2.1 TO-252 2500 --
14 RS5N65F N 5 650 1.8 2.1 TO-220F 1000 --
15 RS6N65D N 6 650 1.65 1.9 TO-252 2500 --
16 RS6N60F N 6 600 1 1.15 TO-220F 1000 --
17 RS6N65F N 6 650 1.65 1.9 TO-220F 1000 --
18 RS7N65D N 7 650 1.1 1.4 TO-252 2500 --
19 RS7N65MD N 7 650 1.1 1.4 TO-251 4000 --
20 RS7N65F N 7 650 1.1 1.4 TO-220F 1000 --
21 RS8N60F N 8 600 0.75 0.9 TO-220F 1000 --
22 RS8N65F N 8 650 0.95 1.15 TO-220F 1000 --
23 RS10N65D N 10 650 0.93 1.05 TO-252 2500 --
24 RS10N65F N 10 650 0.65 0.8 TO-220F 1000 --
25 RS10N60F N 10 600 0.6 0.72 TO-220F 1000 --
26 RS12N65F N 12 650 0.6 0.72 TO-220F 1000 --
27 RS12N60F N 12 600 0.5 0.62 TO-220F 1000 --
28 RS13N65F N 13 650 0.52 0.65 TO-220F 1000 --
29 RS16N65F N 16 650 0.45 0.55 TO-220F 1000 --
30 RS20N65F N 20 650 0.35 0.45 TO-220F 1000 --
31 RS5N50D N 5 500 1.25 1.45 TO-252 2500 --
32 RS6N50D N 6 500 1.2 1.5 TO-252 2500 --
33 RS9N50D N 9 500 0.65 0.8 TO-252 2500 --
34 RS9N50F N 9 500 0.65 0.8 TO-220F 1000 --
35 RS10N50F N 10 500 0.66 0.8 TO-220F 1000 --
36 RS11N50F N 11 500 0.48 0.6 TO-220F 1000 --
37 RS13N50F N 13 500 0.39 0.46 TO-220F 1000 --
38 RS15N50F N 15 500 0.35 0.42 TO-220F 1000 --
39 RS18N50F N 18 500 0.28 0.34 TO-220F 1000 --
40 RS20N50F N 20 500 0.21 0.27 TO-220F 1000 --
41 RS20N50W N 20 500 0.21 0.27 TO-247-3 600 --
42 RS25N50F N 25 500 0.18 0.24 TO-220F 1000 --
43 RS25N50W N 25 500 0.18 0.24 TO-247-3 600 --
44 RS28N50W N 28 500 0.14 0.18 TO-247-3 600 --
45 RS30N50W N 30 500 0.085 0.12 TO-247-3 600 --
46 RS4N80F N 4 800 3.2 3.8 TO-220F 1000 --
47 RS8N80F N 8 800 1.35 1.6 TO-220F 1000 --
48 RS10N80F N 10 800 1 1.2 TO-220F 1000 --
49 RS3N90MD N 3 900 4 4.8 TO-251 4000 --
50 RS4N90D N 4 900 3 3.5 TO-252 2500 --
51 RS4N90F N 4 900 3 3.5 TO-220F 1000 --
52 RS6N90F N 6 900 1.7 2.05 TO-220F 1000 --
53 RS9N90F N 9 900 1.2 1.55 TO-220F 1000 --
54 RS9N90PF N 9 900 1.2 1.55 TO-3PF 300 --
55 RS2N100D N 2 1000 6 7.2 TO-252 2500 --
56 RSE3N100F N 3 1000 4.6 5.5 TO-220F 1000 --
57 RS6N100F N 6 1000 1.2 1.5 TO-220F 1000 --
58 RS2N120D N 2 1200 10.5 12.5 TO-252 2500 --
59 RS3N120D N 3 1200 7.3 8.5 TO-252 2500 --
60 RS6N120T N 6 1200 2.1 2.5 TO-220 1000 --
61 RS3N150F N 3 1500 5.5 6.5 TO-220F 1000 --
62 RS3N150PF N 3 1500 5.5 6.5 TO-3PF 300 --
63 RS3N150W N 3 1500 5.5 6.5 TO247-3 600 --
メッセージ
No. Part No. Type ID(A) VDSS(V) RDS(ON) Typ(mΩ) RDS(ON) Max(mΩ) Package MOQ(pcs) Diode Trr(nS)
製品の説明

製品説明:

高圧MOSFETを紹介します MOS-Gateトランジスタは 超高圧アプリケーションのために特別に設計されています産業用切換電源この装置は,低電圧の電源システムおよび電源システムアプリケーションに適しています.低流出量は1μA未満に達し,低電源抵抗を持つN型です.このデバイスは,あらゆるタイプの高電圧アプリケーションに最適です.

 

技術パラメータ:

製品名 高電圧MOSFET
熱散 熱 の 散らばる 大量
漏れ 低漏れは1μA未満に達する
利点 新しい横変形ドーピング技術 特殊パワーMOS構造 高温での優れた特性
定位電圧 高電圧/超高電圧
高電圧MOSFETの適用 スマートメーター,キャビネット電源,産業用スイッチング電源,電気電力システムなど
テクノロジー MOSFET
FRD HV MOSFETの適用 モーターシリーズ,インバーター,ハーフブリッジ/フルブリッジ回路のアプリケーションなど
タイプ N
抵抗力 低オン抵抗
 

応用:

中国広東のREASUNOSによって生産される高電圧MOSFETは,多くの利点があります.その価格は製品によって確認されます.それは防塵,防水,反静的管状のパッケージで梱包されています.紙箱の中に入れて カートンに入れて配送時間は総量に応じて2~30日で,支払い条件は100%T/T (EXW) です. REASUNOSはまた,月5KKの大きな容量を持っています.製品の漏れは非常に低いまた,新しい横向変数ドーピング技術と特殊なパワーMOS構造により,高温で優れた性能を備えています.熱を散らす力も高いこの高電圧MOSFETは,モーターシリーズ,インバーター,ハーフブリッジ/フルブリッジ回路アプリケーションなどに使用できます. 高電圧と超高電圧で評価されています.

 

サポートとサービス

高電圧MOSFETの技術サポートとサービス

高電圧MOSFET製品に 総合的な技術サポートとサービスを提供しています経験豊富なエンジニアと技術者の私たちのチームは,あなたの質問に答えるために利用可能であり,製品選択に関するガイドを提供しますまた,お客様の特定の要件を満たすため,カスタマイズされたソリューションと設計支援も提供できます.

当社の技術サポートサービスには以下が含まれます

  • 製品選択と評価
  • アプリケーション最適化
  • 設計支援
  • トラブルシューティング
  • カスタマイズされたソリューション

高電圧 MOSFET 製品に最適な技術サポートとサービスを提供することにコミットしています.質問や支援が必要な場合は,ご連絡ください.

 

梱包と輸送:

梱包 と 輸送
  • 高電圧MOSFET製品は,静電から保護するために,反静的材料に包装する必要があります.
  • すべての輸送には 十分なパッシングと保護が必要です
  • すべてのパッケージに,製品名,部品番号,目的地が明記されています.
  • すべての包裹は追跡情報とともに送られる必要があります.
 

FAQ:

Q: 高電圧MOSFETのブランド名は何ですか?
A: ブランド名は REASUNOS.
Q:高電圧MOSFETはどこから来たのですか?
A: 高電圧MOSFETは中国の広東で製造されています
Q: 高電圧MOSFETの価格は?
A: 高電圧 MOSFET の価格は,製品によって異なります.要約については,ご連絡ください.
Q: 高電圧MOSFETのパッケージは?
A: 高電圧MOSFETは,防塵,防水,反静的管状のパッケージで梱包され, 紙箱に詰められています.
Q: 高電圧MOSFETの製造にはどれくらい時間がかかりますか?
A: 配達時間は2~30日です. 注文の総量によって異なります.
札:

安定した高電圧電源モスフェット

耐熱 高電圧 シック モスフェット

工業用超高電圧トランジスタ