1μA Inverter MOS ad alta tensione, Transistor bipolare ad alta tensione industriale

Luogo di origine Guangdong, CN
Marca REASUNOS
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Imballaggi particolari Imballaggi tubulari antipolvere, impermeabili e antistatici, collocati all'interno di una scatola di
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Dettagli
Vantaggi Tecnologia di verniciatura variabile laterale nuova, potere speciale MOS Structure, caratteristiche Applicazione del Mosfet di alta tensione Driver del LED, adattatori, alimentazione elettrica di commutazione industriale, invertitori ecc
Valutazione di tensione Tensione ad alta tensione/ultraelevata Tecnologia MOSFET
Perdita La perdita bassa può raggiungere meno di 1 µ A Applicazione inclusa del MOSFET di alta tensione di FRD Serie del motore, invertitore, mezzo ponte/applicazioni complete del ponte, ecc.
Applicazione del MOSFET Ultra-alta tensione Metro astuto, alimentazione elettrica del Governo, alimentazione elettrica di commutazione industria Tipo N
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1μA MOS ad alta tensione

,

Invertitori MOS ad alta tensione

,

Transistor bipolare ad alta tensione industriale

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No. Part No. Type ID(A) VDSS(V) RDS(ON) Typ(mΩ) RDS(ON) Max(mΩ) Package MOQ(pcs) Diode Trr(nS)
1 RSF38N30F N 38 300 0.09 0.11 TO-220F 1000 80
2 RSF45N50W N 45 500 0.1 0.125 TO-247 600 95
3 RSF5N50D N 5 500 1.5 1.85 TO-252 2500 61
4 RSF7N50D N 7 500 1.1 1.5 TO-252 2500 100
5 RSF3N60D N 3 600 2.8 3.4 TO-252 2500 55
6 RSF4N60D N 4 600 2 2.4 TO-252 2500 60
7 RSF4N60F N 4 600 2 2.4 TO-220F 1000 60
8 RS2N65D N 2 650 3.8 4.5 TO-252 2500 --
9 RS2N65F N 2 650 3.8 4.5 TO-220F 1000 --
10 RS4N65D N 4 650 2 2.4 TO-252 2500 --
11 RS4N65MD N 4 650 2 2.4 TO-251 4000 --
12 RS4N65F N 4 650 2 2.4 TO-220F 1000 --
13 RS5N65D N 5 650 1.8 2.1 TO-252 2500 --
14 RS5N65F N 5 650 1.8 2.1 TO-220F 1000 --
15 RS6N65D N 6 650 1.65 1.9 TO-252 2500 --
16 RS6N60F N 6 600 1 1.15 TO-220F 1000 --
17 RS6N65F N 6 650 1.65 1.9 TO-220F 1000 --
18 RS7N65D N 7 650 1.1 1.4 TO-252 2500 --
19 RS7N65MD N 7 650 1.1 1.4 TO-251 4000 --
20 RS7N65F N 7 650 1.1 1.4 TO-220F 1000 --
21 RS8N60F N 8 600 0.75 0.9 TO-220F 1000 --
22 RS8N65F N 8 650 0.95 1.15 TO-220F 1000 --
23 RS10N65D N 10 650 0.93 1.05 TO-252 2500 --
24 RS10N65F N 10 650 0.65 0.8 TO-220F 1000 --
25 RS10N60F N 10 600 0.6 0.72 TO-220F 1000 --
26 RS12N65F N 12 650 0.6 0.72 TO-220F 1000 --
27 RS12N60F N 12 600 0.5 0.62 TO-220F 1000 --
28 RS13N65F N 13 650 0.52 0.65 TO-220F 1000 --
29 RS16N65F N 16 650 0.45 0.55 TO-220F 1000 --
30 RS20N65F N 20 650 0.35 0.45 TO-220F 1000 --
31 RS5N50D N 5 500 1.25 1.45 TO-252 2500 --
32 RS6N50D N 6 500 1.2 1.5 TO-252 2500 --
33 RS9N50D N 9 500 0.65 0.8 TO-252 2500 --
34 RS9N50F N 9 500 0.65 0.8 TO-220F 1000 --
35 RS10N50F N 10 500 0.66 0.8 TO-220F 1000 --
36 RS11N50F N 11 500 0.48 0.6 TO-220F 1000 --
37 RS13N50F N 13 500 0.39 0.46 TO-220F 1000 --
38 RS15N50F N 15 500 0.35 0.42 TO-220F 1000 --
39 RS18N50F N 18 500 0.28 0.34 TO-220F 1000 --
40 RS20N50F N 20 500 0.21 0.27 TO-220F 1000 --
41 RS20N50W N 20 500 0.21 0.27 TO-247-3 600 --
42 RS25N50F N 25 500 0.18 0.24 TO-220F 1000 --
43 RS25N50W N 25 500 0.18 0.24 TO-247-3 600 --
44 RS28N50W N 28 500 0.14 0.18 TO-247-3 600 --
45 RS30N50W N 30 500 0.085 0.12 TO-247-3 600 --
46 RS4N80F N 4 800 3.2 3.8 TO-220F 1000 --
47 RS8N80F N 8 800 1.35 1.6 TO-220F 1000 --
48 RS10N80F N 10 800 1 1.2 TO-220F 1000 --
49 RS3N90MD N 3 900 4 4.8 TO-251 4000 --
50 RS4N90D N 4 900 3 3.5 TO-252 2500 --
51 RS4N90F N 4 900 3 3.5 TO-220F 1000 --
52 RS6N90F N 6 900 1.7 2.05 TO-220F 1000 --
53 RS9N90F N 9 900 1.2 1.55 TO-220F 1000 --
54 RS9N90PF N 9 900 1.2 1.55 TO-3PF 300 --
55 RS2N100D N 2 1000 6 7.2 TO-252 2500 --
56 RSE3N100F N 3 1000 4.6 5.5 TO-220F 1000 --
57 RS6N100F N 6 1000 1.2 1.5 TO-220F 1000 --
58 RS2N120D N 2 1200 10.5 12.5 TO-252 2500 --
59 RS3N120D N 3 1200 7.3 8.5 TO-252 2500 --
60 RS6N120T N 6 1200 2.1 2.5 TO-220 1000 --
61 RS3N150F N 3 1500 5.5 6.5 TO-220F 1000 --
62 RS3N150PF N 3 1500 5.5 6.5 TO-3PF 300 --
63 RS3N150W N 3 1500 5.5 6.5 TO247-3 600 --
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No. Part No. Type ID(A) VDSS(V) RDS(ON) Typ(mΩ) RDS(ON) Max(mΩ) Package MOQ(pcs) Diode Trr(nS)
Descrizione di prodotto

Descrizione del prodotto:

Introducendo il MOSFET ad alta tensione, un transistor MOS-Gate specificamente progettato per applicazioni ad altissima tensione.Fornitore di alimentazione industrialeQuesto dispositivo è perfetto per qualsiasi tipo di applicazione ad alta tensione.

 

Parametri tecnici:

Nome del prodotto MOSFET ad alta tensione
Dissipazione del calore Grande dissipazione del calore
Perforazione Le perdite possono raggiungere meno di 1 μA
Vantaggi Nuova tecnologia di doping laterale variabile, Struttura MOS di potenza speciale, eccellenti caratteristiche ad alta temperatura.
Valore nominale della tensione Alta tensione/ultraalta tensione
Applicazione di MOSFET ad alta tensione Misuratore intelligente, alimentatore per gabinetti, alimentatore per commutazioni industriali, sistema di alimentazione elettrica, ecc.
Tecnologia MOSFET
Applicazione di FRD HV MOSFET Serie di motori, inverter, applicazioni di circuito a mezzo ponte/pieno ponte, ecc.
Tipo N
Resistenza Bassa resistenza di accensione
 

Applicazioni:

Il MOSFET ad alta tensione, prodotto da REASUNOS nel Guangdong, Cina, ha molti vantaggi. Il suo prezzo è confermato in base al prodotto.e collocati all'interno di una scatola di cartone in cartone. Il tempo di consegna è di 2-30 giorni, a seconda della quantità totale; e i termini di pagamento sono 100% T/T in anticipo (EXW).La perdita del prodotto è molto bassaInoltre, è dotato della nuova tecnologia di doping laterale variabile e della struttura MOS di potenza speciale, che lo rendono eccellente ad alte temperature.ha una grande dissipazione del caloreQuesto MOSFET ad alta tensione può essere utilizzato per serie di motori, inverter, applicazioni di circuito half bridge/full bridge, ecc. È indicato con alta tensione e ultra-alta tensione.

 

Supporto e servizi:

Supporto tecnico e servizi per MOSFET ad alta tensione

Forniamo un supporto tecnico completo e servizi per i prodotti MOSFET ad alta tensione.Il nostro team di ingegneri e tecnici esperti è disponibile per rispondere alle vostre domande e offrire indicazioni sulla selezione del prodottoPossiamo inoltre fornire soluzioni personalizzate e assistenza di progettazione per soddisfare le vostre esigenze specifiche.

I nostri servizi di supporto tecnico includono:

  • Selezione e valutazione dei prodotti
  • Ottimizzazione delle applicazioni
  • Assistenza alla progettazione
  • Risoluzione dei problemi
  • Soluzioni personalizzate

Ci impegniamo a fornire il miglior supporto tecnico e servizi per i prodotti MOSFET ad alta tensione.

 

Imballaggio e trasporto:

Imballaggio e spedizione
  • I prodotti MOSFET ad alta tensione devono essere confezionati in un materiale antistatico per proteggerli dall'elettricità statica.
  • Tutti i trasporti devono essere muniti di un'adeguata imbottitura e protezione.
  • Marcare chiaramente tutti i pacchetti con il nome del prodotto, il numero della parte e la destinazione.
  • Tutti i pacchi devono essere spediti con informazioni di tracciamento.
 

FAQ:

D: Qual è il marchio del MOSFET ad alta tensione?
R: Il marchio è REASUNOS.
D: Da dove viene il MOSFET ad alta tensione?
R: Il MOSFET ad alta tensione è prodotto nel Guangdong, in Cina.
D: Qual è il prezzo del MOSFET ad alta tensione?
R: Il prezzo del MOSFET ad alta tensione varia a seconda del prodotto.
D: Come è confezionato il MOSFET ad alta tensione?
R: Il MOSFET ad alta tensione è confezionato in un imballaggio tubulare antistatico, impermeabile e antirughe, collocato in una scatola di cartone in cartone.
D: Quanto tempo ci vuole per ottenere il MOSFET ad alta tensione?
R: La consegna dura da 2 a 30 giorni, a seconda della quantità totale dell'ordine.